JPH0241830B2 - - Google Patents
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- JPH0241830B2 JPH0241830B2 JP58233914A JP23391483A JPH0241830B2 JP H0241830 B2 JPH0241830 B2 JP H0241830B2 JP 58233914 A JP58233914 A JP 58233914A JP 23391483 A JP23391483 A JP 23391483A JP H0241830 B2 JPH0241830 B2 JP H0241830B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- disk
- signal
- head
- index
- head contact
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B19/00—Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
- G11B19/20—Driving; Starting; Stopping; Control thereof
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/54—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、フロツピーデイスク装置又はこれに
類似の磁気デイスク装置に関し、更に詳細には、
磁気ヘツドのデイスクに対する接触即ちヘツドロ
ードを改良した磁気デイスク装置に関する。
類似の磁気デイスク装置に関し、更に詳細には、
磁気ヘツドのデイスクに対する接触即ちヘツドロ
ードを改良した磁気デイスク装置に関する。
従来技術
一般のフロツピーデイスク装置は、モータオン
信号でモータを回転させることによつてデイスク
を回転させ、デイスクに設けられている貫通孔か
ら成るインデツクス（指標）を検出することによ
り、回転速度を知り、インデツクス信号の周期が
基準周期の150％未満（回転速度50％以上）にな
つた後の最初のインデツクス信号に同期してヘツ
ドロード信号（ヘツド接触信号）を発生し、磁気
ヘツドをデイスクに接触させるように構成されて
いる。このため、インデツクスとほぼ一定の角度
位置関係を有してヘツドがデイスクに接触し、デ
イスクの円周上の特定箇所の摩耗が大になる。
信号でモータを回転させることによつてデイスク
を回転させ、デイスクに設けられている貫通孔か
ら成るインデツクス（指標）を検出することによ
り、回転速度を知り、インデツクス信号の周期が
基準周期の150％未満（回転速度50％以上）にな
つた後の最初のインデツクス信号に同期してヘツ
ドロード信号（ヘツド接触信号）を発生し、磁気
ヘツドをデイスクに接触させるように構成されて
いる。このため、インデツクスとほぼ一定の角度
位置関係を有してヘツドがデイスクに接触し、デ
イスクの円周上の特定箇所の摩耗が大になる。
発明の目的
そこで、本発明の目的は、デイスクの摩耗の均
一化を図ることが出来る磁気デイスク装置を提供
することにある。
一化を図ることが出来る磁気デイスク装置を提供
することにある。
発明の構成
上記目的を達成するための本発明は、磁気デイ
スクを回転するためのデイスク回転モータと、前
記デイスクに対向配置された磁気ヘツドと、前記
デイスクの回転角度位置検出用インデツクスを前
記デイスクの１回転に１個の割合で検出するため
のインデツクス検出器と、前記モータを駆動する
ことによつて前記デイスクの回転速度が正常の記
録又は再生時の基準回転速度の50％以上になつた
後に前記インデツクス検出器から発生するインデ
ツクス信号に同期してヘツド接触許可信号を発生
するヘツド接触許可信号発生回路と、前記デイス
クの前記基準回転速度における前記インデツクス
信号の周期にほぼ等しい周期を有し且つ前記モー
タの駆動開始時点に対して不特定の時間関係を有
するクロツクパルスを繰返し発生するクロツクパ
ルス発生回路と、前記ヘツド接触許可信号の発生
開始時点の後で最初に発生する前記クロツクパル
スに応答してヘツド接触信号を発生する回路と、
前記ヘツド接触信号に応答して前記磁気ヘツドを
前記デイスクに記録又は再生可能状態に接触させ
るためのヘツド接触機構と、から成る磁気デイス
ク装置に係わるものである。
スクを回転するためのデイスク回転モータと、前
記デイスクに対向配置された磁気ヘツドと、前記
デイスクの回転角度位置検出用インデツクスを前
記デイスクの１回転に１個の割合で検出するため
のインデツクス検出器と、前記モータを駆動する
ことによつて前記デイスクの回転速度が正常の記
録又は再生時の基準回転速度の50％以上になつた
後に前記インデツクス検出器から発生するインデ
ツクス信号に同期してヘツド接触許可信号を発生
するヘツド接触許可信号発生回路と、前記デイス
クの前記基準回転速度における前記インデツクス
信号の周期にほぼ等しい周期を有し且つ前記モー
タの駆動開始時点に対して不特定の時間関係を有
するクロツクパルスを繰返し発生するクロツクパ
ルス発生回路と、前記ヘツド接触許可信号の発生
開始時点の後で最初に発生する前記クロツクパル
スに応答してヘツド接触信号を発生する回路と、
前記ヘツド接触信号に応答して前記磁気ヘツドを
前記デイスクに記録又は再生可能状態に接触させ
るためのヘツド接触機構と、から成る磁気デイス
ク装置に係わるものである。
発明の作用効果
本発明では、クロツクパルス発生回路から基準
回転速度におけるインデツクス信号の周期にほぼ
等しい周期を有するクロツクパルスが発生する。
また、このクロツクパルスはモータの駆動開始時
点即ちインデツクス信号に対して不特定（ランダ
ム）の時間間係を有している。従つて、インデツ
クス信号に同期したヘツド接触許可信号の発生時
点から基準回転速度におけるインデツクス信号の
周期に相当する時間が経過する時点までの期間
（デイスクが半周以上回転する期間）内の不特定
の時点でヘツドがデイスクに接触する。このた
め、ヘツドのデイスクに対する接触位置は、０度
〜少なくとも180度（最大360度）の範囲にバラツ
クことになり、デイスクの特定位置の摩耗が低減
し、デイスクの長寿命化を図ることができる。
回転速度におけるインデツクス信号の周期にほぼ
等しい周期を有するクロツクパルスが発生する。
また、このクロツクパルスはモータの駆動開始時
点即ちインデツクス信号に対して不特定（ランダ
ム）の時間間係を有している。従つて、インデツ
クス信号に同期したヘツド接触許可信号の発生時
点から基準回転速度におけるインデツクス信号の
周期に相当する時間が経過する時点までの期間
（デイスクが半周以上回転する期間）内の不特定
の時点でヘツドがデイスクに接触する。このた
め、ヘツドのデイスクに対する接触位置は、０度
〜少なくとも180度（最大360度）の範囲にバラツ
クことになり、デイスクの特定位置の摩耗が低減
し、デイスクの長寿命化を図ることができる。
実施例
次に、第１図〜第３図を参照して本発明の実施
例に係わる磁気デイスク装置について述べる。磁
気デイスク装置を示す第１図において、１は可撓
性磁気デイスク、２はデイスク回転モータ、３は
モータ制御駆動回路、４は第１の磁気ヘツド、５
は第２の磁気ヘツド、６はキヤリツジ、７はステ
ツピングモータを含むヘツド位置決め機構、８は
ヘツド支持アーム、９はプランジヤソレノイドか
ら成るヘツド接触機構（ヘツドロード機構）、１
０はインデツクス検出器である。インデツクス検
出器１０はデイスク１の一方の側に配置された発
光素子１１と他方の側に配置された受光素子１２
とを含み、デイスク１に設けられた貫通孔から成
るインデツクス１３を光学的に検出してインデツ
クス信号を送出するものである。
例に係わる磁気デイスク装置について述べる。磁
気デイスク装置を示す第１図において、１は可撓
性磁気デイスク、２はデイスク回転モータ、３は
モータ制御駆動回路、４は第１の磁気ヘツド、５
は第２の磁気ヘツド、６はキヤリツジ、７はステ
ツピングモータを含むヘツド位置決め機構、８は
ヘツド支持アーム、９はプランジヤソレノイドか
ら成るヘツド接触機構（ヘツドロード機構）、１
０はインデツクス検出器である。インデツクス検
出器１０はデイスク１の一方の側に配置された発
光素子１１と他方の側に配置された受光素子１２
とを含み、デイスク１に設けられた貫通孔から成
るインデツクス１３を光学的に検出してインデツ
クス信号を送出するものである。
１４はヘツド接触許可信号発生回路であり、イ
ンデツクス信号でトリガされるリトリガ単安定マ
ルチバイブレータ１５と、このＱ出力がＤ入力と
なるＤ型フリツプフロツプ１６とから成る。な
お、インデツクス検出器１０の出力ラインはリト
リガ単安定マルチバイブレータ１５のトリガ端子
ＴとＤ型フリツプフロツプ１６のクロツク端子
CKとレデイ信号形成用Ｄ型フリツプフロツプ１
７のクロツク端子CKとに接続され、単安定マル
チバイブレータ１５のＱ出力端子は、Ｄ型フリツ
プフロツプ１６のＤ入力端子に接続されていると
共にＤ型フリツプフロツプ１６，１７のリセツト
端子Ｒにそれぞれ接続され、Ｄ型フリツプフロツ
プ１６のＱ出力端子は次段のＤ型フリツプフロツ
プ１７のＤ入力端子に接続されていると共に、Ｄ
型フリツプフロツプ１８のＤ入力端子及びリセツ
ト端子Ｒに接続されている。
ンデツクス信号でトリガされるリトリガ単安定マ
ルチバイブレータ１５と、このＱ出力がＤ入力と
なるＤ型フリツプフロツプ１６とから成る。な
お、インデツクス検出器１０の出力ラインはリト
リガ単安定マルチバイブレータ１５のトリガ端子
ＴとＤ型フリツプフロツプ１６のクロツク端子
CKとレデイ信号形成用Ｄ型フリツプフロツプ１
７のクロツク端子CKとに接続され、単安定マル
チバイブレータ１５のＱ出力端子は、Ｄ型フリツ
プフロツプ１６のＤ入力端子に接続されていると
共にＤ型フリツプフロツプ１６，１７のリセツト
端子Ｒにそれぞれ接続され、Ｄ型フリツプフロツ
プ１６のＱ出力端子は次段のＤ型フリツプフロツ
プ１７のＤ入力端子に接続されていると共に、Ｄ
型フリツプフロツプ１８のＤ入力端子及びリセツ
ト端子Ｒに接続されている。
１９はヘツド接触信号発生回路であり、５Hz
（200ｍｓ）でクロツクパルスを発生するパルス発
生回路２０とＤ型フリツプフロツプ１８とAND
ゲート２１とから成る。なお、パルス発生回路２
０の出力ラインはＤ型フリツプフロツプ１８のク
ロツク端子CKに接続され、Ｄ型フリツプフロツ
プ１８のＱ出力端子はANDゲート２１の一方の
入力端子に接続され、ANDゲート２１の他方の
入力端子はモータオン信号供給ライン２２に接続
されている。
（200ｍｓ）でクロツクパルスを発生するパルス発
生回路２０とＤ型フリツプフロツプ１８とAND
ゲート２１とから成る。なお、パルス発生回路２
０の出力ラインはＤ型フリツプフロツプ１８のク
ロツク端子CKに接続され、Ｄ型フリツプフロツ
プ１８のＱ出力端子はANDゲート２１の一方の
入力端子に接続され、ANDゲート２１の他方の
入力端子はモータオン信号供給ライン２２に接続
されている。
第２図は磁気デイスク１を含むフレキシブル磁
気デイスクカートリツジ２３を示すものである。
磁気デイスク１はジヤケツト２４に収容され、ジ
ヤケツト２４にはデイスク１の中央部を露出させ
る開孔２５、磁気ヘツドを挿入するための開孔２
６、インデツクス１３を露出させるための開孔２
７等が設けられている。磁気デイスク装置に対し
て、磁気デイスク１はジヤケツト２４と共に装着
され、ジヤケツト２４の中で回転される。
気デイスクカートリツジ２３を示すものである。
磁気デイスク１はジヤケツト２４に収容され、ジ
ヤケツト２４にはデイスク１の中央部を露出させ
る開孔２５、磁気ヘツドを挿入するための開孔２
６、インデツクス１３を露出させるための開孔２
７等が設けられている。磁気デイスク装置に対し
て、磁気デイスク１はジヤケツト２４と共に装着
され、ジヤケツト２４の中で回転される。
次に、第１図のＡ〜Ｇ点の状態を示す第３図を
参照してこのデイスク装置の動作を説明する。デ
イスク回転機構部に対してデイスク１を装着し、
図示されていないコントローラから第３図Ａに示
すモータオン信号t1時点で供給すると、モータ２
が駆動され、デイスク１の回転が開始する。この
ようにデイスク１の回転が開始すると、インデツ
クス検出器１０によつてインデツクス１３が検出
され、デイスク１の１回転に１つの割合で第３図
Ｂに示すインデツクス信号が発生し、このインデ
ツクス信号が300ｍｓの出力パルス幅に設定され
たリトリガ（再トリガ）可能な単安定マルチバイ
ブレータ１５のトリガ入力となる。第３図Ｃに示
す如くt2時点のインデツクス信号の前縁で単安定
マルチバイブレータ１５がトリガされると、この
Ｑ出力が高レベルに転換する。そして、インデツ
クス信号の周期（相互間隔）が300ｍｓ以上の場
合即ちデイスク１の回転速度が基準速度の50％以
下の場合には、第３図Ｃに示す如く、次のインデ
ツクス信号が発生するt3時点の前で、単安定マル
チバイブレータ１５のＱ出力が低レベルに戻る。
しかし、t3〜t4区間で示すようにインデツクス信
号の周期が300ｍｓ未満になると、単安定マルチ
バイブレータ１５が再トリガ状態となり、このＱ
出力が高レベル状態に保たれる。Ｄ型フリツプフ
ロツプ１６は、第３図Ｃに示す単安定マルチバイ
ブレータ１５の出力をインデツクス信号の前縁に
同期して保持する。t3時点では単安定マルチバイ
ブレータ１５の立上りがインデツクス信号の前縁
よりも遅れるために、Ｄ型フリツプフロツプ１６
は高レベルデータを保持せず、低レベル状態に保
たれるが、t3時点で発生する次のインデツクス信
号の前縁では、第３図Ｃに示す高レベルデータを
読み込み、第３図Ｄに示す如くＱ出力が高レベル
に転換する。従来のフロツピーデイスク装置で
は、t4時点で発生するＤ型フリツプフロツプ１６
の出力をプリレデイ（PRE READY）信号をヘ
ツドロード信号として使用し、このt4時点でヘツ
ド５をデイスク１に接触させ、デイスク１を一対
のヘツド４，５で挾持した。従つて、インデツク
ス信号と一定の時間関係を有するヘツドロードと
なり、デイスク１の同一箇所の摩耗が大になるお
それがあつた。そこで、本実施例の装置は、第３
図Ｄの信号の立上りでヘツドロード機構が動作し
ないように構成されている。Ｄ型フリツプフロツ
プ１６の出力はヘツド接触信号発生回路１９のＤ
型フリツプフロツプ１８のＤ入力端子に供給さ
れ、パルス発生回路２０から発生している第３図
Ｆ示す周期200ｍｓのクロツクパルスの前縁に同
期してＤ型フリツプフロツプ１８に保持される。
即ち、t4時点以降において最初に発生するクロツ
クパルスの前縁時点t5で第３図Ｄの高レベル信号
がＤ型フリツプフロツプ１８で保持され、このＱ
出力が第３図Ｇに示す如く高レベルに転換する。
第３図Ｆに示すクロツクパルスは第３図Ａに示す
モータオン信号と無関係に発生するので、t4時点
からt5時点までの期間は、不特定期間であり、ラ
ンダムに種々変化する。t5時点では第３図Ａに示
す如くモータオン信号が既に発生しているので、
Ｄ型フリツプフロツプ１８のＱ出力はANDゲー
ト２１を通つてヘツド接触機構９に与えられ、ヘ
ツド接触機構を構成するプランジヤソレノイドが
作動し、ヘツド支持アーム８の阻止が解除され
る。即ち、ヘツド支持アーム８はバネ性を有して
５がデイスク１に接触する方向（反時計方向）の
偏倚力を有しているが、記録再生しない時には、
アーム８の偏倚力に抗してヘツド離間位置に保た
れている。そして、第３図Ｇに示すヘツド接触信
号（ヘツドロード信号）の発生に基づくプランジ
ヤソレノイドの作動により、ヘツド離間位置の保
持が解除され、アーム８の反時計方向への回動で
ヘツド５はデイスク１に接触する。この時、上側
のヘツド５が可撓性デイスク１を押圧すると下側
のヘツド４に対してもデイスク１が接触する。
参照してこのデイスク装置の動作を説明する。デ
イスク回転機構部に対してデイスク１を装着し、
図示されていないコントローラから第３図Ａに示
すモータオン信号t1時点で供給すると、モータ２
が駆動され、デイスク１の回転が開始する。この
ようにデイスク１の回転が開始すると、インデツ
クス検出器１０によつてインデツクス１３が検出
され、デイスク１の１回転に１つの割合で第３図
Ｂに示すインデツクス信号が発生し、このインデ
ツクス信号が300ｍｓの出力パルス幅に設定され
たリトリガ（再トリガ）可能な単安定マルチバイ
ブレータ１５のトリガ入力となる。第３図Ｃに示
す如くt2時点のインデツクス信号の前縁で単安定
マルチバイブレータ１５がトリガされると、この
Ｑ出力が高レベルに転換する。そして、インデツ
クス信号の周期（相互間隔）が300ｍｓ以上の場
合即ちデイスク１の回転速度が基準速度の50％以
下の場合には、第３図Ｃに示す如く、次のインデ
ツクス信号が発生するt3時点の前で、単安定マル
チバイブレータ１５のＱ出力が低レベルに戻る。
しかし、t3〜t4区間で示すようにインデツクス信
号の周期が300ｍｓ未満になると、単安定マルチ
バイブレータ１５が再トリガ状態となり、このＱ
出力が高レベル状態に保たれる。Ｄ型フリツプフ
ロツプ１６は、第３図Ｃに示す単安定マルチバイ
ブレータ１５の出力をインデツクス信号の前縁に
同期して保持する。t3時点では単安定マルチバイ
ブレータ１５の立上りがインデツクス信号の前縁
よりも遅れるために、Ｄ型フリツプフロツプ１６
は高レベルデータを保持せず、低レベル状態に保
たれるが、t3時点で発生する次のインデツクス信
号の前縁では、第３図Ｃに示す高レベルデータを
読み込み、第３図Ｄに示す如くＱ出力が高レベル
に転換する。従来のフロツピーデイスク装置で
は、t4時点で発生するＤ型フリツプフロツプ１６
の出力をプリレデイ（PRE READY）信号をヘ
ツドロード信号として使用し、このt4時点でヘツ
ド５をデイスク１に接触させ、デイスク１を一対
のヘツド４，５で挾持した。従つて、インデツク
ス信号と一定の時間関係を有するヘツドロードと
なり、デイスク１の同一箇所の摩耗が大になるお
それがあつた。そこで、本実施例の装置は、第３
図Ｄの信号の立上りでヘツドロード機構が動作し
ないように構成されている。Ｄ型フリツプフロツ
プ１６の出力はヘツド接触信号発生回路１９のＤ
型フリツプフロツプ１８のＤ入力端子に供給さ
れ、パルス発生回路２０から発生している第３図
Ｆ示す周期200ｍｓのクロツクパルスの前縁に同
期してＤ型フリツプフロツプ１８に保持される。
即ち、t4時点以降において最初に発生するクロツ
クパルスの前縁時点t5で第３図Ｄの高レベル信号
がＤ型フリツプフロツプ１８で保持され、このＱ
出力が第３図Ｇに示す如く高レベルに転換する。
第３図Ｆに示すクロツクパルスは第３図Ａに示す
モータオン信号と無関係に発生するので、t4時点
からt5時点までの期間は、不特定期間であり、ラ
ンダムに種々変化する。t5時点では第３図Ａに示
す如くモータオン信号が既に発生しているので、
Ｄ型フリツプフロツプ１８のＱ出力はANDゲー
ト２１を通つてヘツド接触機構９に与えられ、ヘ
ツド接触機構を構成するプランジヤソレノイドが
作動し、ヘツド支持アーム８の阻止が解除され
る。即ち、ヘツド支持アーム８はバネ性を有して
５がデイスク１に接触する方向（反時計方向）の
偏倚力を有しているが、記録再生しない時には、
アーム８の偏倚力に抗してヘツド離間位置に保た
れている。そして、第３図Ｇに示すヘツド接触信
号（ヘツドロード信号）の発生に基づくプランジ
ヤソレノイドの作動により、ヘツド離間位置の保
持が解除され、アーム８の反時計方向への回動で
ヘツド５はデイスク１に接触する。この時、上側
のヘツド５が可撓性デイスク１を押圧すると下側
のヘツド４に対してもデイスク１が接触する。
第３図Ｆのクロツクパルスは、正常回転時のイ
ンデツクス信号の周期と同じ周期で発生するの
で、プリレデイ状態となるt4時点から次のインデ
ツクス信号が発生するt6時間までの間で必ず発生
する。t6時点でインデツクス信号が発生すると、
この前縁でＤ型フリツプフロツプ１７が第３図Ｄ
の高レベル信号を保持し、第３図Ｅに示す如く、
t6時点で高レベルのレデイ信号を出力する。な
お、このレデイ信号はデイスク１が一定回転数に
達し、記録又は再生を開示することが出来ること
を示す準備完了信号である。従つて、第３図Ｅに
示すレデイ信号が発生したら、ヘツド４，５で記
録再生を開始する。
ンデツクス信号の周期と同じ周期で発生するの
で、プリレデイ状態となるt4時点から次のインデ
ツクス信号が発生するt6時間までの間で必ず発生
する。t6時点でインデツクス信号が発生すると、
この前縁でＤ型フリツプフロツプ１７が第３図Ｄ
の高レベル信号を保持し、第３図Ｅに示す如く、
t6時点で高レベルのレデイ信号を出力する。な
お、このレデイ信号はデイスク１が一定回転数に
達し、記録又は再生を開示することが出来ること
を示す準備完了信号である。従つて、第３図Ｅに
示すレデイ信号が発生したら、ヘツド４，５で記
録再生を開始する。
上述から明らかな如く本実施例は次の利点を有
する。
する。
(a) インデツクス信号に対して不特定の時間関係
を有してヘツド接触信号（ヘツドロード信号）
が発生するので、デイスク１の円周方向におけ
るヘツドロード位置が不特定となり、デイスク
１の摩耗の均一化を図ることが出来る。これに
より、デイスク１の寿命が長くなる。
を有してヘツド接触信号（ヘツドロード信号）
が発生するので、デイスク１の円周方向におけ
るヘツドロード位置が不特定となり、デイスク
１の摩耗の均一化を図ることが出来る。これに
より、デイスク１の寿命が長くなる。
(b) パルス発生回路２０から送出するクロツクパ
ルスの周期を、標準回転速度のインデツクス信
号の周期と同一の200ｍｓとしたので、インデ
ツクス信号の周期が所定時間（300ｍｓ）未満
になつたことを示す最初のインデツクス信号発
生時点t4を基準にして次のインデツクス信号が
発生する時点t6でレデイ信号を発生させても何
ら問題がない。換言すれば、レデイ信号が発生
するt6時点の前で磁気ヘツド４，５をデイスク
１に必ず接触させることが出来る。
ルスの周期を、標準回転速度のインデツクス信
号の周期と同一の200ｍｓとしたので、インデ
ツクス信号の周期が所定時間（300ｍｓ）未満
になつたことを示す最初のインデツクス信号発
生時点t4を基準にして次のインデツクス信号が
発生する時点t6でレデイ信号を発生させても何
ら問題がない。換言すれば、レデイ信号が発生
するt6時点の前で磁気ヘツド４，５をデイスク
１に必ず接触させることが出来る。
変形例
本発明は上述の実施例に限定されるものではな
く、次のような変形例が可能なものである。
く、次のような変形例が可能なものである。
(A) 片面型のフロツピーデイスク装置、即ち第１
図の上側ヘツド５の部分をヘツドロードパツド
とし、パツドをデイスク１に押圧することによ
り、下側ヘツド４をデイスク１に接触させるも
のにも適用可能である。
図の上側ヘツド５の部分をヘツドロードパツド
とし、パツドをデイスク１に押圧することによ
り、下側ヘツド４をデイスク１に接触させるも
のにも適用可能である。
(B) ジヤケツト２４を剛性を有するものとした、
マイクロフロツピーデイスクカートリツジを使
用する装置にも適用可能である。
マイクロフロツピーデイスクカートリツジを使
用する装置にも適用可能である。
(C) 実施例ではインデツクス信号のみに基づいて
ヘツド接触許可信号（プリレデイ信号）を発生
させているが、独立に速度検出器を設けてデイ
スク１又はモータ２の回転速度を検出し、これ
が所定速度以上になり且つインデツクス信号が
発生した時点でヘツド接触許可信号を発生させ
るようにしてもよい。また、デイスク１が所定
速度に達する時間を予め測定し、この時間のパ
ルス幅を有する単安定マルチバイブレータを第
３図Ａのモータオン信号の立上りでトリガして
パルスを発生させ、このパルス期間の終了後の
最初のインデツクス信号に同期してヘツド接触
許可信号を発生させてもよい。
ヘツド接触許可信号（プリレデイ信号）を発生
させているが、独立に速度検出器を設けてデイ
スク１又はモータ２の回転速度を検出し、これ
が所定速度以上になり且つインデツクス信号が
発生した時点でヘツド接触許可信号を発生させ
るようにしてもよい。また、デイスク１が所定
速度に達する時間を予め測定し、この時間のパ
ルス幅を有する単安定マルチバイブレータを第
３図Ａのモータオン信号の立上りでトリガして
パルスを発生させ、このパルス期間の終了後の
最初のインデツクス信号に同期してヘツド接触
許可信号を発生させてもよい。
(D) ヘツド接触信号発生回路１９をパルス発生回
路２０とＤ型フリツプフロツプ１８とで構成す
る代りに、出力パルス幅が例えば０〜200ｍｓ
の範囲でランダムに変化する単安定マルチバイ
ブレータ等のパルス発生回路を設け、これを第
３図Ｄの信号の前縁（t4時点）でトリガし、こ
れによつて生じたパルスの後縁をヘツドロード
信号の立上り時点としてもよい。なお、ランダ
ムのパルス幅は、単安定マルチバイブレータの
時定数をランダムに変化させることにより得る
ことが出来る。
路２０とＤ型フリツプフロツプ１８とで構成す
る代りに、出力パルス幅が例えば０〜200ｍｓ
の範囲でランダムに変化する単安定マルチバイ
ブレータ等のパルス発生回路を設け、これを第
３図Ｄの信号の前縁（t4時点）でトリガし、こ
れによつて生じたパルスの後縁をヘツドロード
信号の立上り時点としてもよい。なお、ランダ
ムのパルス幅は、単安定マルチバイブレータの
時定数をランダムに変化させることにより得る
ことが出来る。
(E) 各種の信号を低レベル信号としてもよい。
第１図は本発明の実施例に係わる磁気デイスク
装置を示すブロツク図、第２図は第１図の装置で
使用するデイスクカートリツジを示す平面図、第
３図は第１図の各部の状態を示す波形図である。 １……デイスク、２……デイスク回転モータ、
４，５……磁気ヘツド、７……ヘツド位置決め機
構、９……ヘツド接触機構（ヘツドロード機構）、
１０……インデツクス検出器、１３……インデツ
クス、１４……ヘツド接触許可信号発生回路、１
６，１７，１８……Ｄ型フリツプフロツプ、１９
……ヘツド接触信号発生回路、２０……パルス発
生回路。
装置を示すブロツク図、第２図は第１図の装置で
使用するデイスクカートリツジを示す平面図、第
３図は第１図の各部の状態を示す波形図である。 １……デイスク、２……デイスク回転モータ、
４，５……磁気ヘツド、７……ヘツド位置決め機
構、９……ヘツド接触機構（ヘツドロード機構）、
１０……インデツクス検出器、１３……インデツ
クス、１４……ヘツド接触許可信号発生回路、１
６，１７，１８……Ｄ型フリツプフロツプ、１９
……ヘツド接触信号発生回路、２０……パルス発
生回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気デイスクを回転するためのデイスク回転
モータと、 前記デイスクに対向配置された磁気ヘツドと、 前記デイスクの回転角度位置検出用インデツク
スを前記デイスクの１回転に１個の割合で検出す
るためのインデツクス検出器と、 前記モータを駆動することによつて前記デイス
クの回転速度が正常の記録又は再生時の基準回転
速度の50％以上になつた後に前記インデツクス検
出器から発生するインデツクス信号に同期してヘ
ツド接触許可信号を発生するヘツド接触許可信号
発生回路と、 前記デイスクの前記基準回転速度における前記
インデツクス信号の周期にほぼ等しい周期を有し
且つ前記モータの駆動開始時点に対して不特定の
時間関係を有するクロツクパルスを繰返し発生す
るクロツクパルス発生回路と、 前記ヘツド接触許可信号の発生開始時点の後で
最初に発生する前記クロツクパルスに応答してヘ
ツド接触信号を発生する回路と、 前記ヘツド接触信号に応答して前記磁気ヘツド
を前記デイスクに記録又は再生可能状態に接触さ
せるためのヘツド接触機構と、 から成る磁気デイスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23391483A JPS60125977A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 磁気デイスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23391483A JPS60125977A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 磁気デイスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60125977A JPS60125977A (ja) | 1985-07-05 |
| JPH0241830B2 true JPH0241830B2 (ja) | 1990-09-19 |
Family
ID=16962567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23391483A Granted JPS60125977A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 磁気デイスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60125977A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2743525B2 (ja) * | 1989-10-24 | 1998-04-22 | ソニー株式会社 | ディスク用記録再生装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4202020A (en) * | 1978-08-31 | 1980-05-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic head load control system |
-
1983
- 1983-12-12 JP JP23391483A patent/JPS60125977A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60125977A (ja) | 1985-07-05 |
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