JPH0243088A - 情報記録媒体およびその記録・消去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は情報記録媒体およびその記録・消去方法に関す
るものであり、特にレーザ光や電子線などのエネルギー
ビームの照射により、情報の記録を行なう光デイスク装
置などに使用される情報記録媒体およびその記録・消去
方法に関する。

［従来の技術］ 光情報記録媒体における記録方式で、媒体の相変化に伴
う光学特性の差、例えば結品状態と非晶状態の反射率の
差を記録に利用する方式では、媒体薄膜自体の形状変化
を必要とせず、蒸発物による汚染の問題もなく、更には
保護膜を付与して耐久性を向上させることが可能である
等の利点があり、１ｎ−３ｅ系薄膜、Ｔｅ低酸化物薄膜
、５ｂＴｅ系薄膜、Ｔｅ−Ｇｅ系薄膜など種々の材料が
提案されている。また材料組成を適切に選べば、エネル
ギービームの照射条件を切替えることにより、記録の書
替えを行なうこともできる。例えば強いパルスビームに
より記録薄膜を溶融急冷して非晶相を形成し、比較的弱
いビームで薄膜を結晶化させるというように、これらの
相変化を可逆的に繰返す方法などである。このような方
式に利用できる材料の中でも、特にＴｅ−Ｇｅ系薄膜材
料は、蒸着ヤスバッタ等の周知の薄膜作製技術を用いて
容易に薄膜を形成することができ、また相変化前後の非
晶と結晶での反射率の差（記録マージン）が割合大ぎく
取れるという利点がおり、既に幾つかの材料や組成が提
案されている。

［発明が解決しようとする課題］ Ｔｅ−（３ｅ材料は結晶化が割合い速いと言われ、高速
の記録消去が可能な材お１として有望である。

しかし、実際に円盤状基板に薄膜を形成して、結晶化俊
溶融急冷しても、非晶化させることが非常に困難であり
、記録の再生信号強度が十分に取れず、また再生信号の
ノイズも大きいという欠点があった。そのため例えばＡ
ＰＰＬ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、ｖｏｌ　４９、　ｐ５
０２に述べているように冷却層を設けてより急冷しやす
くし、非晶化記録を容易にする構成が提案されているが
、コスト高や工程の複雑化に問題が残っている。また融
点が比較的高いため、用いる半導体レーザに高いパワー
を必要とし、実用的なレーザパワーで十分な記録特性を
発現させることが困難でめった。

以上の問題点を解決する方法として、Ｔｅ−Ｇｅに種々
の元素を添加して、３元系、４元系とするような特性改
善が考えられる。特開昭６２−１５２７８６号公報にお
いては、ｌ’−ｅ−（３ｅに多種類の元素を添加して特
性を改善することが提案されている。しかしながら、該
時開の実施例には丁ｅ−ＧｅにＴ１とＣｏを単独または
両者を添加した場合の改善効果を示すに止まり、実際の
記録特性の評価に重要なキャリア対ノイズ比（ＣＮＲ）
や媒体ノイズなどに関しては何等具体的な検討も開示も
なされていない。また他の元素については、ただＴＩ、
ＣｏあるいはＧｅの一部を他の元素、例えばハロゲン元
素、アルカリ金属元素、Ｔｉ１Ｐｂ、Ａｕ、Ｓｂ、Ｓｎ
、３ｉ　　Ｉｎなどと置換してもよい、などと単に記述
されているのみである。特にＢｉとＴ１に関し詳説する
と、該特許に示された特性項目がたとえ良好であったと
しても、必ずしもＣＮＲやノイズ特性などの実用的な諸
特性が良好になるとは言いがたい。ましてや３ｉとＴ１
を同時に添加し、４元系としたことによる作用効果につ
いては、有効かつ実証的な知見を何等開示していない。

例えば本発明者らがＴｅ−ＧｅにＢｉを添加したディス
ク媒体を作製して評価したところ、結晶化は容易になる
が、非晶化が困難で大きな再生信号強度は取れず、実用
的なＣＮＲを得ることが困難であった。一方、ＴＩのみ
を添加した場合、非晶化は容易になるが、実用的なディ
スク回転数で結晶化消去がしづらく、十分な消去・記録
の繰返し性が得られなかった。

また特開昭６１−１５２４８７号公報では、Ｔｅ−Ｇｅ
に■、■、Ｖ属の元素を添加する提案が見られるが、そ
の骨子はあくまでもＴｅ−Ｇｅに前記元素のうち１つを
添加したものにすぎない。

すなわち実施例としてはＴｅ−（３ｅにｓｂを添加した
組成が示されているにすぎず、またその他に、Ｔｅ−Ｇ
ｅに１３ｉ、ｉｎのうち１つを添加させた場合の効果に
ついて言及されているにすぎない。

本発明はかかる問題点を改善し、Ｔｅ−Ｇｅに３ｉとＴ
１を同時に添加し、かつその組成を特定の範囲となすこ
とによって、記録消去の繰返し性が良好で、再生信号強
度も大きく、ノイズの少ない情報記録媒体およびその記
録・消去方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、基板上に形成された記Ｂ薄膜に
エネルギービームを照射し、直接又は問接に発生する熱
により、上記薄膜の光学特性を変化せしめて、情報の記
録を行う情報記録媒体において、該記録薄膜がテルル（
Ｔｅ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ビスマス（Ｂ　ｉ　）
およびタリウム（Ｔｌ）の４元素から主としてなり、か
つその組成が、一般式 ％式％Ｑ ｘ：（ＨｅとＧｅ）中のＴｅの原子数％ｐ：薄膜中のＢ
ｉの原子数％ ｑ：薄膜中のＴＩの原子数％ と表わした場合、Ｘ、　ｐ、Ｑの範囲がそれぞれ４０≦
Ｘ≦７５．１≦ｐ≦２０１１≦ｑ≦２０であることを特
徴とする情報記録媒体。

２　前項記載の情報記録媒体の記録・消去方法において
、情報の記録を非晶相から結晶相への相転移により行な
い、情報の消去を結晶相から非晶相への相転移により行
なうことを特徴とする情報記録媒体の記録・消去方法。

３　前記１項記載の情報記録媒体の記録・消去方法にお
いて、情報の記録を結晶相の一部を非晶相へ相転移する
ことにより行ない、情報の消去を、前記の残った結晶化
を非晶相へ相転移せしめ、次いで、再び非晶相から結晶
相へ相転移することにより行なうことを特徴とする情報
記録媒体の記録・消去方法。

により達成される。

本発明の記録薄膜は、テルル（Ｔｅ）、ゲルマニウム（
Ｇｅ）、ビスマス（Ｂ　ｉ　）およびタリウム（Ｔｌ）
の４元素から主としてなるもので、その組成は下記組成
式を満足することが重要である。

すなわち、 （Ｔｅｘ　Ｇｅ１ＯＯ−ｘ　）１００−１）−ＱＢ　＋
　ｌ）　Ｔ　Ｉ　Ｑｘ：（ＴｅとＧｅ）中の丁ｅの原子
数％ｐ：薄膜中のＢｉの原子数％ ｑ：薄膜中のＴ１の原子数％ と表わした場合、ｘ、ｐ、　ｑの範囲がそれぞれ４０≦
Ｘ≦７５．１≦ｐ≦２０．１≦ｑ≦２０でおることが必
要である。

３ｉやＴ１が、この範囲外で少ない場合には、非晶化が
困難になったり、本発明で述べるような優れた記録消去
特性が発現しにくくなり好ましくない。一方多い場合に
は、安定な非晶相を形成しづらくなったり、結晶化しづ
らくなったりして好ましくない。

またＸの範囲は、この範囲外では結晶化速度が十分得ら
れなかったり、記録消去の繰返し安定性が悪化したりし
て好ましくない。

本発明の効果をより好ましく発現させるには、Ｘやり、
　ｑはそれぞれ４５≦Ｘ≦６５．３≦ｐ≦１５．３≦ｑ
≦１５の範囲となすことがより好ましい。

記録薄膜の膜厚は、特に限定されないが、例えば記録膜
の表面と表面との反射光を干渉させて非晶相と結晶相の
反射率変化を増幅する膜厚干渉効果を利用する場合には
、７０〜１２０ｎｍの範囲に設定できる。また記録薄膜
の裏面側に、直接または拡散防止層を介して、ｐｂ、ｓ
ｂ、Ｂ　ｉ、Ｂｉ　２Ｔｅ　３、Ｓｎ、　Ａｕ、　ＡＩ
、Ｔｉ、　Ｎ　＋、　Ｃｒ等からなる反射層を設ける場
合には、約半分の膜厚にすれば同様な干渉効果が期待で
きる。　反射層の膜厚は特に限定されないが、１０〜８
０ｎｍの範囲か実用的にも好ましい。反射層は、また冷
却層として、非晶化を容易にしたり、感度を向上させる
効果や熱伝導による記録マーク周辺の過剰な結晶化を防
止し、マーク形状が一定で端部が明瞭となるような記録
の高品質化の効果も期待できる。

本発明に用いられる基板としてはポリメチルメタクリレ
ート樹脂、ポリカーボネイト樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
オレフィン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹
脂、スチレン系樹脂などの高分子樹脂や、ガラス板、ま
た場合によってはＡ１等の金属板などを用いることがで
きる。

本発明の記録媒体は、実用的なレーザ出力で、高感度、
容易かつ安定に非晶相が形成でき、更には実用的なレー
ザ出力とディスク回転速度で十分に結晶化させることが
できるため、優れた記録・消去特性を持つものとなすこ
とができる。

該記録媒体のこの優れた特性は、次の記録・消去方法を
適用した場合により効果を発現させることができる。

第１の方法は、非晶状態にした記録トラック上に、パル
ス光により結晶化部を形成せしめて情報を記録し、レー
ザ光によりトラックを非晶状態に戻して情報を消去する
という、情報の記録・消去方法でおる。この場合特に、
消去特性の重要な項目である、既記緑信号の消去量（消
去率）を著しく向上させることができ好ましい。

更に本発明の記録媒体と組合せて効果的に用いることの
できる第２の記録・消去方法としては、情報の記録は、
結晶状態とした記録膜の一部に非晶化部を形成せしめる
ことにより行ない、情報の消去は、最初にレーザ光によ
り残った結晶相を非晶相に相転移せしめて記録トラック
全体を非晶状態にし、次いで該トラック上の非晶相をレ
ーザ光で再び結晶相に戻して消去を完了させるという方
法がある。この場合においても、同様に消去量を大幅に
向上させることができ好ましい。

勿論、上記の方法に限定されず、従来のごとく、情報の
記録を結晶相から非晶相へ相転移により行ない、情報の
消去を非晶相から結晶相への相転移により行なう記録・
消去方法を本発明の情報記録媒体に適用できることは言
うまでもない。

本発明の記録媒体の本来の特性を効果的に発現させるた
め、基板と記録層の間や記録薄膜の表面などに保護層や
、記録層と反射層の間に拡散防止層を形成できる。

保護層は、ＳｉＯ２、ＺｒＣ等の無機膜や紫外線硬化膜
などを、蒸着、スパッタ、スピンコード等の方法を用い
て形成したり、エポキシやポリカーボネイト等の樹脂、
フィルム、ガラスなどを接着貼合わせたり、ラミネート
してもよい。

拡散防止層は、記録層と反射層の間での元素の拡散を抑
制し特性の劣化を押えるために設けるもので、５ｉ０２
などの保護層と同様な材料が使用できる。

また前記保護層および拡散防止層を、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ
およびＷから選ばれた少なくとも１種の金属と、ケイ素
、酸素および炭素を含む成分で構成することができる。

この場合、各成分の好ましい含有量としては、上記金属
の含有量３〜４０原子％、ケイ素の含有量５〜３０原子
％、酸素の含有量５〜７０原子％、炭素の含有量３〜４
０原子％の範囲となすのがよく、これにより良好な記録
層の保護性能、すなわち記録層の膜質変化や性能劣化を
抑えることができるとともに、記録層や反射層などとの
接着力を高めることができるため記録媒体の長寿命化な
いし耐久性向上を図ることができる。

拡散防止層の膜厚は特に限定されないが、１０Ｑｎｍ以
下にすれば、冷却効果も有効に利用でき好ましく、４Ｑ
ｎｍ以下、更に２０ｎｍ以下にすれば、記録層の膜厚干
渉効果への悪影響を少なくすることができる。

これらの保護層や拡散防止層により、耐久性や耐吸湿性
の向上、記録層の保護コート、基板からの剥離や盛り上
がりによる変形の防止、媒体の融解、蒸発、拡散などに
よる媒体の消失、などの悪影響の防止、およびそれらの
効果による、非晶と結晶の可逆変化を利用する場合の記
録消去の繰返し性の向上等の効果が期待できる。

［製造法］ 本発明の記録薄膜の製造法としては種々の方法が挙げら
れるが、−例とし°てマグネトロンスパッタ法による製
造法を説明する。

本発明の記録媒体は、１．２ｍｍ厚、４３ｃｍ直径、１
．６μｍピッチのスパイラル・グループ（ｑきのポリカ
ーボネイト（以下ＰＣという）製の基板を１０〜１５０
ｒＣ）ｍで回転させ、組成や膜厚の均一化を図りながら
、例えば、保護層や記録層等を各々目的に応じて、マグ
ネトロンスパッタ法により順次積層形成する。スパッタ
条件は、スパッタガスにアルゴンガスを用い、ＲＦ出力
数十〜１ｋＷ、真空度８Ｘ　１０’　Ｐａ　〜３ｘ　１
０−１Ｐａ程度の条件範囲で行なえばよい。

保護層は５ｉ０２やＺｒＣのターゲットを用い、記録層
はＴｅ−Ｇｅ合金やＢｉ、Ｂｉ２Ｔｅ３やＴｌ２Ｔｅの
合金を組合わせて用い、各々水晶膜厚計でモニターしな
がら単独または同時スパッタして所定組成の保護層また
は記録膜を作製する。

記録用のターゲット部材には、他に所定薄膜組成となる
よう勘案した（丁ｅ、Ｇｅ、Ｂ１５Ｔｌ）の４元素合金
ターゲットを用いて１ターゲツトスパツタを行なっても
よい。

適切なスパッタ条件は装置により一定ではなく、これ以
外の条件で記録媒体を作製してもよいことは言うまでも
ない。

本発明の記録薄膜の、ここで述べた方法以外の作製方法
としては、例えば真空蒸着法や電子ビーム蒸着法などの
薄膜形成技術が挙げられる。

［用途］ このようにして１ｑられた本発明の記録媒体は、特に光
ディスク、光テープ、光カード、光フロツピーディスク
、マイクロフィッシュ、レーザ００Ｍ等の情報記録媒体
として好ましい特性を備えたものでおる。しかしながら
、このような用途にのみ限定されるものではなく、光学
特性の差を記録に利用するあらゆる用途に適用可能なこ
とは言うまでもない。

［測定法］ 本発明の実施例で用いる評価法を説明する。

■　組成 ガラス基板上に作製した記録薄膜を王水、硝酸などで溶
解させ基板から分離させた。この溶液を高周波誘導結合
プラズマ（Ｉ　ＣＰ＞発光分光分析法（セイコー電子（
株）ＳＰＳ−１１００型）により、各元素の含有量を求
め、組成比（原子数％）を算出した。

■　記録・消去特性 ＰＣ製のグループ付光ディスク用基板上に記録薄膜を形
成したものを試料とした。評価装置は波長８３０ｎｍの
半導体レーザーを組み込んだ光ヘッドとディスク回転装
置およびそれらの制御回路で主に構成されている。光ヘ
ッドは、回転するディスク基板を通して、記録薄膜上に
開口数０．５の対物レンズでレーザー光を集光し、基板
に刻まれたグループに沿ってトラッキングするように制
御されている。信号の記録・消去は上記装置において、
記録パワーおよび消去パワーが１〜１５ｍＷの範囲で、
線速度は２〜９ｍ／秒として測定した。再生パワーは０
．７ｍＷとした。本装置からのＲ「信号から、スペクト
ラム・アナライザを用い３０ＫＨｚバンド幅でＣＮＲを
求めた。消去率は、記録・再生したキャリア信号の消去
による減少量をｄＢ小単位求めた。また、キャリア周波
数位置でのノイズは、その前接のノイズ値から補間によ
り求めた。

［実施例］ 本発明をざらに実施例に基づいて具体的に説明する。

実施例１ 製造法で述べたスパッタ法により、ＰＣ製基板を毎分４
０回転させながら、保護層と記録層を順に形成した。

まず、真空度５Ｘ１０’Ｄａの条件で、基板上に５ｉＯ
ｚ保護層を約１１００ｎ形成し、その上にＢｉ、ＴＩ、
ｌｅとそれらの合金、およびＴｅ５０Ｇ　ｅ　５０の合
金を水晶振動子膜厚計でモニタしながら、同時スパッタ
して膜厚的９５ｎｍの記録薄膜を形成した。ざらに記録
薄膜の上に厚ざ１５０ｎｍのＳｉＯ２保護層を形成し、
本発明の光記録媒体を構成した。ＩＰＣ発光分光分析法
で求めた記録薄膜（イ）〜（ハ）の組成は次の通りであ
る。

（イ）　（Ｔｅ４９Ｇｅ５１）　８７８　ｌ　　６Ｔ　
Ｉ　７（ロ）　（Ｔｅ５１Ｇｅ４９）　８３Ｂ　ｉ　Ｉ
ＯＴ　Ｉ　　７（ハ＞　（Ｔｅ５４Ｇｅ４６）　７４Ｂ
　ｉ　１４Ｔ　Ｉ　１２これらの記録媒体の記録・消去
特性を測定法■の装置で調べた。試料（イ）、（ロ）の
各ディスク媒体を、線速度３〜４ｍ／秒の一定線速度で
回転させ、基板側から初期化パワー６〜８ｍＷ（盤面上
〉の半導体レーザー光を連続照射しながらトラック上を
走査したところ、いずれも、結晶化に伴う記録層の反射
率の上昇が見られ、実用的な初期化パワーで均一かつ容
易に初期化ができた。

次に、試料（イ）を線速度６ｍ／秒で、周波数２ＭＨ２
，デユーティ５０％に変調した１３ｍＷのレーザ光によ
り記録したところ、記録部分の反射率が低下した非晶化
記録が行なわれ、ＣＮＲ値で５２ｄＢが得られた。その
債記録部分を線速度２ｍ／秒、４．５ｍＷのレーザ光で
連続照射して、結晶化による消去を試みたところ、消去
後のＣＮＲの減少（消去率）が２１ｄＢ以上１ｑられた
。更に、この消去部分には、記録・消去を繰り返し行な
うことが可能であった。

同じく試料（ロ）では、記録条件を線速度６ｍ／秒、記
録パワー１５ｍＷ、周波数３ＭＨ２，デユーティ５０％
とし、消去条件を線速度４ｍ／秒、消去パワー７ｍＷと
して記録・消去を繰り返した。

初期の数回の記録ＣＮＲは４５ｄＢで消去率は２５〜２
６ｄＢであり、１１０回目前後を繰返した後のＣＮＲヤ
消去率の低下は２〜３ｄＢ以下に収まっていた。

試料（ハ）も同様に記録・消去の繰返しが可能であった
。６．５ｍ／秒、１１ｍＷ、２ＭＨｚ、デユーティ６０
％の記録と、４ｍ／秒、６ｍＷの消去を繰返したところ
、例えば１５回目前後では、記録のＣＮＲは４７ｄＢ以
上で消去率は１６ｄＢ以上が得られた。

実施例２ 本実施例では、非晶状態にしたトラックに結晶部分を形
成させて記録し、再び全体を非晶状態にして消去すると
いう、実施例１とは全く逆の方法で記録・消去を繰返し
た。試料は実施例１で用いた（口）　　（Ｔｅ５１Ｇｅ
４９）　８３Ｂ　ｉ　ＩＯＴ　Ｉ　　７と（ハ）（Ｔｅ
５１Ｇｅ４９＞　７４８　ｉ　１４Ｔ　Ｉ　１２を使用
した。

まず実施例１と同じ初期化条件で予め使用するトラック
を均一に結晶化させた。

次いで、試料（ロ）で、消去条件を６ｍ／秒、１３ｍＷ
としてトラックを連続照射すると、媒体の反射率が一様
に低下して結晶相が非晶化された。

この場合、極めて均一に非晶化しており、媒体ノイズは
ほとんど増加しなかった。続いて、記録を６ｍ／秒、７
ｍＷ、２ＭＨ２、デユーティ５０％、消去を６ｍ／秒、
１３ｍＷ、とした実用的な条件で調べたところ、安定で
良好な記録・消去が繰返すことができた。例えば５５回
目では、記録により反射率が上って結晶化記録が行なわ
れ、ＣＮＲ値で４３ｄＢが１ｑられた。その）麦消去す
ると、反射率は再び下がって結晶化部分が非晶化され、
消去率は３１ｄＢ以上の良好な値が得られた。

試料（ハ）も同様にこの方法で記録・消去を繰返すこと
ができた。即ち、記録条件を６．５ｍ／秒、６．５ｍＷ
、２Ｍ１−ＩＺ、デユーティ５０％とし、消去条件を４
ｍ／秒、１０ｍＷ、とした場合、記録のＣＮＲは４４ｄ
Ｂで、消去率は３８ｄＢであった。また消去条件を６．
５ｍ／秒、１３ｍＷとして、線速度を上げ高速消去を行
なった場合においても消去率は３２ｄＢ以上が得られた
。

このように、本発明で得られる記録媒体を用いれば、記
録部位全体を極めて均一に容易に非晶化できるため、装
置側に余計な負担を掛けない実用的な条件で、良好な記
録・消去の繰返し特性が実現できる。

実施例３ 実施例１で述べた試料（ハ）の記録薄膜（Ｔｅ５４Ｇｅ
４６）　７４８　ｉ　１４Ｔ　ｌ　１２を用いて、消去
方法を変更して記録・消去を繰返した。即ち、４ｍ／秒
、６ｍＷで結晶化して初期化した後、６．５ｍ／秒、１
１ｍＷ、２ＭＨｚ、デユーティ６０％の条件でレーザー
光を照射し、結晶相の一部を非晶相に転移せしめて情報
を記録した。次いで記録したトラックをまず４ｍ／秒、
１０ｍＷで消去した。その結果、媒体の反射率は低下し
、顕微鏡での観察ではトラックが一様に奇麗に非晶化し
ていることが確認できた。更に４ｍ／秒、６ｍＷで再度
消去すると、反射率が再び上昇し、トラックが一様に結
晶化された。これらの記録と消去を繰返したところ、消
去率が大幅に向上して３２ｄＢ以上が１ｑられ、記録の
ＣＮＲは４７ｄＢ以上であった。

これは、本発明による記録媒体の持つ、実用的なレーザ
出力および速度で、高感度、容易かつ安定に非晶化でき
、十分かつ均一に結晶化できる、という優れた記録・消
去特性が、本方法でより効果的に発現せしめうろことを
示している。即ち、本媒体を用いれば、非晶記録部分を
持つ結晶化トラック全体を、まず高めの消去パワーで走
査して一様かつ容易に非晶化し、次いで少し低い消去パ
ワーで再び全体を均一に結晶化させ得るため、非晶相と
結晶相の繰返し履歴の相違による結晶構造や結晶性、更
には結晶サイズの不均一、などに起囚する反射率の不均
一が全体の非晶化で解消でき、過去の消し残しが残留す
るのを防止できるものと考えられる。

このように、本発明の記録媒体の優れた特性と、ここに
例示したような手法を併用すれば、更に大幅な消去率の
向上が可能でおる。

実施例４ 記録薄膜の組成を（Ｔｅ５５Ｇｅ４５）　８７８　ｉ　
　６Ｔ７とした以外は、実施例１と同様な方法でディス
ク媒体を作製した。この媒体基板を、記録層側を内側に
して同種のＰＣ製基板と接着剤を用いて貼合せ、密着貼
合せディスクを作製した。

２．５ｍ／秒、６．５ｍＷの条件でレーザ光を一回照射
して初期化（結晶化）した。記録条件を６ｍ／秒、１４
ｍＷ、２．５ＭＨ２、デユーティ６０％とし、消去条件
を６ｍ／秒、１１ｍＷとして記録・消去の繰返し特性を
評価した。記録のＣＮＲ値で４３〜４５ｄＢ、消去率で
２０〜２４ｄＢの値が１ｑられた。

本発明の媒体の初期化に伴うノイズの増加はほとんとな
く、初期化後のノイズレベル値も一６４ｄＢｍと小さく
、光記録媒体には十分な値であった。次いで、記録・消
去の繰返しに伴う媒体ノイズの劣化を見たところ、数千
回の繰返し後も何等ノイズの増加は見られなかった。

このように、本発明の媒体は優れた低ノイズ特性を持ち
、繰返しによる信号品質の劣化のない優れた記録媒体で
ある。

比較例１ 比較例として、３ｉまたはＴＩの一方を含有しない下記
組成の記録薄膜（ニ）、（ホ）を作製した。作製法や積
層構成、膜厚なとは実施例１と同一とした。

（ニ）　（Ｔｅ６３Ｇｅ３７＞　８５８　ｉ　１５（ホ
）　（Ｔｅ５３Ｇｅ４７）　８８Ｔ　ｌ　１２試料（ニ
）では、５〜６ｍ／秒、９ｍＷ前後で容易に結晶化が生
じ初期化が可能であった。しかしながら、本発明による
記録媒体において、容易に良好な特性を示した記録・消
去条件では、ＣＮＲ値で４０ｄＢを越す記録特性は得ら
れなかった。

更に条件を線速度で２〜９ｍ／秒、パワーで１５ｍＷま
での範囲で変えて調べたが、いずれも十分な記録再生撮
幅が得られず、ＣＮＲは良好でなかった。

試料（ボ）においても同様な条件を撮って、記録・消去
の繰返し特性を調べたところ、記録による非晶化は容易
になったが、線速度２〜９ｍ／秒の範囲では消去が非常
に困難で、消去率で１５ｄＢ以上が安定して１ｑられな
かった。

［発明の効果］ 本発明による記録媒体は以下に述べるような優れた効果
を奏するものでおる。

■　記録・消去の繰返し性が良好で、記録の再生信号娠
幅や消去率の大きい光記録媒体が得られる。

■　媒体のノイズが小さく、繰返しによるノイズの劣化
の少ない光記録媒体がｊｑられる。

■　記録部分を非晶相または結晶相のいずれにした記録
方法においても、実用的な条件で良好な記録・消去特性
を示す光記録媒体が得られる。

■　密着貼合せディスクとした場合においても、装置に
負担をかけない実用的な条件で、良好な記録・消去特性
を示す光記録媒体が得られる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　基板上に形成された記録薄膜にエネルギービームを
   照射し、直接又は間接に発生する熱により、上記薄膜の
   光学特性を変化せしめて、情報の記録を行う情報記録媒
   体において、該記録薄膜がテルル（Ｔｅ）、ゲルマニウ
   ム（Ｇｅ）、ビスマス（Ｂｉ）およびタリウム（Ｔｌ）
   の４元素から主としてなり、かつその組成が、一般式 （ＴｅｘＧｅ１００−ｘ）１００−ｐ−ｑＢｉｐＴｌｑ
   ｘ：（ＴｅとＧｅ）中のＴｅの原子数％ ｐ：薄膜中のＢｉの原子数％ ｑ：薄膜中のＴｌの原子数％ と表わした場合、ｘ、ｐ、ｑの範囲がそれぞれ４０≦ｘ
   ≦７５、１≦ｐ≦２０、１≦ｑ≦２０であることを特徴
   とする情報記録媒体。 ２　請求項１記載の情報記録媒体の記録・消去方法にお
   いて、情報の記録を非晶相から結晶相へ相転移により行
   ない、情報の消去を結晶相から非晶相への相転移により
   行なうことを特徴とする情報記録媒体の記録・消去方法
   。 ３　請求項１記載の情報記録媒体の記録・消去方法にお
   いて、情報の記録を結晶相の一部を非晶相へ相転移する
   ことにより行ない、情報の消去を、前記の残つた結晶相
   を非晶相へ相転移せしめ、次いで、非晶相から結晶相へ
   相転移することにより行なうことを特徴とする情報記録
   媒体の記録・消去方法。