JPH0241802B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0241802B2 JPH0241802B2 JP58106982A JP10698283A JPH0241802B2 JP H0241802 B2 JPH0241802 B2 JP H0241802B2 JP 58106982 A JP58106982 A JP 58106982A JP 10698283 A JP10698283 A JP 10698283A JP H0241802 B2 JPH0241802 B2 JP H0241802B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- thin film
- conductor layer
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記縁における多素子薄膜ヘツドに
関するものである。
関するものである。
一般に並列方向に多素子化を計つた多素子薄膜
ヘツドで、基板に磁性体を用い、下部磁性体と基
板を共通にした構造について説明する。
ヘツドで、基板に磁性体を用い、下部磁性体と基
板を共通にした構造について説明する。
第１図は従来の多素子薄膜ヘツドの平面図で、
第２図はその電磁変換部の拡大平面図である。第
３図は第２図のＡ−A′線に沿つて切断した断面
図である。
第２図はその電磁変換部の拡大平面図である。第
３図は第２図のＡ−A′線に沿つて切断した断面
図である。
これらの図において磁性基板１の上にギヤップ
用の絶縁層２、巻線用の導体層３、絶縁層４、上
部磁性体層は、磁性基板１と共通になつており、
上部磁性体層５とはその端部、すなわち絶縁層２
を貫通させて設けた磁気結合部５ａで結合されて
いる。
用の絶縁層２、巻線用の導体層３、絶縁層４、上
部磁性体層は、磁性基板１と共通になつており、
上部磁性体層５とはその端部、すなわち絶縁層２
を貫通させて設けた磁気結合部５ａで結合されて
いる。
また、導体層３は磁性基板１上に設けられた端
子引き出し線１０a1，１０b1，１０a2，１０b2…
…１０an，１０bnで図示省略した外部回路とワ
イヤーボンデイング等の技術で接続される。
子引き出し線１０a1，１０b1，１０a2，１０b2…
…１０an，１０bnで図示省略した外部回路とワ
イヤーボンデイング等の技術で接続される。
このような従来の構造の多素子薄膜ヘツドで
は、電磁変換部の数だけ端子引き出し線１０an，
１０bnが必要となる。また現在のワイヤーボン
デイングのパツトピツチの限界値は、例えばアル
ミニウムワイヤーの超音波ボンデイイングの場合
には、少なくとも135ミクロンは必要と思われる。
この様な制約条件により多素子薄膜ヘツドの端子
引き出し部の面積は、素子数が多くなればなる程
大きく必要となる。従つて電磁変換部の面積に比
べ占有率が上昇し、磁性基板１の面積上昇を招
き、コスト的に高価となる欠点がある。また端子
引き出しの経路が電磁変換部に比べ格段に長いた
め、導体層３の抵抗値の増加が、発熱量の増加と
なり、信頼性上好ましくなかつた。
は、電磁変換部の数だけ端子引き出し線１０an，
１０bnが必要となる。また現在のワイヤーボン
デイングのパツトピツチの限界値は、例えばアル
ミニウムワイヤーの超音波ボンデイイングの場合
には、少なくとも135ミクロンは必要と思われる。
この様な制約条件により多素子薄膜ヘツドの端子
引き出し部の面積は、素子数が多くなればなる程
大きく必要となる。従つて電磁変換部の面積に比
べ占有率が上昇し、磁性基板１の面積上昇を招
き、コスト的に高価となる欠点がある。また端子
引き出しの経路が電磁変換部に比べ格段に長いた
め、導体層３の抵抗値の増加が、発熱量の増加と
なり、信頼性上好ましくなかつた。
本発明はかかる従来欠点を除去した多素子薄膜
ヘツドを提供するものである。
ヘツドを提供するものである。
本発明によれば、磁性基板上にギヤップ用絶縁
層を介し、絶縁層で被服した１個以上の巻線導体
層を形成し、かつこの巻線導体層上に磁性体層お
よび保護層を積層形成した薄膜ヘツドを、複数個
並列配置させた多素子薄膜ヘツドにおいて、磁性
基板とギヤップ用絶縁層との間に共通導体層を一
様に設け、かつこの共通導体層と上記各薄膜ヘツ
ドの巻線導体層の一端が、互いに電気的に接続さ
れたことを特徴とする多素子薄膜磁気ヘツドが得
られる。
層を介し、絶縁層で被服した１個以上の巻線導体
層を形成し、かつこの巻線導体層上に磁性体層お
よび保護層を積層形成した薄膜ヘツドを、複数個
並列配置させた多素子薄膜ヘツドにおいて、磁性
基板とギヤップ用絶縁層との間に共通導体層を一
様に設け、かつこの共通導体層と上記各薄膜ヘツ
ドの巻線導体層の一端が、互いに電気的に接続さ
れたことを特徴とする多素子薄膜磁気ヘツドが得
られる。
以下に、本発明の一実施例を第４図、第５図、
および第６図を用いて説明する。
および第６図を用いて説明する。
第４図は本発明の一実施例である多素子薄膜ヘ
ツドの平面図であり、第５図は電磁変換部の拡大
平面図、第６図は第５図のＡ−A′線に沿つて切
断した断面図である。
ツドの平面図であり、第５図は電磁変換部の拡大
平面図、第６図は第５図のＡ−A′線に沿つて切
断した断面図である。
第６図に示す如く磁性基板１の全面に共通導体
層８として導電率と熱伝導率に優れた銅を１ミク
ロンの膜層に一様にスパツタリング手段で形成す
る。次に上部磁性体層５と下部磁性体層を兼用す
る磁性基板１とを接続するために、共通導体層８
の一部すなわち磁気結合部５ａを設ける部分のみ
を、ホトリソグラフイー技術で除する。この共通
導体層８上に磁気ギヤツプ２ａを形成するため
に、絶縁層２としてアルミナをスパツタリング手
段で付着させ、形成する。次に上部磁性体層５と
磁性基板１とを接続するため絶縁層２の一部、す
なわち磁気結合部５ａの貫通孔と導体接地ギヤツ
プ部９の穴部の部分だけホトリソグラフイー技術
で除する。次にこの上に巻線用の導体層３として
銅をスパツタリング手段により数ミクロンの膜層
に一様に形成した後、ホトリソグラフイー技術を
用いて所望の形状に形成する。この時導体層３の
一部、すなわち片側の端子引き出し線１１bnは、
導体接続ギヤツプ部９で共通導体層８と電気的に
接続される。
層８として導電率と熱伝導率に優れた銅を１ミク
ロンの膜層に一様にスパツタリング手段で形成す
る。次に上部磁性体層５と下部磁性体層を兼用す
る磁性基板１とを接続するために、共通導体層８
の一部すなわち磁気結合部５ａを設ける部分のみ
を、ホトリソグラフイー技術で除する。この共通
導体層８上に磁気ギヤツプ２ａを形成するため
に、絶縁層２としてアルミナをスパツタリング手
段で付着させ、形成する。次に上部磁性体層５と
磁性基板１とを接続するため絶縁層２の一部、す
なわち磁気結合部５ａの貫通孔と導体接地ギヤツ
プ部９の穴部の部分だけホトリソグラフイー技術
で除する。次にこの上に巻線用の導体層３として
銅をスパツタリング手段により数ミクロンの膜層
に一様に形成した後、ホトリソグラフイー技術を
用いて所望の形状に形成する。この時導体層３の
一部、すなわち片側の端子引き出し線１１bnは、
導体接続ギヤツプ部９で共通導体層８と電気的に
接続される。
次にこの上に絶縁層４として、ホトレジストを
ホトリソグラフイー技術を用いて所定の形状に形
成する。次に上部磁性体層５として、パーマロイ
をスパツタリング手段で数ミクロンの膜厚に積層
し、ホトリソグラフイー技術で所定のトラツク幅
に形成する。この時、上部磁性体層５は磁気結合
部５ａで磁気的に磁性基板１と結合させる。さら
に保護膜６としてアルミナをスパツタリング手段
で数十ミクロン形成する。この様な薄膜ヘツド７
を同一磁性基板上にトラツク幅方向に同時に多数
配置して本発明多素子薄膜ヘツドを形成する。
ホトリソグラフイー技術を用いて所定の形状に形
成する。次に上部磁性体層５として、パーマロイ
をスパツタリング手段で数ミクロンの膜厚に積層
し、ホトリソグラフイー技術で所定のトラツク幅
に形成する。この時、上部磁性体層５は磁気結合
部５ａで磁気的に磁性基板１と結合させる。さら
に保護膜６としてアルミナをスパツタリング手段
で数十ミクロン形成する。この様な薄膜ヘツド７
を同一磁性基板上にトラツク幅方向に同時に多数
配置して本発明多素子薄膜ヘツドを形成する。
以上本発明では共通導体層を設けることによ
り、次のような効果がある。
り、次のような効果がある。
(i) 一対の端子引き出し線の片側を共通導体層と
して用いるので、抵抗値を低減させ発熱量を減
少することができる。
して用いるので、抵抗値を低減させ発熱量を減
少することができる。
(ii) 共通導体層として熱伝導の良い導体を一様に
全面に設けることにより、導電部の熱放散性が
向上するので電磁変換部の温度上昇を押さえる
ことができ、ヘツド特性の直線性が向上する。
全面に設けることにより、導電部の熱放散性が
向上するので電磁変換部の温度上昇を押さえる
ことができ、ヘツド特性の直線性が向上する。
(iii) 端子引き出し線の数が半減できるので、磁性
基板寸法を小さくでき経済的に利点がある。
基板寸法を小さくでき経済的に利点がある。
(iv) 端子引き出し線の下側にも一様に共通電極が
設けてあるので、熱放散性が向上し、その分、
書き込み電流を大きくできる利点がある。
設けてあるので、熱放散性が向上し、その分、
書き込み電流を大きくできる利点がある。
なお本実施例では巻線用導体層として１ターン
の構造を例示したが、複数としても良いことは勿
論である。またトラツク数は12トラツクに限定さ
れないことは言うまでもない。
の構造を例示したが、複数としても良いことは勿
論である。またトラツク数は12トラツクに限定さ
れないことは言うまでもない。
磁性基板に導電率の高い磁性体の使用例を示し
ているが、導電率の低い基板を使用した場合、磁
性基板１上に石英、アルミナ等の絶縁層を一様に
形成し、共通導体層９を磁性基板１から電気的に
絶縁し使用しうる事は明らかである。
ているが、導電率の低い基板を使用した場合、磁
性基板１上に石英、アルミナ等の絶縁層を一様に
形成し、共通導体層９を磁性基板１から電気的に
絶縁し使用しうる事は明らかである。
第１図は従来の多素子薄膜ヘツドの平面図、第
２図は第１図の電磁変換部の拡大平面図、第３図
は第２図の線Ａ−A′の断面図である。第４図は
本発明による実施例の平面図、第５図は第４図の
電磁変換部の拡大図、第６図は第４図の線Ａ−
A′の断面図である。 １……磁性基板、２……絶縁層、２ａ……磁気
ギヤツプ部、３……導体層、４……絶縁層、５…
…上部磁性体層、５ａ……磁気結合部、６……保
護膜、７……薄膜ヘツド、８……共通導体層、９
……導体接続ギヤツプ部、１０an，１０bn……
端子引き出し線。
２図は第１図の電磁変換部の拡大平面図、第３図
は第２図の線Ａ−A′の断面図である。第４図は
本発明による実施例の平面図、第５図は第４図の
電磁変換部の拡大図、第６図は第４図の線Ａ−
A′の断面図である。 １……磁性基板、２……絶縁層、２ａ……磁気
ギヤツプ部、３……導体層、４……絶縁層、５…
…上部磁性体層、５ａ……磁気結合部、６……保
護膜、７……薄膜ヘツド、８……共通導体層、９
……導体接続ギヤツプ部、１０an，１０bn……
端子引き出し線。
Claims (1)
- １ 磁性基板上に、ギヤップ用絶縁層を介し絶縁
層を被覆した１個以上の巻線導体層を形成し、か
つ前記巻線導体層上に磁性体層および保護層を積
層形成した薄膜ヘツドを、複数個並列配置させ、
さらに、前記巻線導体層の一端に接続された端子
引き出し線を上記ギヤップ用絶縁層上に形成した
多素子薄膜ヘツドにおいて、前記薄膜ヘツドおよ
び端子引き出し線の下側で前記磁性基板と前記ギ
ヤップ用絶縁層との間に共通導体層を前記磁性体
層と前記磁性基板との磁気結合部分のみを除いて
一様に全面に設け、かつ前記共通導体層と前記各
薄膜ヘツドの巻線用導体層の他端を互いに電気的
に接続させたことを特徴とする多素子薄膜ヘツ
ド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10698283A JPS60610A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 多素子薄膜ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10698283A JPS60610A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 多素子薄膜ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60610A JPS60610A (ja) | 1985-01-05 |
| JPH0241802B2 true JPH0241802B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=14447467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10698283A Granted JPS60610A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 多素子薄膜ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60610A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6167272A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-07 | Matsushita Electronics Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| US6316535B1 (en) | 1999-05-18 | 2001-11-13 | Armstrong World Industries, Inc. | Coating system and method of applying the same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5156213A (en) * | 1974-11-12 | 1976-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Jikihetsudo |
| JPS57203217A (en) * | 1981-06-08 | 1982-12-13 | Alps Electric Co Ltd | Thin film magnetic head |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP10698283A patent/JPS60610A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60610A (ja) | 1985-01-05 |
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