JPH0240835A - 蛍光表示パネルの製造方法 - Google Patents
蛍光表示パネルの製造方法Info
- Publication number
- JPH0240835A JPH0240835A JP63191530A JP19153088A JPH0240835A JP H0240835 A JPH0240835 A JP H0240835A JP 63191530 A JP63191530 A JP 63191530A JP 19153088 A JP19153088 A JP 19153088A JP H0240835 A JPH0240835 A JP H0240835A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- assembly
- electrode plate
- substrate
- sealing material
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、コンピュータ等の図形１文字を表示するため
の端末機、メツセージボードの如き多桁の文字、数字を
表示するのに用いられる表示器等の蛍光表示パネルの製
造方法の改良に関するものである。
の端末機、メツセージボードの如き多桁の文字、数字を
表示するのに用いられる表示器等の蛍光表示パネルの製
造方法の改良に関するものである。
（従来技術）
最近、大面積化、低電圧化のためにセル型の蛍光表示パ
ネルが提案されている。この蛍光表示パネルは、フェー
スガラス基板と、背面基板と、フェースガラス基板の上
面に成膜して形成された陽極電極と蛍光体層と、フェー
スガラス基板と背面基板との間にスペーサを介してＭ層
されたフィラメント電極板及びグリッド電極板とから成
っている。この蛍光表示パネルは、フィラメント電極と
陽極電極との間に常にｌθ〜３０Ｖ程度の直流電圧をか
け、グリッド電極に数十Ｖの低い電圧パルスをかけて点
灯／非点灯の選択を行なって駆動することができる。従
来技術では、この蛍光表示パネルは、フェースガラス基
板とフィラメント電極板とグリッド電極板とスペーサと
をそれらの間にフリットガラスの如き低融点封止材を塗
布し、加熱圧着して大気中またはＮ２Ａｒ等の不活性ガ
ス中で對止し、このようにして組み立てられた積層部品
と背面基板とを１Ｏ−４〜Ｉ Ｏ−’Ｔｏｒｒ程度の高
真空下て脱ガスベーキング処理または水素置換処理を行
なった後、積層部品と背面基板との間に設けられたはん
だまたはフリットガラスの如き封止材を局部加熱してこ
れらの間を刃止し、バリウムゲッタを高周波加熱して飛
ばすことによって蛍光表示パネルの動作に必要な１０−
’Ｔｏｒｒ程度の高真空を得ていた。
ネルが提案されている。この蛍光表示パネルは、フェー
スガラス基板と、背面基板と、フェースガラス基板の上
面に成膜して形成された陽極電極と蛍光体層と、フェー
スガラス基板と背面基板との間にスペーサを介してＭ層
されたフィラメント電極板及びグリッド電極板とから成
っている。この蛍光表示パネルは、フィラメント電極と
陽極電極との間に常にｌθ〜３０Ｖ程度の直流電圧をか
け、グリッド電極に数十Ｖの低い電圧パルスをかけて点
灯／非点灯の選択を行なって駆動することができる。従
来技術では、この蛍光表示パネルは、フェースガラス基
板とフィラメント電極板とグリッド電極板とスペーサと
をそれらの間にフリットガラスの如き低融点封止材を塗
布し、加熱圧着して大気中またはＮ２Ａｒ等の不活性ガ
ス中で對止し、このようにして組み立てられた積層部品
と背面基板とを１Ｏ−４〜Ｉ Ｏ−’Ｔｏｒｒ程度の高
真空下て脱ガスベーキング処理または水素置換処理を行
なった後、積層部品と背面基板との間に設けられたはん
だまたはフリットガラスの如き封止材を局部加熱してこ
れらの間を刃止し、バリウムゲッタを高周波加熱して飛
ばすことによって蛍光表示パネルの動作に必要な１０−
’Ｔｏｒｒ程度の高真空を得ていた。
（発明が解決しようとする課ＷＪ）
しかし、この従来技術の方法では、多数の積層部品を非
真空下で積層するので封止不良個所が相当に増加する上
にこの封止不良が背面基板を取付ける段階まで分からな
いし、また積層部品と背面基板との間の封止が不良であ
ると、補修再生ができない欠点がありだ。
真空下で積層するので封止不良個所が相当に増加する上
にこの封止不良が背面基板を取付ける段階まで分からな
いし、また積層部品と背面基板との間の封止が不良であ
ると、補修再生ができない欠点がありだ。
本発明の目的は、上記の欠点を回避し、有効に封止する
ことができ、また補修再生が可能な蛍光表示パネルを製
造する方法を提供することにある。
ことができ、また補修再生が可能な蛍光表示パネルを製
造する方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、上記の課題を解決するために、フェースガラ
ス基板と、背面基板と、フェースガラス基板の上面に成
膜して形成された陽極電極と蛍光体層と、フェースガラ
ス基板と背面基板との間にスペーサを介して積層された
フィラメント電極板及びグリッド電極板とから成る蛍光
表示パネルを製造する方法において、フィラメント電極
板とグリッド電極板とその間のスペーサとを相互の間に
封止材を介して積層し形成された組立体をフェースガラ
ス基板の上面に封止材を介して載せ、この組立体を囲む
ようにガラスフェース基板の上面に同様に封止材を介し
て枠体な載せ、この枠体の上に同様に封止材を介して背
面基板を載せて枠体から排気しつつ全体を加熱してフェ
ースガラス基板、枠体、背面基板及び組立体を相互に一
体に接着することを特徴とする蛍光表示パネルの製造方
法を提供するものである。
ス基板と、背面基板と、フェースガラス基板の上面に成
膜して形成された陽極電極と蛍光体層と、フェースガラ
ス基板と背面基板との間にスペーサを介して積層された
フィラメント電極板及びグリッド電極板とから成る蛍光
表示パネルを製造する方法において、フィラメント電極
板とグリッド電極板とその間のスペーサとを相互の間に
封止材を介して積層し形成された組立体をフェースガラ
ス基板の上面に封止材を介して載せ、この組立体を囲む
ようにガラスフェース基板の上面に同様に封止材を介し
て枠体な載せ、この枠体の上に同様に封止材を介して背
面基板を載せて枠体から排気しつつ全体を加熱してフェ
ースガラス基板、枠体、背面基板及び組立体を相互に一
体に接着することを特徴とする蛍光表示パネルの製造方
法を提供するものである。
このようにフィラメント電極板とグリッド電極板との請
居組立体をフェースガラス基板と枠体と背面基板とで囲
み、これらを−括して真空引きしつつ加熱融着すると、
高い封止性能で全体を封止することがてきる。
居組立体をフェースガラス基板と枠体と背面基板とで囲
み、これらを−括して真空引きしつつ加熱融着すると、
高い封止性能で全体を封止することがてきる。
（実施例）
本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明すると、第
１図は蛍光表示パネル１０を製造する本発明の方法を示
し、この蛍光表示パネル１０は、フェースガラス基板１
２と、ガラス等から形成することができる背面基板１４
と、フェースガラス基板１２の上面に順次成膜して形成
された陽極電極１６及び蛍光体層１８（第３図参照）と
、フェースガラス基板１２と背面基板１４との１ｉｌｌ
に図示しないスペーサを介して積層されたフィラメント
電極板２０及び複数枚のグリッド電極板２２とから成っ
ている。陽８ｉ電極１６は、ＩＴＯ（Ｉ ｎｔ Ｏｘ
・Ｓｎｏｗ ）の如き透明材料をＲＦスパッタリング法
によって約２０００人の厚みで成膜して形成することが
でき、また蛍光体層１８は、ＺｎＯ： Ｚｎを同様にＲ
Ｆスパッタリング法または化学気相法によって約２００
０人の厚みで成膜して形成することができる。尚、第１
図において符号２４はフィラメント電極板２０と背面基
板１４との間に記数されたスペーサである０図示の実施
例では、フェースガラス基板１２は、第３図に示すよう
に、その上面にアルミニウム、ニッケルの如き金属を直
流スパッタリング法によって３０００〜５０００人の厚
みで成膜して形成された陽極端子１６ａ、フィラメント
電極端子２０ａ及びグリッド電極端子２２ａを有する。
１図は蛍光表示パネル１０を製造する本発明の方法を示
し、この蛍光表示パネル１０は、フェースガラス基板１
２と、ガラス等から形成することができる背面基板１４
と、フェースガラス基板１２の上面に順次成膜して形成
された陽極電極１６及び蛍光体層１８（第３図参照）と
、フェースガラス基板１２と背面基板１４との１ｉｌｌ
に図示しないスペーサを介して積層されたフィラメント
電極板２０及び複数枚のグリッド電極板２２とから成っ
ている。陽８ｉ電極１６は、ＩＴＯ（Ｉ ｎｔ Ｏｘ
・Ｓｎｏｗ ）の如き透明材料をＲＦスパッタリング法
によって約２０００人の厚みで成膜して形成することが
でき、また蛍光体層１８は、ＺｎＯ： Ｚｎを同様にＲ
Ｆスパッタリング法または化学気相法によって約２００
０人の厚みで成膜して形成することができる。尚、第１
図において符号２４はフィラメント電極板２０と背面基
板１４との間に記数されたスペーサである０図示の実施
例では、フェースガラス基板１２は、第３図に示すよう
に、その上面にアルミニウム、ニッケルの如き金属を直
流スパッタリング法によって３０００〜５０００人の厚
みで成膜して形成された陽極端子１６ａ、フィラメント
電極端子２０ａ及びグリッド電極端子２２ａを有する。
本発明の方法では、先ず、第１図に示すように、フィラ
メント電極板２０とグリッド電極板２２とその間のスペ
ーサ（図示せず）及びその上下のスペーサ２４とを相互
の間にフリットガラスペーストの如き封止材（図示せず
）を介して積層し加熱圧着して組立体２６を形成する。
メント電極板２０とグリッド電極板２２とその間のスペ
ーサ（図示せず）及びその上下のスペーサ２４とを相互
の間にフリットガラスペーストの如き封止材（図示せず
）を介して積層し加熱圧着して組立体２６を形成する。
次いで、この組立体２６をフェースガラス基板１２の上
面に同様にフリットガラスペーストの如き封止材（図示
せず）を介して載せ、この組立体２６を囲むようにガラ
スフェース基板１２の上面に同様にフリットガラスペー
ストの如き封止材（図示せず）を介して枠体２８を載せ
る。この枠体２８は、例えば、ガラスまたは絶縁処理さ
れた４２６合金の如き金属から形成することができる。
面に同様にフリットガラスペーストの如き封止材（図示
せず）を介して載せ、この組立体２６を囲むようにガラ
スフェース基板１２の上面に同様にフリットガラスペー
ストの如き封止材（図示せず）を介して枠体２８を載せ
る。この枠体２８は、例えば、ガラスまたは絶縁処理さ
れた４２６合金の如き金属から形成することができる。
また、この枠体２８は、後にのべるように、その内部を
真空引きすべき排気口２８ａを有する６図示の実施例で
は、既にのべたように、フィラメント電極端子２０ａ及
びグリッド電極端子２２ａがフェースガラス基板１２の
上面に形成されているので第１図に示すようにフィラメ
ント電極板２０及びグリッド電極板２２はその両端が折
り曲げられてフィラメント電極端子２０ａ及びグリッド
電極端子２２ａに直接または銅線の如き結合ワイヤ３０
を介して接続されている。
真空引きすべき排気口２８ａを有する６図示の実施例で
は、既にのべたように、フィラメント電極端子２０ａ及
びグリッド電極端子２２ａがフェースガラス基板１２の
上面に形成されているので第１図に示すようにフィラメ
ント電極板２０及びグリッド電極板２２はその両端が折
り曲げられてフィラメント電極端子２０ａ及びグリッド
電極端子２２ａに直接または銅線の如き結合ワイヤ３０
を介して接続されている。
背面基板１４は、この枠体２８の上に同様にガラスフリ
ットペーストの如き封止材（図示せず）を介して載せら
れる。
ットペーストの如き封止材（図示せず）を介して載せら
れる。
このようにして組合わされたフェースガラス基板１２、
組立体２６及び背面基板１４は、枠体２８の排気口２８
ａから図示じない真空ポンプの如き真空装置によって排
気しつつ全体を加熱してフェースガラス基板１２．枠体
２６、背面基板１４及び組立体２６を相互に一体に接着
する。この場合、（Ｈａ、ＡＩ）Ｎｉゲッターを高周波
加熱すると、パネル内部をＩ Ｏ−’Ｔｏｒｒ程度の高
真空にすることができるので好ましい、この真空引き作
業は、第１図に示すように。
組立体２６及び背面基板１４は、枠体２８の排気口２８
ａから図示じない真空ポンプの如き真空装置によって排
気しつつ全体を加熱してフェースガラス基板１２．枠体
２６、背面基板１４及び組立体２６を相互に一体に接着
する。この場合、（Ｈａ、ＡＩ）Ｎｉゲッターを高周波
加熱すると、パネル内部をＩ Ｏ−’Ｔｏｒｒ程度の高
真空にすることができるので好ましい、この真空引き作
業は、第１図に示すように。
組立体２６の各部品に排気時の空気抵抗を減少するため
に切欠き部２６ａを形成して行なうのが好ましい。
に切欠き部２６ａを形成して行なうのが好ましい。
（発明の効果）
本発明によれば、上記のように、フィラメント電極板と
グリッド電極板との１１ｉ層組立体をフェースガラス基
板と枠体と背面基板とで囲み、これらを−括して真空引
きしつつ加熱融着するので高い封止性部で全体を封止す
ることができるから有効に気密封止された蛍光表示パネ
ルを得ることができ、またこの枠体の真空引きすべき排
気口を通して後に封止状態の点検と補修、再生を行なう
ことができる実益がある。
グリッド電極板との１１ｉ層組立体をフェースガラス基
板と枠体と背面基板とで囲み、これらを−括して真空引
きしつつ加熱融着するので高い封止性部で全体を封止す
ることができるから有効に気密封止された蛍光表示パネ
ルを得ることができ、またこの枠体の真空引きすべき排
気口を通して後に封止状態の点検と補修、再生を行なう
ことができる実益がある。
第１図は本発明に係る蛍光表示パネルの製造方法を説明
する分解斜視図、第２図は本発明の方法によって製造さ
れた蛍光表示パネルの正面図、第３図は本発明に用いら
れるフェースガラス基板の上面図である。 １０−−−−一蛍光表示パネル、１２−−−−−フェー
スガラス基板、ｌ ４−−−−一背面基板、１６−−−
−−陽極電極、ｌ ８−−−−−蛍光体層、２０−−−
−−フィラメント電極板、２２−−一−−グリッド電極
板、２４−−−ｍ−枠体、２６−−−−−組立体、２８
−一−−−枠体、２８ａ−−−−一排気口。
する分解斜視図、第２図は本発明の方法によって製造さ
れた蛍光表示パネルの正面図、第３図は本発明に用いら
れるフェースガラス基板の上面図である。 １０−−−−一蛍光表示パネル、１２−−−−−フェー
スガラス基板、ｌ ４−−−−一背面基板、１６−−−
−−陽極電極、ｌ ８−−−−−蛍光体層、２０−−−
−−フィラメント電極板、２２−−一−−グリッド電極
板、２４−−−ｍ−枠体、２６−−−−−組立体、２８
−一−−−枠体、２８ａ−−−−一排気口。
Claims (1)
- フェースガラス基板と、背面基板と、前記フェースガラ
ス基板の上面に成膜して形成された陽極電極と蛍光体層
と、前記フェースガラス基板と前記背面基板との間にス
ペーサを介して積層されたフィラメント電極板及びグリ
ッド電極板とから成る蛍光表示パネルを製造する方法に
おいて、前記フィラメント電極板とグリッド電極板とそ
の間のスペーサとを相互の間に封止材を介して積層し形
成された組立体を前記フェースガラス基板の上面に封止
材を介して載せ、前記組立体を囲むように前記ガラスフ
ェース基板の上面に同様に封止材を介して枠体を載せ、
前記枠体の上に同様に封止材を介して前記背面基板を載
せて前記枠体から排気しつつ全体を加熱して前記フェー
スガラス基板、枠体、背面基板及び組立体を相互に一体
に接着することを特徴とする蛍光表示パネルの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191530A JPH0240835A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 蛍光表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63191530A JPH0240835A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 蛍光表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0240835A true JPH0240835A (ja) | 1990-02-09 |
Family
ID=16276202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63191530A Pending JPH0240835A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 蛍光表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0240835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6669272B2 (en) * | 2000-01-19 | 2003-12-30 | Yanmar Co., Ltd. | Cabin of back hoe |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP63191530A patent/JPH0240835A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6669272B2 (en) * | 2000-01-19 | 2003-12-30 | Yanmar Co., Ltd. | Cabin of back hoe |
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