JPH0239603A - マイクロ波装置 - Google Patents

マイクロ波装置

Info

Publication number
JPH0239603A
JPH0239603A JP63188049A JP18804988A JPH0239603A JP H0239603 A JPH0239603 A JP H0239603A JP 63188049 A JP63188049 A JP 63188049A JP 18804988 A JP18804988 A JP 18804988A JP H0239603 A JPH0239603 A JP H0239603A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier
microwave
housing
surface part
fixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63188049A
Other languages
English (en)
Inventor
Tamio Saito
斉藤 民雄
Yoji Ohashi
洋二 大橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP63188049A priority Critical patent/JPH0239603A/ja
Publication of JPH0239603A publication Critical patent/JPH0239603A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 マイクロ波回路の放熱を改善したマイクロ波装置に関し
、 高周波特性を劣化させることな(、放熱特性を向上させ
ることを目的とし、 マイクロストリップラインを用いたマイクロ波集積回路
を表面に形成した誘電体基板を、導電体からなるキャリ
ア上に固定してマイクロ波回路を構成し、コネクタを有
する筺体に前記マイクロ波回路を固定し、前記コネクタ
と前記マイクロストリップラインとを接続したマイクロ
波装置に於いて、前記キャリアの上面部に対して取付孔
を有する下面部を段付部を介して突出させ、前記筺体に
、該筺体の下方から前記キャリアの上面部を挿入し得る
孔と、前記段付部に当接し得る段部とを形成し、前記筺
体に前記キャリアを前記下面部の前記数付孔を通したね
じにより固定して構成した。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マイクロ波回路の放熱を改善したマイクロ波
装置に関するものである。
マイクロストリップラインとマイクロ波トランジスタ等
とにより、マイクロ波集積回路を誘電体基板上に形成し
、その誘電体基板をキャリアに固定してマイクロ波回路
を構成し、キャリアを筺体に接触させてマイクロ波回路
を筺体に固定し、各種のマイクロ波装置を構成している
。このようなマイクロ波装置に於いては、トランジスタ
等から発生する熱を充分に放散させて、温度上昇を許容
値以下にすることが必要である。
〔従来の技術〕
従来例のマイクロ波装置は、例えば、第6図及び第7図
に示す構成を有するものであり、トランジスタ20やマ
イクロストリップライン21によりマイクロ波集積回路
22を誘電体基板23上に形成し、この誘電体基板23
を、銅等の導電体からなるキャリア24上に固定してマ
イクロ波回路25を形成し、このマイクロ波回路25を
、金属の筺体27に形成した穴に上部から嵌入し、ねじ
30により固定し、コネクタ26の中心導体26aを入
出カライン28に接続し、又入出カライン28とマイク
ロストリップライン21とを金箔接続片等により接続し
、マイクロ波増幅器等のマイクロ波装置を構成している
キャリア24と筺体27との接触を段部24aに於いて
確実にする為に、筺体27に形成した穴の深さよりキャ
リア24の厚さを薄(シている。
又図示を省略した蓋板により、マイクロ波集積回路22
を保護するように密閉するものである。このようなマイ
クロ波装置の筺体27は、例えば、6 G Hz帯用に
於いて長辺が約50mm程度となる。
〔発明が解決しようとする課題〕
キャリア24と筺体27との間の高周波インピーダンス
を低下させる為に、前述のように、段部24aに於いて
密接するように固定するものであり、その為に、キャリ
ア24の裏面と、筺体27の穴の底部との間に隙間29
が生じる。このような隙間29により、キャリア24と
筺体27との間の熱抵抗が大きくなる。
マイクロ波高出力増幅器を構成する場合、トランジスタ
に於いて発生する熱を放散させる必要があり、前述の従
来例の構成に於いては、トランジスタの発生熱は、キャ
リア24から段部24aを介して筺体27に伝達され、
筺体27から自然空冷や強制空冷により放散される。
キャリア24と筺体27との間の熱抵抗を低くする為に
、段部24aの面積を大きくすることが考えられるが、
全面にわたり完全接触させることは困難であり、その為
に高周波特性が劣化する場合がある。又鏡面仕上げのよ
うな高精度加工を行うことが考えられるが、それによっ
て、キャリア24及び筺体27が非常に高価なものとな
る欠点が生じる。
本発明は、高周波特性を劣化させることなく、放熱特性
を向上させることを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のマイクロ波装置は、キャリアと筺体との接触を
良好に維持できると共に、キャリアを直接的に冷却し得
るようにしたものであり、第1図を参照して説明する。
マイクロストリップライン1やマイクロ波トランジスタ
11等を用いたマイクロ波集積回路2を誘電体基板3の
表面に形成し、その誘電体基+ffl 3を導電体から
なるキャリア4上に固定してマイクロ波回路5を構成し
、コネクタ6を有する筺体7にマイクロ波回路5を固定
し、コネクタ6とマイクロストリップライン1とを接続
したマイクロ波装置に於いて、キャリア4の上面部4a
に対して取付孔を有する下面部4bを段付部4cを介し
て突出させ、筺体7には、この筺体7の下方からキャリ
ア4の上面部4aを挿入し得る孔8と、キャリア4の段
付部4cと当接する段部9とを形成して、キャリア4の
取付孔を通したねじ10により筺体7にキャリア4を固
定する。
〔作用〕
ねじ10によりキャリア4を筺体7に固定すると、キャ
リア4の段付部4cと筺体7の段部9とが密接し、又他
の部分も接触することになり、高周波特性を低下させる
ことはない。又キャリア4の下面部4bを上面部4aに
対して突出させて大きくしたものであるから、キャリア
4の熱容量が大きくなり、且つその裏面を直接空冷或い
は液冷することが可能となり、マイクロ波トランジスタ
11等の発生熱を充分に放散することができる。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。
第1図は本発明の実施例の断面図、第2図はその分割断
面図であり、マイクロストリップライン1やマイクロ波
トランジスタ11等からなるマイクロ波集積回路2を誘
電体基板3上に形成し、この誘電体基板3をキャリア4
上に固定してマイクロ波回路5を構成する。このマイク
ロ波回路5の上面の概略を第3図に示す。マイクロ波ト
ランジスタ11の入出力用のマイクロストリップライン
lは、例えば、フィルタを構成するスタブ等のパターン
を有するものである。
又キャリア4は、銅、黄銅、アルミニウム等の導電体に
より構成し、上面部4aに対して下面部4bを段付部4
cを介して突出して形成する。又下面部4bにねじ10
を挿入する為の取付孔12を複数個形成する。
又筺体7の両側にコネクタ6を取付け、その中心導体6
aを、入出カライン18に接続する。なお、17は誘電
体基板である。又筺体7に、キャリア4の上面部4aを
下方から挿入し得る孔8を形成し、且つキャリア4の段
付部4cを当接させる段部9を形成する。
この筺体7の孔8に、下方からキャリア4の上面部4a
を挿入し、筺体7の段部9にキャリア4の段付部4cを
当接させ、キャリア4の下面部4bの取付孔12に挿入
したねじ10により、キャリア4を筺体7に固定する。
そして、キャリア4上に固定したマイクロ波集積回路2
のマイクロストリップライン1と、筺体7の入出カライ
ン18とを、金箔接続片等により接続する。従って、マ
イクロストリップライン1とコネクタ6とが接続され、
コネクタ6を介して他のマイクロ波装置と接続すること
ができる。
前述のように、キャリア4と筺体7の間に隙間を生じさ
せる必要がなく、従って、高周波特性の低下がないと共
に、キャリア4と筺体7との間の熱抵抗も低減すること
ができる。更に、キャリア4の裏面を露出することがで
きるから、キャリア4を直接的に冷却し、マイクロ波集
積回路2のマイクロ波トランジスタ11等の冷却効率を
向上することが可能となる。
第4図は本発明の他の実施例のマイクロ波回路の上面図
であり、第3図に示す実施例のマイクロ波回路に対して
、キャリア14の下面部14bの突出方向を90度異な
る方向にした場合を示し、14cは段付部である。この
ようなキャリア14の形状に対応して筺体に孔及び段部
を形成するものである。又第3図と第4図との構成を組
合せた構成とすることも可能である。
又第5図は本発明の更に他の実施例のマイクロ波回路の
断面図であり、第1図及び第2図と同一符号は同一部分
を示し、キャリア4の下面部4bの取付孔12の近傍に
、凹部15,16を互い違いに形成する。この凹部15
,16を形成したことにより、ねじlOを取付孔12に
挿入して筺体7に固定した時、取付孔12の周辺が撓み
、筺体7とキャリア4との対向面は総て密接することに
なり、高周波インピーダンスを低下することができる。
本発明は、前述の実施例にのみ限定されるものではなく
、種々付加変更することが可能であり、例えば、キャリ
ア4.14の裏面にフィン等を形成して冷却効果を向上
させることも可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、マイクロ波集積回路2
を固定したキャリア4の上面部4aに対して取付孔12
を形成した下面部4bを段付部4cを介して突出させ、
筺体7に形成した孔8に、キャリア4の上面部4aを挿
入し、筺体7に形成した段部9に、キャリア4の段付部
4cを当接して、キャリア4の下面部4bの取付孔12
に挿入したねじ10により、筺体7にキャリア4を固定
したものであり、筺体7とキャリア4との間に隙間を形
成する必要がなくなり、筺体7とキャリア4との間の電
気的及び熱的抵抗を低減することができる。又キャリア
4の下面部4bを大きくして熱容量を大きくし、且つそ
の裏面を直接的に冷却することが可能となる。
従って、高周波特性を低下させることなく、放熱効率を
向上することができるから、キャリア4上に固定したマ
イクロ波集積回路2のマイクロ波トランジスタ11等の
発生熱を効率良く放散し、温度上昇を抑制することがで
きる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の断面図、第2図は本発明の実
施例の分解断面図、第3図は本発明の実施例のマイクロ
波回路の上面図、第4図は本発明の他の実施例のマイク
ロ波回路の上面図、第5図は本発明の更に他の実施例の
マイクロ波回路の断面図、第6図は従来例の要部断面図
、第7図は従来例の要部上面図である。 工はマイクロストリップライン、2はマイクロ波集積回
路、3は誘電体基板、4はキャリア、4aは上面部、4
bは下面部、4cは段付部、5はマイクロ波回路、6は
コネクタ、7は筺体、8は孔、9は段部、10はねじ、
11はマイクロ波トランジスタ、12は取付孔である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  マイクロストリップライン(1)を用いたマイクロ波
    集積回路(2)を表面に形成した誘電体基板(3)を、
    導電体からなるキャリア(4)上に固定してマイクロ波
    回路(5)を構成し、コネクタ(6)を有する筺体(7
    )に前記マイクロ波回路(5)を固定し、前記コネクタ
    (6)と前記マイクロストリップライン(1)とを接続
    したマイクロ波装置に於いて、 前記キャリア(4)の上面部(4a)に対して取付孔を
    有する下面部(4b)を段付部(4c)を介して突出さ
    せ、 前記筺体(7)に、該筺体(7)の下方から前記キャリ
    ア(4)の上面部(4a)を挿入し得る孔(8)と、前
    記段付部(4c)に当接し得る段部(9)とを形成し、 前記筺体(7)に前記キャリア(4)を前記下面部(4
    b)の前記取付孔を通したねじ(10)により固定した ことを特徴とするマイクロ波装置。
JP63188049A 1988-07-29 1988-07-29 マイクロ波装置 Pending JPH0239603A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63188049A JPH0239603A (ja) 1988-07-29 1988-07-29 マイクロ波装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63188049A JPH0239603A (ja) 1988-07-29 1988-07-29 マイクロ波装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0239603A true JPH0239603A (ja) 1990-02-08

Family

ID=16216790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63188049A Pending JPH0239603A (ja) 1988-07-29 1988-07-29 マイクロ波装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0239603A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102246616A (zh) 电路模块
EP0449435B1 (en) Construction for cooling of a RF power transistor
US4441140A (en) Printed circuit board holder
JPH11329616A (ja) コネクタ及びコネクタを用いた接続構造
JPH01233795A (ja) 混成集績回路
JP2004165664A (ja) ヒートシンクを有する電気回路用遮蔽ケーシング
JPH0964582A (ja) シールドケース構造
JP3492594B2 (ja) 半導体モジュール
JPH0239603A (ja) マイクロ波装置
JPS61144855A (ja) 半導体回路のためのパツケージ
JP2000208888A (ja) プリント基板の実装構造
JP3892189B2 (ja) 電子回路基板の電磁波遮蔽構造
JP3178452B2 (ja) 半導体装置用パッケージとその実装構造
JPH10189803A (ja) 放熱板への絶縁基板取付構造
JPH08274512A (ja) マイクロ波半導体集積回路装置
JP2970027B2 (ja) マイクロ波用半導体装置
JP7004746B2 (ja) ヒートシンク
JPH1041602A (ja) 高周波回路基板の取り付け構造
JP2970530B2 (ja) 高出力電力増幅器
JPH0346387A (ja) 電子回路装置
JP2633421B2 (ja) 高周波回路モジュール
JPH05160587A (ja) 高周波回路装置
JP2002164483A (ja) 冷却装置
JP2765242B2 (ja) 集積回路装置
JPH06140943A (ja) 無線通信装置