JPH0245170B2 - Sumekuteitsukuekishosochiniokeruekishobutsushitsuchunyuhoho - Google Patents
SumekuteitsukuekishosochiniokeruekishobutsushitsuchunyuhohoInfo
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- JPH0245170B2 JPH0245170B2 JP16997385A JP16997385A JPH0245170B2 JP H0245170 B2 JPH0245170 B2 JP H0245170B2 JP 16997385 A JP16997385 A JP 16997385A JP 16997385 A JP16997385 A JP 16997385A JP H0245170 B2 JPH0245170 B2 JP H0245170B2
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- panel
- crystal material
- panel structure
- smectic
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1341—Filling or closing of cells
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- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、カイラルスメクテイツク液晶装置に
適した液晶物質の注入方法方法に関する。
適した液晶物質の注入方法方法に関する。
(従来技術)
近年、カイラルスメクテイツクC相を使用した
液晶装置は、高速応答性と記憶保持性を持つため
デイスプレイ装置や、カメラ用、プリンタ用の光
シヤツタとして注目されている。
液晶装置は、高速応答性と記憶保持性を持つため
デイスプレイ装置や、カメラ用、プリンタ用の光
シヤツタとして注目されている。
このカイラルスメクテイツクC相を持つ強誘電
性液晶化合物としては、例えば、P−デシルオキ
シベンジリデン−P−アミノ−2−メチブチルシ
ンナメートが広く知られており、その液晶分子
は、第7図に示したように一定の方位角θを持つ
て層L1,L2,L3,L4毎に捩れた螺旋構造を採つ
て配列している。
性液晶化合物としては、例えば、P−デシルオキ
シベンジリデン−P−アミノ−2−メチブチルシ
ンナメートが広く知られており、その液晶分子
は、第7図に示したように一定の方位角θを持つ
て層L1,L2,L3,L4毎に捩れた螺旋構造を採つ
て配列している。
ところで、このカイラルスメクテイツクC相を
持つ液晶化合物をその螺旋周期(通常数μm)よ
りも小さい間隙(例えば1μm程度)を持つ2枚
の基板A,Bの間に注入して液晶セルを構成する
と(第8図イ)、液晶分子は、螺旋構造を消失し
て分子軸を基板A,Bに平行にして層の法線方向
から時計回りに角度θ傾いたドメインと、反時計
回りにθつまり−θ傾いたドメインを混存した状
態を持つとともに(同図ロ)、分子軸に垂直な方
向の電気双極子を備えている。
持つ液晶化合物をその螺旋周期(通常数μm)よ
りも小さい間隙(例えば1μm程度)を持つ2枚
の基板A,Bの間に注入して液晶セルを構成する
と(第8図イ)、液晶分子は、螺旋構造を消失し
て分子軸を基板A,Bに平行にして層の法線方向
から時計回りに角度θ傾いたドメインと、反時計
回りにθつまり−θ傾いたドメインを混存した状
態を持つとともに(同図ロ)、分子軸に垂直な方
向の電気双極子を備えている。
このため、一方のドメインが基板A,Bに対し
て上向きの電気双極子を持つと、他方のドメイン
は下向きの電気双極子を持つことになり、したが
つて基板A,B間に電界を印加すると、全ての液
晶分子は、層の法線方向から+θもしくは−θの
いずれか一方に傾いた位置に揃い、また逆向きの
電界を印加すると、液晶分子も反転して−θもし
くは+θ傾いた位置に一斉に揃つた状態で配列す
る。
て上向きの電気双極子を持つと、他方のドメイン
は下向きの電気双極子を持つことになり、したが
つて基板A,B間に電界を印加すると、全ての液
晶分子は、層の法線方向から+θもしくは−θの
いずれか一方に傾いた位置に揃い、また逆向きの
電界を印加すると、液晶分子も反転して−θもし
くは+θ傾いた位置に一斉に揃つた状態で配列す
る。
このパネルの両面に偏光板を配設して電界を印
加すると、液晶分子の移動により明状態や暗状態
が生じて表示パネルや光シヤツタとしての機能を
持たせることができる(第9図)。このように構
成した液晶パネルは、マイクロ秒台という非常に
速い応答速度と、一旦表示したパターンを電界除
去後も保持するという優れた特性を持つている。
加すると、液晶分子の移動により明状態や暗状態
が生じて表示パネルや光シヤツタとしての機能を
持たせることができる(第9図)。このように構
成した液晶パネルは、マイクロ秒台という非常に
速い応答速度と、一旦表示したパターンを電界除
去後も保持するという優れた特性を持つている。
ところで、上述したように、2枚の基板間隙長
が極めて小さいため、微妙な間隙長差の影響を大
きく受けて第10図に示したように液晶物質の注
入時に液晶物質の流動方向に大きな乱れを生じ
る。
が極めて小さいため、微妙な間隙長差の影響を大
きく受けて第10図に示したように液晶物質の注
入時に液晶物質の流動方向に大きな乱れを生じ
る。
ところが、上述した優れた電気的特性を発揮さ
せるために、一方の基板が一軸配向により液晶分
子の配向方向を規制されているとしても、他方の
基板は、液晶分子が電界の作用を受けたときに移
動しやすいフリーな面となるようにランダム配向
等の処理が行なわれている。このため、注入され
た液晶物質の基板表面の初期配向状態は、注入さ
れた液晶の流入方向に支配されてしまい、好まし
いランダム配向状態を得ることができず光−電気
特性にバラつきを生じるという問題があつた。
せるために、一方の基板が一軸配向により液晶分
子の配向方向を規制されているとしても、他方の
基板は、液晶分子が電界の作用を受けたときに移
動しやすいフリーな面となるようにランダム配向
等の処理が行なわれている。このため、注入され
た液晶物質の基板表面の初期配向状態は、注入さ
れた液晶の流入方向に支配されてしまい、好まし
いランダム配向状態を得ることができず光−電気
特性にバラつきを生じるという問題があつた。
(目的)
本発明はこのような問題に鑑み、一様な初期配
向を得ることができる液晶物質の注入方法を提案
することを目的とする。
向を得ることができる液晶物質の注入方法を提案
することを目的とする。
(問題を解決するための手段)
すなわち、本発明が特徴とするところは、液晶
の流入速度に合せて流入方向の温度勾配を変化さ
せるようにした点にある。
の流入速度に合せて流入方向の温度勾配を変化さ
せるようにした点にある。
(実施例)
そこで、以下に本発明の詳細を図示した実施例
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
第1図は、本発明に使用する注入装置の一例を
示すものであつて、図中符号1は、切換弁2を介
して大気開放口3と真空ポンプ4に選択的に連通
する真空容器5に収容された液晶セル把持具で、
液晶セルと後述するシート状ヒータを交互に重ね
合せて把持し、図示しない駆動機構により上下動
するように構成されている。6は、把持機構1の
下方に配置された液晶加熱槽で、スメクテイツク
液晶物質が液体相を保持する温度となるように構
成されている。
示すものであつて、図中符号1は、切換弁2を介
して大気開放口3と真空ポンプ4に選択的に連通
する真空容器5に収容された液晶セル把持具で、
液晶セルと後述するシート状ヒータを交互に重ね
合せて把持し、図示しない駆動機構により上下動
するように構成されている。6は、把持機構1の
下方に配置された液晶加熱槽で、スメクテイツク
液晶物質が液体相を保持する温度となるように構
成されている。
第2図は、前述のシート状ヒータの一実施例を
示すものであつて、液晶物質を注入すべきパネル
表面を覆う程度の薄板7に発熱線8を蛇行させて
配設する一方、等間隔で給電端子を引出して発熱
線8を5つに区分8a〜8fして使用できるよう
に構成されている。
示すものであつて、液晶物質を注入すべきパネル
表面を覆う程度の薄板7に発熱線8を蛇行させて
配設する一方、等間隔で給電端子を引出して発熱
線8を5つに区分8a〜8fして使用できるよう
に構成されている。
第3図は、本発明に使用するスメクテイツク液
晶パネルを構成するセルの一実施例を示すもので
あつて、図中符号10は、液晶表示パネルを構成
する一方の基板で、透明導電性材料によりセグメ
ント電極10a,10a,10a…が形成された
ガラス等の電気絶縁性透明板10bの表面に印刷
やデイツピングによつてポリイミドの薄膜を設け
て基板10の面方向の全ての向きに均一な配向性
を持つランダム水平配向膜層10cを形成して構
成されている。12は、液晶表示パネルを構成す
る他方の基板で、セグメント電極10a,10
a,10a…と直交するようにコモン電極12
a,12a,12a…が形成された電気絶縁性透
明板12bの表面にポリイミドの薄膜を設け、こ
の薄膜の表面を一方向にラビング処理を行なつて
一方向だけの配向を付与した一軸配向膜層12c
を形成して構成されている。これら2枚の基板1
0,12は、液晶化合物の螺旋ピツチよりも小さ
い間隙を持つてランダム水平配向膜層10cと一
軸配向膜層12cを対向させて平行に配置すると
ともに、一側に液晶注入口14を設けるようにシ
ール剤16により接合してパネルに構成されてい
る。
晶パネルを構成するセルの一実施例を示すもので
あつて、図中符号10は、液晶表示パネルを構成
する一方の基板で、透明導電性材料によりセグメ
ント電極10a,10a,10a…が形成された
ガラス等の電気絶縁性透明板10bの表面に印刷
やデイツピングによつてポリイミドの薄膜を設け
て基板10の面方向の全ての向きに均一な配向性
を持つランダム水平配向膜層10cを形成して構
成されている。12は、液晶表示パネルを構成す
る他方の基板で、セグメント電極10a,10
a,10a…と直交するようにコモン電極12
a,12a,12a…が形成された電気絶縁性透
明板12bの表面にポリイミドの薄膜を設け、こ
の薄膜の表面を一方向にラビング処理を行なつて
一方向だけの配向を付与した一軸配向膜層12c
を形成して構成されている。これら2枚の基板1
0,12は、液晶化合物の螺旋ピツチよりも小さ
い間隙を持つてランダム水平配向膜層10cと一
軸配向膜層12cを対向させて平行に配置すると
ともに、一側に液晶注入口14を設けるようにシ
ール剤16により接合してパネルに構成されてい
る。
次に、このように構成した装置の動作について
説明する。
説明する。
注入口14が形成された下端面に発熱線8が平
行となるようにしてシート状ヒータ20を液晶パ
ネル22に重ねて把持機構に取付け(第4図)、
また加熱槽6にスメクテイツク液晶物質を充填し
て真空容器5を所定の真空圧にまで引く。
行となるようにしてシート状ヒータ20を液晶パ
ネル22に重ねて把持機構に取付け(第4図)、
また加熱槽6にスメクテイツク液晶物質を充填し
て真空容器5を所定の真空圧にまで引く。
このような準備を終えた時点でシート状ヒータ
の最下端の発熱線に給電して第5図に示したよう
に液晶パネル22の注入口直上部分が水平方向に
一様で、かつ液体相を保持できる程度の温度とな
るように加熱する(第6図)。
の最下端の発熱線に給電して第5図に示したよう
に液晶パネル22の注入口直上部分が水平方向に
一様で、かつ液体相を保持できる程度の温度とな
るように加熱する(第6図)。
このような状態において、把持機構1を下方に
移動させて液晶パネル20の注入口14を加熱槽
6内の液晶物質に浸漬させ、次いで切換弁2を大
気開放口3に連通させると、加熱槽6内の液晶物
質が大気圧を受けて注入口14からパネル20内
に徐々に入る。
移動させて液晶パネル20の注入口14を加熱槽
6内の液晶物質に浸漬させ、次いで切換弁2を大
気開放口3に連通させると、加熱槽6内の液晶物
質が大気圧を受けて注入口14からパネル20内
に徐々に入る。
ところで、前述したようにパネルの下端部だけ
が水平方向に一様に高温に加熱されているため、
注入口14から流入する液晶は、高い流動性を持
つて速やかに水平方向に広がつて、先端が水平と
なり()、ついで発熱線8aにより高温に加熱
されている領域まで液晶物質の先端を水平に保持
した状態で上昇する()。この時点で、次段の
発熱線8bにも通電を行なうと、発熱線が水平方
向に配設されているため、パネルの高温領域が流
入した液晶物質の直上に平行に拡大される。これ
により、パネル内の液晶は、先端を水平状態を維
持しながら徐々に上方に移動する()。
が水平方向に一様に高温に加熱されているため、
注入口14から流入する液晶は、高い流動性を持
つて速やかに水平方向に広がつて、先端が水平と
なり()、ついで発熱線8aにより高温に加熱
されている領域まで液晶物質の先端を水平に保持
した状態で上昇する()。この時点で、次段の
発熱線8bにも通電を行なうと、発熱線が水平方
向に配設されているため、パネルの高温領域が流
入した液晶物質の直上に平行に拡大される。これ
により、パネル内の液晶は、先端を水平状態を維
持しながら徐々に上方に移動する()。
以下、このようにして液晶の流入速度に合せな
がらその先端の直上に配設されている発熱線に通
電を行なうことにより、液晶物質はその先端を水
平に維持した状態でパネル内を上昇してパネル内
を満たす()。これにより、ランダム水平配向
が施された基板側に接する液晶物質が良好なラン
ダム配向を示し、全体としてパネル内に注入され
た液晶物質は、一様な初期配向を形成することに
なる。
がらその先端の直上に配設されている発熱線に通
電を行なうことにより、液晶物質はその先端を水
平に維持した状態でパネル内を上昇してパネル内
を満たす()。これにより、ランダム水平配向
が施された基板側に接する液晶物質が良好なラン
ダム配向を示し、全体としてパネル内に注入され
た液晶物質は、一様な初期配向を形成することに
なる。
なお、上述した実施例においては、複数の液晶
パネルを積層して同時に注入するようにしている
が、1枚に対して実行しても同様の作用を奏する
ことは云うまでもない。また上述の実施例におい
ては、シート状ヒータをパネルに密着させるよう
にしてパネルを加熱しているが、パネルを収容で
きる胴状基体に発熱線を巻回したヒータを用いて
も同様の作用を槽する。
パネルを積層して同時に注入するようにしている
が、1枚に対して実行しても同様の作用を奏する
ことは云うまでもない。また上述の実施例におい
ては、シート状ヒータをパネルに密着させるよう
にしてパネルを加熱しているが、パネルを収容で
きる胴状基体に発熱線を巻回したヒータを用いて
も同様の作用を槽する。
さらに、上述した実施例においては、2−メチ
ルブチル−P(P−n−デシロキシベンジリデア
ミノ)について説明したが、 一般式 により表わされるピリジン系液晶化合物やS−4
−0(2−メチル)ブチル−レゾルシリデン−4
−アルキルn−チクチルアニリン と P−n−オクチルフエニル−P′−6−メチルオ
クチルオキシベンゾエート を等率混合してなる強誘電性カイラルスメクテイ
ツク液晶化合物を使用した場合においても同様の
作用を奏する。
ルブチル−P(P−n−デシロキシベンジリデア
ミノ)について説明したが、 一般式 により表わされるピリジン系液晶化合物やS−4
−0(2−メチル)ブチル−レゾルシリデン−4
−アルキルn−チクチルアニリン と P−n−オクチルフエニル−P′−6−メチルオ
クチルオキシベンゾエート を等率混合してなる強誘電性カイラルスメクテイ
ツク液晶化合物を使用した場合においても同様の
作用を奏する。
さらに、上述の実施例においては基板として表
面にポリイミドにより一軸配向膜層とランダム水
平配向膜層を形成したものを用いたが、一軸配向
膜をポリビニールアルコール、弗素樹脂、シラン
等の有機膜やSiO2斜方蒸着膜などにより形成し
た基板を、またランダム水平配向膜をエポキシ、
ポリビニールアルコール、弗素樹脂、ポリウレタ
ン、シラン、フエノール、尿素などの有機膜、
SiO2やMgF2などを蒸着してなる無機膜などによ
り形成してなる基板を用いた場合にも同様の作用
を奏することを確認した。
面にポリイミドにより一軸配向膜層とランダム水
平配向膜層を形成したものを用いたが、一軸配向
膜をポリビニールアルコール、弗素樹脂、シラン
等の有機膜やSiO2斜方蒸着膜などにより形成し
た基板を、またランダム水平配向膜をエポキシ、
ポリビニールアルコール、弗素樹脂、ポリウレタ
ン、シラン、フエノール、尿素などの有機膜、
SiO2やMgF2などを蒸着してなる無機膜などによ
り形成してなる基板を用いた場合にも同様の作用
を奏することを確認した。
(効果)
以上、説明したように本発明においては、液晶
パネル内に流入したスメクテイツク液晶の先端の
直上を水平方向に一様な温度となるように加熱す
るようにしたので、注入方向の乱れの影響を受け
る流入先端を水平状態に矯正した状態でパネル内
を上昇させることができて、初期配向が一様なス
メクテイツク液晶パネルを構成することができ
る。
パネル内に流入したスメクテイツク液晶の先端の
直上を水平方向に一様な温度となるように加熱す
るようにしたので、注入方向の乱れの影響を受け
る流入先端を水平状態に矯正した状態でパネル内
を上昇させることができて、初期配向が一様なス
メクテイツク液晶パネルを構成することができ
る。
第1図は、本発明に使用する注入装置の一例を
示す装置の側面図、第2図は、同上装置に使用す
るシート状ヒータの一実施例を示す一部断面図、
第3図イ,ロは、それぞれ本発明に使用する液晶
パネルの一実施例を示す装置の斜視断面図及び側
面図、第4図は、液晶パネルとシート状ヒータの
関係を示す斜視図、第5図イ,ロは、それぞれ液
晶パネルの温度分布を示す説明図、第6図乃至
は、液晶物質の流入状態を示す説明図、第7図
は、カイラルスメクテイツク液晶の分子配列を示
す摸式図、第8図イ,ロは、それぞれパネル間隙
を液晶分子の螺旋ピツチ以下にしたときの分子の
配列を示す摸式図、第9図は、スメクテイツク液
晶のドメインと偏光の関係を示す説明図、及び第
10図は、従来方法における液晶物質の流入状態
を示す説明図である。 1…基板、1a…電気絶縁性透明板、1c…ラ
ンダム水平配向膜層、2…基板、2a…電気絶縁
性透明板、2c…一軸配向膜層、3…注入口、4
…シール材。
示す装置の側面図、第2図は、同上装置に使用す
るシート状ヒータの一実施例を示す一部断面図、
第3図イ,ロは、それぞれ本発明に使用する液晶
パネルの一実施例を示す装置の斜視断面図及び側
面図、第4図は、液晶パネルとシート状ヒータの
関係を示す斜視図、第5図イ,ロは、それぞれ液
晶パネルの温度分布を示す説明図、第6図乃至
は、液晶物質の流入状態を示す説明図、第7図
は、カイラルスメクテイツク液晶の分子配列を示
す摸式図、第8図イ,ロは、それぞれパネル間隙
を液晶分子の螺旋ピツチ以下にしたときの分子の
配列を示す摸式図、第9図は、スメクテイツク液
晶のドメインと偏光の関係を示す説明図、及び第
10図は、従来方法における液晶物質の流入状態
を示す説明図である。 1…基板、1a…電気絶縁性透明板、1c…ラ
ンダム水平配向膜層、2…基板、2a…電気絶縁
性透明板、2c…一軸配向膜層、3…注入口、4
…シール材。
Claims (1)
- 1 液晶注入口が形成されたパネル構造体の内部
を減圧して、液体相となつたスメクテイツク液晶
物質に前記注入口側を浸漬するとともに、前記パ
ネル構造体の液晶物質先端直上領域を水平方向に
一様に加熱した後、液晶物質の流入速度に応じて
前記パネル構造体の加熱領域を順次拡大していく
ことを特徴とするスメクテイツク液晶装置におけ
る液晶物質注入方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16997385A JPH0245170B2 (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | Sumekuteitsukuekishosochiniokeruekishobutsushitsuchunyuhoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16997385A JPH0245170B2 (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | Sumekuteitsukuekishosochiniokeruekishobutsushitsuchunyuhoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6230219A JPS6230219A (ja) | 1987-02-09 |
| JPH0245170B2 true JPH0245170B2 (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=15896239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16997385A Expired - Lifetime JPH0245170B2 (ja) | 1985-08-01 | 1985-08-01 | Sumekuteitsukuekishosochiniokeruekishobutsushitsuchunyuhoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245170B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01275104A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-02 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ポリオレフィン系樹脂予備発泡粒子の内圧付与方法 |
| JP2808478B2 (ja) * | 1990-05-23 | 1998-10-08 | キヤノン株式会社 | 液晶パネルの製造方法およびその装置 |
| JP3075074U (ja) | 2000-07-24 | 2001-02-09 | 船井電機株式会社 | オーディオ用ヘッド |
-
1985
- 1985-08-01 JP JP16997385A patent/JPH0245170B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6230219A (ja) | 1987-02-09 |
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