JPH0244789B2 - - Google Patents

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JPH0244789B2
JPH0244789B2 JP57170822A JP17082282A JPH0244789B2 JP H0244789 B2 JPH0244789 B2 JP H0244789B2 JP 57170822 A JP57170822 A JP 57170822A JP 17082282 A JP17082282 A JP 17082282A JP H0244789 B2 JPH0244789 B2 JP H0244789B2
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JP
Japan
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carbide
composite according
tin
substrate
composite
Prior art date
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JP57170822A
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Japanese (ja)
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JPS5950085A (en
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Intoraataa Josefu
Baatorudo Jiin
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ADOBANSUDO TEKUNOROJII Inc
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ADOBANSUDO TEKUNOROJII Inc
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Publication date
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  • Aftertreatments Of Artificial And Natural Stones (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は金属又はメタロイド又はその混合物の
チタン酸塩、ケイ酸塩、ひ化物、けい化物、テル
ル化物、りん化物、窒化物(窒化ホウ素を除く)、
酸化物(アルミナ、ジルコニア、サフアイア、石
英、ベリリアを除く)、ホウ化物(二ホウ化チタ
ンを除く)、炭化物(炭化けい素を除く)、鉄鋼ま
たはそれらの混合物或は圧縮成形体を基体又は基
礎要素とする複合体に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to titanates, silicates, arsenides, silicides, tellurides, phosphides, nitrides (excluding boron nitride) of metals or metalloids or mixtures thereof;
Base or foundation of oxides (excluding alumina, zirconia, saphire, quartz, and beryllia), borides (excluding titanium diboride), carbides (excluding silicon carbide), steel, or mixtures or compression molded bodies thereof Concerning complexes as elements.

これらの複合体においては錫、鉛、インジウム
又はそれらの合金とその一部又は全部が炭化物又
はカルボニルを形成しているCr、Ni、Vなどの
ような炭化物又はカルボニルを形成しやすい金属
との合金層がコーテイング、フイルム、層又は中
間層形成体として使用され、かつ一酸化炭素雰囲
気において基体と上記コーテイングなどとが結合
されて、加熱においても濡れ低下性
(dewettable)がなく、該コーテイングなどと基
体との間の濡れ角度即ち接触角が零乃至負であ
り、界面には空〓のない複合体を生成するもので
ある。ここにおいて「濡れ低下性」とは加熱によ
つて上記コーテイングが液状であるとき、該コー
テイングが半球状として固まる状態を意味する。
In these composites, alloys of tin, lead, indium, or their alloys with metals that tend to form carbides or carbonyls, such as Cr, Ni, and V, in which some or all of them form carbides or carbonyls. If the layer is used as a coating, film, layer or interlayer, and the coating is bonded to the substrate in a carbon monoxide atmosphere, it is not dewettable even when heated, and the coating and the substrate are bonded together in a carbon monoxide atmosphere. The wetting angle, that is, the contact angle between the two is zero to negative, and a composite is formed with no voids at the interface. As used herein, "reducing wettability" means a state in which the coating hardens into a hemispherical shape when the coating is in a liquid state due to heating.

我々はさきの出願(特願昭56−88741号特公昭
63−32759号))において、錫、鉛、インジウム又
はそれらの合金を前述の炭化物又はカルボニルを
形成し易い金属と混合して、接着コーテイングを
生成するのに特に有用であることが発見された
種々の基体及び接着コーテイングについて開示し
た。本発明は上記の出願の発明の種々の点を利
用、調査している間になされたものであつて、異
なる材料を基体と結合するのが非常に困難である
ことが従来から知られている基体に応用して特に
有用であることが知見された次の発見に基くもの
である。
We filed the previous application (Patent Application No. 88741/1988)
No. 63-32759), tin, lead, indium or their alloys are mixed with the aforementioned carbide- or carbonyl-forming metals which have been found to be particularly useful for producing adhesive coatings. disclosed substrates and adhesive coatings. The present invention was made while utilizing and investigating various aspects of the invention of the above-mentioned application, and it has been known for a long time that it is very difficult to bond different materials to a substrate. It is based on the following discoveries which have been found to be particularly useful when applied to substrates.

さきの出願において開示されているように、
錫、鉛、インジウム又はそれらの合金と炭化物及
びカルボニルを形成し易い金属との組合せは、そ
れらが適当に混合され、次いで基体と一酸化炭素
雰囲気において結合されるとき従来から知られて
おらず、而も予知されない結果が得られているこ
とが知見され、この発見はこれまで結合すること
が非常に困難である基体と金属とを結合する可能
性の途を開いた。従来から実質的に空〓がなく、
大なる接着性と測定できない耐性の増加とを有す
る良好な結合を容易に形成することができなかつ
た種々の基体に上記方法を実施することによつ
て、すぐれた収量で形成されることが知見され
た。これは種々の基体に対して可能であり、又基
体上の錫、鉛、インジウム合金はさらに他の基体
又は金属と種々の形で結合できるため熱放散、電
流伝導などが目的の電子工業の如き多くの用途に
有用にして、従来から知られていない新規の基体
を提供し、かつこれらの装置間に汚染のない、実
質的に全く気孔のない(顕微鏡試験による)結合
を形成するものである。即ち、圧電体例えばチタ
ン酸バリウムの如き装置及びひ化アルミニウムガ
リウムに基くようなレーザー光線電振器は、導電
性物質又は基礎要素或は熱伝導性であるがなお電
気絶縁性の基礎要素に好結果の基体の結合に対し
て予め必要な、有用な適用と利用とに対しコスト
の一部で安易な手段で容易に結合、製作すること
ができる。
As disclosed in the earlier application,
The combination of tin, lead, indium or their alloys with metals that tend to form carbides and carbonyls is hitherto unknown when they are suitably mixed and then bonded to a substrate in a carbon monoxide atmosphere. However, it was discovered that unexpected results were obtained, and this discovery opened the door to the possibility of bonding metals with substrates that had been extremely difficult to bond to. Traditionally, there has been virtually no vacancy,
It has been found that good bonds with great adhesion and an unmeasurable increase in resistance can be formed in excellent yields by carrying out the above method on various substrates on which it was not possible to form easily. It was done. This is possible for a variety of substrates, and the tin, lead, and indium alloys on the substrate can be further combined with other substrates or metals in various ways, making it ideal for applications such as those in the electronics industry where heat dissipation, current conduction, etc. are desired. They are useful in many applications, provide novel and previously unknown substrates, and form contamination-free, virtually pore-free (by microscopic examination) bonds between these devices. . That is, devices such as piezoelectric materials, such as barium titanate, and laser beam generators, such as those based on aluminum gallium arsenide, have been shown to be effective for electrically conductive materials or base elements or for thermally conductive but still electrically insulating base elements. It can be easily bonded and manufactured by simple means at a fraction of the cost for useful applications and uses.

前述に鑑み、さきの出願における開示はここで
参考とするが、繰返して詳述しない。一般に、同
じ雰囲気条件が、同じ温度範囲とともに適用さ
れ、これらは必要な条件で基体に対し確立され
る。同様に、適当な結合が一酸化炭素の還元性雰
囲気により生ずる滞留時間は必要に応じ確立され
るが、一般にさきの出願に記載される範囲内であ
る。使用される特殊の温度及び滞留時間は特殊の
基体に対し最適のものであり、必要条件の単なる
所定の確立は本発明の実施が適用されることを求
めている工業的設備において実施されるとき、何
れの場合でも遂行される。
In view of the foregoing, the disclosure in the earlier application is hereby incorporated by reference, but will not be repeated in detail. Generally, the same atmospheric conditions are applied, along with the same temperature ranges, and these are established for the substrate at the required conditions. Similarly, the residence time provided by the reducing atmosphere of carbon monoxide for suitable bonding is established as necessary, but is generally within the ranges described in the earlier application. The particular temperatures and residence times used are those that are optimal for the particular substrate and the mere predetermined establishment of the necessary conditions when carried out in the industrial installation to which the practice of the invention is sought to be applied. , is carried out in either case.

一酸化炭素は極めてすぐれた還元剤であるけれ
ども、他の相容性の還元剤と混合することもでき
る。同様に、それは一酸化炭素の反応機構又は還
元性に影響を与えないところの一酸化炭素と相容
性の他のガスで希釈することもできる。還元性雰
囲気が確立され、かつ適当な結合が例えば実質的
に気孔がなく、前述のように十分な濡れと密接な
付着とによつて形成された後、還元性雰囲気は適
当に除かれ、他の不活性雰囲気が置換されて形成
される複合体を冷却する。基体及び物質の予熱は
同様に水素の如き還元ガスにおいてなすことがで
きるけれども、後続の冷却と同じ手段で、始動す
る加熱は不活性雰囲気において行なうことができ
る。然しながら、最も有効な手段で、特にすぐれ
たものは基体、層などを、錫、鉛、インジウム及
び(又は)それらの合金及び炭化物又はカルボニ
ル形成金属と基体、錫など及び(又は)炭化物又
はカルボニル形成体金属がどういうわけか相乗的
に相互作用するような一酸化炭素の存在において
結合することである。
Although carbon monoxide is an excellent reducing agent, it can also be mixed with other compatible reducing agents. Similarly, it can be diluted with other gases compatible with carbon monoxide which do not affect the reaction mechanism or reducibility of carbon monoxide. After a reducing atmosphere has been established and a suitable bond has been formed, e.g. by substantially pore-free, sufficient wetting and intimate adhesion as described above, the reducing atmosphere is suitably removed and other The inert atmosphere is replaced to cool the formed composite. Although preheating of the substrate and material can likewise be done in a reducing gas such as hydrogen, the initial heating can be done in an inert atmosphere by the same means as the subsequent cooling. However, the most effective means, and the most advantageous, are to form substrates, layers, etc. with tin, lead, indium and/or their alloys and carbides or carbonyl-forming metals, tin, etc. and/or carbides or carbonyl-forming metals. It is in the presence of carbon monoxide that the body metals somehow interact synergistically.

炭化物又はカルボニル形成金属は種々の形式で
使用されるけれども、コロイド状から始まり、微
粒子状で3.175mm(1/8インチ)までの微細粒子で
使用するのが最も有利である。これらの微粒子は
錫などの金属に、例えば捏造及び(又は)加温成
形又は同様の方法によるそれに助けになる条件の
下において分散され;同様に、それらの極めて微
細な形式でのその他方における一方の分散質はロ
ジン油又は分散液より容易に蒸発する種々のフレ
オンの如きビヒクルに適当に混合される。分散液
はそれから基体上に塗布されるか又は基体の厚さ
によつてスクリーン法又は印刷によつてそれに適
用される。その後、材料が適当な条件の下におい
て前述の如き還元性雰囲気で挿入される。斯くし
て、導電性通路又は同効物の如き異なる型(パタ
ーン)が回路などを形成するために基体上に形成
される。
Although the carbide or carbonyl-forming metals are used in a variety of forms, they are most advantageously used in fine particles starting from colloids to fine particles up to 1/8 inch. These fine particles are dispersed in a metal such as tin under conditions conducive to it, for example by forging and/or hot molding or similar methods; likewise on the other hand in their extremely fine form. The dispersoid is suitably mixed in a vehicle such as rosin oil or a variety of Freon that evaporates more easily than the dispersion. The dispersion is then coated onto the substrate or applied to it by screening or printing, depending on the thickness of the substrate. The material is then inserted under appropriate conditions in a reducing atmosphere as described above. Thus, different patterns, such as conductive paths or the like, are formed on the substrate to form circuits and the like.

さきの出願において与えられている基体例のあ
るものはこれまで開示されない基体とこの出願に
おいて同程度によく結合される。従つて、本出願
において開示し、請求しているような種々の基体
はここに開示しているような目的に対し有用な顕
著にして新規な組合せで結合することができる。
斯くして、電子顕微鏡に使用される非常に有効な
電子源として有用なホウ化ランタン、LaB6は最
初に錫−バナジウムで被覆されるとき、電気装置
に著るしく結合できる。この基体は一酸化炭素の
雰囲気において約1000℃で、約15〜2%のバナジ
ウム、残部錫より成る混合物で良好に結合又は被
覆される。
Some of the example substrates given in the earlier application combine equally well with substrates not previously disclosed in this application. Accordingly, the various substrates as disclosed and claimed in this application can be combined in distinct and novel combinations useful for purposes as disclosed herein.
Thus, lanthanum boride, LaB6 , useful as a highly effective electron source used in electron microscopy, can be significantly bonded to electrical devices when first coated with tin-vanadium. This substrate is successfully bonded or coated with a mixture of about 15-2% vanadium, balance tin, at about 1000 DEG C. in an atmosphere of carbon monoxide.

これらの粉末の均質混合、微細な形におけるそ
れらの容易な分散性及び基体への容易な適用はこ
れらの組合せを前述の如き他の種々の基体に適用
する目的に対し貢献する。
The homogeneous mixing of these powders, their easy dispersibility in finely divided form and their easy application to substrates contribute to the purpose of applying these combinations to a variety of other substrates as mentioned above.

ひ化ガリウム又はひ化アルミニウムガリウム上
にフイルム、層などを形成し、かつ(又は)ひ化
ガリウム又はひ化アルミニウムガリウムを種々の
基体と結合するのに他の同様に容易な方法が錫と
炭化物又はカルボニル形成金属との組合せを使用
するとき発見された。これらのあるものは例えば
Cr−Sn、V−Sn、Mo−Sn、W−Sn、Fe−Sn、
Ti−Sn、Ta−Sn、Mn−Sn、Ni−Sn及びCo−
Snである。
Other equally easy methods for forming films, layers, etc. on gallium arsenide or aluminum gallium arsenide and/or bonding gallium arsenide or aluminum gallium arsenide with various substrates include tin and carbides. or when used in combination with carbonyl-forming metals. Some of these are for example
Cr-Sn, V-Sn, Mo-Sn, W-Sn, Fe-Sn,
Ti-Sn, Ta-Sn, Mn-Sn, Ni-Sn and Co-
Sn.

上記組合せの%は約15〜2%の炭化物又はカル
ボニル形成金属、残り錫であり、好ましい範囲は
ひ化ガリウム又はひ化アルミニウムガリウムに結
合されるとき約10〜15%の炭化物又はカルボニル
形成金属である。上記と同様に、特にSn−Vの
組合せは窒化ケイ素又は酸化ケイ素に接着コーテ
イングを形成するのに容易に使用され、斯くして
種々の層の組合せを形成する(これらの他、順繰
りに他の前述の基体に結合される)。上述の炭化
物又はカルボニル形成金属の他、これらの混合物
も同様に有用である。例えば、Cr、V、Mo及び
90%のSnに対し10%のCoより成るコバルト混合
物に対する10%のニツケルの添加は炭化タングス
テンの如き基体に、ここに述べたような基体との
組合せにおいて同様に顕著な接着を生ずる。
The percentage of the above combination is about 15-2% carbide or carbonyl-forming metal, balance tin, with a preferred range being about 10-15% carbide- or carbonyl-forming metal when combined with gallium arsenide or aluminum gallium arsenide. be. Similar to the above, Sn-V combinations in particular are readily used to form adhesive coatings on silicon nitride or silicon oxide, thus forming various layer combinations (besides these, in turn, etc.). bonded to the aforementioned substrate). In addition to the carbide- or carbonyl-forming metals mentioned above, mixtures thereof are useful as well. For example, Cr, V, Mo and
The addition of 10% nickel to a cobalt mixture of 90% Sn to 10% Co produces similarly pronounced adhesion to substrates such as tungsten carbide in combination with the substrates described herein.

さらに、ライトカツテングダイオード(Light
cutting diode)用のような高周波数で使用され
るりん化ガリウムは炭化物又はカルボニル形成金
属との錫、インジウム、鉛合金である例えば90%
のSn、5%のV及び5%のNiで一酸化炭素の雰
囲気において900℃で被覆される。著しく接着性
の結合が形成された。同様な手段において、錫な
どに対しバナジウムを前述と同じ割合で使用し、
又ニツケル、ジルコニウムオルト−シリケート自
体又はケイ酸マグネシウムとの混合物及びさらに
ケイ酸アルミニウムと混合する前記の2つは同じ
条件で一酸化炭素において著しい接着特性を有し
て良好に被覆される。
In addition, a light cutting diode (Light
Gallium phosphide used at high frequencies such as for cutting diodes is a tin, indium, lead alloy with carbide or carbonyl forming metals e.g. 90%
of Sn, 5% V and 5% Ni at 900° C. in a carbon monoxide atmosphere. A highly adhesive bond was formed. In a similar manner, vanadium is used in the same proportions as above to tin, etc.
Also, nickel, zirconium ortho-silicate itself or in mixtures with magnesium silicate and also with aluminum silicate are well coated with remarkable adhesion properties in carbon monoxide under the same conditions.

前記と同じ手段でさらに、種々のチタン酸塩例
えばチタン酸バリウム;ケイ酸塩例えばホウケイ
酸塩ガラス、ソーダー石灰−シリケートガラス;
窒化物例えば窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒
化チタン;酸化物例えばホウ素、ケイ素、鉄、チ
タン、亜鉛の酸化物、ルビーの如きアルミニウム
の酸化物;ひ化物;けい化物;テルル化物、炭化
物例えば炭化タングステン、炭化チタン、炭化ホ
ウ素、鉄鋼例えばステンレス鋼及び同効物が錫含
有炭化物又はカルボニル形成金属で結合される。
In addition, in the same way as above, various titanates such as barium titanate; silicates such as borosilicate glass, sodalime-silicate glass;
Nitrides such as silicon nitride, aluminum nitride, titanium nitride; oxides such as oxides of boron, silicon, iron, titanium, zinc, oxides of aluminum such as ruby; arsenides; silicides; tellurides, carbides such as tungsten carbide, Titanium carbide, boron carbide, steel such as stainless steel and the like are bonded with tin-containing carbides or carbonyl-forming metals.

本法によれば、複合体はすぐれた機械的及び
(又は)電気的及び(又は)熱伝導特性を有する。
新規な金属を使用する必要はなく又スパツタリン
グも必要とせずかつ極めて堅実にして強固な結合
が形成される。温度が種々の基体で調節できるの
でこれまでできなかつたような、例えばこれまで
これらの温度制限が達成できなかつたステンレス
鋼に結合するときのような特別製のケースにおい
て高温要求を遭遇することができる。
According to the method, the composite has excellent mechanical and/or electrical and/or thermal conductive properties.
No new metals are required, no sputtering is required, and a very solid and strong bond is formed. Because the temperature can be adjusted on a variety of substrates, high temperature demands can be encountered in specially made cases, for example when bonding to stainless steel, where heretofore these temperature limits have not been achievable. can.

大体において、本発明はセラミツクスと金属と
の混合物より成るサーメツトとして知られている
セラミツク型の物質を包含する金属又はメタロイ
ドの酸化物、窒化物、ひ化物、チタン酸塩、テル
ル化物、ケイ化物、ホウ化物、りん化物及び炭化
物などを包含する同効物に適用できることを発見
した。これらは粉末の形において例えば非常に高
い圧力の下(粉末の鑵において、また周知の技術
のように高い均衡的圧力に付されるとき)で非常
な強固なマスに均衡的に圧縮されるとき、基体物
質として特に有用であることが発見された。
In general, the present invention relates to oxides, nitrides, arsenides, titanates, tellurides, silicides of metals or metalloids, including ceramic-type materials known as cermets, which consist of mixtures of ceramics and metals; It has been discovered that the present invention can be applied to the same effective substances including borides, phosphides and carbides. When these are in powder form, for example, when compressed isostatically into a very solid mass under very high pressure (in powder irons and when subjected to high isostatic pressures as in the well-known art) , has been found to be particularly useful as a substrate material.

これらの基体物質は相容性であるか又は相容性
でないが強い、互に又は他の同様の形式で微細な
分散液を形成する形式の粉末として分布され、次
いで顕著な性質の極めて稠密な形に均衡的に圧縮
され得る。斯くして、これらはその後錫などと炭
化物又はカルボニル形成金属とによつて他の金
属、セラミツクス、サーメツト及び同効物に結合
される処のセラミツク又はサーメツト(セラミツ
ク、金属の組合せ)とすることができる。その後
ここに記載するように炭化物又はカルボニル形成
金属と混合する錫、鉛、インジウム又はそれらの
合金体で結合されるとき、これらの基体はお互に
又は他の金属及びサーメツトと強い結合を有しか
つ上述の種々の目的に使用される。
These substrate materials are either compatible or incompatible but strong, distributed as powders in the form of fine dispersions of each other or other similar forms, and then very dense particles of remarkable nature. Can be evenly compressed into shape. They can thus be made into ceramics or cermets (ceramics, metal combinations) which are subsequently bonded to other metals, ceramics, cermets and the like by means of tin etc. and carbides or carbonyl-forming metals. can. When subsequently bonded with tin, lead, indium, or alloys thereof mixed with carbides or carbonyl-forming metals as described herein, these substrates have strong bonds with each other or with other metals and cermets and Used for the various purposes mentioned above.

次に本発明の実施例を示すが、本発明はこれに
限るものではない。
Next, examples of the present invention will be shown, but the present invention is not limited thereto.

実施例 1 ホウ化ランタン(LaB6)より成る基体につい
ては5%Cr−Sn、5%Ni−5%V−Sn、2.5%
Cr−2.5%V−Sn、5%Cr−5%Ni−5%V−
Sn、2.0%Cr−2.0%V−2%Ni−Sn、2.5%Ni−
2.5%V−Snの各混合物を使用して800℃にて3分
間、10〜100Vol%のCO雰囲気下で加熱すると、
ホウ化ランタンの表面上に接着コーテイングを形
成することができる。これらの混合物は濡れ低下
せず、例えば電子顕微鏡に有効に使用される。
Example 1 For a substrate consisting of lanthanum boride ( LaB6 ) 5% Cr-Sn, 5% Ni-5% V-Sn, 2.5%
Cr-2.5%V-Sn, 5%Cr-5%Ni-5%V-
Sn, 2.0%Cr-2.0%V-2%Ni-Sn, 2.5%Ni-
Using each mixture of 2.5% V-Sn and heating at 800 °C for 3 minutes under a 10-100 Vol% CO atmosphere,
An adhesive coating can be formed on the surface of the lanthanum boride. These mixtures do not degrade in wetting and are usefully used, for example, in electron microscopy.

実施例 2 レーザ光線電振器に使用されるようなひ化ガリ
ウム及びりん砒化ガリウム、りん化アルミニウム
ガリウムより成る基体には、5%Cr−Sn、5%
Cr−5%Ni−5%V−Sn、5%V−Sn、2.5%
Cr−2.5%V−Sn、5%Ni−5%V−Sn、の混合
物が使用され、580℃にて10分間、10〜100vol%
CO雰囲気下で加熱する。
Example 2 A substrate made of gallium arsenide, gallium phosphorus arsenide, and aluminum gallium phosphide, such as those used in a laser beam electric oscillator, contains 5% Cr-Sn and 5% Cr-Sn.
Cr-5%Ni-5%V-Sn, 5%V-Sn, 2.5%
A mixture of Cr-2.5% V-Sn, 5% Ni-5% V-Sn was used, and 10 to 100 vol% was used at 580°C for 10 minutes.
Heat under CO atmosphere.

実施例 3 チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムよ
り成る圧電体には5%Cr−Sn、5%V−Sn、2.5
%Cr−2.5%V−Sn、2.5%Fe−2.5%Cr−Sn、2.5
%Ni−2.5%V−Snの混合物が使用され、800℃
にて4〜6分間、1〜10vol%のCO雰囲気下で加
熱する。
Example 3 Piezoelectric material made of barium titanate and strontium titanate contains 5% Cr-Sn, 5% V-Sn, 2.5
%Cr-2.5%V-Sn, 2.5%Fe-2.5%Cr-Sn, 2.5
A mixture of %Ni-2.5%V-Sn was used at 800℃
Heat for 4-6 minutes at 1-10 vol% CO atmosphere.

その他、ケイ酸アルミニウム、テルル化物、窒
化物及び他のセラミツクスより成る基体にも5%
Cr−Sn、5%V−Sn、2.5%Cr−2.5%V−Sn、
2.5%Ni−2.5%V−Snより成る混合物が使用さ
れ、800〜900℃にて2〜5分間、10〜100vol%の
CO雰囲気下で加熱すると、接着性コーテイング
を基体上に形成することができる。
5% for other substrates made of aluminum silicate, telluride, nitride and other ceramics.
Cr-Sn, 5%V-Sn, 2.5%Cr-2.5%V-Sn,
A mixture consisting of 2.5%Ni-2.5%V-Sn was used, and 10-100vol% of
Upon heating under a CO atmosphere, an adhesive coating can be formed on the substrate.

また同様に5%Ni−5%V−Sn又は5%Cr−
5%Ni−5%V−Snは炭化ホウ素、炭化チタン、
炭化タングステン、窒化アルミニウム、窒化チタ
ン、窒化ケイ素、鉄、ケイ素、チタン、亜鉛の酸
化物及びルビーの如きアルミニウムの酸化物、り
ん化インジウム、りん化ガリウム、ケイ酸ジルコ
ニウム、パイレツクスガラスの如きホウケイ酸塩
ガラス、窓ガラスの如きソーダ−石英−ケイ酸塩
ガラスを基体とする場合に使用され、また3%
Cr−3%V−Snはガラスを基体とする場合に使
用できる。
Similarly, 5%Ni-5%V-Sn or 5%Cr-
5%Ni-5%V-Sn is boron carbide, titanium carbide,
Tungsten carbide, aluminum nitride, titanium nitride, silicon nitride, oxides of iron, silicon, titanium, zinc and oxides of aluminum such as ruby, borosilicate such as indium phosphide, gallium phosphide, zirconium silicate, pyrex glass. Used when the substrate is soda-quartz-silicate glass such as salt glass and window glass, and 3%
Cr-3%V-Sn can be used when the substrate is glass.

さらに上記複合体にはNi、Cu、Moより成る上
張りを形成することもできる。
Furthermore, the above-mentioned composite may be provided with an overlay made of Ni, Cu, or Mo.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 金属又はメタロイド又はその混合物のチタン
酸塩、ケイ酸塩、ひ化物、けい化物、テルル化
物、りん化物、窒化物(窒化ホウ素を除く)、酸
化物(アルミナ、ジルコニア、サフアイア、石
英、ベリリアを除く)、ホウ化物(二ホウ化チタ
ンを除く)、炭化物(炭化けい素を除く)、鉄鋼ま
たはそれらの混合物或はそれらの圧縮成形体から
成る基体上に、一部又は全部がその炭化物又はカ
ルボニルを形成しているクロム、チタン、ハフニ
ウム、ジルコニウム、コバルト、鉄、ニツケル、
マンガン、レニウム、ルテニウム、ロジウム、オ
スミウム、イリジウム、バナジウム、ニオブ、タ
ンタル、タングステン、モリブデン或はそれらの
混合物と錫、鉛、インジウム又はその各合金とか
ら成る合金被覆層を接着コーテイング、フイルム
又は層として有する複合体。 2 一部又は全部がその炭化物またはカルボニル
を形成しているCr、Ti、Hf、Zr、Co、Fe、Ni、
Mn、Re、Ru、Rh、Os、Ir、V、Nb、Ta、W、
Mo又はそれらの混合物と錫、鉛、インジウムま
たはその各合金の錫族金属とから成り、かつ炭化
物またはカルボニルを形成している当該金属が1
〜40%であり、残余が錫族金属から成る合金を被
覆層として基体上に有する特許請求の範囲第1項
記載の複合体。 3 一部又はその全部がその炭化物またはカルボ
ニルを形成している上記金属が2〜15%であり、
残余が錫族金属である特許請求の範囲第2項記載
の複合体。 4 一部又は全部が炭化物を形成している金属が
クロムである特許請求の範囲第1項記載の複合
体。 5 一部又は全部が炭化物を形成している金属が
バナジウムである特許請求の範囲第1項記載の複
合体。 6 一部又は全部が炭化物を形成している金属が
バナジウムと混合したニツケルである特許請求の
範囲第1項記載の複合体。 7 一部又は全部が炭化物を形成しているクロム
が5〜15%であり、残余が錫である特許請求の範
囲第1項記載の複合体。 8 一部又は全部が炭化物を形成しているモリブ
デンが5〜15%であり、残余が錫である特許請求
の範囲第1項記載の複合体。 9 一部又は全部が炭化物を形成しているバナジ
ウムがインジウムと混合されている特許請求の範
囲第1項記載の複合体。 10 一部又は全部が炭化物又はカルボニルを形
成している鉄が錫と5対95の比で混合されている
特許請求の範囲第1項記載の複合体。 11 錫合金が錫−鉛合金である特許請求の範囲
第1項記載の複合体。 12 基体構造物がひ化ガリウム、ひ化アルミニ
ウム、ひ化アルミニウムガリウム、りん化ガリウ
ム、りん化アルミニウムガリウムまたはりん砒化
ガリウムである特許請求の範囲第1項記載の複合
体。 13 上記二ホウ化チタンを除くホウ化物の基体
がLaB6で示されるホウ化ランタンである特許請
求の範囲第1項記載の複合体。 14 基体がチタン酸バリウム、チタン酸ストロ
ンチウム、オルトケイ酸ジルコニウム、オルトケ
イ酸ニツケル、ケイ酸マグネシウム、またはケイ
酸アルミニウム、あるいはこれらのケイ酸塩の混
合物である特許請求の範囲第1項記載の複合体。 15 上記窒化ホウ素を除く窒化物の基体が窒化
ケイ素である特許請求の範囲第1項記載の複合
体。 16 上記アルミナ、ジルコニア、サフアイア、
石英、ベリリアを除く酸化物の基体が酸化ホウ素
である特許請求の範囲第1項記載の複合体。 17 上記炭化ケイ素を除く炭化物の基体が炭化
タングステンである特許請求の範囲第1項記載の
複合体。 18 金属またはメタロイドまたはその混合物の
チタン酸塩、ケイ酸塩、ひ化物、けい化物、テル
ル化物、りん化物、窒化物(窒化ホウ素を除く)、
酸化物(アルミナ、ジルコニア、サフアイア、石
英、ベリリアを除く)、ホウ化物(二ホウ化チタ
ンを除く)、炭化物(炭化けい素を除く)鉄鋼ま
たはそれらの混合物あるいはそれらの圧縮成形体
から成る基体上に、一部又は全部がその炭化物ま
たはカルボニルを形成しているCr、Ti、Hf、
Zr、Co、Fe、Ni、Mn、Re、Ru、Rh、Os、Ir、
V、Nb、Ta、W、Mo又はそれらの混合物と錫、
鉛、インジウム、又はその各合金、とから成る合
金被覆層を接着コーテイング、フイルム又は層と
して有しかつその上に、さらに上張りを有する複
合体。 19 上張りは前記基体上の合金被覆層と合金化
可能の金属である特許請求の範囲第18項記載の
複合体。 20 上張りがCu、Ni、Moまたはそれらの金属
の複合材料である特許請求の範囲第18項記載の
複合体。 21 上張りがSn−Cr−ひ化物複合体上のCuで
ある特許請求の範囲第19項記載の複合体。 22 上張りがひ化物である特許請求の範囲第1
8項記載の複合体。 23 金属またはメタロイドまたはその混合物の
チタン酸塩、ケイ酸塩、ひ化物、けい化物、テル
ル化物、りん化物、窒化物(窒化ホウ素を除く)、
酸化物(アルミナ、ジルコニア、サフアイア、石
英、ベリリアを除く)、ホウ化物(二ホウ化チタ
ンを除く)、炭化物(炭化けい素を除く)鉄鋼ま
たはそれらの混合物或はそれらの圧縮成形体から
成る基体上に、その一部又は全部が炭化物または
カルボニルを形成しているCr、Ti、Hf、Zr、
Co、Fe、Ni、Mn、Re、Ru、Rh、Os、Ir、V、
Nb、Ta、W、Mo又はそれらの混合物と錫、鉛、
インジウムまたはそれぞれの合金とから成る合金
被覆層を接着コーテイング、フイルムまたは層を
有する複合体の生成方法において、粒状の錫、
鉛、インジウムまたはそれぞれの合金と微細粒状
の上記炭化物またはカルボニル形成金属とを混合
して、該基体上に分散用の分散質を生成するのに
適するビヒクル中で混合物を生成させる工程、一
酸化炭素の存在下で該混合物の融点まで及びその
融点で該混合物を反応させる工程、該混合物を融
解して基体上に接着コーテイング、フイルムまた
は層を形成するまで加熱し、該一酸化炭素雰囲気
又は一酸化炭素と不活性ガスとの混合物の存在下
或は水素又は水素と窒素の不活性雰囲気中で冷却
する工程より成る複合体の生成方法。 24 粒状物がコロイド状の350メツシユ(米国)
から1/8インチ(3.175mm)の粒度範囲の混合物で
ある特許請求の範囲第23項記載の複合体の生成
方法。 25 ビヒクルがロジン油、フレオン組成物また
は類似のビヒクルであり、分散液をスクリーン印
刷、塗装、吹付または印刷によつて基体上に付与
させる特許請求の範囲第23項記載の生成方法。
[Claims] 1 Titanates, silicates, arsenides, silicides, tellurides, phosphides, nitrides (excluding boron nitride), oxides (alumina, zirconia, A part or chromium, titanium, hafnium, zirconium, cobalt, iron, nickel, all forming their carbides or carbonyls;
An alloy coating layer consisting of manganese, rhenium, ruthenium, rhodium, osmium, iridium, vanadium, niobium, tantalum, tungsten, molybdenum or a mixture thereof and tin, lead, indium or their respective alloys as an adhesive coating, film or layer. complex with. 2 Cr, Ti, Hf, Zr, Co, Fe, Ni, some or all of which form carbide or carbonyl,
Mn, Re, Ru, Rh, Os, Ir, V, Nb, Ta, W,
The metal is composed of Mo or a mixture thereof and a tin group metal such as tin, lead, indium or their alloys, and the metal forms a carbide or carbonyl.
40%, with the remainder being a tin group metal, as a coating layer on the substrate. 3 2 to 15% of the above metal, some or all of which forms its carbide or carbonyl;
3. The composite according to claim 2, wherein the remainder is a tin group metal. 4. The composite according to claim 1, wherein the metal partially or wholly forming a carbide is chromium. 5. The composite according to claim 1, wherein the metal partially or wholly forming a carbide is vanadium. 6. The composite according to claim 1, wherein the metal partially or wholly forming a carbide is nickel mixed with vanadium. 7. The composite according to claim 1, wherein 5 to 15% of chromium is partially or wholly in the form of carbide, and the remainder is tin. 8. The composite according to claim 1, wherein molybdenum, partially or wholly forming carbide, accounts for 5 to 15%, and the remainder is tin. 9. The composite according to claim 1, wherein vanadium, partially or entirely forming a carbide, is mixed with indium. 10. The composite according to claim 1, wherein iron, partially or wholly forming a carbide or carbonyl, is mixed with tin in a ratio of 5:95. 11. The composite according to claim 1, wherein the tin alloy is a tin-lead alloy. 12. The composite according to claim 1, wherein the substrate structure is gallium arsenide, aluminum arsenide, aluminum gallium arsenide, gallium phosphide, aluminum gallium phosphide or gallium phosphorus arsenide. 13. The composite according to claim 1, wherein the boride substrate other than titanium diboride is lanthanum boride represented by LaB 6 . 14. The composite according to claim 1, wherein the substrate is barium titanate, strontium titanate, zirconium orthosilicate, nickel orthosilicate, magnesium silicate, or aluminum silicate, or a mixture of these silicates. 15. The composite according to claim 1, wherein the nitride substrate other than boron nitride is silicon nitride. 16 The above alumina, zirconia, saphire,
2. The composite according to claim 1, wherein the oxide substrate other than quartz and beryllia is boron oxide. 17. The composite according to claim 1, wherein the carbide substrate other than silicon carbide is tungsten carbide. 18 Titanates, silicates, arsenides, silicides, tellurides, phosphides, nitrides (excluding boron nitride) of metals or metalloids or mixtures thereof;
On a substrate made of oxides (excluding alumina, zirconia, saphire, quartz, beryllia), borides (excluding titanium diboride), carbides (excluding silicon carbide), steel, mixtures thereof, or compression molded products thereof Cr, Ti, Hf, some or all of which form carbides or carbonyls,
Zr, Co, Fe, Ni, Mn, Re, Ru, Rh, Os, Ir,
V, Nb, Ta, W, Mo or a mixture thereof and tin;
A composite body comprising an alloy coating layer consisting of lead, indium or their respective alloys as an adhesive coating, film or layer, and further comprising an overlay thereon. 19. The composite of claim 18, wherein the overlay is a metal alloyable with the alloy coating layer on the substrate. 20. The composite according to claim 18, wherein the top layer is Cu, Ni, Mo or a composite material of these metals. 21. A composite according to claim 19, wherein the overlay is Cu on a Sn-Cr-arsenide composite. 22 Claim 1 in which the top lining is arsenic
The complex according to item 8. 23 Titanates, silicates, arsenides, silicides, tellurides, phosphides, nitrides (excluding boron nitride) of metals or metalloids or mixtures thereof;
Substrates made of oxides (excluding alumina, zirconia, saphire, quartz, and beryllia), borides (excluding titanium diboride), carbides (excluding silicon carbide), steel, mixtures thereof, or compression molded products thereof Cr, Ti, Hf, Zr, some or all of which form carbide or carbonyl,
Co, Fe, Ni, Mn, Re, Ru, Rh, Os, Ir, V,
Nb, Ta, W, Mo or a mixture thereof and tin, lead,
In a method for producing a composite having an adhesive coating, film or layer of an alloy coating layer consisting of indium or the respective alloy, granular tin;
mixing lead, indium or their respective alloys with finely divided carbide or carbonyl-forming metals to form a mixture in a vehicle suitable for forming dispersoids for dispersion on said substrate, carbon monoxide; reacting the mixture to and at the melting point of the mixture in the presence of an atmosphere of carbon monoxide or A method for producing a composite comprising cooling in the presence of a mixture of carbon and an inert gas or in an inert atmosphere of hydrogen or hydrogen and nitrogen. 24 350 mesh with colloidal particles (USA)
24. A method of producing a composite according to claim 23, wherein the composite is a mixture of particle sizes ranging from 1/8 inch (3.175 mm) to 1/8 inch (3.175 mm). 25. The method of claim 23, wherein the vehicle is a rosin oil, Freon composition or similar vehicle, and the dispersion is applied to the substrate by screen printing, painting, spraying or printing.
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