JPH0236608A - 弾性表面波素子の周波数調整方法 - Google Patents
弾性表面波素子の周波数調整方法Info
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- JPH0236608A JPH0236608A JP18770488A JP18770488A JPH0236608A JP H0236608 A JPH0236608 A JP H0236608A JP 18770488 A JP18770488 A JP 18770488A JP 18770488 A JP18770488 A JP 18770488A JP H0236608 A JPH0236608 A JP H0236608A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
弾性表面波素子の発振周波数を調整するための方法に関
し、 特に高周波素子の周波数調整を容易かつ高精度化するこ
とを目的とし、 リチウムタンタレート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ３
６度回転させたＹ仮から切り出した基板上に電極を形成
し、その上にプラズマＣＶＤにより屈折率が１．４６±
０．０１の二酸化シリコン膜を積層した弾性表面波素子
において、 該二酸化シリコン膜の上に、電子ビーム蒸着法によって
酸化シリコン膜または五酸化タンタル膜あるいは窒化シ
リコン膜を積層することを特徴とする、 ならびに、該弾性表面波素子において、四フフ化炭素を
用いたプラズマエツチングにより、前記二酸化シリコン
膜の表層部を除去することを特徴とし構成する。
し、 特に高周波素子の周波数調整を容易かつ高精度化するこ
とを目的とし、 リチウムタンタレート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ３
６度回転させたＹ仮から切り出した基板上に電極を形成
し、その上にプラズマＣＶＤにより屈折率が１．４６±
０．０１の二酸化シリコン膜を積層した弾性表面波素子
において、 該二酸化シリコン膜の上に、電子ビーム蒸着法によって
酸化シリコン膜または五酸化タンタル膜あるいは窒化シ
リコン膜を積層することを特徴とする、 ならびに、該弾性表面波素子において、四フフ化炭素を
用いたプラズマエツチングにより、前記二酸化シリコン
膜の表層部を除去することを特徴とし構成する。
本発明は、ＶＨＦ、ＵＨＦ周波数帯域において信号処理
等に使用される弾性表面波素子、特にその周波数調整方
法に関する。
等に使用される弾性表面波素子、特にその周波数調整方
法に関する。
近年の情報処理機器２通信機器の高速化に伴って、これ
らの装置中で使用される周波数は、高周波へ移行してい
る。また、高周波における基準信号の発生、フィルタリ
ング等が必要となり、これらの用途に弾性表面波素子が
使用されているが、周波数の高精度化が要求されている
前記機器において、該素子の高精度化および安定化が望
まれている。
らの装置中で使用される周波数は、高周波へ移行してい
る。また、高周波における基準信号の発生、フィルタリ
ング等が必要となり、これらの用途に弾性表面波素子が
使用されているが、周波数の高精度化が要求されている
前記機器において、該素子の高精度化および安定化が望
まれている。
弾性表面波素子を用いたフィルタの挿入損失や比帯域幅
、ＶＣＯとしての周波数可変幅の点で、大きな結合係数
をもつにも係わらず比較的温度係数の優れたリチウムタ
ンタレート（ＬｉＴａＯ＋）の圧電体、特にリチウムタ
ンタレート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ３６度回転さ
せたＹ板（３６’ Ｙ −ＸＬｉＴａｇ、板）から切り
出した圧電体を利用した素子は、極めて有用であり、現
在、この３６ ” Ｙ −ＸＬｉＴａ０゜板上に二酸化
シリコン（Ｓｉｎｔ）を積層し、温度特性を改善する試
みがなされている。かかる基板上に電極を形成した素子
は、電極の膜厚および電極幅ならびにＳｉＯ□の膜厚変
化等によって、周波数にばらつきを生じるため、その周
波数調整が必要となる。
、ＶＣＯとしての周波数可変幅の点で、大きな結合係数
をもつにも係わらず比較的温度係数の優れたリチウムタ
ンタレート（ＬｉＴａＯ＋）の圧電体、特にリチウムタ
ンタレート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ３６度回転さ
せたＹ板（３６’ Ｙ −ＸＬｉＴａｇ、板）から切り
出した圧電体を利用した素子は、極めて有用であり、現
在、この３６ ” Ｙ −ＸＬｉＴａ０゜板上に二酸化
シリコン（Ｓｉｎｔ）を積層し、温度特性を改善する試
みがなされている。かかる基板上に電極を形成した素子
は、電極の膜厚および電極幅ならびにＳｉＯ□の膜厚変
化等によって、周波数にばらつきを生じるため、その周
波数調整が必要となる。
第７図は弾性表面波素子の概略構成を示す平面図（イ）
とその断面図（ロ）、第８図（イ）、（ＩＩ）は３６゜
Ｙ −ＸＬｉＴａＯｘ板の説明図である。
とその断面図（ロ）、第８図（イ）、（ＩＩ）は３６゜
Ｙ −ＸＬｉＴａＯｘ板の説明図である。
第７図において、第８図に示すようにリチウムタンタレ
ート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ３６度回転させたＹ
板（ウェーハ）ｌから圧電体３を切り出した弾性表面波
素子２は、圧電体３の上面の中央に駆動電極４を形成し
、駆動電極４の左方および右方位置に、反射電極５を形
成してなる。
ート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ３６度回転させたＹ
板（ウェーハ）ｌから圧電体３を切り出した弾性表面波
素子２は、圧電体３の上面の中央に駆動電極４を形成し
、駆動電極４の左方および右方位置に、反射電極５を形
成してなる。
従来、かかる素子２の周波数調整方法は、電極４．５を
エツチングして薄くするまたは電極４゜５の一部をトリ
ミングする方法あるいは、圧電体３の電極間をエツチン
グする方法であった。
エツチングして薄くするまたは電極４゜５の一部をトリ
ミングする方法あるいは、圧電体３の電極間をエツチン
グする方法であった。
また、弾性表面波素子２の温度特性を改善するため、第
柔図−（ＩＩ）に−点鎖線で示すようにＳｉＯ□膜６を
積層した弾性表面波素子では、紫外線照射による周波数
調整方法も報告されている。
柔図−（ＩＩ）に−点鎖線で示すようにＳｉＯ□膜６を
積層した弾性表面波素子では、紫外線照射による周波数
調整方法も報告されている。
Ｓｉｎ、膜６には屈折率が１．４６±０．０１のものを
使用しており、１．４６±０．０１から外れた屈折率の
Ｓｉｎｇ膜６を使用すると、温度特性の改善が損なわれ
るのみならず、他の電気特性をも低減させることになる
。
使用しており、１．４６±０．０１から外れた屈折率の
Ｓｉｎｇ膜６を使用すると、温度特性の改善が損なわれ
るのみならず、他の電気特性をも低減させることになる
。
以上説明したように、電極または電極間の圧電体をエツ
チングする従来の周波数調整方法は、特に電極パターン
が微細化されると困難となり、高性能の所望周波数に対
して効率的かつ高精度に調整できないという問題点があ
った。
チングする従来の周波数調整方法は、特に電極パターン
が微細化されると困難となり、高性能の所望周波数に対
して効率的かつ高精度に調整できないという問題点があ
った。
本発明の実施例を示す第１図または第３図によれば、
リチウムタンタレート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ３
６度回転させたＹ板から切り出した基板３上に駆動電極
４と反射電極５とを形成し、その上にプラズマＣＶＤに
より屈折率が１．４６±０．０１の二酸化シリコン膜６
を積層した弾性表面波素子１１において、 二酸化シリコン膜６の上に、電子ビーム蒸着法によって
酸化シリコン膜１２を積層することを特徴とした弾性表
面波素子１１の周波数調整方法、ならびに、リチウムタ
ンタレート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ３６度回転さ
せたＹ板から切り出した基板３上に駆動電極４と反射電
極５とを形成し、その上にプラズマＣＶＤにより屈折率
が１．４６±０．０１の二酸化シリコン膜６を積層した
弾性表面波素子２１において、 四フッ化炭素を用いたプラズマエツチングにより、前記
二酸化シリコン膜６の表層部１６を除去することを特徴
とした弾性表面波素子の周波数調整方法である。
６度回転させたＹ板から切り出した基板３上に駆動電極
４と反射電極５とを形成し、その上にプラズマＣＶＤに
より屈折率が１．４６±０．０１の二酸化シリコン膜６
を積層した弾性表面波素子１１において、 二酸化シリコン膜６の上に、電子ビーム蒸着法によって
酸化シリコン膜１２を積層することを特徴とした弾性表
面波素子１１の周波数調整方法、ならびに、リチウムタ
ンタレート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方向へ３６度回転さ
せたＹ板から切り出した基板３上に駆動電極４と反射電
極５とを形成し、その上にプラズマＣＶＤにより屈折率
が１．４６±０．０１の二酸化シリコン膜６を積層した
弾性表面波素子２１において、 四フッ化炭素を用いたプラズマエツチングにより、前記
二酸化シリコン膜６の表層部１６を除去することを特徴
とした弾性表面波素子の周波数調整方法である。
３６°Ｙ ＸＬｉＴａＯ３板を伝播する音速をｖＩ、
屈折率が１．４６±０．Ｏｌの二酸化シリコン膜を伝播
する音速をｖｚ、電子ビーム薫着法による酸化シリコン
膜を伝播する音速をｖ３としたとき、それらの音速間に
は ＶＩ＞Ｖ２＞Ｖ、！ の関係が成立する。
屈折率が１．４６±０．Ｏｌの二酸化シリコン膜を伝播
する音速をｖｚ、電子ビーム薫着法による酸化シリコン
膜を伝播する音速をｖ３としたとき、それらの音速間に
は ＶＩ＞Ｖ２＞Ｖ、！ の関係が成立する。
従って、３６ ’ Ｙ −Ｘ ＬｉＴａＯ３仮より切り
出した基板の表面に電極を形成し、その上に二酸化シリ
コン膜を積層させると、該電極に適当な電流を印加して
発生する弾性表面波の速度は、二酸化シリコン膜を積層
しないものより遅くなり、該二酸化シリコン膜の上に酸
化シリコン膜を積層した素子の弾性表面波は、さらに遅
くなる。そこで、発振周波数が所望値より高（なるよう
に、二酸化シリコン膜、酸化シリコン膜の積層された弾
性表面波素子は、酸化シリコン膜の表層部を除去するこ
とによって、発振周波数を所望値に調整可能である。
出した基板の表面に電極を形成し、その上に二酸化シリ
コン膜を積層させると、該電極に適当な電流を印加して
発生する弾性表面波の速度は、二酸化シリコン膜を積層
しないものより遅くなり、該二酸化シリコン膜の上に酸
化シリコン膜を積層した素子の弾性表面波は、さらに遅
くなる。そこで、発振周波数が所望値より高（なるよう
に、二酸化シリコン膜、酸化シリコン膜の積層された弾
性表面波素子は、酸化シリコン膜の表層部を除去するこ
とによって、発振周波数を所望値に調整可能である。
さらに、発振周波数が所望値より低くなるように、二酸
化シリコン膜の積層された弾性表面波素子は、二酸化シ
リコン膜の表層部を除去することによって、発振周波数
を所望値に調整可能である。
化シリコン膜の積層された弾性表面波素子は、二酸化シ
リコン膜の表層部を除去することによって、発振周波数
を所望値に調整可能である。
以下に、図面を用いて本発明による弾性表面波素子の周
波数調整方法を説明する。
波数調整方法を説明する。
第１図は本発明の第１の実施例による弾性表面波素子の
模式断面図、第２図は第１図に示す実施例において酸化
シリコン膜の厚さと発振周波数との関係を示す図、第３
図は本発明の第２の実施例による弾性表面波素子の模式
断面図、第４図は第３図に示す実施例においてエツチン
グ時間と周波数の変化率との関係を示す図である。
模式断面図、第２図は第１図に示す実施例において酸化
シリコン膜の厚さと発振周波数との関係を示す図、第３
図は本発明の第２の実施例による弾性表面波素子の模式
断面図、第４図は第３図に示す実施例においてエツチン
グ時間と周波数の変化率との関係を示す図である。
第１図において、弾性表面波素子１１は３６°Ｙ−ＸＬ
ｉＴａ□ｚ仮より切り出した圧電体３の上面の中央に駆
動電極４を形成し、駆動電極４の左方および右方位置に
反射電極５を形成し、その上に屈折率が１．４６±０．
０１の二酸化シリコン（Ｓｉ Ｏｚ）膜６をプラズマＣ
ＶＤにより積層し、その上にＮ子ビーム蒸着法によって
酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜１２を適当な厚さに積層し
周波数調整したものである。
ｉＴａ□ｚ仮より切り出した圧電体３の上面の中央に駆
動電極４を形成し、駆動電極４の左方および右方位置に
反射電極５を形成し、その上に屈折率が１．４６±０．
０１の二酸化シリコン（Ｓｉ Ｏｚ）膜６をプラズマＣ
ＶＤにより積層し、その上にＮ子ビーム蒸着法によって
酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜１２を適当な厚さに積層し
周波数調整したものである。
第２図において、横軸はＳｉＯｘ膜１２の厚さ（Ａ）縦
軸は素子１１の発振周波数（ＭＨｚ）であり、測定に使
用した素子１１は、厚さ３．７５μｍに積層させたＳｉ
Ｏ□膜６の上に、ＳｉＯｘ膜１２を積層したものであり
、例えば厚さ２０００人のＳｉＯｘ膜１２を積層した素
子１１の発振周波数は、ＳｉＯｘ膜１２を積層する前よ
り約１．３６ＭＨｚだけ低下するようになる。
軸は素子１１の発振周波数（ＭＨｚ）であり、測定に使
用した素子１１は、厚さ３．７５μｍに積層させたＳｉ
Ｏ□膜６の上に、ＳｉＯｘ膜１２を積層したものであり
、例えば厚さ２０００人のＳｉＯｘ膜１２を積層した素
子１１の発振周波数は、ＳｉＯｘ膜１２を積層する前よ
り約１．３６ＭＨｚだけ低下するようになる。
そこで、第２図より素子１１の発振周波数を例えば１７
７ＭＨ７にしようとするときは、厚さ１５００人のＳｉ
Ｏｘ膜１２を積層すればよいことになる。
７ＭＨ７にしようとするときは、厚さ１５００人のＳｉ
Ｏｘ膜１２を積層すればよいことになる。
第３図において、弾性表面波素子２１は３６６Ｙ −Ｘ
ＬｉＴａＯｔ板より切り出した圧電体３の上面の中央に
駆動電極４を形成し、駆動電極４の左方および右方位置
に反射電極５を形成し、その上に屈折率が１．４６±０
．０１の二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）膜６をプラズマＣ
ＶＤにより積層したのち、一般にアルミニウム（Ａ６）
にてなる電極４の表呈部および、電極４を測定系に接続
するＡｌワイヤを腐食させないため四フッ化炭素（ＣＨ
４）または、適量の酸素ガス（０２）を含むＣＩ（４の
雰囲気中に高周波電界を印加したプラズマエツチングに
よって、ＳｉＯ２膜６０膜層０表層部１６だけ除去する
ことで周波数調整したものである。
ＬｉＴａＯｔ板より切り出した圧電体３の上面の中央に
駆動電極４を形成し、駆動電極４の左方および右方位置
に反射電極５を形成し、その上に屈折率が１．４６±０
．０１の二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）膜６をプラズマＣ
ＶＤにより積層したのち、一般にアルミニウム（Ａ６）
にてなる電極４の表呈部および、電極４を測定系に接続
するＡｌワイヤを腐食させないため四フッ化炭素（ＣＨ
４）または、適量の酸素ガス（０２）を含むＣＩ（４の
雰囲気中に高周波電界を印加したプラズマエツチングに
よって、ＳｉＯ２膜６０膜層０表層部１６だけ除去する
ことで周波数調整したものである。
第４図において、横軸はエツチング時間（ｍｉｎ）。
縦軸は素子２１の発振周波数の変化率（％）であり、５
ｉ０２ｎ莫６のエツチング条件を下記の表の如く試料表 １〜３について設定したとき、測定値をプロットしそれ
を実線で結んだ試料１．同プロットを破線で結んだ試料
２．同プロットを一点鎖線で結んだ試料３は、エツチン
グ条件（パワー）の差異によってエツチング速度が異な
り、エツチング時間に対し発振周波数の変化率は直線的
に変化（増加）する。
ｉ０２ｎ莫６のエツチング条件を下記の表の如く試料表 １〜３について設定したとき、測定値をプロットしそれ
を実線で結んだ試料１．同プロットを破線で結んだ試料
２．同プロットを一点鎖線で結んだ試料３は、エツチン
グ条件（パワー）の差異によってエツチング速度が異な
り、エツチング時間に対し発振周波数の変化率は直線的
に変化（増加）する。
第５図は本発明の第３の実施例として、前記第１の実施
例におけるＳｉＯｘ膜に替えて五酸化タンタル（Ｔａｘ
ｅｓ）膜を蒸着したとき、該Ｔａ２’ｓ Ｍ！、の厚さ
と発振周波数の変化率との関係を示す図である。
例におけるＳｉＯｘ膜に替えて五酸化タンタル（Ｔａｘ
ｅｓ）膜を蒸着したとき、該Ｔａ２’ｓ Ｍ！、の厚さ
と発振周波数の変化率との関係を示す図である。
第５図において、厚さ５０人のＴａｘｅｓ膜を被着し発
振周波数ｆｏ＝１７５．７５ＭＨｚまたは１７６．０４
ＭＨｚとした弾性表面波素子は、周波数変化率が−０，
２９％程度であるのに対し、厚さ１００人のＴａｚ０５
膜を被着し発振周波数ｆ ｏ ” １７５．９８ Ｍ
Ｈｚまたは１７５．７６ＭＨｚとした弾性表面波素子は
、周波数変化率が−０，５８％程度となる。
振周波数ｆｏ＝１７５．７５ＭＨｚまたは１７６．０４
ＭＨｚとした弾性表面波素子は、周波数変化率が−０，
２９％程度であるのに対し、厚さ１００人のＴａｚ０５
膜を被着し発振周波数ｆ ｏ ” １７５．９８ Ｍ
Ｈｚまたは１７５．７６ＭＨｚとした弾性表面波素子は
、周波数変化率が−０，５８％程度となる。
第６図は本発明の第４の実施例として、前記第１の実施
例におけるＳｉＯｘ膜に替えて窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ
ｎ）を蒸着したとき、該Ｓｉ３Ｎ４膜の厚さと発振周波
数の変化率との関係を示す図である。
例におけるＳｉＯｘ膜に替えて窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ
ｎ）を蒸着したとき、該Ｓｉ３Ｎ４膜の厚さと発振周波
数の変化率との関係を示す図である。
第６図において、厚さ１８００人のＳｉ＋Ｎａ膜を被着
し発振周波数ｆｏ＝１７５．８８ＭＨｚまたは１７６．
２３ＭＩ（ｚとした弾性表面波素子は、周波数変化率が
一〇、６７％程度であるのに対し、厚さ３０００人のＳ
ｔ、Ｎ、膜を被着し発振周波数ｆ ｏ ＝ １７６、３
３ Ｍ Ｈｚまたは１７５．８６ＭＨｚとした弾性表面
波素子は、周波数変化率が−１，１％程度となる。
し発振周波数ｆｏ＝１７５．８８ＭＨｚまたは１７６．
２３ＭＩ（ｚとした弾性表面波素子は、周波数変化率が
一〇、６７％程度であるのに対し、厚さ３０００人のＳ
ｔ、Ｎ、膜を被着し発振周波数ｆ ｏ ＝ １７６、３
３ Ｍ Ｈｚまたは１７５．８６ＭＨｚとした弾性表面
波素子は、周波数変化率が−１，１％程度となる。
以上説明したように本発明方法によれば、電極のパター
ン形状と無関係にＳｉＯｘ膜、Ｔａｚ０５膜、Ｓｉ、Ｎ
４膜を適当な厚さに例えば発振周波数を測定しなから被
着させるまたは、前以て被着したＳｉＯ□膜を適当な厚
さとなるように除去することで周波数調整するため、特
に高周波素子の生産性に優れ微調整を可能止した効果が
ある。
ン形状と無関係にＳｉＯｘ膜、Ｔａｚ０５膜、Ｓｉ、Ｎ
４膜を適当な厚さに例えば発振周波数を測定しなから被
着させるまたは、前以て被着したＳｉＯ□膜を適当な厚
さとなるように除去することで周波数調整するため、特
に高周波素子の生産性に優れ微調整を可能止した効果が
ある。
第１図は本発明の第１の実施例による弾性表面波素子の
模式断面図、 第２回は第１図に示す酸化シリコン膜の厚さと発振周波
数との関係を示す図、 第３図は本発明の第２の実施例による弾性表面波素子の
模式断面図、 第４図は第３図に示す実施例において二酸化シリコン膜
のエツチング時間と発振周波数の変化率との関係を示す
図、 第５図は本発明の第３の実施例におけるＴａ２ｅｓ膜の
厚さと発振周波数の変化率との関係を示す図、 第６図は本発明の第４の実施例におけるＳｉ３Ｎ４膜の
厚さと発振周波数の変化率との関係を示す図、 第７図は弾性表面波素子の概略構成を示す図、第８図は
３６°Ｙ −Ｘ ＬｉＴａＯ３板の説明図、である。 図中において、 ■は３６ ’ Ｙ Ｘ ＬｉＴａ０．仮、３は素子基
板、 ４．５は電極、 ６は二酸化シリコン膜、 １１．２１は弾性表面波素子、 １６は二酸化シリコン膜の表層部、 を示す。 第 ず 口 第 霞 第 （口９ 弾性表面波素子の周波数調整方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地名称
（５２２）富士通株式会社 代表者 山 本 卓 眞 ４、代理人 郵便番号 ２１１ 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地（イ
） （コノ３６’Ｙ−
ＸＬｉＴ４０３板のａｌ’Ｆ口第 ｇ 図 ５、補正により増加する発明の数 補正命令の日付 羊＝嚇罎辛→−一 粘＝ヰ≠障青合 なし ７、補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２）図面の
（第８図） ８、補正の内容 （１）明細書の第１０頁第６行目と第７行目に記載のｒ
ＣＨ，ＪをｒｃＦ、Ｊと補正する。 （２）明細書の第１０頁第１５行目に表中に記載の「シ
ラン流量」をｒＣＦ、流量」と補正する。 （３） 図面第８図を別紙の通り補正する。 ９、添付書類の目録 （１）補正図面 （イン Ｘ軸 （ロ） ３６’ Ｙ−ＸＬＩＴａθＪ 叔／ｌ ＭＬ明門口 ６
図
模式断面図、 第２回は第１図に示す酸化シリコン膜の厚さと発振周波
数との関係を示す図、 第３図は本発明の第２の実施例による弾性表面波素子の
模式断面図、 第４図は第３図に示す実施例において二酸化シリコン膜
のエツチング時間と発振周波数の変化率との関係を示す
図、 第５図は本発明の第３の実施例におけるＴａ２ｅｓ膜の
厚さと発振周波数の変化率との関係を示す図、 第６図は本発明の第４の実施例におけるＳｉ３Ｎ４膜の
厚さと発振周波数の変化率との関係を示す図、 第７図は弾性表面波素子の概略構成を示す図、第８図は
３６°Ｙ −Ｘ ＬｉＴａＯ３板の説明図、である。 図中において、 ■は３６ ’ Ｙ Ｘ ＬｉＴａ０．仮、３は素子基
板、 ４．５は電極、 ６は二酸化シリコン膜、 １１．２１は弾性表面波素子、 １６は二酸化シリコン膜の表層部、 を示す。 第 ず 口 第 霞 第 （口９ 弾性表面波素子の周波数調整方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地名称
（５２２）富士通株式会社 代表者 山 本 卓 眞 ４、代理人 郵便番号 ２１１ 住所 神奈川県用崎市中原区上小田中１０１５番地（イ
） （コノ３６’Ｙ−
ＸＬｉＴ４０３板のａｌ’Ｆ口第 ｇ 図 ５、補正により増加する発明の数 補正命令の日付 羊＝嚇罎辛→−一 粘＝ヰ≠障青合 なし ７、補正の対象 （１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２）図面の
（第８図） ８、補正の内容 （１）明細書の第１０頁第６行目と第７行目に記載のｒ
ＣＨ，ＪをｒｃＦ、Ｊと補正する。 （２）明細書の第１０頁第１５行目に表中に記載の「シ
ラン流量」をｒＣＦ、流量」と補正する。 （３） 図面第８図を別紙の通り補正する。 ９、添付書類の目録 （１）補正図面 （イン Ｘ軸 （ロ） ３６’ Ｙ−ＸＬＩＴａθＪ 叔／ｌ ＭＬ明門口 ６
図
Claims (2)
- （１）リチウムタンタレート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方
向へ３６度回転させたＹ板から切り出した基板（３）上
に電極（４，５）を形成し、その上にプラズマＣＶＤに
より屈折率が１．４６±０．０１の二酸化シリコン膜（
６）を積層した弾性表面波素子において、該二酸化シリ
コン膜（６）の上に、電子ビーム蒸着法によって酸化シ
リコン膜（１２）または五酸化タンタル膜あるいは窒化
シリコン膜を積層することを特徴とした弾性表面波素子
の周波数調整方法。 - （２）リチウムタンタレート単結晶のＸ軸廻りにＺ軸方
向へ３６度回転させたＹ板から切り出した基板（３）上
に電極（４，５）を形成し、その上にプラズマＣＶＤに
より屈折率が１．４６±０．０１の二酸化シリコン膜（
６）を積層した弾性表面波素子において、四フッ化炭素
を用いたプラズマエッチングにより、前記二酸化シリコ
ン膜（６）の表層部（１６）を除去することを特徴とし
た弾性表面波素子の周波数調整方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187704A JPH0748626B2 (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 弾性表面波素子の周波数調整方法 |
| US07/384,829 US4978879A (en) | 1988-07-27 | 1989-07-25 | Acoustic surface wave element |
| DE68921811T DE68921811T2 (de) | 1988-07-27 | 1989-07-27 | Akustische Oberflächenwellenanordnungen. |
| EP89307660A EP0353073B1 (en) | 1988-07-27 | 1989-07-27 | Acoustic surface wave devices |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63187704A JPH0748626B2 (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 弾性表面波素子の周波数調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0236608A true JPH0236608A (ja) | 1990-02-06 |
| JPH0748626B2 JPH0748626B2 (ja) | 1995-05-24 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP63187704A Expired - Fee Related JPH0748626B2 (ja) | 1988-07-27 | 1988-07-27 | 弾性表面波素子の周波数調整方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH0748626B2 (ja) |
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| CN115781946B (zh) * | 2022-11-29 | 2024-06-04 | 山东大学 | 一种铌酸锂晶体的压缩式高温压电敏感切型及制备与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0748626B2 (ja) | 1995-05-24 |
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