JPH0240216A - ガス状フッ化炭化水素系化合物用吸収剤組成物 - Google Patents
ガス状フッ化炭化水素系化合物用吸収剤組成物Info
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- JPH0240216A JPH0240216A JP63188196A JP18819688A JPH0240216A JP H0240216 A JPH0240216 A JP H0240216A JP 63188196 A JP63188196 A JP 63188196A JP 18819688 A JP18819688 A JP 18819688A JP H0240216 A JPH0240216 A JP H0240216A
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- absorbent
- polyethylene glycol
- fluorocarbon compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ガス状混合物から、例えばトリクロロトリフ
ルオロエタン(以下フロン−113とする)のようなフ
ッ化炭化水素系化合物(以下フロン系化合物と呼ぶ)を
吸収除去し、あるいは、更に、それを回収利用するプロ
セスの吸収剤として有効なポリエチレングリコールジア
ルキルエーテル組成物に関する。
ルオロエタン(以下フロン−113とする)のようなフ
ッ化炭化水素系化合物(以下フロン系化合物と呼ぶ)を
吸収除去し、あるいは、更に、それを回収利用するプロ
セスの吸収剤として有効なポリエチレングリコールジア
ルキルエーテル組成物に関する。
更に詳しく言えば、本発明は低温領域(又は/及び加圧
領域)においてガス状混合物と接触してフロン系化合物
を吸収し、ガス状混合物からフロン系化合物を除去し1
次に高温領域(又は/及び低圧領域)において、−旦吸
収したフロン系化合物を放散させ、更には、それを回収
するプロセスの吸収剤として有効なポリエチレングリコ
ールジアルキルエーテルに関する。
領域)においてガス状混合物と接触してフロン系化合物
を吸収し、ガス状混合物からフロン系化合物を除去し1
次に高温領域(又は/及び低圧領域)において、−旦吸
収したフロン系化合物を放散させ、更には、それを回収
するプロセスの吸収剤として有効なポリエチレングリコ
ールジアルキルエーテルに関する。
最近、フロン系化合物による成層圏でのオゾン破壊が心
配され、それらの化合物の大気中への放出は、地球規模
での環境汚染につながるとして、国際的に、その対策が
迫られておりその為、工業的に大量に使用されている例
えばフロン−113をガス状混合物から、吸収除去し、
更には、それを回収、利用することにより大気中への放
出を防ぐ手段は、大気汚染防止の観点から有効な手段の
一つであると考えられている。
配され、それらの化合物の大気中への放出は、地球規模
での環境汚染につながるとして、国際的に、その対策が
迫られておりその為、工業的に大量に使用されている例
えばフロン−113をガス状混合物から、吸収除去し、
更には、それを回収、利用することにより大気中への放
出を防ぐ手段は、大気汚染防止の観点から有効な手段の
一つであると考えられている。
本発明の目的の一つは、ガス状混合物からフロン系化合
物を吸収除去するに有効な吸収剤を提供することにある
。
物を吸収除去するに有効な吸収剤を提供することにある
。
更に別の目的の一つは1回収されるフロン系化合物の純
度が高く、再利用するに適しており、しかも経済的に優
れた回収プロセスを提供することにある。
度が高く、再利用するに適しており、しかも経済的に優
れた回収プロセスを提供することにある。
従来、ガス状混合物の中からフロン系化合物、例えばフ
ロン−113を除去しあるいは更にそれを回収するため
に一般的に提案されている方法として次のようなものが
ある。
ロン−113を除去しあるいは更にそれを回収するため
に一般的に提案されている方法として次のようなものが
ある。
■:ガス状混合物を直接的に、−20〜−15℃に冷却
し、フロン系化合物を凝縮させて分離除去し更には回収
する方法。
し、フロン系化合物を凝縮させて分離除去し更には回収
する方法。
■:絋抽油系オイル吸収させ、分離除去し更には回収す
る方法。
る方法。
■::性炭あるいは活性炭繊維に吸収させ分離除去し、
更には回収する方法。
更には回収する方法。
しかしながら、これら従来の各方法はそれぞれ特徴を持
っているにもかかわらず、実用面を含めた総合的見地か
らは幾つかの改良すべき点を含んでいる。
っているにもかかわらず、実用面を含めた総合的見地か
らは幾つかの改良すべき点を含んでいる。
特に、次の2点の改良が強く要望されている。
■:ガス状物質の冷却の困難性と吸収剤の吸収能力の不
足が起因し、除去(回収)装置が大掛りとなり、経済的
負担が大きいと同時に設置場所さえも限定される。
足が起因し、除去(回収)装置が大掛りとなり、経済的
負担が大きいと同時に設置場所さえも限定される。
■:回収されたフロン系化合物の純度を再利用に適した
純度にするために精製装置を必要とし、装置が大掛りと
なると同時に取り扱いが煩雑となり。
純度にするために精製装置を必要とし、装置が大掛りと
なると同時に取り扱いが煩雑となり。
運転経費が増大する。
一方、本発明に係わる吸収剤組成物は、吸収剤組成物の
単位量当りのフロン化合物、例えばフロン−113の吸
収能力が大きく吸収速度が非常に速い、従って、除去(
回収)装置はコンパクトなものとなり、更に処理ガスの
冷却や加熱を必要としないため装置費用や運転費用等の
経済的負担は少ない。又、本発明に係わる吸収剤組成物
は液体であるためフロン系化合物の除去回収を一連のプ
ロセスで連続的に操作運転することが可能である。
単位量当りのフロン化合物、例えばフロン−113の吸
収能力が大きく吸収速度が非常に速い、従って、除去(
回収)装置はコンパクトなものとなり、更に処理ガスの
冷却や加熱を必要としないため装置費用や運転費用等の
経済的負担は少ない。又、本発明に係わる吸収剤組成物
は液体であるためフロン系化合物の除去回収を一連のプ
ロセスで連続的に操作運転することが可能である。
更に又、本発明に係わる吸収剤組成物は液体であるが、
蒸気圧が非常に小さいため回収されるフロン系化合物へ
の混入が殆んど無視出来る。
蒸気圧が非常に小さいため回収されるフロン系化合物へ
の混入が殆んど無視出来る。
従って、フロン系化合物を精製装置を使わずに再利用す
るに充分な純度のものを得ることが可能である。
るに充分な純度のものを得ることが可能である。
このように本発明に係る吸収剤組成物は、従来技術のも
つ問題点を著しく軽減し、又ある場合には完全に解消す
るものである。
つ問題点を著しく軽減し、又ある場合には完全に解消す
るものである。
本発明に係わる吸収剤組成物は1次の一般式で表わされ
るポリエチレングリコールジアルキルエーテルを主成分
とするものである。
るポリエチレングリコールジアルキルエーテルを主成分
とするものである。
R,O(C,H,0)nR。
[式中R1、R2は炭素数1〜4のアルキル基、nは2
〜20の整数をそれぞれ示す、] 本発明の吸収剤組成物はフロン系化合物を含むガス状混
合物からフロン系化合物を低温領域(又はl及び加圧領
域)において吸収除去し、次に高温領域(又は!及び低
圧領域)において放出することが出来る。
〜20の整数をそれぞれ示す、] 本発明の吸収剤組成物はフロン系化合物を含むガス状混
合物からフロン系化合物を低温領域(又はl及び加圧領
域)において吸収除去し、次に高温領域(又は!及び低
圧領域)において放出することが出来る。
本発明に係わるポリエチレングリコールジアルキルエー
テル(以下、ジアルキルエーテルと呼ぶ)は対応するポ
リエチレングリコールモノアルキルエーテル(以下、モ
ノアルキルエーテルと呼ぶ)を原料とする0例えばモノ
アルキルエーテルと苛性ソーダ(又は苛性カリ)とを反
応させ、生成したアルコラードにアルキルクロライドを
反応させる。
テル(以下、ジアルキルエーテルと呼ぶ)は対応するポ
リエチレングリコールモノアルキルエーテル(以下、モ
ノアルキルエーテルと呼ぶ)を原料とする0例えばモノ
アルキルエーテルと苛性ソーダ(又は苛性カリ)とを反
応させ、生成したアルコラードにアルキルクロライドを
反応させる。
尚、原料であるモノアルキルエーテルはアルコール類と
エチレンオキサイドを反応させて製造することができる
。
エチレンオキサイドを反応させて製造することができる
。
〔作 用〕
このようにして得られたジアルキルエーテルを主成分と
する本発明に係わる吸収剤組成物は、フロン系化合物の
溶解性が特に優れるだけでなく、安全性にも優れ、又耐
熱性も高く更には蒸気圧が低いのでフロン系化合物への
混入が殆んどない、従って回収されたフロン系化合物を
再利用するに適している等のガス状フロン系化合物の吸
収剤組成物として優れた性能を具備した化合物である。
する本発明に係わる吸収剤組成物は、フロン系化合物の
溶解性が特に優れるだけでなく、安全性にも優れ、又耐
熱性も高く更には蒸気圧が低いのでフロン系化合物への
混入が殆んどない、従って回収されたフロン系化合物を
再利用するに適している等のガス状フロン系化合物の吸
収剤組成物として優れた性能を具備した化合物である。
例えばポリエチレングリコールジメチルエーテル[CH
,O(C,H40)nCHs]は、ジアルキルエーテル
中量も蒸気圧が高いものであるが、その蒸気圧は以下に
示すように液状物質であるが低い蒸気圧をもつ物質であ
ることが理解されよう。
,O(C,H40)nCHs]は、ジアルキルエーテル
中量も蒸気圧が高いものであるが、その蒸気圧は以下に
示すように液状物質であるが低い蒸気圧をもつ物質であ
ることが理解されよう。
CH,O(C,H40)、CH,: 2.5X 10−
’(m08g、 20℃)CH,O(C,H40)、C
H,・3.I X 10−’()CH,○(C,H,O
)、CH,・3.0X10−’()CH,○(C:、H
,O)、CH,: 3.8X10−’()尚、n≧6の
場合は、更にその蒸気圧が低くなることは容易に理解さ
れよう。
’(m08g、 20℃)CH,O(C,H40)、C
H,・3.I X 10−’()CH,○(C,H,O
)、CH,・3.0X10−’()CH,○(C:、H
,O)、CH,: 3.8X10−’()尚、n≧6の
場合は、更にその蒸気圧が低くなることは容易に理解さ
れよう。
又、本発明に係わる吸収剤組成物は、ガス状フロン系化
合物の吸収剤として多様なプロセス条件に適用すること
が出来る。
合物の吸収剤として多様なプロセス条件に適用すること
が出来る。
例えば、フロン−113を電子部品の洗浄剤として使っ
た時に発生するガス状混合物からフロン=113を除去
し、更にはこれを回収して利用する為の実施方法は、例
えば「第1図:フロン系化合物の除去回収プロセス」に
おいて1次のようなステップを経て実施される。
た時に発生するガス状混合物からフロン=113を除去
し、更にはこれを回収して利用する為の実施方法は、例
えば「第1図:フロン系化合物の除去回収プロセス」に
おいて1次のようなステップを経て実施される。
■:吸収槽において、常圧又は加圧下に本発明に係わる
吸収剤とフロン−113を含んだガス状混合物とを接触
させ、フロン−113を吸収剤に吸収させ、ガス状混合
物からフロン−113を除去する。
吸収剤とフロン−113を含んだガス状混合物とを接触
させ、フロン−113を吸収剤に吸収させ、ガス状混合
物からフロン−113を除去する。
吸収剤へのフロン−113の吸収は、所謂物理吸収であ
るから吸収槽内の吸収剤温度は低い方が好ましく、例え
ば10℃以下の温度に保たれる、更にガス圧は高い方が
好ましく、例えば1Kg/cm”0以上の加圧に保たれ
る。又吸収剤とガス状混合物との接触効率を高めるため
、吸収槽内は棚段式、充填式、あるいはフィルムエバポ
レータ式等の各方法があるが、接触効率を高めるための
方法であれば特に限定されない。
るから吸収槽内の吸収剤温度は低い方が好ましく、例え
ば10℃以下の温度に保たれる、更にガス圧は高い方が
好ましく、例えば1Kg/cm”0以上の加圧に保たれ
る。又吸収剤とガス状混合物との接触効率を高めるため
、吸収槽内は棚段式、充填式、あるいはフィルムエバポ
レータ式等の各方法があるが、接触効率を高めるための
方法であれば特に限定されない。
■:フロンー113を含んだ吸収剤は、吸収槽を出て加
熱器に送られ、ここで加熱された後、蒸発槽に送られる
。ここで吸収剤に溶解しているフロン−113は放出さ
れる。尚、フロン−113の放出を促進するため蒸発槽
の底部よりN、ガスあるいは空気などの不活性なガスを
吹き込むことも可能である。又、吸収剤からフロン−1
13を放出させるには温度は高温がよく、好ましくは6
0℃以上の温度が利用され、更に好ましくは圧力も可能
な範囲で低くする。
熱器に送られ、ここで加熱された後、蒸発槽に送られる
。ここで吸収剤に溶解しているフロン−113は放出さ
れる。尚、フロン−113の放出を促進するため蒸発槽
の底部よりN、ガスあるいは空気などの不活性なガスを
吹き込むことも可能である。又、吸収剤からフロン−1
13を放出させるには温度は高温がよく、好ましくは6
0℃以上の温度が利用され、更に好ましくは圧力も可能
な範囲で低くする。
■:蒸発槽で放出されたフロン−113は蒸発槽上部よ
りコンデンサーに送られ、冷却されて凝縮する。液化し
た純度の高いフロン−113はフロン貯槽に送られ、再
び洗浄剤として利用されることができる。
りコンデンサーに送られ、冷却されて凝縮する。液化し
た純度の高いフロン−113はフロン貯槽に送られ、再
び洗浄剤として利用されることができる。
■・一方、フロン−113を放出して再生された吸収剤
は蒸発槽の下部より冷却器に送られ、好ましくは10℃
以下の温度まで冷却された後吸収槽の上部へ送られ、再
びフロン−113を含むガス状混合物と接触しフロン−
113を吸収する。
は蒸発槽の下部より冷却器に送られ、好ましくは10℃
以下の温度まで冷却された後吸収槽の上部へ送られ、再
びフロン−113を含むガス状混合物と接触しフロン−
113を吸収する。
尚、フロン−113を除去したガス状物質は吸収槽上部
より大気中に放出することが出来る。
より大気中に放出することが出来る。
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない6 ヌ!m1 1.5Ωスケールのステンレス製のオートクレーブにメ
タノールと苛性ソーダ(触媒)を仕込んだ後、N、ガス
で容器内空気を置換した。その後、110−120℃に
加熱し、これにエチレンオキサイドを添加し、約3時間
の反応で、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル
[CH,O(C,H40)nH]を合成した。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない6 ヌ!m1 1.5Ωスケールのステンレス製のオートクレーブにメ
タノールと苛性ソーダ(触媒)を仕込んだ後、N、ガス
で容器内空気を置換した。その後、110−120℃に
加熱し、これにエチレンオキサイドを添加し、約3時間
の反応で、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル
[CH,O(C,H40)nH]を合成した。
引き続き、苛性カリとメチルクロライドを加えて反応さ
せ、主として、ポリエチレングリコールジメチルエーテ
ル分と塩化ナトリウムを生成した。
せ、主として、ポリエチレングリコールジメチルエーテ
ル分と塩化ナトリウムを生成した。
塩化ナトリウムの結晶は、加圧式濾過器を用いてポリエ
チレングリコールメチルエーテルから分離した。濾液を
トッピング装置に移し、減圧処理して若干含まれる水分
、メタノール等の副生物を除去した、本発明に係わるポ
リエチレングリコールジメチルエーテル[CH,0(C
,H40)nCH,コを主成分とする組成物を得た。こ
の組成物の性状は以下の通りであった。
チレングリコールメチルエーテルから分離した。濾液を
トッピング装置に移し、減圧処理して若干含まれる水分
、メタノール等の副生物を除去した、本発明に係わるポ
リエチレングリコールジメチルエーテル[CH,0(C
,H40)nCH,コを主成分とする組成物を得た。こ
の組成物の性状は以下の通りであった。
・平均分子量 : 260・凝固点(℃)
: −37・引火点(℃、C0C)
: 143・粘 度(cSt、20℃):4
.7 ・沸 点(’C) : 215・蒸気
圧(mmHg、 20℃) : 1.0X10
−”実施例1と同様の装置を用いて合成した。即ち、ブ
タノールと苛性ソーダ(接触)を仕込んだ後、N1ガス
で容器内の空気を置換した。その後、110〜120℃
に加熱し、これにエチレンオキサイドを添加し、約4時
間反応させてポリエチレングリコールモノブチルエーテ
ル[C4H,0(C,H40)nH]を合成した。引き
続き苛性ソーダとブチルクロライドを加えて反応させ、
主としてポリエチレングリコールジブチルエーテル分と
塩化ナトリウムとを生成した。塩化ナトリウムの結晶は
、加圧式濾過機を用いてポリエチレングリコールジブチ
ルエーテル分から分離した。得られたポリエチレングリ
コールジブチルエーテル分は、トッピング装置に移し、
減圧下約150℃で処理して、若干台まれる水、ブタノ
ール、等の副生物を除去する二とにより本発明に係わる
ポリエチレングリコールジブチルエーテル[C4H,0
(CaH40)nc4H1]を主成分とする組成物を得
た。
: −37・引火点(℃、C0C)
: 143・粘 度(cSt、20℃):4
.7 ・沸 点(’C) : 215・蒸気
圧(mmHg、 20℃) : 1.0X10
−”実施例1と同様の装置を用いて合成した。即ち、ブ
タノールと苛性ソーダ(接触)を仕込んだ後、N1ガス
で容器内の空気を置換した。その後、110〜120℃
に加熱し、これにエチレンオキサイドを添加し、約4時
間反応させてポリエチレングリコールモノブチルエーテ
ル[C4H,0(C,H40)nH]を合成した。引き
続き苛性ソーダとブチルクロライドを加えて反応させ、
主としてポリエチレングリコールジブチルエーテル分と
塩化ナトリウムとを生成した。塩化ナトリウムの結晶は
、加圧式濾過機を用いてポリエチレングリコールジブチ
ルエーテル分から分離した。得られたポリエチレングリ
コールジブチルエーテル分は、トッピング装置に移し、
減圧下約150℃で処理して、若干台まれる水、ブタノ
ール、等の副生物を除去する二とにより本発明に係わる
ポリエチレングリコールジブチルエーテル[C4H,0
(CaH40)nc4H1]を主成分とする組成物を得
た。
この組成物の性状は以下の通りであった。
・平均分子量 = 355・凝固点(’C
) : −28・引火点(℃、C0C
) : 185・粘 度(cst、20℃):
5.6 ・沸 点(’C) : 310・蒸気
圧(mmHg、 20℃) : 1.1X10
−”実施例3 ポリエチレングリコールメチル・エチルエーテルの調整 実施例1、及び2と同様の装置により合成した。
) : −28・引火点(℃、C0C
) : 185・粘 度(cst、20℃):
5.6 ・沸 点(’C) : 310・蒸気
圧(mmHg、 20℃) : 1.1X10
−”実施例3 ポリエチレングリコールメチル・エチルエーテルの調整 実施例1、及び2と同様の装置により合成した。
即ち、エタノールと苛性ソーダ(触媒)を仕込んだ後、
N8ガスで容器内の空気を置換した。
N8ガスで容器内の空気を置換した。
その後、110〜120℃に加熱し、これにエチレンオ
キサイドを添加し、約3.5時間の反応で、ポリエチレ
ングリコールモノエチルエーテル[CH,O(C,H,
0)nH]を合成した。引続キ苛性ソーダとメチルクロ
ライドとを反応させ主としてポリエチレングリコールメ
チル・エチルエーテル分と塩化ナトリウムとを生成した
。以下、実施例1及び2と同様にして、本発明に係わる
ポリエチレングリコールメチル・エチルエーテル[C,
H,(C,H,○)OH,]を主成分とする組成物を得
た。
キサイドを添加し、約3.5時間の反応で、ポリエチレ
ングリコールモノエチルエーテル[CH,O(C,H,
0)nH]を合成した。引続キ苛性ソーダとメチルクロ
ライドとを反応させ主としてポリエチレングリコールメ
チル・エチルエーテル分と塩化ナトリウムとを生成した
。以下、実施例1及び2と同様にして、本発明に係わる
ポリエチレングリコールメチル・エチルエーテル[C,
H,(C,H,○)OH,]を主成分とする組成物を得
た。
得られた組成物の性状は以下の通りであった。
・平均分子量 : 280・凝固点(’C
) : −33・引火点(’C,C0
C) : 153・粘 度(cst、20℃)
:4.9 ・沸 点(’C) : 243・蒸気
圧(Idg、20℃) : 7.0XIO−”り
づ匹 実施例1と全く同様の方法で合成し、得られたポリエチ
レングリコールジメチルエーテル940gを、実験用蒸
留塔(10段相当)で蒸留分別し、次の各成分(3区分
)を得た。
) : −33・引火点(’C,C0
C) : 153・粘 度(cst、20℃)
:4.9 ・沸 点(’C) : 243・蒸気
圧(Idg、20℃) : 7.0XIO−”り
づ匹 実施例1と全く同様の方法で合成し、得られたポリエチ
レングリコールジメチルエーテル940gを、実験用蒸
留塔(10段相当)で蒸留分別し、次の各成分(3区分
)を得た。
(各成分)
成分−1(主成分ニジエチレングリコールジメチルエー
テル) :約25(g)成分−2(主成分ニトリエチ
レングリコールジメチルエーテル) :約200(g)
成分−3(主成分:テトラエチレングリコールジメチル
エーテル):約250(g)これら各成分の性状は以下
の通りであった。
テル) :約25(g)成分−2(主成分ニトリエチ
レングリコールジメチルエーテル) :約200(g)
成分−3(主成分:テトラエチレングリコールジメチル
エーテル):約250(g)これら各成分の性状は以下
の通りであった。
実施例1〜4で調整した各組成物に対するフロン−11
3の溶解度の測定結果を第1表に示した。
3の溶解度の測定結果を第1表に示した。
比較例として鉱油の例を示した。
尚、溶解度は各組成物又は比較例の鉱油の100gに溶
解したフロン−113のグラム数で示した。
解したフロン−113のグラム数で示した。
測定温度は60’Cであった。
第1表:フロン−113の溶解度 (g 7100g)
プロセス例)は1本発明の吸収剤組成物を使った場合の
ガス状混合物からガス状フロンを除去回収するプロセス
例のフローダイアグラムを示す。
プロセス例)は1本発明の吸収剤組成物を使った場合の
ガス状混合物からガス状フロンを除去回収するプロセス
例のフローダイアグラムを示す。
特許出願人 東邦化学工業株式会社
〔発明の効果〕
以上に示した実施例、参考例の結果から明瞭なように、
本発明に係わる組成物は、フロン系化合物に対する溶解
度が非常に優れていることが分る。
本発明に係わる組成物は、フロン系化合物に対する溶解
度が非常に優れていることが分る。
又、各組成物の蒸気圧から、回収されるフロン−113
への混入が非常に少ないことが分る。
への混入が非常に少ないことが分る。
例えば、蒸気圧が一番高い成分−1(実施例4)でさえ
も、フロン−113への混入は0.1%以下であること
が理解される。
も、フロン−113への混入は0.1%以下であること
が理解される。
添付の図面(第1図:フロン系化合物の除去回収図面の
浄書 第−I2I:フロン系化合物の除去回頃プロセス手続補
正書働式) %式% 1、事件の表示 昭和63年特許願第 188196号 2、発明の名称 ガス状フッ化炭化水素系化合物用吸収剤組成物3、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 代表者 遠 藤 和 4、補正命令の日付(発進口) 昭和63年10月25日 4、補正の対象 「明細書」中の 1図面 」 手続補正書(自船 昭和63年11月18 特許庁長官 吉 1)文 毅 殿 1、事件の表示 昭和63年特許願第 188196号 2、発明の名称 3、補正をする者 事件との関係
浄書 第−I2I:フロン系化合物の除去回頃プロセス手続補
正書働式) %式% 1、事件の表示 昭和63年特許願第 188196号 2、発明の名称 ガス状フッ化炭化水素系化合物用吸収剤組成物3、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 代表者 遠 藤 和 4、補正命令の日付(発進口) 昭和63年10月25日 4、補正の対象 「明細書」中の 1図面 」 手続補正書(自船 昭和63年11月18 特許庁長官 吉 1)文 毅 殿 1、事件の表示 昭和63年特許願第 188196号 2、発明の名称 3、補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガス状混合物からフッ化炭化水素系化合物を吸収除去し
、あるいは更にそれを回収利用することを目的とするプ
ロセスで使用される。次の化学式で表わされるポリエチ
レングリコールジアルキルエーテルを主成分とする吸収
剤組成物。 化学式:R_1O(C_2H_4O)nR_2 (式中R_1、R_2は炭素数1〜4のアルキル基、n
は2〜20の整数をそれぞれ示す。)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188196A JPH0240216A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | ガス状フッ化炭化水素系化合物用吸収剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188196A JPH0240216A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | ガス状フッ化炭化水素系化合物用吸収剤組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240216A true JPH0240216A (ja) | 1990-02-09 |
Family
ID=16219453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63188196A Pending JPH0240216A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | ガス状フッ化炭化水素系化合物用吸収剤組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0240216A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8003832B2 (en) | 2005-07-28 | 2011-08-23 | Showa Denko K.K. | Process for recovering pentafluoroethane, and production method of pentafluoroethane involving the process |
| JP2015112561A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 学校法人慶應義塾 | Voc除去装置、voc除去システム、voc除去方法およびvoc除去用除去液 |
| CN112609334A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-04-06 | 浙江青昀新材料科技有限公司 | 闪蒸无纺布及其制备方法 |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63188196A patent/JPH0240216A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8003832B2 (en) | 2005-07-28 | 2011-08-23 | Showa Denko K.K. | Process for recovering pentafluoroethane, and production method of pentafluoroethane involving the process |
| JP2015112561A (ja) * | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 学校法人慶應義塾 | Voc除去装置、voc除去システム、voc除去方法およびvoc除去用除去液 |
| CN112609334A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-04-06 | 浙江青昀新材料科技有限公司 | 闪蒸无纺布及其制备方法 |
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