JPH0240016B2 - - Google Patents

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JPH0240016B2
JPH0240016B2 JP59164201A JP16420184A JPH0240016B2 JP H0240016 B2 JPH0240016 B2 JP H0240016B2 JP 59164201 A JP59164201 A JP 59164201A JP 16420184 A JP16420184 A JP 16420184A JP H0240016 B2 JPH0240016 B2 JP H0240016B2
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JP
Japan
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piezoelectric
electric field
actuator
electrostriction
piezoelectric element
Prior art date
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JP59164201A
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English (en)
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JPS6144764A (ja
Inventor
Kenji Uchino
Keiichi Furuta
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Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
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Publication date
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明はアクチユエータ、特に大きな電気歪を
有するPbO、La2O3、ZrO2およびTiO2の成分か
ら構成される電気歪材料を用いたアクチユエータ
に係る。 近年、機械工作においてサブミクロンの加工精
度が要求されている。また、光学機械においても
光の波長以下の位置制御が必要となり、微小変位
制御素子の必要性が増大している。微小変位制御
素子としては、温度、磁界、あるいは電界によつ
て誘起される歪を応用することが考えられるが、
応答の時定数、変位量、駆動エネルギーを考慮す
ると、これらのうちで電界によつて誘起される歪
を利用するのが好ましいと言われている。 従来の技術 Pb(Zr、Ti)O3系などの圧電材料に電界Eを
印加すると S=dE(dは圧電定数) で表わされる歪Sが生ずる。しかし、この式が厳
密に成立するのは0.1kV/cm程度以下の小さい電
界を印加した場合である。周知のように、Pb
(Zr、Ti)O3で代表される圧電材料は、発振子、
フイルタ、ピツクアツプ、圧電トランス、超音波
振動子など広い分野で応用されているが、これら
はS=dEが成立するような、小さな電界の範囲
で駆動させており、電気機械的な共振現象を利用
したものである。 大きな電界を強誘電体に印加した場合には、純
粋な圧電効果に基づく歪に、分域構造の変化に伴
なう歪が加わり、第5図に示す如く、共振反共振
法で計算した値(同図の破線)よりも大きな電気
歪(同図の実線)が得られる。また、キユリー点
直上の常誘電相の場合には、第6図に示す如く、
電界が小さい範囲では電気歪は非常に小さいが、
大きな電界を印加すると印加電界の2乗に比例す
るような大きな電気歪が誘起される(これを電歪
と称する)。 ところで、圧電材料をアクチユエータに用いる
ためには、電気機械的な共振現象ではなく、非共
振状態を利用する必要があり、しかもできるだけ
大きな歪でなければならない。しかしながら、今
日までのところ、圧電材料の非共振状態の利用は
あまりなされていないようである。圧電材料をア
クチユエータあるいは変位発生テバイスとして用
いた例として山下のピエゾパイル
(“Piezoelectric Pile”、「第3回強誘電体応用会
議(FMA−3、京都、1981年)プロシーデイン
グズ」、日本応用物理学会誌Vol.20(1981)追補20
−4、93〜95頁)、高橋、矢野の積層型アクチユ
エータ(「積層型圧電セラミツクアクチユエー
タ」、チタバリ研究会資料−178−1101、
1984.6)などがある。これらはいずれも多数の圧
電素子を積層して大きな変位を取り出すための積
層構造に関するものである。しかしながら、一般
的にいつて、アクチユエータ用材料の開発および
その応用はまだ始まつたばかりであるといえる。 発明が解決しようとする問題点 このように圧電材料をアクチユエータに用いる
ための研究、開発はまだ始まつたばかりである
が、上記の高橋、矢野の積層型アクチユエータに
用いられているPb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbTiO3
材料では、10kV/cmの印加電界で歪8.7×10-4
比誘電率3640である。従つて、さらに大きな電気
歪を示し、比誘電率が小さい材料が望まれる(比
誘電率は応答速度を大きくするために小さいこと
が望ましい)。 問題点を解決するための手段 本発明は、アクチユエータ用材料として、一般
式: (Pb1-xLax)(ZryTiz1-x/4O3 (式中、x、yは添付第1図の点a,b,c,d
を結ぶ領域内の値であり、y+z=1である。)
を有するジルコニウムチタン酸鉛ランタンを提供
する。本発明者らはこのジルコニウムチタン酸鉛
ランタンが大きな電気歪を有し、比誘電率も小さ
く、アクチユエータ用材料として好適であること
を見い出した。上記式の組成範囲を第1図に図示
するが、横軸はPbZrO3とPbTiO3のモルパーセン
ト(100y)を表わし、縦軸はPbを置換したLaの
原子数パーセント(100x)を表わす。同図にお
いて、点a,b,c,dの4点を結ぶ台形の領域
が本発明の組成範囲である。点a,b,c,dは
下記組成を有する。 点 x y z a 0.075 0.75 0.25 b 0.13 0.45 0.55 c 0.21 0.20 0.80 d 0.15 0.50 0.50 実施例 PbO、La2O3、ZrO2およびTiO2の出発原料を
各組成に応じて秤量し、ナイロンボールを用いて
エタノールとともに湿式混合した。混合後、蒸発
乾固によつてエタノールを除去し、空気中で850
℃、5時間仮焼した。仮焼粉をハンドミルした
後、950℃10時間仮焼し、ボールミルで湿式粉砕
した。粉砕後、乾燥し、圧力500Kg/cm2で直径16
mmの円板に成形し、それを1250℃2時間空気中に
おいて焼成した。こうして下記表に示す組成の磁
器を得た。 次に、各磁器から直径6mm、厚さ0.3〜0.5mmの
寸法の円板形磁器の試料を切り出し、上下面に銀
電極を焼きつけた。 これらの試料の厚み方向に20kV/cmの電界を
かけ、厚み方向の変位を測定した。その結果も下
記表に示す。
【表】 * 印は比較例
転移領域(第1図のD領域すなわち点a,b,
c,dで囲まれる領域)では、第2図に示した試
料No.10の電界−歪曲線に代表されるように、
10kV/cm以下の電界範囲では電界の2乗にほぼ
比例した電気歪が得られる。また、これらの領域
は分域を持たない相であるために、分域の反転に
伴なう履歴がない。履歴がないことは正確な位置
制御素子材料として適している。 第3図は圧電素子を用いたアクチユエータの構
造を原理的に示す図である。アクチユエータ1は
例えば円筒形で内部に圧電素子2が挿入されてい
る。圧電素子2は図示されていないが電極を有
し、リード線で電界を印加できるようになつてい
る。発生する圧電素子2の変位をピストン3を介
して弁4に伝え、ノズルを開閉することによつ
て、流入口5からの例えばオイルを流出口6から
噴射したり、停止させたりする。 第4図は、積層型圧電素子の配線を原理的に示
す図で、多数の通常円板状の圧電素子単体10は
積層されて円柱状をなし、各圧電素子単体10は
両主要面に例えば銀ペーストを焼き付けて電極1
1が形成されている。そして、積層された圧電素
子単体10の電極を1個おきにリード線12で接
続して圧電素子全体は並列に接続されている。こ
うして、圧電素子単体を並列接続するのは、低い
印加電圧で大きな電気歪を得るためである。 発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明によ
り、電気歪が大きくかつ履歴が小さい、工業的に
利用価値のあるアクチユエータが提供される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の組成範囲を示すジルコニウム
チタン酸鉛ランタンの組成図、第2図は本発明の
実施例の電気歪材料の電界−歪曲線グラフ図、第
3図は電気歪素子を用いたアクチユエータの要部
断面図、第4図は積層型圧電素子の側面図、第5
図および第6図は圧電材料と電歪材料の電界−歪
曲線模式図である。 1……アクチユエータ、2……圧電素子、3…
…ピストン、4……弁、6……流入口、7……流
出口、10……圧電素子単体、11……電極、1
2……リード線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 下記一般式で表わされるジルコニウムチタン
    酸鉛ランタンを電気歪材料として用いたことを特
    徴とするアクチユエータ。 (Pb1-xLax)(ZryTiz1-x/4Ox (但し、式中、x、yはxy座標においてy=−
    5x+1.25、y=−5.45x+1.16、y=−3.125x+
    0.56、およびy=−3.33x+1.00の4直線で囲まれ
    る領域内の値であり、y+z=1である。)
JP59164201A 1984-08-07 1984-08-07 アクチュエータ Granted JPS6144764A (ja)

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JPS6144764A JPS6144764A (ja) 1986-03-04
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