JPH0242901B2 - - Google Patents
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- JPH0242901B2 JPH0242901B2 JP62188030A JP18803087A JPH0242901B2 JP H0242901 B2 JPH0242901 B2 JP H0242901B2 JP 62188030 A JP62188030 A JP 62188030A JP 18803087 A JP18803087 A JP 18803087A JP H0242901 B2 JPH0242901 B2 JP H0242901B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- vacuum processing
- workpiece
- chambers
- holder
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は真空処理装置に係り、特に基板等の被
処理物に複数の薄膜を形成するため、複数の真空
処理室を有する真空処理装置に関する。
処理物に複数の薄膜を形成するため、複数の真空
処理室を有する真空処理装置に関する。
(従来の技術)
第4図は従来の真空処理装置を示したもので、
スパツタ室1の一側面に、取入室2、ロード室3
およびスパツタエツチ室4を順次接続して搬入側
経路を形成するとともに、この搬入側経路と平行
に冷却室5、アンロード室6および取出室7を順
次接続して搬出側経路を形成している。これら各
室の間には、各室を仕切るゲートバルブ8,8…
…が開閉自在に介設されており、上記取入室2お
よび取出室7の外部には、それぞれカセツト等を
設置する搬入部9および搬出部10が設けられて
いる。上記スパツタ室1の他側面内側には、2つ
の電極11a,11bが並んで配置されており、
これら各電極11a,11bの前方には、それぞ
れ被処理物12を電極11に対向させる立上げア
ーム13a,13bが配設されている。また、ス
パツタ室1の内部には、上記各立上げアーム13
a,13bの間で被処理物12を搬送する搬送ア
ーム14が配設され、上記スパツタ室1、取入室
2、ロード室3、スパツタエツチ室4、冷却室
5、アンロード室6、取出室7、搬入部9および
搬出部10には、それぞれ被処理物12を搬送す
る搬送ベルト15,15……が配設されている。
スパツタ室1の一側面に、取入室2、ロード室3
およびスパツタエツチ室4を順次接続して搬入側
経路を形成するとともに、この搬入側経路と平行
に冷却室5、アンロード室6および取出室7を順
次接続して搬出側経路を形成している。これら各
室の間には、各室を仕切るゲートバルブ8,8…
…が開閉自在に介設されており、上記取入室2お
よび取出室7の外部には、それぞれカセツト等を
設置する搬入部9および搬出部10が設けられて
いる。上記スパツタ室1の他側面内側には、2つ
の電極11a,11bが並んで配置されており、
これら各電極11a,11bの前方には、それぞ
れ被処理物12を電極11に対向させる立上げア
ーム13a,13bが配設されている。また、ス
パツタ室1の内部には、上記各立上げアーム13
a,13bの間で被処理物12を搬送する搬送ア
ーム14が配設され、上記スパツタ室1、取入室
2、ロード室3、スパツタエツチ室4、冷却室
5、アンロード室6、取出室7、搬入部9および
搬出部10には、それぞれ被処理物12を搬送す
る搬送ベルト15,15……が配設されている。
上記装置においては、搬入部9に複数の被処理
物12を収容したカセツトを設置し、搬送ベルト
15の駆動により取入室2の内部に配設されたカ
セツトに被処理物12を移し替える。そして、ゲ
ートバルブ8を閉じ、取入室2を真空排気し、所
定圧力に排気した後、被処理物12を一枚ずつロ
ード室3に搬送ベルト15により搬送して積替え
る。このロード室3がスパツタエツチ室4とほぼ
同様の圧力に排気されたら、ゲートバルブ8を開
いて1枚ずつ被処理物12をスパツタエツチ室4
に送り、スパツタエツチングを行なう。処理が終
了したら、ゲートバルブ8を開いて、被処理物1
2をスパツタ室1に送り、立上げアーム13aを
駆動して被処理物12を電極11aに対向するよ
うに約90゜垂直に回動して、シヤツタ(図示せず)
を開いてスパツタリングを行なうものである。ス
パツタリングによる堆積が終了したらシヤツタが
閉じられ立上げアーム13aを水平位置まで回動
させ、搬送アーム14上に被処理物12を載置
し、この搬送アーム14の駆動により被処理物1
2を他方の立上げアーム13bまで搬送し、同様
に立上げアーム13bを回動させて被処理物12
を電極11bに対向させる。第2のスパツタリン
グが終了したらゲートバルブ8を開いて被処理物
12を冷却室5に送り、被処理物12を冷却した
後、被処理物12をアンロード室6に搬送ベルト
15により搬送する。アンロード室6に被処理物
12が所定枚数溜つたら、搬送ベルト15により
取出室7のカセツトに積みかえられ、取出室7を
大気に戻した後、搬出部10のカセツトに再度積
替えられるものである。
物12を収容したカセツトを設置し、搬送ベルト
15の駆動により取入室2の内部に配設されたカ
セツトに被処理物12を移し替える。そして、ゲ
ートバルブ8を閉じ、取入室2を真空排気し、所
定圧力に排気した後、被処理物12を一枚ずつロ
ード室3に搬送ベルト15により搬送して積替え
る。このロード室3がスパツタエツチ室4とほぼ
同様の圧力に排気されたら、ゲートバルブ8を開
いて1枚ずつ被処理物12をスパツタエツチ室4
に送り、スパツタエツチングを行なう。処理が終
了したら、ゲートバルブ8を開いて、被処理物1
2をスパツタ室1に送り、立上げアーム13aを
駆動して被処理物12を電極11aに対向するよ
うに約90゜垂直に回動して、シヤツタ(図示せず)
を開いてスパツタリングを行なうものである。ス
パツタリングによる堆積が終了したらシヤツタが
閉じられ立上げアーム13aを水平位置まで回動
させ、搬送アーム14上に被処理物12を載置
し、この搬送アーム14の駆動により被処理物1
2を他方の立上げアーム13bまで搬送し、同様
に立上げアーム13bを回動させて被処理物12
を電極11bに対向させる。第2のスパツタリン
グが終了したらゲートバルブ8を開いて被処理物
12を冷却室5に送り、被処理物12を冷却した
後、被処理物12をアンロード室6に搬送ベルト
15により搬送する。アンロード室6に被処理物
12が所定枚数溜つたら、搬送ベルト15により
取出室7のカセツトに積みかえられ、取出室7を
大気に戻した後、搬出部10のカセツトに再度積
替えられるものである。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、上記装置においては、スパツタ室1内
に搬送ベルト15、立上げアーム13、搬送アー
ム14といつた多くの搬送部材が設けられてお
り、スパツタの粒子が周囲に飛散らないようにシ
ールド板等を設けているが、スパツタ堆積を被処
理物12の表面のみに限定することは技術的に困
難であるため、上記搬送部材にスパツタ粒子が堆
積してしまうという問題があつた。この堆積物
は、剥がれやすくごみ発生の原因や搬送トラブル
の原因となるため、長時間(10〜20時間)かけて
搬送部材等のクリーニングを行なわなければなら
なかつた。
に搬送ベルト15、立上げアーム13、搬送アー
ム14といつた多くの搬送部材が設けられてお
り、スパツタの粒子が周囲に飛散らないようにシ
ールド板等を設けているが、スパツタ堆積を被処
理物12の表面のみに限定することは技術的に困
難であるため、上記搬送部材にスパツタ粒子が堆
積してしまうという問題があつた。この堆積物
は、剥がれやすくごみ発生の原因や搬送トラブル
の原因となるため、長時間(10〜20時間)かけて
搬送部材等のクリーニングを行なわなければなら
なかつた。
また、スパツタエツチ室4とスパツタ室1との
間のシールは、ゲートバルブ8のみで行なわれて
おり、ほぼ同一の真空度でゲートバルブ8を開く
と各室1,4が短時間で同一の分圧になつてしま
うため、スパツタエツチ室4内で被処理物12の
表面に付着していた不純物(主として酸化物)が
スパツタリングで気化し、スパツタエツチ室4の
酸素や水分の分圧が上昇していると、スパツタ室
1の酸素、水分の分圧が上昇してしまうという問
題を有している。このことは、スパツタエツチ
後、十分な時間排気を行なえばスパツタエツチ室
4とスパツタ室1との間の室間汚染は生じない
が、生産性を考慮すると、この排気時間は0〜30
秒程度しか確保することができず、この短時間内
にスパツタリング中に問題とらない分圧(10-7〜
10-8Torr)まで排気することは現実的に不可能
である。
間のシールは、ゲートバルブ8のみで行なわれて
おり、ほぼ同一の真空度でゲートバルブ8を開く
と各室1,4が短時間で同一の分圧になつてしま
うため、スパツタエツチ室4内で被処理物12の
表面に付着していた不純物(主として酸化物)が
スパツタリングで気化し、スパツタエツチ室4の
酸素や水分の分圧が上昇していると、スパツタ室
1の酸素、水分の分圧が上昇してしまうという問
題を有している。このことは、スパツタエツチ
後、十分な時間排気を行なえばスパツタエツチ室
4とスパツタ室1との間の室間汚染は生じない
が、生産性を考慮すると、この排気時間は0〜30
秒程度しか確保することができず、この短時間内
にスパツタリング中に問題とらない分圧(10-7〜
10-8Torr)まで排気することは現実的に不可能
である。
また、同一のスパツタ室1内に2つの電極11
a,11bが配設されているので、各電極11
a,11bで異なる薄膜を形成することが困難で
あるという問題をも有している。
a,11bが配設されているので、各電極11
a,11bで異なる薄膜を形成することが困難で
あるという問題をも有している。
本発明は上記した点に鑑みてなされたもので、
搬送装置に対するスパツタ堆積および真空処理室
間の汚染を防止することができ、かつ、複数の異
なる処理を行なうことのできる真空処理装置を提
供することを目的とするものである。
搬送装置に対するスパツタ堆積および真空処理室
間の汚染を防止することができ、かつ、複数の異
なる処理を行なうことのできる真空処理装置を提
供することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
上記目的を達成するため本発明に係る真空処理
装置は、被処理物のスパツタリング等を行なう複
数の真空処理室と、被処理物を収容するロード室
およびアンロード室と、上記各真空処理室および
ロード室、アンロード室の間に設けられ各真空処
理室との間で被処理物を搬送する搬送装置が収納
された搬送室と、上記各室の間に配設された開閉
自在なゲートバルブと、上記各室をそれぞれ独立
に真空排気する真空排気装置とを有して構成され
ている。
装置は、被処理物のスパツタリング等を行なう複
数の真空処理室と、被処理物を収容するロード室
およびアンロード室と、上記各真空処理室および
ロード室、アンロード室の間に設けられ各真空処
理室との間で被処理物を搬送する搬送装置が収納
された搬送室と、上記各室の間に配設された開閉
自在なゲートバルブと、上記各室をそれぞれ独立
に真空排気する真空排気装置とを有して構成され
ている。
(作 用)
本発明によれば、真空処理室を独立して複数設
けるとともに、これら各真空処理室の間に搬送装
置を収納した搬送室を設けるようにしたので、各
真空処理室毎に独立して複数の処理を行うことが
でき、しかも、真空処理室内に搬送装置が設けら
れていないので、スパツタ等の真空処理によりス
パツタ粒子が搬送装置に堆積することがない。ま
た、各真空処理室の間に搬送室が介在しているの
で、直接各真空処理室が連通することがなく、し
たがつて、各真空処理室間における汚染を防ぐこ
とができるものである。
けるとともに、これら各真空処理室の間に搬送装
置を収納した搬送室を設けるようにしたので、各
真空処理室毎に独立して複数の処理を行うことが
でき、しかも、真空処理室内に搬送装置が設けら
れていないので、スパツタ等の真空処理によりス
パツタ粒子が搬送装置に堆積することがない。ま
た、各真空処理室の間に搬送室が介在しているの
で、直接各真空処理室が連通することがなく、し
たがつて、各真空処理室間における汚染を防ぐこ
とができるものである。
(実施例)
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
る。
第1図乃至第3図は本発明に係る真空処理装置
の一実施例を示したもので、第1、第2、第3、
第4の4つの真空処理室16,17,18,19
がそれぞれ時計回りに設けられており、上記第1
真空処理室16の搬入側および第4真空処理室1
9搬出側には、第1搬送室20が配設されるとと
もに、上記各真空処理室16,17,18,19
の間には、第2搬送室21が配設されている。ま
た、上記第1搬送室20の両端部分には、ロード
室3およびアンロード室6がそれぞれ配置されて
おり、これらロード室3およびアンロード室6に
は、搬入部9および搬出部10がそれぞれ設けら
れている。上記各室3.6,16,17,18,
19,20,21の間には、第2図に示すよう
に、エアシリンダ22の駆動により上下方向に開
閉自在とされたゲートバルブ8,8……がそれぞ
れ配設されており、さらに、各室3,6,16,
17,18,19,20,21には、それぞれ真
空排気装置23,23……が独立して接続されて
いる。
の一実施例を示したもので、第1、第2、第3、
第4の4つの真空処理室16,17,18,19
がそれぞれ時計回りに設けられており、上記第1
真空処理室16の搬入側および第4真空処理室1
9搬出側には、第1搬送室20が配設されるとと
もに、上記各真空処理室16,17,18,19
の間には、第2搬送室21が配設されている。ま
た、上記第1搬送室20の両端部分には、ロード
室3およびアンロード室6がそれぞれ配置されて
おり、これらロード室3およびアンロード室6に
は、搬入部9および搬出部10がそれぞれ設けら
れている。上記各室3.6,16,17,18,
19,20,21の間には、第2図に示すよう
に、エアシリンダ22の駆動により上下方向に開
閉自在とされたゲートバルブ8,8……がそれぞ
れ配設されており、さらに、各室3,6,16,
17,18,19,20,21には、それぞれ真
空排気装置23,23……が独立して接続されて
いる。
上記各真空処理室16,17,18,19の内
部上方には、放電電極24が配設され、この電極
24下面には、ターゲツト25が取付けられると
ともに、電極24の上面には、わずかな間〓をも
つてマグネツト26が配設されている。このマグ
ネツト26は、各真空処理室16,17,18,
19の外面上面に取付けられたモータ27により
回転自在とされ、上記マグネツト26およびモー
タ27部分は、モータ27に取付けられたハンド
ル28を回転操作させることにより、上下動可能
とされている。また、上記各真空処理室16,1
7,18,19の下方には、被処理物12を保持
する保持体29が図示しない駆動装置により昇降
自在に配設され、上記真空処理室の下方であつて
上記保持体29の内側には、この保持体29から
被処理物12を受取り上記ターゲツト25に近接
するように上昇させるとともに、真空処理室の外
部下方に配置されたモータ30の駆動により回転
自在とされた昇降部材31が配設されている。
部上方には、放電電極24が配設され、この電極
24下面には、ターゲツト25が取付けられると
ともに、電極24の上面には、わずかな間〓をも
つてマグネツト26が配設されている。このマグ
ネツト26は、各真空処理室16,17,18,
19の外面上面に取付けられたモータ27により
回転自在とされ、上記マグネツト26およびモー
タ27部分は、モータ27に取付けられたハンド
ル28を回転操作させることにより、上下動可能
とされている。また、上記各真空処理室16,1
7,18,19の下方には、被処理物12を保持
する保持体29が図示しない駆動装置により昇降
自在に配設され、上記真空処理室の下方であつて
上記保持体29の内側には、この保持体29から
被処理物12を受取り上記ターゲツト25に近接
するように上昇させるとともに、真空処理室の外
部下方に配置されたモータ30の駆動により回転
自在とされた昇降部材31が配設されている。
また、上記ロード室3およびアンロード室6の
内部には、被処理物12を第1搬送室20との間
で搬送する搬送ベルト32,32が配設され、こ
の搬送ベルト32の外側には、被処理物12を多
数収容したカセツト33を載置する載置台34が
エアシリンダ35により昇降自在にかつ搬入部9
および搬出部10側に引出し自在に取付けられて
いる。上記第1搬送室20の内部両端部には、上
記ロード室3およびアンロード室6の搬送ベルト
32と同一の搬送方向を有する搬入側搬送ベルト
36および搬出側搬送ベルト37がそれぞれ配設
されており、上記搬入側搬送ベルト36の端部に
は、被処理物12の位置決め用ストツパ38がエ
アシリンダ39により昇降自在に配置されてい
る。また、上記第1搬送室20の第1真空処理室
16の搬入側および第4真空処理室19の搬出側
に対応する位置には、パンタグラフ状に連結され
たアーム40の先端部に被処理物12の載置板4
1を取付け、上記アーム40の基端部を第1搬送
室20の外部下方に取付けられたモータ42の駆
動により回動させてアーム40を伸縮させること
により被処理物12の搬送を行なう第1および第
2の搬送装置43,44が設けられており、これ
ら各搬送装置43,44の間には、同様に構成さ
れた第3搬送装置45が配設されている。上記第
1および第2搬送装置43,44には、被処理物
12を支持する被処理物用支持ピン46およびこ
の支持ピン46の外側に配設され被処理物12の
ホルダ(図示せず)を支持するホルダ用支持ピン
47がそれぞれエアシリンダにより昇降自在に配
置されており、上記搬送ベルト36,37の内側
には、被処理物12を支持する支持部材48がエ
アシリンダ49により昇降自在に配設されてい
る。さらに、上記搬入側搬送ベルト36と第1搬
送装置43との間、搬出側搬送ベルト37と第2
搬送装置44との間には、第2図に示すように、
それぞれ搬送アーム50が配設されている。ま
た、第2搬送室21の第1真空処理室16と第2
真空処理室17との間、第2真空処理室17と第
3真空処理室18との間、第3真空処理室18と
第4真空処理室19との間には、上記搬送装置4
3と同様に構成された第4、第5および第6搬送
装置51,52,53がそれぞれ配設されてい
る。
内部には、被処理物12を第1搬送室20との間
で搬送する搬送ベルト32,32が配設され、こ
の搬送ベルト32の外側には、被処理物12を多
数収容したカセツト33を載置する載置台34が
エアシリンダ35により昇降自在にかつ搬入部9
および搬出部10側に引出し自在に取付けられて
いる。上記第1搬送室20の内部両端部には、上
記ロード室3およびアンロード室6の搬送ベルト
32と同一の搬送方向を有する搬入側搬送ベルト
36および搬出側搬送ベルト37がそれぞれ配設
されており、上記搬入側搬送ベルト36の端部に
は、被処理物12の位置決め用ストツパ38がエ
アシリンダ39により昇降自在に配置されてい
る。また、上記第1搬送室20の第1真空処理室
16の搬入側および第4真空処理室19の搬出側
に対応する位置には、パンタグラフ状に連結され
たアーム40の先端部に被処理物12の載置板4
1を取付け、上記アーム40の基端部を第1搬送
室20の外部下方に取付けられたモータ42の駆
動により回動させてアーム40を伸縮させること
により被処理物12の搬送を行なう第1および第
2の搬送装置43,44が設けられており、これ
ら各搬送装置43,44の間には、同様に構成さ
れた第3搬送装置45が配設されている。上記第
1および第2搬送装置43,44には、被処理物
12を支持する被処理物用支持ピン46およびこ
の支持ピン46の外側に配設され被処理物12の
ホルダ(図示せず)を支持するホルダ用支持ピン
47がそれぞれエアシリンダにより昇降自在に配
置されており、上記搬送ベルト36,37の内側
には、被処理物12を支持する支持部材48がエ
アシリンダ49により昇降自在に配設されてい
る。さらに、上記搬入側搬送ベルト36と第1搬
送装置43との間、搬出側搬送ベルト37と第2
搬送装置44との間には、第2図に示すように、
それぞれ搬送アーム50が配設されている。ま
た、第2搬送室21の第1真空処理室16と第2
真空処理室17との間、第2真空処理室17と第
3真空処理室18との間、第3真空処理室18と
第4真空処理室19との間には、上記搬送装置4
3と同様に構成された第4、第5および第6搬送
装置51,52,53がそれぞれ配設されてい
る。
さらに、本実施例においては、各真空処理室1
6,17,18,19の内部および第3搬送装置
45の載置板41上に、それぞれ被処理物12を
載置する円板状のホルダが配置されている。
6,17,18,19の内部および第3搬送装置
45の載置板41上に、それぞれ被処理物12を
載置する円板状のホルダが配置されている。
次に、本実施例の動作について説明する。
まず、装置を動作させる場合、各真空処理室1
6,17,18,19および各搬送室20,21
を真空排気装置により真空状態態にした後、ロー
ド室3の載置台34を搬入部9側に引出し、この
載置台34上に被処理物12を多数段状に収納し
たカセツト33を載置して、載置台34をロード
室3内に押込み、搬入部9側のゲートバルブ8を
閉じる。そして、ロード室3内を真空排気装置2
3により第1搬送室20とほぼ同様の圧力に排気
した後、第1搬送室20側のゲートバルブ8を開
き、搬送ベルト32および第1搬送室20の搬入
側搬送ベルト36を駆動してカセツト33の下方
の被処理物12から1枚ずつ第1搬送室20内に
搬送し、ストツパ38を上昇させて被処理物12
を所定位置に停止させる。この状態で、支持部材
48を上昇させて被処理物12を搬送ベルト36
から浮上させると同時に、搬送アーム50を被処
理物12の下面側に移動させ、支持部材48を下
降させることにより被処理物2を搬送アーム50
上に載置する。このとき、第3搬送装置45を駆
動してホルダを第1搬送装置43の上方に移動さ
せ、ホルダ用支持ピン47を上昇させてホルダを
支持し、第3搬送装置45をもとの位置に戻した
後、支持ピン47を下降させてホルダを第1搬送
装置43の載置板41上に載置しておく。次い
で、搬送アーム50を駆動して第1搬送装置43
の上方に移動させ、被処理物用支持ピン46をホ
ルダを貫通して上昇させて被処理物12を支持
し、搬送アーム50をもとの位置に戻した後、支
持ピン46を下降させて被処理物12をホルダの
上に載置する。そして、第1真空処理室16側の
ゲートバルブ8を開き、第1搬送装置43を駆動
して被処理物12をホルダ毎第1真空処理室16
内に搬送し、この状態で、保持体29を上昇させ
てホルダを保持し、第1搬送装置43を戻すとと
もに、ゲートバルブ8を閉じ、上記保持体29を
下降させて被処理物12およびホルダを昇降部材
31上に載置させる。続いて、昇降部材31を上
昇させ、被処理物12をターゲツト25に近接さ
せた状態で電極24に高電圧を印加してマグネト
ロン放電を発生させ、ターゲツト材料を被処理物
12表面に堆積させる。処理が終了したら、昇降
部材31を下降させ、保持体29を上昇させて被
処理物12およびホルダを保持し、第2搬送室1
7側のゲートバルブ8を開いて第4搬送装置51
を駆動し、その載置板41をホルダの下方に移動
させる。そして、保持体29を下降させてホルダ
を上記載置板41上に載置し、第4搬送装置51
を駆動して被処理物12およびホルダを第2搬送
室17内に搬送すると同時に、第1真空処理室1
6側のゲートバルブ8を閉じるとともに、第2真
空処理室17側のゲートバルブ8を開いて、被処
理物12およびホルダを第2真空処理室内に搬送
する。この第2真空処理室17においても、上記
第1真空処理室16の場合と同様に、被処理物1
2の真空処理が行なわれ、以下、同様に第5搬送
装置52および第6搬送装置53を駆動して被処
理物12を搬送し、第3真空処理室18および第
4真空処理室19内で真空処理が行なわれる。な
お、本実施例においては、第1真空処理室16で
はスパツタエツチ、第2真空処理室17ではTi
スパツタ、第3真空処理室18ではTiN化成ス
パツタ、第4真空処理室19ではAlスパツタが
それぞれ行なわれるようになされている。
6,17,18,19および各搬送室20,21
を真空排気装置により真空状態態にした後、ロー
ド室3の載置台34を搬入部9側に引出し、この
載置台34上に被処理物12を多数段状に収納し
たカセツト33を載置して、載置台34をロード
室3内に押込み、搬入部9側のゲートバルブ8を
閉じる。そして、ロード室3内を真空排気装置2
3により第1搬送室20とほぼ同様の圧力に排気
した後、第1搬送室20側のゲートバルブ8を開
き、搬送ベルト32および第1搬送室20の搬入
側搬送ベルト36を駆動してカセツト33の下方
の被処理物12から1枚ずつ第1搬送室20内に
搬送し、ストツパ38を上昇させて被処理物12
を所定位置に停止させる。この状態で、支持部材
48を上昇させて被処理物12を搬送ベルト36
から浮上させると同時に、搬送アーム50を被処
理物12の下面側に移動させ、支持部材48を下
降させることにより被処理物2を搬送アーム50
上に載置する。このとき、第3搬送装置45を駆
動してホルダを第1搬送装置43の上方に移動さ
せ、ホルダ用支持ピン47を上昇させてホルダを
支持し、第3搬送装置45をもとの位置に戻した
後、支持ピン47を下降させてホルダを第1搬送
装置43の載置板41上に載置しておく。次い
で、搬送アーム50を駆動して第1搬送装置43
の上方に移動させ、被処理物用支持ピン46をホ
ルダを貫通して上昇させて被処理物12を支持
し、搬送アーム50をもとの位置に戻した後、支
持ピン46を下降させて被処理物12をホルダの
上に載置する。そして、第1真空処理室16側の
ゲートバルブ8を開き、第1搬送装置43を駆動
して被処理物12をホルダ毎第1真空処理室16
内に搬送し、この状態で、保持体29を上昇させ
てホルダを保持し、第1搬送装置43を戻すとと
もに、ゲートバルブ8を閉じ、上記保持体29を
下降させて被処理物12およびホルダを昇降部材
31上に載置させる。続いて、昇降部材31を上
昇させ、被処理物12をターゲツト25に近接さ
せた状態で電極24に高電圧を印加してマグネト
ロン放電を発生させ、ターゲツト材料を被処理物
12表面に堆積させる。処理が終了したら、昇降
部材31を下降させ、保持体29を上昇させて被
処理物12およびホルダを保持し、第2搬送室1
7側のゲートバルブ8を開いて第4搬送装置51
を駆動し、その載置板41をホルダの下方に移動
させる。そして、保持体29を下降させてホルダ
を上記載置板41上に載置し、第4搬送装置51
を駆動して被処理物12およびホルダを第2搬送
室17内に搬送すると同時に、第1真空処理室1
6側のゲートバルブ8を閉じるとともに、第2真
空処理室17側のゲートバルブ8を開いて、被処
理物12およびホルダを第2真空処理室内に搬送
する。この第2真空処理室17においても、上記
第1真空処理室16の場合と同様に、被処理物1
2の真空処理が行なわれ、以下、同様に第5搬送
装置52および第6搬送装置53を駆動して被処
理物12を搬送し、第3真空処理室18および第
4真空処理室19内で真空処理が行なわれる。な
お、本実施例においては、第1真空処理室16で
はスパツタエツチ、第2真空処理室17ではTi
スパツタ、第3真空処理室18ではTiN化成ス
パツタ、第4真空処理室19ではAlスパツタが
それぞれ行なわれるようになされている。
そして、第4真空処理室19における処理が終
了したら、第1搬送室20側のゲートバルブ8を
開き、第2搬送装置44を駆動して被処理物12
およびホルダを第1搬送室20内に搬送し、被処
理物用支持ピン46を上昇させて被処理物12を
支持し、上記搬入手順とは逆に、被処理物12を
搬送アーム38上に載置し、搬送側搬送ベルト3
7の上方に移動させて被処理物12を搬送ベルト
37上に載置する。一方、ホルダ用支持ピン47
を上昇させてホルダを支持し、第3搬送装置45
の駆動により、ホルダを第1搬送装置43の載置
板41上に載置しておく。そして、アンロード室
6側のゲートバルブ8を開き、上記搬送ベルト3
7およびアンロード室6の搬送ベルト32を駆動
させることにより、被処理物12をアンロード室
6内に設置されたカセツト33に収納させる。
了したら、第1搬送室20側のゲートバルブ8を
開き、第2搬送装置44を駆動して被処理物12
およびホルダを第1搬送室20内に搬送し、被処
理物用支持ピン46を上昇させて被処理物12を
支持し、上記搬入手順とは逆に、被処理物12を
搬送アーム38上に載置し、搬送側搬送ベルト3
7の上方に移動させて被処理物12を搬送ベルト
37上に載置する。一方、ホルダ用支持ピン47
を上昇させてホルダを支持し、第3搬送装置45
の駆動により、ホルダを第1搬送装置43の載置
板41上に載置しておく。そして、アンロード室
6側のゲートバルブ8を開き、上記搬送ベルト3
7およびアンロード室6の搬送ベルト32を駆動
させることにより、被処理物12をアンロード室
6内に設置されたカセツト33に収納させる。
上記動作を順次連続して行なうことにより、被
処理物12の連続処理を行なうことができ、アン
ロード室6のカセツト33に被処理物12が所定
枚数溜つたら、搬出部10側のゲートバルブ8を
開いて載置台34を引出し、カセツト33を取出
すものである。
処理物12の連続処理を行なうことができ、アン
ロード室6のカセツト33に被処理物12が所定
枚数溜つたら、搬出部10側のゲートバルブ8を
開いて載置台34を引出し、カセツト33を取出
すものである。
したがつて、本実施例においては、真空処理室
を独立して複数設けているので、他の処理の影響
を受けることなく、複数の処理を行なうことがで
き、また、各真空処理室16,17,18,19
内に搬送装置を設けず、別に搬送室20,21を
設けているので、各真空処理室16,17,1
8,19内での処理によるスパツタ粒子が搬送装
置に堆積することがなく、この堆積物による搬送
トルブルや塵の発生を確実に防止することができ
る。さらに、各真空処理室16,17,18,1
9の間に必ず搬送室20,21が設けられている
ので、各真空処理室間の汚染を防ぐことができ
る。そのため、従来の装置で被処理物を1000枚程
度処理すると搬送装置等のクリーニングを行なう
必要があつたが、本実施例によれば、約3000枚の
被処理物を処理した場合でも発塵や搬送トラブル
が生じることはなかつた。
を独立して複数設けているので、他の処理の影響
を受けることなく、複数の処理を行なうことがで
き、また、各真空処理室16,17,18,19
内に搬送装置を設けず、別に搬送室20,21を
設けているので、各真空処理室16,17,1
8,19内での処理によるスパツタ粒子が搬送装
置に堆積することがなく、この堆積物による搬送
トルブルや塵の発生を確実に防止することができ
る。さらに、各真空処理室16,17,18,1
9の間に必ず搬送室20,21が設けられている
ので、各真空処理室間の汚染を防ぐことができ
る。そのため、従来の装置で被処理物を1000枚程
度処理すると搬送装置等のクリーニングを行なう
必要があつたが、本実施例によれば、約3000枚の
被処理物を処理した場合でも発塵や搬送トラブル
が生じることはなかつた。
また、本実施例においては、ホルダを用いて間
接的に被処理物を搬送し、このホルダは大気に触
れてガス放出することがないので、被処理物の搬
送時における損傷を防ぐことができ、しかも、ホ
ルダに付着する水分等のガスにより被処理物に悪
影響を与えることがない。
接的に被処理物を搬送し、このホルダは大気に触
れてガス放出することがないので、被処理物の搬
送時における損傷を防ぐことができ、しかも、ホ
ルダに付着する水分等のガスにより被処理物に悪
影響を与えることがない。
なお、上記実施例においては、ロード室3内に
カセツト33を収納させるようにしたが、搬入部
9にカセツトを設置し、被処理物12のみをロー
ド室3内に送り込むようにしてもよい。
カセツト33を収納させるようにしたが、搬入部
9にカセツトを設置し、被処理物12のみをロー
ド室3内に送り込むようにしてもよい。
以上述べたように、本発明に係る真空処理装置
は、被処理物のスパツタリング等を行なう真空処
理室を独立して複数設けるとともに、これら各真
空処理室の間に搬送装置を収納した搬送室を設け
るようにしたので、各真空処理室毎に独立して複
数の処理を行なうことができ、しかも、真空処理
室内に搬送装置が設けられていないので、スパツ
タ等の真空処理によりスパツタ粒子が搬送装置に
堆積することがなく、堆積物による搬送トラブル
や塵の発生を確実に防止することができる。ま
た、各真空処理室の間に搬送室が介在しているの
で、直接各真空処理室が連通することがなく、し
たがつて、各真空処理室間における汚染を防ぐこ
とができる等の効果を奏する。
は、被処理物のスパツタリング等を行なう真空処
理室を独立して複数設けるとともに、これら各真
空処理室の間に搬送装置を収納した搬送室を設け
るようにしたので、各真空処理室毎に独立して複
数の処理を行なうことができ、しかも、真空処理
室内に搬送装置が設けられていないので、スパツ
タ等の真空処理によりスパツタ粒子が搬送装置に
堆積することがなく、堆積物による搬送トラブル
や塵の発生を確実に防止することができる。ま
た、各真空処理室の間に搬送室が介在しているの
で、直接各真空処理室が連通することがなく、し
たがつて、各真空処理室間における汚染を防ぐこ
とができる等の効果を奏する。
第1図乃至第3図は本発明の実施例を示したも
ので、第1図は平面図、第2図は第1図のA―A
線における断面図、第3図は第1図のB―B線に
おける断面図、第4図は従来の真空処理装置を示
す概略平面図である。 3……ロード室、6……アンロード室、12…
…被処理物、16,17,18,19……真空処
理室、20,21……搬送室、22,35,3
9,49……エアシリンダ、23……真空排気装
置、24……電極、25……ターゲツト、26…
…マグネツト、27,30,42……モータ、3
3……カセツト、32,36,37……搬送ベル
ト、43,44,45,51,52,53……搬
送装置、50……搬送アーム。
ので、第1図は平面図、第2図は第1図のA―A
線における断面図、第3図は第1図のB―B線に
おける断面図、第4図は従来の真空処理装置を示
す概略平面図である。 3……ロード室、6……アンロード室、12…
…被処理物、16,17,18,19……真空処
理室、20,21……搬送室、22,35,3
9,49……エアシリンダ、23……真空排気装
置、24……電極、25……ターゲツト、26…
…マグネツト、27,30,42……モータ、3
3……カセツト、32,36,37……搬送ベル
ト、43,44,45,51,52,53……搬
送装置、50……搬送アーム。
Claims (1)
- 1 被処理物のスパツタリング等を行なう複数の
真空処理室と、被処理物を収容するロード室およ
びアンロード室と、上記各真空処理室およびロー
ド室、アンロード室の間に設けられ各真空処理室
との間で被処理物を搬送する搬送装置が収納され
た搬送室と、上記各室の間に配設された開閉自在
なゲートバルブと、上記各室をそれぞれ独立に真
空排気する真空排気装置とを有することを特徴と
する真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18803087A JPS6431971A (en) | 1987-07-28 | 1987-07-28 | Vacuum treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18803087A JPS6431971A (en) | 1987-07-28 | 1987-07-28 | Vacuum treatment device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6431971A JPS6431971A (en) | 1989-02-02 |
| JPH0242901B2 true JPH0242901B2 (ja) | 1990-09-26 |
Family
ID=16216436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18803087A Granted JPS6431971A (en) | 1987-07-28 | 1987-07-28 | Vacuum treatment device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6431971A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2644912B2 (ja) | 1990-08-29 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置及びその運転方法 |
| US7089680B1 (en) | 1990-08-29 | 2006-08-15 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| USRE39823E1 (en) * | 1990-08-29 | 2007-09-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39756E1 (en) * | 1990-08-29 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| DE9407482U1 (de) * | 1994-05-05 | 1994-10-06 | Balzers und Leybold Deutschland Holding AG, 63450 Hanau | Funktionseinrichtung für eine Vakuumanlage für die Behandlung von scheibenförmigen Werkstücken |
| US7611322B2 (en) | 2004-11-18 | 2009-11-03 | Intevac, Inc. | Processing thin wafers |
| US20060102078A1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-05-18 | Intevac Inc. | Wafer fab |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5763676A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Hitachi Ltd | Continuous sputtering device |
| JPS5877239A (ja) * | 1981-11-04 | 1983-05-10 | Ulvac Corp | 連続式真空処理装置 |
| US4500407A (en) * | 1983-07-19 | 1985-02-19 | Varian Associates, Inc. | Disk or wafer handling and coating system |
| JPS6050312A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-20 | Sharp Corp | 石油燃焼器の点火装置 |
| JPS60109218A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Hitachi Ltd | 分子線エピタキシャル成長装置 |
| JPS6155926A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
| JPS61112312A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Hitachi Ltd | 真空連続処理装置 |
| JPS6328863A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-06 | Ulvac Corp | 真空処理装置 |
-
1987
- 1987-07-28 JP JP18803087A patent/JPS6431971A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6431971A (en) | 1989-02-02 |
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