JPH0241702B2 - - Google Patents

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JPH0241702B2
JPH0241702B2 JP56094679A JP9467981A JPH0241702B2 JP H0241702 B2 JPH0241702 B2 JP H0241702B2 JP 56094679 A JP56094679 A JP 56094679A JP 9467981 A JP9467981 A JP 9467981A JP H0241702 B2 JPH0241702 B2 JP H0241702B2
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humidity
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voltage
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/002Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating the work function voltage

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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は湿度および結露状態を検知すること
ができ、湿度変化および結露状態を電圧の変化と
して取出せる湿度検知装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a humidity detection device that can detect humidity and dew condensation, and can extract changes in humidity and dew condensation as changes in voltage.

従来より種々の用途に湿度状態あるいは結露状
態を検出するためのセンサが種々提案されかつ実
現されている。従来の或る種のものでは、1対の
電極間に感湿物質を介在させ、結露時の抵抗値の
急減によつて、結露状態を検出する。また、他の
ものでは、たとえばエポキシのような有機高分子
にたとえばカーボン粉末のような導電粒子を混合
し、結露時の有機高分子の膨潤のために導電粒子
相互間の接触が弱まることによる抵抗値の急増に
よつて結路状態を検出する。これら従来のもの
は、いずれも、感湿素子ユニツトの抵抗値の変化
に基づいて湿度状態または結露状態を検出するも
のである。したがつて、感湿素子ユニツトに常に
或る程度の電流を流し続ける必要がある。したが
つて、感湿素子ユニツトに塵埃等が付着すると、
それによる影響のためにあやまつた検出をするな
どの問題があつた。
2. Description of the Related Art Various sensors for detecting humidity or dew condensation conditions have been proposed and implemented for various purposes. In some conventional devices, a moisture-sensitive substance is interposed between a pair of electrodes, and the state of dew condensation is detected by a sudden decrease in resistance value when condensation occurs. In addition, in other methods, conductive particles such as carbon powder are mixed with organic polymers such as epoxy, and the contact between the conductive particles is weakened due to swelling of the organic polymer during condensation, resulting in resistance. A connection condition is detected by a sudden increase in value. All of these conventional devices detect a humidity state or a dew condensation state based on a change in the resistance value of a humidity sensing element unit. Therefore, it is necessary to keep a certain amount of current flowing through the humidity sensing element unit. Therefore, if dust etc. adhere to the moisture sensing element unit,
This caused problems such as incorrect detection.

それゆえに、この発明の主たる目的は、新規な
原理にもとづいて、湿度状態または結露状態を安
定して検出しうる湿度検知装置を提供することで
ある。
Therefore, the main object of the present invention is to provide a humidity detection device that can stably detect humidity or dew condensation based on a novel principle.

この発明は、要約すれば、たとえばチタン酸バ
リウム系半導体のような熱起電力を生じる半導体
基板と、熱起電力を取出すため前記半導体基板に
形成された一対の電極と、前記半導体基板の一端
側に形成された吸湿性物質と、前記半導体基板に
一体的にまたは近接して設けられたヒータと、ヒ
ータに断続的に電圧を印加する回路を少なくとも
含む制御回路とからなる湿度検知装置である。
In summary, the present invention includes a semiconductor substrate that generates a thermoelectromotive force, such as a barium titanate-based semiconductor, a pair of electrodes formed on the semiconductor substrate for extracting the thermoelectromotive force, and one end side of the semiconductor substrate. The humidity sensing device includes a hygroscopic substance formed on the semiconductor substrate, a heater provided integrally with or in close proximity to the semiconductor substrate, and a control circuit including at least a circuit for intermittently applying voltage to the heater.

この発明の上述の目的およびその他の目的と特
徴は図面を参照して行う以下の詳細な説明から一
層明らかとなろう。
The above objects and other objects and features of the invention will become more apparent from the following detailed description with reference to the drawings.

第1図はこの発明の一実施例を示す図解図であ
る。構成において、たとえばフエライトやチタン
酸バリウム系やチタン酸ストロンチウム系のよう
な半導体基板1の両端に一対の電極2および3が
形成されている。そして、半導体基板1の電極3
側には、吸湿性物質4が形成されている。この吸
湿性物質4としては、水分吸着による吸着熱発生
が大きく、加熱により容易に脱水する特性を有す
るものが用いられ、これにはたとえば、ボリビニ
ルアルコールで代表される親水性有機高分子膜、
カーボン、リチウム塩などの吸湿性無機化合物、
あるいは親水性有機高分子膜と吸湿性無機化合物
の混合物などが掲げられる。また、半導体基板1
の周囲にはニクロムなどの金属抵抗線5が配置さ
れ、電源(図示せず)から印加される電圧によつ
て発熱し、半導体基板1を加熱する役割を果す。
さらに、一対の電極2および3のそれぞれにリー
ド線6および7が接続され、ある湿度状態または
結露状態において、半導体基板1から生じる熱起
電力による出力が取出される。
FIG. 1 is an illustrative diagram showing an embodiment of the present invention. In the structure, a pair of electrodes 2 and 3 are formed at both ends of a semiconductor substrate 1 made of, for example, ferrite, barium titanate, or strontium titanate. Then, the electrode 3 of the semiconductor substrate 1
A hygroscopic substance 4 is formed on the side. As the hygroscopic substance 4, a substance is used which has the property of generating a large amount of heat of adsorption due to moisture adsorption and easily dehydrating by heating.
hygroscopic inorganic compounds such as carbon, lithium salts,
Alternatively, a mixture of a hydrophilic organic polymer film and a hygroscopic inorganic compound may be used. In addition, the semiconductor substrate 1
A metal resistance wire 5 made of nichrome or the like is arranged around the resistor wire 5 , which generates heat in response to a voltage applied from a power source (not shown) and serves to heat the semiconductor substrate 1 .
Further, lead wires 6 and 7 are connected to the pair of electrodes 2 and 3, respectively, and an output due to thermoelectromotive force generated from the semiconductor substrate 1 is taken out in a certain humidity state or dew condensation state.

湿度および結露状態の変化にもとづいて、半導
体基板1から熱起電力を取出す態様としては次の
ようなものがある。
The following methods are available for extracting thermoelectromotive force from the semiconductor substrate 1 based on changes in humidity and dew condensation.

その一つは、ヒータ5に電圧を印加したときに
半導体基板1から出力を取出すというものであ
る。まず、ヒータ5に電圧を印加すると、半導体
基板1は加熱され、吸湿性物質4が形成されてい
る個所とそうでない個所とに温度差が生じ、熱起
電力にもとづく出力が得られ、この出力は湿度状
態に応じたものとなる。出力は湿度が増大するに
つれて小さくなる傾向にある。これは吸湿性物質
4に含まれる水分が湿度増加に伴つて増え、ヒー
タ5で加熱したとしても蒸発させにくくなるとと
もに蒸発速度も遅くなり、また半導体基板1から
の熱放散も湿度増加について少なくなり、高湿度
状態または結露状態では出力は小さくなるものと
して検知できる。したがつて、湿度の変化に応じ
て取出される出力が変化することから、出力の変
化にもとづいて湿度状態を検知することができ
る。このとき、ヒータ5には電圧が断続的に印加
される。これはヒータ5に電圧が印加されると半
導体基板1に発生する温度差にもとづいて電子の
拡散が生じ、これが熱起電力を発生させ出力とし
て取出されるが、電圧印加がそのまま続けられる
と、温度差がなくなり、電子の拡散も行われず平
衡状態となり出力が得られなくなる。したがつ
て、一旦電圧印加を終了し、再び電圧を印加する
ことによつて、すでに上述した動作を繰り返えす
ことができ、湿度状態に相応した出力が取出せ
る。なお、半導体基板1からの出力はヒータ5に
電圧を印加したのちピークの出力を取出すように
する。
One of them is to extract an output from the semiconductor substrate 1 when a voltage is applied to the heater 5. First, when a voltage is applied to the heater 5, the semiconductor substrate 1 is heated, and a temperature difference is generated between the area where the hygroscopic substance 4 is formed and the area where it is not, and an output based on thermoelectromotive force is obtained. depends on the humidity condition. Output tends to decrease as humidity increases. This is because the moisture contained in the hygroscopic substance 4 increases as the humidity increases, and even if heated by the heater 5, it becomes difficult to evaporate and the evaporation rate slows down, and heat dissipation from the semiconductor substrate 1 also decreases as the humidity increases. , the output can be detected as being smaller in high humidity or dew condensation conditions. Therefore, since the output output changes according to changes in humidity, the humidity state can be detected based on changes in the output. At this time, voltage is intermittently applied to the heater 5. This is because when a voltage is applied to the heater 5, electrons are diffused based on the temperature difference generated in the semiconductor substrate 1, which generates a thermoelectromotive force and is taken out as an output, but if the voltage continues to be applied, There is no temperature difference, and no electrons diffuse, resulting in an equilibrium state and no output. Therefore, by once ending the voltage application and applying the voltage again, the above-described operation can be repeated, and an output corresponding to the humidity state can be obtained. Note that the peak output from the semiconductor substrate 1 is taken out after applying a voltage to the heater 5.

半導体基板1から熱起電力を取出すその他の態
様は、ヒータ5に電圧を印加し、半導体基板1を
加熱したのち、湿度状態に応じて発生する熱起電
力にもとづく出力を取出すものである。つまり、
ヒータ5に電圧を印加し、半導体基板1を加熱す
ると、吸湿性物質4中の水分を含めて水分が除去
される。その後周囲の雰囲気中に含まれる水分は
吸湿性物質4に吸着され、このとき吸湿性物質4
が形成されている個所とそうでない個所とに温度
差が生じ、熱起電力にもとづく出力が得られ、こ
の出力は湿度状態に応じたものとなる。このまま
の状態で放置しておけば、半導体基板1自体に温
度差がなくなり、電子の拡散も行われず平衡状態
となり出力が得られなくなる。したがつて、この
例においてもヒータ5に電圧を断続的に印加し、
半導体基板1および吸湿性物質4に含まれる水分
を除去したのち、改めて湿度状態に応じて吸湿性
物質4に水分を吸着させ、そのときの温度差にも
とづく熱起電力によつて出力を取り出すようにす
ればよい。また半導体基板1からの出力は前者と
同様にピークの出力を取出すようにすればよい。
さらにこの例では半導体基板1の全体をヒータ5
で等しく加熱するようにすれば、出力変化をさら
に大きくすることができ、湿度変化にもとづく出
力変化も直線的になることが確認されている。
Another method for extracting the thermoelectromotive force from the semiconductor substrate 1 is to apply a voltage to the heater 5 to heat the semiconductor substrate 1, and then extract an output based on the thermoelectromotive force generated depending on the humidity state. In other words,
When a voltage is applied to the heater 5 and the semiconductor substrate 1 is heated, moisture including the moisture in the hygroscopic substance 4 is removed. After that, the moisture contained in the surrounding atmosphere is adsorbed by the hygroscopic substance 4, and at this time, the hygroscopic substance 4
A difference in temperature occurs between the areas where the pores are formed and the areas where they are not, and an output based on thermoelectromotive force is obtained, and this output corresponds to the humidity state. If left in this state, there will be no temperature difference in the semiconductor substrate 1 itself, and no electrons will be diffused, resulting in an equilibrium state and no output will be obtained. Therefore, in this example as well, a voltage is intermittently applied to the heater 5,
After removing the moisture contained in the semiconductor substrate 1 and the hygroscopic material 4, the moisture is adsorbed on the hygroscopic material 4 again according to the humidity condition, and an output is extracted by thermoelectromotive force based on the temperature difference at that time. Just do it. Further, the output from the semiconductor substrate 1 may be set to take out the peak output as in the former case.
Furthermore, in this example, the entire semiconductor substrate 1 is heated by the heater 5.
It has been confirmed that if the heating is done equally, the change in output can be made even larger, and the change in output due to changes in humidity becomes linear.

ヒータ5には半導体基板1を断続的に加熱する
ために、断続的に電圧を印加する回路に接続され
るが、この電圧印加回路には公知のものが用いら
れる。またヒータ5に電圧を印加する回路のほ
か、ヒータ5に電圧を印加したときまたはヒータ
5に電圧を印加したのちに湿度状態にもとづいて
半導体基板1から発生する出力を検出するように
同期させる同期回路と、半導体基板1からの出力
信号を増幅し検出する増幅検出回路とを含む制御
回路を湿度検知装置に組み込むことができる。第
2図はこのような制御回路の一例をブロツク図で
示したものである。
The heater 5 is connected to a circuit that applies a voltage intermittently in order to intermittently heat the semiconductor substrate 1, and a known voltage application circuit is used for this voltage application circuit. In addition to the circuit that applies voltage to the heater 5, there is also a synchronization circuit that detects the output generated from the semiconductor substrate 1 based on the humidity state when or after applying the voltage to the heater 5. A control circuit including the circuit and an amplification detection circuit that amplifies and detects the output signal from the semiconductor substrate 1 can be incorporated into the humidity detection device. FIG. 2 shows a block diagram of an example of such a control circuit.

次に具体的実施例について説明する。 Next, specific examples will be described.

半導体基板として薄片状のチタン酸バリウム系
半導体磁器を用いた。その大きさが長さ20mm、幅
10mm、厚み0.2mmのものを用い、半導体基板の両
端にオーム性電極を付与し、リード線を接続し
た。また半導体基板の一端に塩化リチウムを30%
含むポリビニルアルコール膜を形成した。この半
導体基板にヒータを近設して設け、ヒータに電圧
を印加したとき、半導体基板の表面温度が50℃と
なるように設定した。ヒータへの電圧印加時間を
10秒間、次の電圧印加までの時間を1分間とする
加熱サイクルを設定し、相対湿度0〜100%に対
応する各出力電圧を測定した。
A flaky barium titanate semiconductor ceramic was used as the semiconductor substrate. Its size is 20mm in length and width
Using a semiconductor substrate with a diameter of 10 mm and a thickness of 0.2 mm, ohmic electrodes were provided at both ends of the semiconductor substrate, and lead wires were connected. Additionally, 30% lithium chloride was added to one end of the semiconductor substrate.
A polyvinyl alcohol film was formed. A heater was provided adjacent to this semiconductor substrate, and was set so that when a voltage was applied to the heater, the surface temperature of the semiconductor substrate was 50°C. Voltage application time to heater
A heating cycle was set for 10 seconds and the time until the next voltage application was 1 minute, and each output voltage corresponding to a relative humidity of 0 to 100% was measured.

熱起電力による出力電圧をヒータへの電圧印加
時とヒータへの電圧印加後に分けて測定したとこ
ろ、第3図、第4図にそれぞれ示すような結果が
得られた。
When the output voltage due to thermoelectromotive force was measured separately during and after voltage application to the heater, results as shown in FIGS. 3 and 4 were obtained, respectively.

第3図、第4図から明らかなように、相対湿度
の変化に応じて出力電圧に変化が見られ、湿度変
化を電気的に検知することができる。また第3図
と第4図とでは相対湿度100%における出力電圧
の変化状態が異つており、使用目的に応じた利用
を行えばよい。
As is clear from FIGS. 3 and 4, the output voltage changes in response to changes in relative humidity, and changes in humidity can be electrically detected. Further, the state of change in the output voltage at 100% relative humidity is different between FIG. 3 and FIG. 4, and the output voltage can be used depending on the purpose of use.

第5図〜第7図はこの発明にかかる湿度検知装
置の他の構造である。
5 to 7 show other structures of the humidity detection device according to the present invention.

第5図ものは、オーム性電極2および3を形成
した半導体基板1に、この半導体基板1より小さ
いかまたは等しい熱伝導率を有する絶縁層8、た
とえばポリ四ふつ化エチレン樹脂を形成したもの
で、半導体基板1に耐候性を持たせたものであ
る。またヒータ5には金属抵抗線の代わりにバル
ク型抵抗体が用いられ、半導体基板1に近接して
設けられている。
In the case shown in FIG. 5, an insulating layer 8 having a thermal conductivity smaller than or equal to that of the semiconductor substrate 1, such as polytetrafluoroethylene resin, is formed on a semiconductor substrate 1 on which ohmic electrodes 2 and 3 are formed. , the semiconductor substrate 1 is made weather resistant. Furthermore, the heater 5 uses a bulk resistor instead of a metal resistance wire, and is provided close to the semiconductor substrate 1.

第6図のものは、半導体基板1に絶縁層9を介
してヒータ5の一部を密着させて一体的にしたも
のである。
In the case shown in FIG. 6, a part of the heater 5 is closely attached to the semiconductor substrate 1 with an insulating layer 9 interposed therebetween.

第7図のものは、半導体基板1に絶縁層9を介
してヒータ5の全面に密着させて一体的にしたも
のである。この第7図に示した構造の湿度検知装
置について、上述した実施例と同様な構成とし、
ヒータ5への電圧印加後に相対湿度0〜100%に
おける出力電圧の変化を測定したところ、第4図
の破線で示すような結果が得られ、均等加熱によ
つて直線的な出力電圧の変化を示している。
In the one shown in FIG. 7, the heater 5 is integrally attached to the semiconductor substrate 1 with an insulating layer 9 interposed therebetween. The humidity detection device having the structure shown in FIG. 7 has the same structure as the above-mentioned embodiment,
When we measured the change in output voltage at a relative humidity of 0 to 100% after applying voltage to the heater 5, we obtained the results shown by the broken line in Figure 4, indicating that uniform heating caused a linear change in output voltage. It shows.

このように均等加熱時の出力は相対湿度の変化
に相応してほぼ直線的に変化するが、測定温度が
変化すれば、第4図の破線で示した特性も変化す
る。これは出力が絶対湿度に依存しているためで
ある。
As described above, the output during uniform heating changes almost linearly in accordance with changes in relative humidity, but if the measured temperature changes, the characteristics shown by the broken line in FIG. 4 also change. This is because the output depends on absolute humidity.

第8図〜第10図はこのような出力の絶対湿度
に対する依存性を補正し、相対湿度の変化に相応
した出力に変還できる回路を示したものである。
FIGS. 8 to 10 show circuits capable of correcting such dependence of output on absolute humidity and changing the output to correspond to changes in relative humidity.

図において、11はこの発明にかかる湿度検知
装置、12は電界効果型トランジスタであり、ド
イレン側には抵抗13とサーミスタ14の直列回
路またはこの直列回路と抵抗15との並列回路が
接続されている。
In the figure, 11 is a humidity detection device according to the present invention, 12 is a field effect transistor, and a series circuit of a resistor 13 and a thermistor 14 or a parallel circuit of this series circuit and a resistor 15 is connected to the drain side. .

なお、上述した説明では半導体基板を加熱する
ヒータを別途設けていたが、たとえば半導体基板
にチタン酸バリウム系半導体磁器を用いれば、こ
の半導体基板に発熱させるに十分な電圧を印加す
るように構成することによつて、検知部分とヒー
タとを兼用させることができる。
Note that in the above explanation, a heater was separately provided to heat the semiconductor substrate, but if barium titanate-based semiconductor porcelain is used for the semiconductor substrate, for example, the structure can be configured to apply sufficient voltage to generate heat to the semiconductor substrate. In this way, the sensing portion can also be used as a heater.

以上のように、この発明によれば、従来のよう
に抵抗変化にもとづいて湿度変化を検出するもの
ではなく、半導体基板から発生する熱起電力にも
とづいて検出するものであり、その出力が直流で
あるため信号処理が行いやすい。またその出力信
号も数mV程度と熱電対などにくらべて大きく、
確実な検出ができる。さらにヒータへの電圧印加
を断続的に行う構成によつてはじめて、湿度状態
や結露状態の検出が半導体基板からの熱起電力と
して取出すことができ、変化に即応した湿度知が
行えるものである。
As described above, according to the present invention, humidity changes are not detected based on resistance changes as in the past, but are detected based on thermoelectromotive force generated from a semiconductor substrate, and the output is DC. Therefore, signal processing is easy. In addition, its output signal is approximately several mV, which is larger than that of thermocouples.
Reliable detection is possible. Furthermore, only by applying a voltage to the heater intermittently can detection of the humidity state or dew condensation state be taken out as thermoelectromotive force from the semiconductor substrate, making it possible to detect humidity in immediate response to changes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例を示す図解図、第
2図は制御回路の一例を示すブロツク図、第3
図、第4図は具体的実施例にもとづく出力電圧−
相対湿度の関係特性図、第5図〜第7図はこの発
明の他の実施例を示す図解図、第8図〜第10図
は半導体基板の出力の補正回路である。 1……半導体基板、2,3……電極、4……吸
湿性物質、5……ヒータ、6,7……リード線。
Fig. 1 is an illustrative diagram showing one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a block diagram showing an example of a control circuit, and Fig. 3 is a block diagram showing an example of a control circuit.
Figure 4 shows output voltages based on specific examples.
5 to 7 are illustrative diagrams showing other embodiments of the present invention, and FIGS. 8 to 10 are diagrams showing correction circuits for the output of a semiconductor substrate. 1... Semiconductor substrate, 2, 3... Electrode, 4... Hygroscopic material, 5... Heater, 6, 7... Lead wire.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 熱起電力を生じる半導体基板と、熱起電力を
取出すため前記半導体基板に形成された一対の電
極と、前記半導体基板の一端側に形成された吸湿
性物質と、前記半導体基板に一体的にまたは近接
して設けられたヒータと、ヒータに断続的に電圧
を印加する回路を少なくとも含む制御回路とから
なる湿度検知装置。 2 熱起電力を取出す一対の電極が形成されてい
る半導体基板にはこの半導体基板より小さいかま
たは等しい熱伝導率を有する絶縁層が形成されて
いる特許請求の範囲第1項記載の湿度検知装置。 3 制御回路は、ヒータに電圧を印加する回路
と、電圧印加時または電圧印加後に出力を検出す
るように同期させる同期回路と、半導体基板から
の出力信号を増幅し検出する検出回路とを含む特
許請求の範囲第1項記載の湿度検知装置。 4 半導体基板をヒータで加熱したときに生じる
熱起電力にもとづいて湿度を検知する特許請求の
範囲第1項記載の湿度検知装置。 5 半導体基板をヒータで加熱したのちに生じる
熱起電力にもとづいて湿度を検知する特許請求の
範囲第1項記載の湿度検知装置。 6 半導体基板には半導体基板からの絶対湿度に
もとづく出力を相対湿度に変換する補正回路が接
続されている特許請求の範囲第5項記載の湿度検
知装置。
[Scope of Claims] 1. A semiconductor substrate that generates a thermoelectromotive force, a pair of electrodes formed on the semiconductor substrate to extract the thermoelectromotive force, a hygroscopic substance formed on one end side of the semiconductor substrate, and a hygroscopic substance formed on one end side of the semiconductor substrate; A humidity sensing device comprising a heater provided integrally with or adjacent to a semiconductor substrate, and a control circuit including at least a circuit for intermittently applying voltage to the heater. 2. The humidity sensing device according to claim 1, wherein an insulating layer having a thermal conductivity smaller than or equal to that of the semiconductor substrate is formed on the semiconductor substrate on which the pair of electrodes for extracting thermoelectromotive force are formed. . 3. The control circuit is a patent that includes a circuit that applies voltage to the heater, a synchronization circuit that synchronizes to detect the output when voltage is applied or after voltage application, and a detection circuit that amplifies and detects the output signal from the semiconductor substrate. A humidity sensing device according to claim 1. 4. The humidity detection device according to claim 1, which detects humidity based on thermoelectromotive force generated when a semiconductor substrate is heated with a heater. 5. The humidity detection device according to claim 1, which detects humidity based on thermoelectromotive force generated after heating a semiconductor substrate with a heater. 6. The humidity detection device according to claim 5, wherein the semiconductor substrate is connected to a correction circuit that converts an output based on absolute humidity from the semiconductor substrate into relative humidity.
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