JPH0243332B2 - - Google Patents
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- JPH0243332B2 JPH0243332B2 JP57133880A JP13388082A JPH0243332B2 JP H0243332 B2 JPH0243332 B2 JP H0243332B2 JP 57133880 A JP57133880 A JP 57133880A JP 13388082 A JP13388082 A JP 13388082A JP H0243332 B2 JPH0243332 B2 JP H0243332B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal plane
- vapor phase
- phase growth
- compound semiconductor
- group compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
- H10P14/2924—Structures
- H10P14/2925—Surface structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P14/2926—Crystal orientations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
- H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
- H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
- H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、−族化合物半導体による半導体
装置、例えば半導体レーザーを得る場合に適用し
て好適な半導体装置の製法に係わる。
装置、例えば半導体レーザーを得る場合に適用し
て好適な半導体装置の製法に係わる。
従来、熱分解気相成長のMOCVD（Metal
Organic Chemical Vapor Deposit）による凹凸
構造上への成長については、第29回応用物理学会
予稿集p759（1982）、「凹凸構造上への成長」（森
芳文）の報告がある。
Organic Chemical Vapor Deposit）による凹凸
構造上への成長については、第29回応用物理学会
予稿集p759（1982）、「凹凸構造上への成長」（森
芳文）の報告がある。
本発明においては、−族化合物半導体のの
MOCVDによる成長が、凹凸を有する半導体基
板への成長の場合、特異な性状を示し、特に、そ
の成長層の組成、云い換えれば、その成長のため
の供給反応ガスの組成によつて気相成長半導体層
表面に現出する結晶面が異つてくることを究明
し、この究明に基いて、各種半導体装置、例えば
DFB型（Distributed Feed−back型）の半導体
レーザーを容易、確実に製造することができるよ
うにするものである。
MOCVDによる成長が、凹凸を有する半導体基
板への成長の場合、特異な性状を示し、特に、そ
の成長層の組成、云い換えれば、その成長のため
の供給反応ガスの組成によつて気相成長半導体層
表面に現出する結晶面が異つてくることを究明
し、この究明に基いて、各種半導体装置、例えば
DFB型（Distributed Feed−back型）の半導体
レーザーを容易、確実に製造することができるよ
うにするものである。
すなわち、第１図に示すように、その板面が
｛100｝結晶面方向とされた−族化合物半導体
基板１の一主面１ａに、｛111｝Ａ結晶面に沿う内
側面を有する断面Ｖ字状の溝２をストライプ状に
形成した場合において、この溝２内を含んで基板
１の主面１ａ上に（Al、Ga）As化合物、すなわ
ち−族化合物半導体層３を熱分解気相成長の
MOCVD法によつて成長させるとき、そのＶ族
元素As成分CVの族元素Al及びGaの成分C〓に
対する供給比Ｒ＝CV／C〓が比較的小さいときと、
比較的大きいときとで基板１上に堆積成長する半
導体層３の表面に現出する結晶面が異る。例えば
Ｒ＜10のとき、第１図中、実線a1，a2，a3で示す
ように、基板１上に順次a1→a2→a3へと成長して
行く半導体層３が溝２上において｛113｝Ａ結晶
面を現出し、半導体層３の成長に伴つて溝２内に
表出していた｛111｝結晶面を埋込んでこれを表
面より消失させる。ところが、Asの供給比Ｒを
大とするときは、第１図中破線a1′，a2′，a3′で示
すように、基板１上に順次a1′→a2′→a3′へと成長
して行く半導体層３の表面には、｛113｝Ａ結晶面
の表出はなく、断面Ｖ字状の溝２の内側面に表出
した｛111｝Ａ結晶面がそのまま受け継がれて
｛111｝Ａ結晶面を内側面に表出し、溝２に対応す
る溝を形成するがこの層３の厚さを大とすればこ
の溝は、両側の｛111｝Ａ面からの結晶の成長で、
これが埋め込まれて平坦化する。
｛100｝結晶面方向とされた−族化合物半導体
基板１の一主面１ａに、｛111｝Ａ結晶面に沿う内
側面を有する断面Ｖ字状の溝２をストライプ状に
形成した場合において、この溝２内を含んで基板
１の主面１ａ上に（Al、Ga）As化合物、すなわ
ち−族化合物半導体層３を熱分解気相成長の
MOCVD法によつて成長させるとき、そのＶ族
元素As成分CVの族元素Al及びGaの成分C〓に
対する供給比Ｒ＝CV／C〓が比較的小さいときと、
比較的大きいときとで基板１上に堆積成長する半
導体層３の表面に現出する結晶面が異る。例えば
Ｒ＜10のとき、第１図中、実線a1，a2，a3で示す
ように、基板１上に順次a1→a2→a3へと成長して
行く半導体層３が溝２上において｛113｝Ａ結晶
面を現出し、半導体層３の成長に伴つて溝２内に
表出していた｛111｝結晶面を埋込んでこれを表
面より消失させる。ところが、Asの供給比Ｒを
大とするときは、第１図中破線a1′，a2′，a3′で示
すように、基板１上に順次a1′→a2′→a3′へと成長
して行く半導体層３の表面には、｛113｝Ａ結晶面
の表出はなく、断面Ｖ字状の溝２の内側面に表出
した｛111｝Ａ結晶面がそのまま受け継がれて
｛111｝Ａ結晶面を内側面に表出し、溝２に対応す
る溝を形成するがこの層３の厚さを大とすればこ
の溝は、両側の｛111｝Ａ面からの結晶の成長で、
これが埋め込まれて平坦化する。
このMOCVD時における成長結晶面の供給ガ
ス組成による依存性は、第１図で説明した断面Ｖ
字状の溝による凹溝表面において顕著に生じた。
すなわち、第１図で説明した気相成長において、
その気相成長のための供給ガス、例えばトリメチ
ルガリウム、トリメチルアルミニウム、アルシン
の混合ガスにおいてアルシンAsH3の分圧PAsH3を
低圧とするとき、その過程において｛111｝Ａ面
の表出がみられるものの終局的には｛311｝Ａ面
が表出する。この場合の、その成長比Rg
ス組成による依存性は、第１図で説明した断面Ｖ
字状の溝による凹溝表面において顕著に生じた。
すなわち、第１図で説明した気相成長において、
その気相成長のための供給ガス、例えばトリメチ
ルガリウム、トリメチルアルミニウム、アルシン
の混合ガスにおいてアルシンAsH3の分圧PAsH3を
低圧とするとき、その過程において｛111｝Ａ面
の表出がみられるものの終局的には｛311｝Ａ面
が表出する。この場合の、その成長比Rg
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ −族化合物半導体基板の表面に凹凸を形
成する工程と、 該半導体基板表面に、互いに物理的特性に相違
を有する第１及び第２の−族化合物半導体層
を熱分解気相成長する工程とを有し、 該熱分解気相成長は、族元素成分CVの、
族元素成分C〓に対する供給比率Ｒ＝CV／C〓をＲ
＜10で｛311｝結晶面を現出させ、Ｒ10で
｛111｝結晶面を現出させることによつてなして上
記第１及び第２の−族化合物半導体層間に上
記凹凸と異る凹凸形状の界面を形成するようにし
たことを特徴とする半導体装置の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57133880A JPS5925217A (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | 半導体装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57133880A JPS5925217A (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | 半導体装置の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925217A JPS5925217A (ja) | 1984-02-09 |
| JPH0243332B2 true JPH0243332B2 (ja) | 1990-09-28 |
Family
ID=15115236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57133880A Granted JPS5925217A (ja) | 1982-07-31 | 1982-07-31 | 半導体装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925217A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2923753B2 (ja) * | 1996-08-21 | 1999-07-26 | 工業技術院長 | Ｉｉｉ族原子層の形成方法 |
| JP4766071B2 (ja) * | 1999-03-17 | 2011-09-07 | 三菱化学株式会社 | 半導体基材及びその製造方法 |
| JP4191089B2 (ja) | 2004-05-14 | 2008-12-03 | Ｙｋｋ株式会社 | スライドファスナー用下止 |
| JP5440304B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-03-12 | 富士通株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-07-31 JP JP57133880A patent/JPS5925217A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5925217A (ja) | 1984-02-09 |
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