JPH0243961A - 真空処理装置の集麈装置 - Google Patents
真空処理装置の集麈装置Info
- Publication number
- JPH0243961A JPH0243961A JP19396688A JP19396688A JPH0243961A JP H0243961 A JPH0243961 A JP H0243961A JP 19396688 A JP19396688 A JP 19396688A JP 19396688 A JP19396688 A JP 19396688A JP H0243961 A JPH0243961 A JP H0243961A
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- JP
- Japan
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- dust
- vacuum
- needle
- substrate
- dust collector
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- Pending
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- Electrostatic Separation (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、真空中で基板表面に膜堆積、エツチング、表
面クリーニング等の処理を行なう真空処理装置において
、真空室内搬送部に発生する塵を効果的に集塵する集塵
装置に関するものである。
面クリーニング等の処理を行なう真空処理装置において
、真空室内搬送部に発生する塵を効果的に集塵する集塵
装置に関するものである。
（従来の技術）
従来、半導体製造装置に於ては装置内の塵か製品の良品
率を下ける大きい原因となっており、例えば、分子線結
晶成長装置のような高真空高精密の装置では、基板の表
面に付着した塵が生成膜の結晶性に影響を及ぼして結晶
欠陥を引き起こしている。この塵は、基板の搬送部のよ
うな可動機構即ち変形、摺動、着脱を伴う部分から発生
するものか多い。
率を下ける大きい原因となっており、例えば、分子線結
晶成長装置のような高真空高精密の装置では、基板の表
面に付着した塵が生成膜の結晶性に影響を及ぼして結晶
欠陥を引き起こしている。この塵は、基板の搬送部のよ
うな可動機構即ち変形、摺動、着脱を伴う部分から発生
するものか多い。
従来は、搬送部を高真空下に置くことで塵の落下を早め
たり、基板の被処理表面を縦や下向きにして搬送するこ
とで基板に塵が付着するのを防いだり、磁気浮上による
摺動部のない搬送機構を用いて駆動部からの塵の発生を
最小限に抑えるなどしてきた。
たり、基板の被処理表面を縦や下向きにして搬送するこ
とで基板に塵が付着するのを防いだり、磁気浮上による
摺動部のない搬送機構を用いて駆動部からの塵の発生を
最小限に抑えるなどしてきた。
また、搬送駆動部を金属板で覆ってこの金属板と駆動部
との間に高電圧を印加し、静電気力で塵を集める構成を
とったりもしてきた。（例えは、特開昭６２−１１２７
９０号公報「集塵装置付薄膜処理装置」） （発明が解決しようとする問題点） しかしながら上記従来の対策の、前者は積極的に塵を取
り除く力に乏しく、また後者の駆動部を電極で覆う構成
も絶縁性の塵に対してはあまり効果がなかった。このた
め結局、集塵は中途半端のまま殆んど諦められていた。
との間に高電圧を印加し、静電気力で塵を集める構成を
とったりもしてきた。（例えは、特開昭６２−１１２７
９０号公報「集塵装置付薄膜処理装置」） （発明が解決しようとする問題点） しかしながら上記従来の対策の、前者は積極的に塵を取
り除く力に乏しく、また後者の駆動部を電極で覆う構成
も絶縁性の塵に対してはあまり効果がなかった。このた
め結局、集塵は中途半端のまま殆んど諦められていた。
しかし最近の超ＬＳＩでは、配線幅の微細化と高密度化
が進み微少の塵埃に起因して製品の歩留りは著しく悪化
する傾向にあり、高度の無塵化が絶対の急務となってい
る。
が進み微少の塵埃に起因して製品の歩留りは著しく悪化
する傾向にあり、高度の無塵化が絶対の急務となってい
る。
（発明の目的）
本発明は、上記問題を解決し、複雑な手段をとることな
く、また基板搬送にも殆んと影響を与えずして、高真空
下の集塵を高効率で行なうことのできる新しい真空処理
装置用集塵装置の提供を目的とする。
く、また基板搬送にも殆んと影響を与えずして、高真空
下の集塵を高効率で行なうことのできる新しい真空処理
装置用集塵装置の提供を目的とする。
（問題を解決するための手段）
本発明は、真空室内搬送部の近傍に、放電を起こすに至
らない直流の正の高電圧を印加する針状の集塵電極を設
けることにより前記目的を達成したものである。
らない直流の正の高電圧を印加する針状の集塵電極を設
けることにより前記目的を達成したものである。
（作用）
真空室内の塵や搬送部で発生した塵は、高電圧の印加さ
れた針状集塵電極の作る、急峻な電界強度の勾配による
グラディエント力によって強力に電気集塵される。
れた針状集塵電極の作る、急峻な電界強度の勾配による
グラディエント力によって強力に電気集塵される。
（実施例）
以下図を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の実施例の断面図を示し、真空室ｌの室
内１ａ（大気側はＩｂ）には被処理基板であるシリコン
基板５を搬送する可動機構２が示されている。図示しな
い回転駆動装置で駆動される回転軸２０１（軸受２１１
．２１２て支持）の回転は、プーリー２２１．２２２と
ヘルド２３１によって回転軸２０２（軸受２１３て支持
）に伝えられ、この軸のプーリー２２２．２２３にか＼
る二つのヘルド２３２．２３３の上：こ載置されたシリ
コン基板５を紙面に垂直な方向に搬送するが、各軸・軸
受・各ベルト、およびヘルド・基板間にはＩＭ動、着脱
動作があり、摩耗によって極微細な塵を発生する。さら
に各部の変形、特にベルトの湾曲はこれもまた微細塵の
発生源となる。前記の通り従来はこれら細塵の発生に対
しては、可動機構部分を少なくするか、高電圧を印加す
る集塵電極で可動機構を覆う方法が採られていたもので
ある。
内１ａ（大気側はＩｂ）には被処理基板であるシリコン
基板５を搬送する可動機構２が示されている。図示しな
い回転駆動装置で駆動される回転軸２０１（軸受２１１
．２１２て支持）の回転は、プーリー２２１．２２２と
ヘルド２３１によって回転軸２０２（軸受２１３て支持
）に伝えられ、この軸のプーリー２２２．２２３にか＼
る二つのヘルド２３２．２３３の上：こ載置されたシリ
コン基板５を紙面に垂直な方向に搬送するが、各軸・軸
受・各ベルト、およびヘルド・基板間にはＩＭ動、着脱
動作があり、摩耗によって極微細な塵を発生する。さら
に各部の変形、特にベルトの湾曲はこれもまた微細塵の
発生源となる。前記の通り従来はこれら細塵の発生に対
しては、可動機構部分を少なくするか、高電圧を印加す
る集塵電極で可動機構を覆う方法が採られていたもので
ある。
実施例ではこれら塵に備えて静電気力を利用する次の集
塵手段が付加されている。
塵手段が付加されている。
上述の可動機構２に沿って約１０ｃｍ間隔に４本の針状
の集塵電極が合計３０ｃｍの長さに渡って、絶縁物３２
で真空室・１の壁に取り付けられ、この集塵電極３１と
アースの間には集塵用直流電源３０から正（または負）
の直流高電圧が印加されてている。真空室１はアース電
位にある。
の集塵電極が合計３０ｃｍの長さに渡って、絶縁物３２
で真空室・１の壁に取り付けられ、この集塵電極３１と
アースの間には集塵用直流電源３０から正（または負）
の直流高電圧が印加されてている。真空室１はアース電
位にある。
なお、点線で示すものは、表１で後記する比較実験のた
めに用意されたもので、可動機構２に沿って約３０ｃｍ
の長さにその上側面に、絶縁物３２Ｐて真空室１の壁に
取り付けられた逆り字型断面の導電性の集塵電極３１Ｐ
か設けられ、この集塵電極３１Ｐとアースの間には集塵
用直流電源３ＯＰから正（または負）の直流高電圧を印
加てきるようにしたものである。
めに用意されたもので、可動機構２に沿って約３０ｃｍ
の長さにその上側面に、絶縁物３２Ｐて真空室１の壁に
取り付けられた逆り字型断面の導電性の集塵電極３１Ｐ
か設けられ、この集塵電極３１Ｐとアースの間には集塵
用直流電源３ＯＰから正（または負）の直流高電圧を印
加てきるようにしたものである。
真空室１内に漂う塵や、可動機構２で発生しその上方に
舞い上がった細塵は、針状集塵電極３１の作る急峻な電
界強度の勾配によって分極を起こし、クラディエントカ
で針状集塵電極３１に吸弓されてそこに付着する゛。な
お、可動機構２の各導電部材には全て、真空室１と同電
位となるような処置がとられている。
舞い上がった細塵は、針状集塵電極３１の作る急峻な電
界強度の勾配によって分極を起こし、クラディエントカ
で針状集塵電極３１に吸弓されてそこに付着する゛。な
お、可動機構２の各導電部材には全て、真空室１と同電
位となるような処置がとられている。
さて、針状集塵電極３０に直流高圧電源３１から正の直
流電圧Ｖ３．を印加し、いろいろ条件を変えて実験して
下記のような結果を得、本発明が集塵に非常に効果があ
ることが確認された。
流電圧Ｖ３．を印加し、いろいろ条件を変えて実験して
下記のような結果を得、本発明が集塵に非常に効果があ
ることが確認された。
Ｖ３１としてＯＶと＋５ｋＶを印加し、電流を遮断した
りし、実際に４インチのシリコン基板５を、第１図の紙
面に垂直に針状集塵電極３１の配置されている約３０ｃ
ｍの長さだけ往復搬送させてみて、基板上６０ｍ２あた
りの塵を、最小ダスト径０゜２８μｍまで計れるダスト
カウンター（レーザー光が塵で散乱されるのを利用して
検出する）で計測した。
りし、実際に４インチのシリコン基板５を、第１図の紙
面に垂直に針状集塵電極３１の配置されている約３０ｃ
ｍの長さだけ往復搬送させてみて、基板上６０ｍ２あた
りの塵を、最小ダスト径０゜２８μｍまで計れるダスト
カウンター（レーザー光が塵で散乱されるのを利用して
検出する）で計測した。
そして表１のような結果を得た。
表１
針状集塵電極使用のときは、塵が極めて少なくなること
が明かである。
が明かである。
なおこのときの真空度は、１Ｏ−９Ｔｏｒｒ台であった
。
。
（発明の効果）
本発明の集塵装置によれば、簡単な装置の付加で、基板
搬送に殆んど影響を与えずして、高真空下の集塵を高効
率で行なうことができる。
搬送に殆んど影響を与えずして、高真空下の集塵を高効
率で行なうことができる。
第１図は本発明の実施例の基板搬送部の断面図。
１・・・真空室、２・・・搬送の可動機構、３０・・・
高電圧電源、３１・・・針状集塵電極、５・・・基板。 特許出願人 日電アネルバ株式会社代理人
弁理士 村上 健次表１にて、針状集塵電極と板状
集塵電極の一方を使用するときは、他方は使用していな
い。即印加する電圧は０である。
高電圧電源、３１・・・針状集塵電極、５・・・基板。 特許出願人 日電アネルバ株式会社代理人
弁理士 村上 健次表１にて、針状集塵電極と板状
集塵電極の一方を使用するときは、他方は使用していな
い。即印加する電圧は０である。
Claims (2)
- （１）真空中で基板表面に膜堆積、エッチング、表面ク
リーニング等の処理を行なう真空処理装置の真空室内搬
送部の近傍に、放電を起こすに至らない直流の正の高電
圧を印加する針状の集塵電極を設けたことを特徴とする
真空処理装置の集塵装置。 - （２）前記集塵電極が針状突起部を備えたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の真空処理装置の集塵装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19396688A JPH0243961A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 真空処理装置の集麈装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19396688A JPH0243961A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 真空処理装置の集麈装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0243961A true JPH0243961A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16316730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19396688A Pending JPH0243961A (ja) | 1988-08-03 | 1988-08-03 | 真空処理装置の集麈装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243961A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012064935A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微粒子捕集装置及び真空処理装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS517358A (ja) * | 1974-07-08 | 1976-01-21 | Otake Yoshitomo | Inboryuutohirahagurumaokuichigaijikuhagurumatoshitemochiiru hoho |
-
1988
- 1988-08-03 JP JP19396688A patent/JPH0243961A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS517358A (ja) * | 1974-07-08 | 1976-01-21 | Otake Yoshitomo | Inboryuutohirahagurumaokuichigaijikuhagurumatoshitemochiiru hoho |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012064935A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微粒子捕集装置及び真空処理装置 |
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