JPH0241259B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241259B2 JPH0241259B2 JP58002796A JP279683A JPH0241259B2 JP H0241259 B2 JPH0241259 B2 JP H0241259B2 JP 58002796 A JP58002796 A JP 58002796A JP 279683 A JP279683 A JP 279683A JP H0241259 B2 JPH0241259 B2 JP H0241259B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- layer
- ceramic dielectric
- layers
- baking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、異常電圧及び高周波電圧によるノイ
ズを同時に除去することを可能にしたチツプ形ノ
イズ吸収素子に関するものである。
ズを同時に除去することを可能にしたチツプ形ノ
イズ吸収素子に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
従来、異常電圧を吸収する素子としてSiCバリ
スタが知られている。この素子は印加された電圧
により抵抗値が変化する素子まで、一般に電圧電
流特性は Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）〓 で近似される。ここでＩはバリスタを流れる電
流、Ｖはバリスタ素子電極間の電圧、αは電圧非
直線指数、そしてＣは素子固有の定数である。
スタが知られている。この素子は印加された電圧
により抵抗値が変化する素子まで、一般に電圧電
流特性は Ｉ＝（Ｖ／Ｃ）〓 で近似される。ここでＩはバリスタを流れる電
流、Ｖはバリスタ素子電極間の電圧、αは電圧非
直線指数、そしてＣは素子固有の定数である。
このような特性を有する素子として、SiC以外
に、ZnOを主体としたバリスタ、シリコン単結晶
を用いたバリスタ、酸化スズを用いたバリスタ等
がある。
に、ZnOを主体としたバリスタ、シリコン単結晶
を用いたバリスタ、酸化スズを用いたバリスタ等
がある。
これらのバリスタは異常電圧によるノイズを吸
収することにおいては極めて良好な効果を示す。
しかしながら、異常周波数電圧によるノイズに対
しては吸収効果は得られない。
収することにおいては極めて良好な効果を示す。
しかしながら、異常周波数電圧によるノイズに対
しては吸収効果は得られない。
最近、音響機器にマイクロモータが使用され、
マイクロモータの整流子で発生する火花電圧がノ
イズの原因の一つとなつている。この対策とし
て、従来、SiCバリスタが使用されてきた。しか
しながら、上述のごとく、異常電圧吸収に対して
は効果があるが、AM帯域やFM帯域の周波ノイ
ズの除去が十分行なえないため、コンデンサをブ
ラシ間に並列に接続する手段やコイルを挿入する
手段などがとられてきた。このような手段では部
品点数も多くなる上に、組立て工数もかかる等の
欠点があつた。
マイクロモータの整流子で発生する火花電圧がノ
イズの原因の一つとなつている。この対策とし
て、従来、SiCバリスタが使用されてきた。しか
しながら、上述のごとく、異常電圧吸収に対して
は効果があるが、AM帯域やFM帯域の周波ノイ
ズの除去が十分行なえないため、コンデンサをブ
ラシ間に並列に接続する手段やコイルを挿入する
手段などがとられてきた。このような手段では部
品点数も多くなる上に、組立て工数もかかる等の
欠点があつた。
（発明の目的）
本発明は、上記従来例の欠点を解消するために
なされたもので、単一の素子によつて異常電圧及
び異常周波電圧を同時に吸収するチツプ形ノイズ
吸収素子を提供するものである。
なされたもので、単一の素子によつて異常電圧及
び異常周波電圧を同時に吸収するチツプ形ノイズ
吸収素子を提供するものである。
（発明の構成）
上記目的を達成するために、セラミツク誘導体
層と導電体層を積層してその最外部層にガラス質
電圧直線抵抗層を設け、セラミツク誘導体層と導
電体層とで構成されるコンデンサ素子部と電圧直
線抵抗素子部とが並列に接続されるように端子電
極を設ける。
層と導電体層を積層してその最外部層にガラス質
電圧直線抵抗層を設け、セラミツク誘導体層と導
電体層とで構成されるコンデンサ素子部と電圧直
線抵抗素子部とが並列に接続されるように端子電
極を設ける。
（実施例の説明）
以下、実施例を図面に基づき詳細に説明する。
第１図及び第２図は、それぞれ本発明の実施例を
示したものである。１はセラミツク誘導体層で、
チタン酸バリウム系を主体とする誘電体であり、
誘電率2000〜100000程度のものがある。本実施例
では誘電率10000のものを用いた。なお、１は半
導体セラミツク誘導体層であつてもよい。２は導
電体層であり、本実施例ではパラジウム金属層を
使用した。３はZnOとＢ−Si−Bi−Ｏ系のガラス
粉末とからなる混合粉末を有機バインダーにより
ペースト状となし、塗着し800℃の温度で焼付け
たガラス質の電圧依存性抵抗層である。４及び５
は端子電極であり、本実施例では銀電極を用い
た。本実施例では、10mAの電流において電極
４，５間の電圧を13Vとし1KHzにおける静電容
量を0.01μFとなるように作製した。
第１図及び第２図は、それぞれ本発明の実施例を
示したものである。１はセラミツク誘導体層で、
チタン酸バリウム系を主体とする誘電体であり、
誘電率2000〜100000程度のものがある。本実施例
では誘電率10000のものを用いた。なお、１は半
導体セラミツク誘導体層であつてもよい。２は導
電体層であり、本実施例ではパラジウム金属層を
使用した。３はZnOとＢ−Si−Bi−Ｏ系のガラス
粉末とからなる混合粉末を有機バインダーにより
ペースト状となし、塗着し800℃の温度で焼付け
たガラス質の電圧依存性抵抗層である。４及び５
は端子電極であり、本実施例では銀電極を用い
た。本実施例では、10mAの電流において電極
４，５間の電圧を13Vとし1KHzにおける静電容
量を0.01μFとなるように作製した。
以上のような構成からなる本発明の素子を第３
図のモーター部分略図に示すように12V用モータ
の整流子間に配線し、動作時の雑音電界強度を測
定した。第３図中、６，７，８は整流子、９及び
１０はブラシ、１１，１２及び１３は回転子コイ
ル、１４，１５及び１６は本発明の素子、１７及
び１８はリード線である。
図のモーター部分略図に示すように12V用モータ
の整流子間に配線し、動作時の雑音電界強度を測
定した。第３図中、６，７，８は整流子、９及び
１０はブラシ、１１，１２及び１３は回転子コイ
ル、１４，１５及び１６は本発明の素子、１７及
び１８はリード線である。
第４図は測定結果の１例を示す図である。Ａは
本発明の素子を用いた場合、Ｂは従来のSiCバリ
スタを用いた場合、Ｃは無対策の場合である。第
４図から明らかなごとく広帯域の周波数範囲にわ
たつて本発明の素子の効果が認められる。
本発明の素子を用いた場合、Ｂは従来のSiCバリ
スタを用いた場合、Ｃは無対策の場合である。第
４図から明らかなごとく広帯域の周波数範囲にわ
たつて本発明の素子の効果が認められる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明に係る素子は、バ
リスタ機能とコンデンサ機能とを併せ備えている
ため、異常電圧と異常周波電圧を同時に吸収する
ことができる。特に、このようなチツプ形ノイズ
吸収素子は音響機器におけるマイクロモータへの
適用や、今後、マイクロコンピユータ応用機器に
対する外来ノイズの防止等多方面にわたつて使用
に供することが可能となることから、その産業的
価値は非常に大きいものである。
リスタ機能とコンデンサ機能とを併せ備えている
ため、異常電圧と異常周波電圧を同時に吸収する
ことができる。特に、このようなチツプ形ノイズ
吸収素子は音響機器におけるマイクロモータへの
適用や、今後、マイクロコンピユータ応用機器に
対する外来ノイズの防止等多方面にわたつて使用
に供することが可能となることから、その産業的
価値は非常に大きいものである。
第１図及び第２図は、それぞれ本発明の実施例
のチツプ形ノイズ吸収素子の断面図、第３図は、
同素子を適用したモータの回路図、第４図は、従
来の素子と本発明の素子の性能比較を示す図であ
る。 １……セラミツク誘電体層、２……導電体層、
３……電圧依存性抵抗層、４，５……端子電極。
のチツプ形ノイズ吸収素子の断面図、第３図は、
同素子を適用したモータの回路図、第４図は、従
来の素子と本発明の素子の性能比較を示す図であ
る。 １……セラミツク誘電体層、２……導電体層、
３……電圧依存性抵抗層、４，５……端子電極。
Claims (1)
- １ セラミツク誘電体層と導電体層とを交互に複
数積層して焼結し、その積層体の最外部層の少な
くとも一方は導電体層からなり、前記最外部導電
体層上に酸化亜鉛を主体とする粉末を分散させた
ガラス粉末ペーストを塗着して焼付けたガラス質
の電圧依存性抵抗層を設け、さらに、前記セラミ
ツク誘電体層及び導電体層により構成されるコン
デンサ素子部と電圧依存性抵抗素子部とが並列に
接続されるように、焼付けて接合させる一対の端
子電極を形成してなるチツプ形ノイズ吸収素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58002796A JPS59129533A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | チップ形ノイズ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58002796A JPS59129533A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | チップ形ノイズ吸収素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129533A JPS59129533A (ja) | 1984-07-25 |
| JPH0241259B2 true JPH0241259B2 (ja) | 1990-09-17 |
Family
ID=11539328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58002796A Granted JPS59129533A (ja) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | チップ形ノイズ吸収素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59129533A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5493747U (ja) * | 1977-12-16 | 1979-07-03 |
-
1983
- 1983-01-13 JP JP58002796A patent/JPS59129533A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59129533A (ja) | 1984-07-25 |
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