JPH0241674Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、RGB入力端子を有するカラーテレ
ビにおいて、RGB入力信号とRGBサイン信号と
をミキシングする回路に関する。

（従来の技術） 近来のカラーテレビには、パソコン等の外部機
器を直接に接続して、高密度な文字及び図形等を
映し出すために、外部からRGB信号（赤、緑及
び青の同期信号を含まない原色信号）を入力する
RGB入力端子を備えたものがある。

そして、RGB入力端子から入力されたRGBの
各データ信号は、それぞれ信号処理回路でRGB
サイン信号とミキシングされる。

第４図に、その種の信号処理回路３０の一例を
示し、第５図に同信号処理回路３０のタイミング
チヤートを示す。なお、第４図はＲデータ信号と
Ｒサイン信号とをミキシングする場合の回路構成
に限つて例示している。

信号処理回路３０は、端子３１からＲデータ信
号Ｓ１０が、端子３２からＲサイン信号Ｓ１１
が、端子３３からRGBサインブランキング信号
Ｓ１２がそれぞれ入力され、端子３４からミキシ
ング後の信号Ｓ１３が出力されるようになされた
回路である。

Ｒデータ信号Ｓ１０〔第５図Ｃ〕は、抵抗Ｒ１
３，Ｃ１３からなる微分回路３５を経て、抵抗Ｒ
１４，Ｒ１５によつて決まる第１バイアス値
（V₁）によつてバイアスされている。一方、RGB
サインブランキング信号Ｓ１２〔第５図Ｂ〕が端
子３３に入力されてトランジスタQ₁₃が導通する
と、前記Ｒデータ信号Ｓ１０はトランジスタQ₁₄
が抵抗Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６によつて決まる第
２バイアス値（V₂）によつてバイアスされて前
記トランジスタQ₁₄のベース側に入力される〔第
５図Ｄ参照〕。

一方、Ｒサイン信号Ｓ１１〔第５図Ａ〕は、ト
ランジスタQ₁₄のコレクタ、エミツタ端子を共通
とするトランジスタQ₁₅のベース側に入力され
る。また、それらトランジスタQ₁₄，Q₁₅のエミ
ツタ共通端子には抵抗Ｒ１７が接続されており、
ミキシング後の信号Ｓ１３〔第５図Ｅ〕は該抵抗
Ｒ１７を介して出力される。

（考案が解決しようとする問題点） 従来の処理回路では、データ信号を前記第１バ
イアス値（V₁）でバイアスしているだけであつ
た。サインレベル（V₃）とは、ミキシング後の
信号Ｓ１３における最高レベル値とＲデータ信号
の最低レベル値の差レベルを示すのである為、従
来回路ではデータ信号の振幅レベルが変化する
と、サインレベル（V₃）が変動することになる。

また、トランジスタQ₁₃のコレクタ電位が前記
微分回路３５におけるコンデンサＣ１３の充放電
の影響を受けるので、RGBサインブランキング
信号Ｓ１２の周波数によつて第１バイアス値
（V₁）及び第２バイアス値（V₂）が変動し、ひい
てはミキシング後のサインレベル（V₃）も変動
することになる。

（問題点を解決するための手段） RGB入力端子がコンデンサを介してＮチヤネ
ルFETのドレイン側に接続され、該Ｎチヤネル
FETは、ゲートにかかる第１の電圧によつて
RGB入力信号を所定電圧にクランプしてソース
側に出力させるとともにRGBサインブランキン
グ信号によつて前記ゲートにかかる第２の電圧で
カツトオフされてなるRGB信号処理回路に係わ
る。

（作用） 各RGBデータ信号はRGBサインブランキング
信号が「Ｌ」レベルのときは、コンデンサを介し
てＮチヤネルFETのゲートにかけられる第１の
電圧によつて所定電圧までクランプされたままミ
キシング回路の出力となる。一方、RGBサイン
ブランキング信号が「Ｈ」レベルになると、ゲー
トにかかる電圧が第２の電圧まで低下され、前記
コンデンサの放電によつてゲートソース間が逆バ
イアスされて、ドレイン−ソース間がカツトオフ
され、サインブランキング信号の入力期間のみデ
ータ信号はブランキングされる。

（実施例） 以下、本考案の構成を実施例について図面を参
照して説明する。

第１図に、本考案に係るRGB信号処理回路に
おけるＲデータ信号の処理部１の回路構成を示
し、第２図に同処理部１のタイミングチヤートを
示す。

端子２は、RGB入力端子（図示省略）の１つ
を構成し、Ｒデータ信号Ｓ１が入力される端子で
ある。

端子２へ入力されたＲデータ信号Ｓ１は、抵抗
Ｒ１、コンデンサＣ１とからなる微分回路３を介
して、ＮチヤネルFETQ₁のドレイン（Ｄ）側に
入力される。このＮチヤネルFETQ₁は、例えば
デイプレツシヨン型のＪ−FETが用いられる。

ＮチヤネルFETQ₁のゲート（Ｇ）側には、前
記Ｒデータ信号Ｓ１をクランプさせて、ソース側
（Ｓ）側に出力させるクランプ手段４が接続され
ている。

クランプ手段４は、NPNトランジスタQ₂とダ
イオードＤ１と抵抗Ｒ２，Ｒ３とからなり、前記
ＮチヤネルFETQ₁のゲート（Ｇ）側にNPNトラ
ンジスタQ₂のコレクタ側とダイオードＤ１のカ
ソード側とが接続され、ダイオードＤ１のアノー
ド側には電源電圧（Vcc）を抵抗Ｒ２，Ｒ３で分
割した電圧V₅がかけられている。

NPNトランジスタQ₂は、端子５から入力され
るRGBサインブランキング信号Ｓ２によつて開
閉制御され、信号Ｓ２が「Ｈ」レベルのときに前
記ＮチヤネルFETQ₁のゲートをアース電位まで
落とす。

ＮチヤネルFETQ₁のソース（Ｓ）側には、ミ
キシング回路６が接続されている。

ミキシング回路６は、お互いのエミツタ端子、
コレクタ端子とが共通に接続された一対のNPN
トランジスタQ₃，Q₄及び抵抗Ｒ４によつて構成
され、一方のNPNトランジスタQ₃のベース側に
前記クランプ手段４を経て出力されるＲデータ信
号Ｓ１が入力され、他方のNPNトランジスタQ₄
のベース側には端子７からＲサイン信号Ｓ３が入
力される。そして、それら信号Ｓ１及び信号Ｓ３
はミキシング後、抵抗Ｒ４からミキシング信号Ｓ
４が端子８へ出力される。

上記構成からなるＲデータ信号Ｓ１の処理部１
において、RGBサインブランキング信号Ｓ２が
「Ｌ」レベルの場合には、前記Ｒデータ信号Ｓ１
は前記電圧V₅にダイオードＤ１及びＮチヤネル
FETQ₁のゲート−ソース間の順方向電圧（V_F）
分を加えた一定の電圧値V₄にてクランプされて
〔第２図Ｄ〕NPNトランジスタQ₃にかけられる。
このとき、前記コンデンサＣ１は図に示す極性に
て充電されている。

一方、RGBサインブランキング信号Ｓ２が
「Ｈ」レベルの場合にはNPNトランジスタQ₂が
導通し、ＮチヤネルFETQ₁のゲート電位がアー
ス電位となり、このため、ゲート−ソース間が逆
バイアスされ、ＮチヤネルFETQ₁は遮断される。
ＮチヤネルFETQ₁が遮断されると、Ｒデータ信
号Ｓ１は、当該遮断期間、すなわちRGBサイン
ブランキング信号Ｓ３が入力されている期間中に
わたりブランキングされる〔第２図Ｄ〕。その結
果、抵抗Ｒ４から出力されるミキシング信号Ｓ４
は、ミキシング後のＲデータ信号Ｓ１の最低レベ
ルにＲサイン入力信号Ｓ２の振幅分〔サインレベ
ルV₆〕を加算した一定の振幅を有するミキシン
グ波形となる〔第２図Ｅ〕。

なお、上記回路構成において、ブランキング期
間が長いと、コンデンサＣ１の電荷がＮチヤネル
FETQ₁〜NPNトランジスタQ₃〜抵抗Ｒ４〜アー
スに致る放電経路によつて放電されて、Ｎチヤネ
ルFETQ₁−ゲート（Ｇ）−ソース（Ｓ）間の逆電
圧が低下してＮチヤネルFETQ₁が導通するので、
放電経路の時定数をRGBサインブランキング信
号Ｓ２の「Ｈ」レベル期間にくらべて十分大きく
なるように設定されている。

第３図に、第１図に示すＲデータ信号Ｓ１の処
理部１の他にＧデータ信号及びＢデータ信号の処
理部を備えたRGB信号処理回路９の具体的な回
路構成を示す。

同図において、第１図と同一機能の回路素子に
対しては同一の符号を付してあり、主要部分の回
路素子はICによつて構成され、端子１０〜２２
は当該ICの端子を示し、端子２３はＧデータ信
号の入力端子、端子２４はＢデータ信号の入力端
子を示す。

端子１０，１１，１２は微分回路３を経た後の
Ｒデータ信号、Ｇデータ信号、Ｂデータ信号の
各々が入力される端子である。

端子１３は電源電圧（Vcc）用端子、端子２１
はアース端子である。

端子１４，１７，１９はＲサイン信号、Ｇサイ
ン信号、Ｂサイン信号が各々入力される端子であ
る。

端子１５，１８，２０はＲミキシング信号、Ｇ
ミキシング信号、Ｂミキシング信号の各々の出力
端子である。

端子１６は、Ｒサイン信号、Ｇサイン信号、Ｂ
サイン信号の振幅制限用の基準電圧設定用端子、
端子２２は、RGBサインブランキング信号の出
力端子である。

RGB信号処理回路９は、前述したＲデータ信
号、Ｇデータ信号、Ｂデータ信号の処理部の他、
RGBサインブランキング信号作成回路２５、各
サイン信号レベルの振幅制限回路２６、及びスピ
ードアツプ回路２７とを備えている。

RGBサインブランキング信号作成回路２５は
４つのNPNトランジスタQ₅〜Q₈と該トランジス
タのベース電流制限用抵抗Ｒ７，Ｒ８及びRGB
ブランキング信号の出力用抵抗Ｒ９からなり、各
サイン信号線２８〜３０がそれぞれ対応する
NPNトランジスタQ₅〜Q₇のベース側に接続され
ている。そして、各サイン信号が「Ｈ」レベルに
なると、対応するNPNトランジスタが導通し、
出力用抵抗Ｒ９を介してRGBブランキング信号
Ｓ２が出力されることになる。また、RGBブラ
ンキング信号Ｓ２が抵抗Ｒ９から出力されると
NPNトランジスタQ₈も同時に導通し端子２２に
「Ｈ」レベルの信号を出力する。

振幅制限回路２６は、PNPトランジスタQ₉、
３つのダイオードＤ２〜Ｄ４及び抵抗Ｒ１０，Ｒ
１１からなり、各サイン信号線２８〜３０から対
応するダイオードＤ２〜Ｄ４を介してPNPトラ
ンジスタQ₉のエミツタ側に接続され、抵抗Ｒ１
０，Ｒ１１によつて分割された電圧値及び端子１
６に入力される電圧値とで決まる基準電圧（V₇）
を越える各サイン信号の振幅は制限されるように
なされている。

スピードアツプ回路２７は、抵抗Ｒ１２、コン
デンサＣ２、ダイオードＤ５からなり、前記
RGBサインブランキング信号Ｓ２のNPNトラン
ジスタQ₂への立上り時間、立下り時間を早める。
それら、抵抗Ｒ１２、コンデンサＣ２、ダイオー
ドＤ５の値はNPNトランジスタQ₃に適合する値
に設定される。

なお、図中抵抗Ｒ１３は、ＮチヤネルFETQ₁
のカツトオフ時におけるゲート電位を調整する抵
抗、抵抗Ｒ１４，Ｒ１５はそれぞれ電流制限用抵
抗である。

（考案の効果） 以上述べたように、本考案はRGBサインブラ
ンキング信号が「Ｌ」レベルのときにはRGB入
力信号を一定レベルにクランプするので、データ
信号のレベル及びサインブランキング信号の周波
数の影響によつてミキシング後のサインレベルが
変動しない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案のRGB信号処理回路におけ
るＲデータ信号の処理部の構成を示す回路図、第
２図は同処理部の動作を示すタイミングチヤー
ト、第３図はRGB信号処理回路の具体的な構成
を示す回路図、第４図は従来のＲデータ信号の処
理部の構成を示す回路図、第５図は同処理部の動
作を示すタイミングチヤートである。 Q₁……ＮチヤネルFET、Ｃ１……コンデンサ、
４……クランプ手段、６……ミキシング回路。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. RGB入力端子から入力されるRGB入力信号と
   RGBサイン信号とをミキシングする回路を備え
   てなるRGB信号処理回路であつて、RGB入力端
   子がコンデンサを介してＮチヤネルFETのドレ
   イン側に接続され、該ＮチヤネルFETは、ゲー
   トにかかる第１の電圧によつてRGB入力信号を
   所定電圧にクランプしてソース側に出力させると
   ともにRGBサインブランキング信号によつて前
   記ゲートにかかる第２の電圧でカツトオフされて
   なることを特徴とするRGB信号処理回路。