JPH0243730A - 半導体ウエハの洗浄装置 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄装置Info
- Publication number
- JPH0243730A JPH0243730A JP19479688A JP19479688A JPH0243730A JP H0243730 A JPH0243730 A JP H0243730A JP 19479688 A JP19479688 A JP 19479688A JP 19479688 A JP19479688 A JP 19479688A JP H0243730 A JPH0243730 A JP H0243730A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- particles
- frozen particles
- ice
- wafer cleaning
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体ウェハの洗浄装置に関し、特に半導体
ウェハ表面に微細な凍結粒子を噴射することによって、
その半導体ウェハ表面上の付着物を除去する半導体ウェ
ハの洗浄装置に関するものである。
ウェハ表面に微細な凍結粒子を噴射することによって、
その半導体ウェハ表面上の付着物を除去する半導体ウェ
ハの洗浄装置に関するものである。
［従来の技術］
第２図は、たとえば、特願昭６１−７０２６１号公報に
示された従来の超微細な氷粒子による半導体ウェハの洗
浄装置を概略的に示す図である。
示された従来の超微細な氷粒子による半導体ウェハの洗
浄装置を概略的に示す図である。
第２図を参照して、容器１２は、液体窒素源１３から供
給された液体窒素１４によって満たされている。この液
体窒素１４において、散気管１５から窒素ガスを噴き出
すことによって、液体窒素１４の表面に波を生じさせる
。この窒素ガスは液体窒素源１３から熱交換機１６を介
して与えられる。一方、容器１２の上部に設けられたノ
ズル１７には、純水源１８から所定の圧力と流量でもっ
て純水が供給されるとともに、所定の圧力と流量で窒素
ガスが供給される。そして、純水がノズル１７から霧状
に噴射される。こうして、液体窒素１４内に噴射された
純水の霧は瞬時に微細な氷の粒子１９となる。
給された液体窒素１４によって満たされている。この液
体窒素１４において、散気管１５から窒素ガスを噴き出
すことによって、液体窒素１４の表面に波を生じさせる
。この窒素ガスは液体窒素源１３から熱交換機１６を介
して与えられる。一方、容器１２の上部に設けられたノ
ズル１７には、純水源１８から所定の圧力と流量でもっ
て純水が供給されるとともに、所定の圧力と流量で窒素
ガスが供給される。そして、純水がノズル１７から霧状
に噴射される。こうして、液体窒素１４内に噴射された
純水の霧は瞬時に微細な氷の粒子１９となる。
このようにして製造された氷の粒子１９は、たとえば、
スクリューフィーダ２０によってホッパ２１内に輸送さ
れる。ホッパ２１内の氷粒子はブラスト装置２２に供給
される。このブラスト装置２２は、たとえば、高圧気体
エジェクタ方式のものであって、高圧で所定の流量を有
する窒素ガスや空気とともに氷粒子が半導体ウェハ２３
の表面上に噴射させられる。これによって、半導体ウェ
ハ２３の表面に付着しているサブミクロンオーダの汚染
粒子２４や汚れを洗浄除去することができる。
スクリューフィーダ２０によってホッパ２１内に輸送さ
れる。ホッパ２１内の氷粒子はブラスト装置２２に供給
される。このブラスト装置２２は、たとえば、高圧気体
エジェクタ方式のものであって、高圧で所定の流量を有
する窒素ガスや空気とともに氷粒子が半導体ウェハ２３
の表面上に噴射させられる。これによって、半導体ウェ
ハ２３の表面に付着しているサブミクロンオーダの汚染
粒子２４や汚れを洗浄除去することができる。
［発明が解決しようとする課題］
従来の氷粒子によるウェハ洗浄装置は以上のように構成
されているので、半導体ウェハの洗浄を行なうと、半導
体ウェハ表面に氷粒子の破片が付着したり、低７Ｈによ
るウェハへの結露が起こる。
されているので、半導体ウェハの洗浄を行なうと、半導
体ウェハ表面に氷粒子の破片が付着したり、低７Ｈによ
るウェハへの結露が起こる。
そのため、このウェハを常温にすれば、ウェハが濡れて
しまい、ウェハの洗浄においてドライな洗浄を行なうこ
とができなかった。従って、水分によるウェハの悪影響
として、水分中の不純物の影響や水分子の付着等の問題
点かあった。
しまい、ウェハの洗浄においてドライな洗浄を行なうこ
とができなかった。従って、水分によるウェハの悪影響
として、水分中の不純物の影響や水分子の付着等の問題
点かあった。
そこで、この発明は、上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、半導体ウェハを微細な氷粒子によ
り洗浄することができるとともに、洗浄後において半導
体ウェハ表面上の氷粒子を速やかに昇華することが可能
な半導体ウェハの洗浄装置を提供することを目的とする
。
めになされたもので、半導体ウェハを微細な氷粒子によ
り洗浄することができるとともに、洗浄後において半導
体ウェハ表面上の氷粒子を速やかに昇華することが可能
な半導体ウェハの洗浄装置を提供することを目的とする
。
［課題を解決するための手段］
この発明に従った半導体ウェハの洗浄装置は、半導体ウ
ェハ表面に微細な凍結粒子を噴射することによって、そ
の半導体ウェハ表面上の付着物を除去する装置であって
、凍結粒子製造手段と、保持手段と、噴射手段とを備え
ている。凍結粒子製造手段は微細な凍結粒子を製造する
。保持手段は半導体ウェハを高真空の雰囲気内で保持す
る。噴射手段は凍結粒子を半導体ウェハの表面」二に向
けて噴射するものである。
ェハ表面に微細な凍結粒子を噴射することによって、そ
の半導体ウェハ表面上の付着物を除去する装置であって
、凍結粒子製造手段と、保持手段と、噴射手段とを備え
ている。凍結粒子製造手段は微細な凍結粒子を製造する
。保持手段は半導体ウェハを高真空の雰囲気内で保持す
る。噴射手段は凍結粒子を半導体ウェハの表面」二に向
けて噴射するものである。
［作用］
この発明における保持手段は、その表面上に向けて凍結
粒子が噴射されるべき対安物である半導体ウェハを高真
空に保持する。そのため、半導体ウェハ表面上の付着物
を除去するために噴射され、半導体ウェハ表面上に付着
した微細な凍結粒子は高真空によって昇華させられる。
粒子が噴射されるべき対安物である半導体ウェハを高真
空に保持する。そのため、半導体ウェハ表面上の付着物
を除去するために噴射され、半導体ウェハ表面上に付着
した微細な凍結粒子は高真空によって昇華させられる。
従って、乾燥の必要のない、ドライな半導体ウェハの洗
浄を行なうことが可能となる。
浄を行なうことが可能となる。
［発明の実施例］
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は、この発明に従った半導体ウェハの洗浄装置を
概略的に示す側断面図である。第１図をり照して、液体
窒素等の冷媒供給管１より供給された冷媒により冷却さ
れた製氷容器２内に、加圧容器３内で加圧された超純水
がスプレーノズル４から微細に噴霧される。この超純水
は製氷容器２内において冷媒と熱交換させられ、凍結す
ることによって氷粒子である微細凍結粒子５が得られる
。
概略的に示す側断面図である。第１図をり照して、液体
窒素等の冷媒供給管１より供給された冷媒により冷却さ
れた製氷容器２内に、加圧容器３内で加圧された超純水
がスプレーノズル４から微細に噴霧される。この超純水
は製氷容器２内において冷媒と熱交換させられ、凍結す
ることによって氷粒子である微細凍結粒子５が得られる
。
この微細凍結粒子５の粒子径は、スプレーノズル４に供
給される超純水の圧力に依存し、圧力を上げれば上げる
ほど微細な粒子径が得られる。また、スプレーノズル４
に超純水を供給する際において、窒素ガス等を混合し、
水と二流体化することによって、より微細な粒子径が得
られる。このようにして得られた微細凍結粒子５は製氷
容器２内のホッパ６に集められる。一定量の微細凍結粒
子５が製造された後、超純水の微噴霧と、液体窒素等の
冷媒の供給が停止させられる。そして、製氷容器加圧用
ガスライン７によって、製氷容器２内が所定の圧力まで
加圧される。
給される超純水の圧力に依存し、圧力を上げれば上げる
ほど微細な粒子径が得られる。また、スプレーノズル４
に超純水を供給する際において、窒素ガス等を混合し、
水と二流体化することによって、より微細な粒子径が得
られる。このようにして得られた微細凍結粒子５は製氷
容器２内のホッパ６に集められる。一定量の微細凍結粒
子５が製造された後、超純水の微噴霧と、液体窒素等の
冷媒の供給が停止させられる。そして、製氷容器加圧用
ガスライン７によって、製氷容器２内が所定の圧力まで
加圧される。
一方、微細凍結粒子５がその表面上に向けて噴射される
べき対象物としての半導体ウェハ２３は、まず、予備排
気室８ａを通過し、高い真空度に保たれた真空チャンバ
８ｂ内に導入される。予備排気室８ａと真空チャンバ８
ｂ内は真空ポンプ１１によって排気される。この状態に
おいて、水噴射バルブ９が開かれると、微細凍結粒子５
は製氷容器２内の圧力と真空チャンバ８ｂ内の真空度と
の落差によって、半導体ウェハ２３の表面上に直進的に
噴射される。この際、同時に処理される全部の半導体ウ
ェハ２３の表面上に微細凍結粒子５が当たるように、半
導体ウェハ２３は縦横方向に移動させられる。また、必
要に応じて半導体ウェハ２３を加熱するためにヒータ１
０をオン−オフする。
べき対象物としての半導体ウェハ２３は、まず、予備排
気室８ａを通過し、高い真空度に保たれた真空チャンバ
８ｂ内に導入される。予備排気室８ａと真空チャンバ８
ｂ内は真空ポンプ１１によって排気される。この状態に
おいて、水噴射バルブ９が開かれると、微細凍結粒子５
は製氷容器２内の圧力と真空チャンバ８ｂ内の真空度と
の落差によって、半導体ウェハ２３の表面上に直進的に
噴射される。この際、同時に処理される全部の半導体ウ
ェハ２３の表面上に微細凍結粒子５が当たるように、半
導体ウェハ２３は縦横方向に移動させられる。また、必
要に応じて半導体ウェハ２３を加熱するためにヒータ１
０をオン−オフする。
以上のように構成された半導体ウェハの洗浄装置におい
て、微細凍結粒子５は、水噴射バルブ９から噴射され、
半導体ウェハ２３上の汚染粒子２４等の異物を物理的作
用によって除去した後、真空チャンバ８ｂ内に保たれた
真空により昇華する。
て、微細凍結粒子５は、水噴射バルブ９から噴射され、
半導体ウェハ２３上の汚染粒子２４等の異物を物理的作
用によって除去した後、真空チャンバ８ｂ内に保たれた
真空により昇華する。
このとき、昇華により、微細凍結粒子５および半導体ウ
ェハ２３が有する熱が奪われるために、微細凍結粒子５
の昇華速度が遅くなるのを防止する目的で、ヒータ１０
によって半導体ウェハ２３を加熱することが必要である
。
ェハ２３が有する熱が奪われるために、微細凍結粒子５
の昇華速度が遅くなるのを防止する目的で、ヒータ１０
によって半導体ウェハ２３を加熱することが必要である
。
また、上記実施例では、製氷容器を加圧して微細凍結粒
子を噴射するようにしているが、必要とする洗浄強さに
より圧力を変化させればよく、弱い洗浄の場合では、真
空チャンバの真空により吸引されるため、加圧する必要
はなくなる。
子を噴射するようにしているが、必要とする洗浄強さに
より圧力を変化させればよく、弱い洗浄の場合では、真
空チャンバの真空により吸引されるため、加圧する必要
はなくなる。
なお、凍結粒子としての氷粒子の昇華に必要な真空度と
しては、１０− ’ 〜１０− ’ Ｔｏ ｒ ｒが必
要であるが、これは乾燥速度と相関するため、できるだ
け高真空が望ましい。また、氷粒子の噴射部が真空に保
持されているため、氷粒子の噴射速度が、大気中に噴射
するときに比べて、非常に上昇する。
しては、１０− ’ 〜１０− ’ Ｔｏ ｒ ｒが必
要であるが、これは乾燥速度と相関するため、できるだ
け高真空が望ましい。また、氷粒子の噴射部が真空に保
持されているため、氷粒子の噴射速度が、大気中に噴射
するときに比べて、非常に上昇する。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば半導体ウェハを高真空
の雰囲気内で保持するようにしたので、微細凍結粒子の
噴射速度が上昇し、かつ全く水に濡れないように半導体
ウェハを洗浄することができる効果がある。
の雰囲気内で保持するようにしたので、微細凍結粒子の
噴射速度が上昇し、かつ全く水に濡れないように半導体
ウェハを洗浄することができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体ウェハの洗浄
装置を示す側断面図である。第２図は従来の半導体ウェ
ハの洗浄装置を概略的に示す図である。 図において、１は冷媒供給管、２は製氷容器、３は加圧
容器、４はスプレーノズル、５は微細凍結粒子、６はホ
ッパ、７は製氷容器加圧用ガスライン、８ａは予備排気
室、８ｂは真空チャンバ、９は水噴射バルブ、１０はヒ
ータ、１１は真空ポンプ、２３は半導体ウェハ、２４は
汚染粒子である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図
装置を示す側断面図である。第２図は従来の半導体ウェ
ハの洗浄装置を概略的に示す図である。 図において、１は冷媒供給管、２は製氷容器、３は加圧
容器、４はスプレーノズル、５は微細凍結粒子、６はホ
ッパ、７は製氷容器加圧用ガスライン、８ａは予備排気
室、８ｂは真空チャンバ、９は水噴射バルブ、１０はヒ
ータ、１１は真空ポンプ、２３は半導体ウェハ、２４は
汚染粒子である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェハ表面に微細な凍結粒子を噴射することによ
って、その半導体ウェハ表面上の付着物を除去する半導
体ウェハの洗浄装置であって、微細な凍結粒子を製造す
る凍結粒子製造手段と、半導体ウェハを高真空の雰囲気
内で保持する保持手段と、 前記凍結粒子を前記半導体ウェハの表面上に向けて噴射
する噴射手段とを備えた、半導体ウェハの洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19479688A JPH0243730A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19479688A JPH0243730A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243730A true JPH0243730A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16330401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19479688A Pending JPH0243730A (ja) | 1988-08-04 | 1988-08-04 | 半導体ウエハの洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243730A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224116A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Nec Corp | レジスト現像方法 |
| WO1998057365A1 (en) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Fsi International, Inc. | Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60165727A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハの乾燥方法 |
| JPS6329515A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-08 | Taiyo Sanso Kk | 半導体ウエハの洗浄方法 |
-
1988
- 1988-08-04 JP JP19479688A patent/JPH0243730A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60165727A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハの乾燥方法 |
| JPS6329515A (ja) * | 1986-07-22 | 1988-02-08 | Taiyo Sanso Kk | 半導体ウエハの洗浄方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06224116A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Nec Corp | レジスト現像方法 |
| WO1998057365A1 (en) * | 1997-06-11 | 1998-12-17 | Fsi International, Inc. | Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol |
| US5961732A (en) * | 1997-06-11 | 1999-10-05 | Fsi International, Inc | Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol |
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