JPH0244523Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0244523Y2 JPH0244523Y2 JP16368683U JP16368683U JPH0244523Y2 JP H0244523 Y2 JPH0244523 Y2 JP H0244523Y2 JP 16368683 U JP16368683 U JP 16368683U JP 16368683 U JP16368683 U JP 16368683U JP H0244523 Y2 JPH0244523 Y2 JP H0244523Y2
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- Japan
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- solar cell
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- capacitor
- substrate
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- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、複合機能を有する非晶質半導体太陽
電池に関する。
電池に関する。
太陽電池は、静電気等のサージ電圧によつてし
ばしば破損するので、これを防ぐには該太陽電池
と並列にコンデンサを接続することが考えられる
が、第1図示の太陽電池の外に第2図示のような
コンデンサが必要であるから、大型になり、また
両素子間を接続するリード線が必要であるから信
頼性に欠けると共に作業工数が多くなる不都合が
あつた。
ばしば破損するので、これを防ぐには該太陽電池
と並列にコンデンサを接続することが考えられる
が、第1図示の太陽電池の外に第2図示のような
コンデンサが必要であるから、大型になり、また
両素子間を接続するリード線が必要であるから信
頼性に欠けると共に作業工数が多くなる不都合が
あつた。
尚、第1図及び第2図において、aはガラス基
板で、太陽電池は、該ガラス基板aの上に透明電
極b,b、半導体層c及び背面電極dが被着され
て形成されたものであり、コンデンサはガラス基
板aの上にタンタル薄膜e、その薄膜eを陽極酸
化法により酸化させて形成した誘電体層f及びク
ロム等の電極層gが被着されて形成されたもので
ある。
板で、太陽電池は、該ガラス基板aの上に透明電
極b,b、半導体層c及び背面電極dが被着され
て形成されたものであり、コンデンサはガラス基
板aの上にタンタル薄膜e、その薄膜eを陽極酸
化法により酸化させて形成した誘電体層f及びク
ロム等の電極層gが被着されて形成されたもので
ある。
本考案は、上記のような不都合を解消すること
をその目的としたもので、一主面の一部を除いて
両主面に酸化皮膜1が形成されたタンタル等の金
属からなる基板2の該一主面に、背面電極層3、
半導体層4及び透明電極層5から成る少くとも1
個の電池エレメント6を有し、その一背面電極層
3が前記1主面の一部を含む区域に被着された太
陽電池7が形成され、他の一主面にコンデンサ電
極としての導電層8が形成され、該導電層8と前
記透明電極5とが接続導体9により互に接続され
てなる。
をその目的としたもので、一主面の一部を除いて
両主面に酸化皮膜1が形成されたタンタル等の金
属からなる基板2の該一主面に、背面電極層3、
半導体層4及び透明電極層5から成る少くとも1
個の電池エレメント6を有し、その一背面電極層
3が前記1主面の一部を含む区域に被着された太
陽電池7が形成され、他の一主面にコンデンサ電
極としての導電層8が形成され、該導電層8と前
記透明電極5とが接続導体9により互に接続され
てなる。
以下本考案の実施例を図面につき説明する。
本考案の太陽電池を作るには、先ず、タンタ
ル、アルミニウム等の金属を用いた基板2一主面
の一部に樹脂マスク10を施して陽極酸化法によ
り400〜2000Åの膜厚の誘電体層としての酸化皮
膜1を第3図示のように該樹脂マスク10の部分
以外の両主面に形成した。
ル、アルミニウム等の金属を用いた基板2一主面
の一部に樹脂マスク10を施して陽極酸化法によ
り400〜2000Åの膜厚の誘電体層としての酸化皮
膜1を第3図示のように該樹脂マスク10の部分
以外の両主面に形成した。
次いで、該樹脂マスク10を除き、該マスク9
が除かれて露出した基板2の一部を含む区域と、
同一主面の他の個所の2個所に第4図示のように
アルミニウム等の背面電極層3を真空蒸着法ある
いは電子ビーム蒸着法等で5000Å〜20000Åの膜
厚に被着した。その後、第5図に示すように該背
面電極層3の上にシランガスを主原料としドーピ
ングガスとしてホスフイン、ジボランを用いグロ
ー放電分解法によりp層、i層、n層又はn層、
i層、p層の順にて非晶質シリコン等の非晶質半
導体層4を形成し、更にその上部に酸化錫、酸化
インジウム、酸化インジウム錫をスプレー法、電
子ビーム蒸着法あるいはスパツタ法により被着し
膜厚300〜10000Å、シート抵抗10Ω/口〜200
Ω/口の透明電極層5を形成し、必要に応じて該
透明電極層5及び酸化皮膜1上に図示しないが保
護皮膜を形成した。かくて基板2の一主面上には
直列に接続された2個の電池エレメント6,6を
有する太陽電池7が形成される。
が除かれて露出した基板2の一部を含む区域と、
同一主面の他の個所の2個所に第4図示のように
アルミニウム等の背面電極層3を真空蒸着法ある
いは電子ビーム蒸着法等で5000Å〜20000Åの膜
厚に被着した。その後、第5図に示すように該背
面電極層3の上にシランガスを主原料としドーピ
ングガスとしてホスフイン、ジボランを用いグロ
ー放電分解法によりp層、i層、n層又はn層、
i層、p層の順にて非晶質シリコン等の非晶質半
導体層4を形成し、更にその上部に酸化錫、酸化
インジウム、酸化インジウム錫をスプレー法、電
子ビーム蒸着法あるいはスパツタ法により被着し
膜厚300〜10000Å、シート抵抗10Ω/口〜200
Ω/口の透明電極層5を形成し、必要に応じて該
透明電極層5及び酸化皮膜1上に図示しないが保
護皮膜を形成した。かくて基板2の一主面上には
直列に接続された2個の電池エレメント6,6を
有する太陽電池7が形成される。
また、基板2の他の主面にはアルミニウム等の
導電層8を真空蒸着法等により例えば1000Å〜
2000Åの膜厚で形成した。この導電層8は基板2
を一方の電極とし、酸化皮膜1を誘電層とするコ
ンデンサの他方の電極として作用するものであ
る。
導電層8を真空蒸着法等により例えば1000Å〜
2000Åの膜厚で形成した。この導電層8は基板2
を一方の電極とし、酸化皮膜1を誘電層とするコ
ンデンサの他方の電極として作用するものであ
る。
太陽電池7の図の左方の一極である透明電極層
5と、コンデンサの電極である導電層8とは、接
続導体9例えばリード線11をはんだ付けできる
コ字形外部接続用端子金具を基板2に弾発的に挾
着することにより接続するようにした。
5と、コンデンサの電極である導電層8とは、接
続導体9例えばリード線11をはんだ付けできる
コ字形外部接続用端子金具を基板2に弾発的に挾
着することにより接続するようにした。
第5図において、12は背面電極層3の一部の
外部導出電極とコンデンサの酸化皮膜1に圧接す
るコ字形外部接続用端子金具であり、これにはん
だ付けすることによりリード線11を太陽電池7
の図の右方の一極より導出するようにした。以上
の構成によれば、太陽電池7の図の右方の一極は
コンデンサの一極である基板2と接触し、図の左
方の一極は接続導体9によりコンデンサの導電層
8と接続されるから太陽電池7とコンデンサは並
列に接続される。かくして、図の上方より矢示の
ように太陽光線が照射すればリード線11,11
に超電力が出力し、外部から静電気等のサージ電
圧が入力してもコンデンサに吸収されるので太陽
電池は破損することがなく、また入射する光が変
動しても安定した出力特性が得られる。
外部導出電極とコンデンサの酸化皮膜1に圧接す
るコ字形外部接続用端子金具であり、これにはん
だ付けすることによりリード線11を太陽電池7
の図の右方の一極より導出するようにした。以上
の構成によれば、太陽電池7の図の右方の一極は
コンデンサの一極である基板2と接触し、図の左
方の一極は接続導体9によりコンデンサの導電層
8と接続されるから太陽電池7とコンデンサは並
列に接続される。かくして、図の上方より矢示の
ように太陽光線が照射すればリード線11,11
に超電力が出力し、外部から静電気等のサージ電
圧が入力してもコンデンサに吸収されるので太陽
電池は破損することがなく、また入射する光が変
動しても安定した出力特性が得られる。
このように本考案によるときは、基板2の一主
面に太陽電池を形成し、他の主面に該基板2を一
方の電極とするコンデンサを形成するとともに太
陽電極の一背面電極層3を直接基板2と接触する
ように形成したので、複合機能を有する太陽電池
が小型に形成できると共に接続の信頼性が向上
し、作業工数の減少によりコストが低減する等の
効果を有する。
面に太陽電池を形成し、他の主面に該基板2を一
方の電極とするコンデンサを形成するとともに太
陽電極の一背面電極層3を直接基板2と接触する
ように形成したので、複合機能を有する太陽電池
が小型に形成できると共に接続の信頼性が向上
し、作業工数の減少によりコストが低減する等の
効果を有する。
第1図は従来の単機能の太陽電池の側面図、第
2図はコンデンサの側面図、第3図及び第4図は
それぞれ本考案の太陽電池の製作過程を示す平面
図、第5図は本考案の1実施例の側面図を示す。 1……酸化皮膜、2……基板、3……背面電極
層、4……半導体層、5……透明電極層、6……
電池エレメント、7……太陽電池、8……導電
層、9……接続導体。
2図はコンデンサの側面図、第3図及び第4図は
それぞれ本考案の太陽電池の製作過程を示す平面
図、第5図は本考案の1実施例の側面図を示す。 1……酸化皮膜、2……基板、3……背面電極
層、4……半導体層、5……透明電極層、6……
電池エレメント、7……太陽電池、8……導電
層、9……接続導体。
Claims (1)
- 一主面の一部を除いて両主面に酸化皮膜1が形
成されたタンタル等の金属からなる基板2の該一
主面に、背面電極層3、半導体層4及び透明電極
層5から成る少くとも1個の電池エレメント6を
有し、その1背面電極3が前記一主面の一部を含
む区域に被着された太陽電池7が形成され、他の
一主面にコンデンサ電極としての導電層8が形成
され、該導電層8と前記透明電極5とが接続導体
9により互に接続されてなる非晶質半導体太陽電
池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16368683U JPS6071150U (ja) | 1983-10-22 | 1983-10-22 | 非晶質半導体太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16368683U JPS6071150U (ja) | 1983-10-22 | 1983-10-22 | 非晶質半導体太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6071150U JPS6071150U (ja) | 1985-05-20 |
| JPH0244523Y2 true JPH0244523Y2 (ja) | 1990-11-27 |
Family
ID=30359086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16368683U Granted JPS6071150U (ja) | 1983-10-22 | 1983-10-22 | 非晶質半導体太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6071150U (ja) |
-
1983
- 1983-10-22 JP JP16368683U patent/JPS6071150U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6071150U (ja) | 1985-05-20 |
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