JPH0245432A - ベンゼンまたはモノ置換ベンゼンの塩素化方法 - Google Patents

ベンゼンまたはモノ置換ベンゼンの塩素化方法

Info

Publication number
JPH0245432A
JPH0245432A JP63194384A JP19438488A JPH0245432A JP H0245432 A JPH0245432 A JP H0245432A JP 63194384 A JP63194384 A JP 63194384A JP 19438488 A JP19438488 A JP 19438488A JP H0245432 A JPH0245432 A JP H0245432A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
liquid
benzene
reactor
zeolite catalyst
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63194384A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2558149B2 (ja
Inventor
Mamoru Tanifuji
谷藤 守
Kisaku Abe
安部 喜作
Takeshi Inomura
猪村 武
Shigetoshi Yamaki
八巻 茂利
Kentaro Otawara
健太郎 大田原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kureha Corp
Original Assignee
Kureha Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kureha Corp filed Critical Kureha Corp
Priority to JP63194384A priority Critical patent/JP2558149B2/ja
Publication of JPH0245432A publication Critical patent/JPH0245432A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2558149B2 publication Critical patent/JP2558149B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts

Landscapes

  • Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、種々の有機化合物を合成する際の原料として
有用なパラ位か塩素で置換されたベンゼン誘導体を、ベ
ンゼン又はモノ置換ベンゼンと塩素ガスからゼオライト
触媒を用いて製造するための連続塩素化方法に関する。
従来の技術 従来ベンゼン又はモノ′JjtI111ベンゼンの#i
1素化方法としては、例えば、塩化第二鉄、五塩化アン
チモンなどのルイス酸を触媒とする方法か知られている
が、目的とするパラ置換体の他に、オルト置換体やトリ
クロロベンゼンなどが副生じ、パラ置換本生成の選択率
が高々60%程度である。バラクロロベンゼン誘導体の
選択率を高める方法として、特開昭59−163329
号公報には、触媒としてL型ゼオライトを用いる方法が
開示されている。そこでは、触媒とするL型ゼオライト
がイオン交換可能なカチオンとして、カリウムイオンを
有するKL型ゼオライトを用いる場合が例示されており
、例えばバラジクロロベンゼンの選択率は90%以上に
達している。しかしながら、KL型ゼオライトを用いて
ベンゼン又はモノ1換ベンゼンを塩素化する際、触媒と
して新たにHWiされたKL型ゼオライトを用いた場合
には、高反応率、高選択率でバラ置換体が得られるが、
触媒を繰り返し使用するときは、反応率、選択率の低下
が起こると同時に、ベンゼン又はモノ置換ベンゼンの異
臭のある多塩素性加物や多塩素置挽物の生成量が増大し
てくるという不都合がある。
本発明者等は、この触媒の繰り返し使用による反応率及
び選択率の低下を抑制するべく研究した結果、L型ゼオ
ライトに於けるイオン交換可能なカチオンとしてのカリ
ウム含量が、酸化カリウムとして6〜14重量%である
L型ゼオライトを用いることにより、触媒の繰り返し使
用による反応率の低下を著しく抑制することに成功した
(特開昭62−87536号公報参照)。
発明が解決しようとする課題 しかしながら、この様に調整されたL型ゼオライト触媒
を使用し、連続運転のために液外部循環エアーリフト型
の反応器を用いて原料ベンゼン又はモノ置換ベンゼン及
び塩素ガスを上昇管の下部より供給して塩素化する場合
、異臭のあるペンタクロロシクロヘキセンのような多塩
素性加物が選択率として0.2モル%〜0.6モル%副
生じ、1.2+4−トリクロロベンゼンのような多塩素
置挽物もO13モル%〜1.2モル%副生じてくる。更
に原料モノ置換ベンゼンがトルエンのようなアルキルベ
ンゼンの場合には、側鎖の塩化物が1モル%〜2モル%
副生してくる。気相反応の場合、多塩素性加物がゼオラ
イト触媒の活性を経時的に低下させることが特開昭61
−171444号公報に記載されているが、液相反応の
場合も同様である。したがって、この様な多塩素性加物
や多塩素置挽物の副生を抑制することが望まれる。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであ
って、その目的は、ベンゼン又はモノ置換ベンゼンをゼ
オライト触媒の存在下、塩素ガスにより塩素化するに当
り、ペンタクロロシクロヘキセンのような多塩素性加物
及び1,2.4−トリクロロベンゼンのような多塩素置
挽物、更にはアルキルベンゼンの1Pla塩素化物の副
生を制御できる塩素化方法を提供することにある。
課題を解決するための手段 本発明者等は、液外部循環ガスリフト型反応器を用いて
ゼオライト触媒の存在下、ベンゼン又はモノ置換ベンゼ
ンの塩素化の際の上記副生物の生成は、導入塩素ガスが
局部的に高濃度に存在するときに多くなることを突き止
め、塩素ガスを該反応器上部の気液分離槽に導入し、液
循環のためには副生ずる塩化水素ガスの一部を、該反応
器の上昇管の下部に導入することにより、上記副生物の
抑制に成功し、本発明を完成するに至った。
本発明は、ベンゼン又はモノ置換ベンゼンのパラ位を塩
素化する方法であって、パラ位への選択率の高いゼオラ
イト触媒を用い、ゼオライト触媒の使用時に副生じ易い
多塩素性加物及び多塩素置挽物の生成を抑制しながら、
高反応率かつ高選択率でパラ位が塩素で置換されたベン
ゼン誘導体を製造する方法に関する。
本発明の構成上の特徴は、ベンゼン又はモノ置換ベンゼ
ンをゼオライト触媒の存在下、塩素ガスにより液相で塩
素化するに当り、上昇管、気液分離槽、及び下降管より
なり、冷却手段を上昇管及び/又は下降管に付した液外
部循環ガスリフト型の反応器、及び固液分離機を少なく
とも有する装置を用い、ベンゼン又はモノ置換ベンゼン
を該装置のいずれかの位置に供給し、塩素ガスを気液分
離槽に供給し、かつ、気液分離槽より排出される塩化水
素ガスの一部を反応器下部に導入すると共に、反応器よ
り抜き出した反応液を固液分離機の導入してゼオライト
触媒を分離し、分離液を精製工程に送り、ゼオライト触
媒を反応器に戻すことにある。
本発明を図面を参酌して説明する。
第1図は本発明の工程の一例を示す工程図であって、連
続塩素化装置を用いて塩素化する場合を示している。本
発明において用いる装置において、液外部循環ガスリフ
ト型の反応器は、上昇管1、気液分離槽2及び下降管3
よりなり、冷却手段が上昇管及び下降管の一方又は双方
に付されている。
第1図の場合は、冷却手段4か下降管に付されている。
本発明において用いる液外部循環ガスリフト型の反応器
の気液分離槽は、上昇管の断面積の少なくとも2倍以上
、好ましくは30〜500倍の断面積を有し、供給塩素
ガスの空塔速度が1m/sec以下、好ましくは0.1
 m / Sec以下になる断面積が選ばれる。液深は
浅すぎると未反応塩素が多くなるので、少なくとも5c
m以上、好ましくは30C11以上にする。また、反応
液の循環の推進力となる塩化水素ガス供給量は、上昇管
の空塔速度が0.01m/sec以上、好ましくは0.
1〜5 m / Secになる量に決められる。
また、冷却手段としては、大量に発生する反応熱の除去
のために、液外部循環による多管式熱交換器を使用する
のが好ましい。
一方、固液分離機はゼオライト触媒を分離するためのも
のであって、濾過器、遠心沈Ffa1機、シックナーな
どが用いられるが、濾過器が好ましく用いられる。濾過
器としては、例えば、濾布又はセラミックよりなる円筒
状濾材を内在し、加圧逆洗可能な密閉型濾過器が特に好
ましい。第1図の場合は、密閉型の濾過器5が使用され
ている。又、第1図は、濾過器によって分離されたゼオ
ライト触媒が、塊状をなす場合であって、分離された塊
状のゼオライトをスラリー状にするための撹拌槽6が設
けられている。
本発明においては、ベンゼン又はモノ置換ベンゼンが原
料として用いられるが、モノ置換ベンゼンとしては、ク
ロロベンゼン、ブロモベンゼン、トルエン、アニソール
などがあげられる。
原料ベンゼン又はモノ置換ベンゼンは、予め脱水器11
で水分子oo ppn  (重量)以下、好ましくは1
0ppTl(重量)以下になるように脱水される。水分
含量が多くなるとベンゼン又はモノ置換ベンゼンの多塩
素行加物及び多塩素置挽物の生成量が急激に増加する。
脱水処理さたベンゼン又はモノ置換ベンゼンは連続塩素
化装置に供給されるが、反応器に直接供給されてもよく
、又、濾過器5や撹拌槽6に供給されてもよい。第1図
においては、反応器の上昇管1の下部より連続的に供給
される。
一方、塩素ガスは、気液分離槽2の底部の多孔管より供
給される。塩素ガスは水分か4000DII (容量)
以下、好ましくは120ppn (容量)以下のものを
用いる。供給する塩素ガス量は、モノ置換ベンゼン誘導
体に対しては、モル比で0.5〜0.7、ベンゼンに対
してはモル比で1.5〜1.7である。
ゼオライト触媒は、予め所定濃度になる量を、気液分離
槽2に仕込まれる。運転中、反応器にはゼオライト触媒
を所定濃度で含む反応液が循環しており、循環液量は、
渦KL:を計16で測定できる。
勿論、ゼオライト触媒を連続的または間欠的に供給し、
使用済みゼオライトを連続的または間欠的に抜き出して
、ゼオライト触媒を所定濃度に保つのが好ましい。
ゼオライト触媒は、カリウム含量が酸化カリウムとして
6〜14重量%、好ましくは8〜12重量%であるL型
ゼオライトが好ましい。反応液におけるセオライト濃度
は、0.1〜10重景%、好ましくは1.5〜3重量%
である。ゼオライト触媒濃度か高くなると、塩素の反応
率は高いが、多塩素行加物の副生が多くなり、また、低
濃度に過ぎると塩素反応率が低く、しかも多塩素行加物
及び多塩素置挽物の副生が多くなる。
塩素化反応により生成した塩化水素ガスは、気液分離槽
2の上端部より冷却器14を経て、図中点線で示される
信号情報に応じて圧力調整弁15で所定圧に調整されて
排出される。塩化水素ガスの一部はパイプ18を通って
圧縮機19で加圧され、反応器下部、例えば上昇管1の
下部に導入され、反応液の循環の推進力となる。この循
環のための塩化水素ガス量は、上昇管1の空塔速度が0
.001 m/sec以上、好ましくは0.1〜5 m
/secになる量に決められる。残りの塩化水素ガスは
、排ガス処理工程に送られる。
反応温度は、気液分離槽2における温度が50〜100
℃、好ましくは60〜80℃になるように冷却手段4で
冷却することによって調整される。冷却手段4としては
、例えば、多管式熱交換器が用いられる。
反応液の一部は、圧力差により気液分離槽2より濾過器
5に送られる。濾過器における濾過は、気液分離槽2と
分離液(P液)抜出しライン13との圧力差により行わ
れる。したがって、炉液抜出しライン13の内圧は、通
常、大気圧程度であるので、気液分離槽2の圧力は、0
.5〜5kg/cdG、好ましくは1〜3kt/aaG
に保たれる。濾過器5でゼオライト触媒を炉別した反応
液は、分離液抜出しライン13を経て、目的生成物を分
離するための精製工程に送られる。濾過器5による一過
中は、バルブ7及び8を開き、バルブ9.10.11及
び12は閉められている。一定時間一過した後、バルブ
7及び8を閉め、バルブ11より窒素によって約6kg
/ad Gに加圧した後、バルブ11を閉め、バルブ9
を数秒間開いて、濾過器5の上部に溜まっているr液で
加圧逆洗し、濾材に付着しているゼオライト触媒を剥離
させると同時に、前回の濾過で剥離して濾過器5の底部
に溜まっているゼオライト触媒を撹拌槽6に送り出す。
送り出されなゼオライト触媒は、剥離片として塊になっ
ているため、撹拌槽6でスラリー状に分散される。この
スラリー液は濾過中にバルブ10から反応器の気液分離
槽に戻される。加圧逆洗後、バルブ12を数秒間開いて
、濾過器5内圧を気液分離槽2内圧より低くして濾過を
再開する。気液分離槽2の液面調節は、液面調節弁も兼
ねるバルブ7を、図中点線で示される信号情報により自
動的に開閉することで行われる。この裸な濾過器の加圧
逆洗を一定時間ごと、好ましくは20〜60分ごとに自
動的に繰り返すことにより、反応器内のゼオライト触媒
濃度を略一定に保つことができる。
上記の如くしてベンゼン、クロロベンゼンを塩化度1.
5〜1.7、他のモノ置換ベンゼンを塩化度0.5〜0
.7まで塩素化した反応液を濾過器に供給するとき、塩
素反応24!99%以上、バラ選択率85%以上で、バ
ラジクロロベンゼン、パラクロロトルエンなどのパラ位
が塩素で置換されたベンゼン類が得られる。多塩素付加
物の選択率は0.02モル%以下、多塩素置模糊は0.
3モル%以下となる。また、トルエンなどのアルキルベ
ンゼンを原料とするときの側鎖塩化物の副生量も0゜5
モル%以下となる。
なお、ここでいう「塩化度」及び「選択率ノは、それぞ
れ下記式により定義される。
Σn X > X n を表わし、nは0〜6の整数を表わす)Xi 選択率=      xto。
ΣXi (式中−Xiは各生成物のモル分率を表わす)上記第1
図においては、大量に発生する反応熱の除去のために、
液外部循環による多管式熱交換器を使用している。
本発明においては、約0.3圃の結晶粒子からなる50
廂以下の凝集粒子であるゼオライトを触媒として用いる
のが好ましいが、反応液より触媒分離の為の固液分M機
として濾過器を用いる場合、使用する濾材によっては、
七オライド微粒子が炉液中にリークし易くなる9例えば
、本発明の方法により得られる生成物がバラジクロロベ
ンゼンである場合、P液よりバラジクロロベンゼンを晶
析後、連続多段溶融精製装置(例えば、特公昭47−4
0621号公報に記載の結晶精製装置)により溶解精製
するとき、P液中にゼオライト触媒の微粒子がリークす
ると、精製バラジクロロベンゼン中に残留して好ましく
ない、多孔質のセラミックよりなるP材を用いれば、こ
の様な問題は回避することができるので、多孔質のセラ
ミックよりなる濾材を使用するのが好ましい。
作用 本発明において、塩素ガスを反応器の下部に導入せず、
気液分離槽内に導入すると、多塩葉付加物及び多塩素置
模糊の生成が減少する理由に関して、詳細には明らかで
はない、上昇管の下部に塩素ガスを導入すると、塩素ガ
スは急激に吸収され、反応するが、気液がピストンフロ
ーで上昇するため、液中溶解塩素濃度が高くなり、多塩
葉付加物及び多塩素置模糊の生成が多くなると推定され
る。しかしながら、本発明においては、塩素ガスを気液
分離槽に導入すると共に、副生ずる塩化水素ガスを反応
器下部に導入して反応液の推進力とするので、上昇管か
らの激しい気液混和の噴流により、気液分離槽内の反応
液と塩素ガスは極めて激しく混合されるため、また、滞
留時間か大きく、反応が十分に進むので、液中溶解塩素
濃度を低く保つことができ、多塩葉付加物と多塩素置模
糊の生成が制御されると推測される。
また、本発明の方法では、液外部循環ガスリフト型の反
応器を使用することにより、大きな総括伝導係数と大き
な循環液流量が得られ、容易に反応熱を除去し、同時に
ゼオライト触媒の沈積防止をしながら、多塩葉付加物や
多塩素置模糊の副生を抑制し、更に固液分離機、撹拌槽
との組合わせによって、長期間安定にパラ位が塩素化さ
れたベンゼン誘導体を製造することができる。
実施例 次に、本発明を実施例によって説明する。
実施例1 内径4.3 C1l、長さ6mの上昇管、内径60on
、直胴部長さ1.5mの気液分離槽、及び内径20.2
m、長さ5mの冷却管3本を設けた多管式熱交換器を有
する下降管で構成される第1図に示されるような液外部
循環エアーリフト型の反応器を用い、上昇管下部より含
水率10ppIl以下のクロロベンゼンを44hr/h
rで上昇管下部に供給し、塩素ガスを17〜18hg/
hrで気液分離槽に供給し、気液分離槽より排出される
塩化水素ガスのうち、5.8hg/hrを圧#il!機
により加圧し、上昇管の下部に導入して、3.4イ/h
rで反応液を循環させた。気液分離槽における反応温度
が70℃になるように下降管で冷却し、気液分離槽の圧
力を1.5kIr/cslTGに調節しな。
気液分離槽より塩化度1.62〜1.63の反応液を気
液分離槽の液面が一定になるように抜き出し、平均孔径
10顔、外径7c111、内径4Cml、長さ50■の
多孔質シリコンカーバイド製置筒状濾材を三本内在した
一過器に送り、ゼオライト触媒と反応液の分離を行った
。濾過器は30分ごとに圧力6kg/aaGの窒素ガス
により加圧逆洗し、ゼオライト触媒は、撹拌槽でスラリ
ー状にして気液分離槽に戻し、循環使用した。
なお、ゼオライト触媒は、カリウム含量が酸化カリウム
として、11.8重量%のし型ゼオライトを0.1lm
H(]、150℃で24時間乾燥し、反応液中濃度か1
.75重量%になるように反応開始前に気液分離槽に投
入して用いた。
上記のようにして、400時間連続塩素化した。
50時間後、200時間後、300時間後、及び400
時間後の塩素反応率及び主な生成物の各選択率を第1表
に示す0反応液は、ガスクロマトグラフィーで分析しな
。
また、連続塩素化50時間後で、濾過開始10分後のP
液中のゼオライト触媒濃度を第2表に示す。
P液中のゼオライト触媒濃度は、P液500 1lal
を窒素気流中100℃で2時間、次に200℃で1時間
加熱した後、500℃で2時間加熱して、残留したもの
をゼオライト触媒として計算した。
第1表 注)DCBニジクロロベンゼン TCB:hリクロ口ベンゼン 実施例2 シリコーンカーバイド製濾材を、通気度1,5d/−・
secのポリプロピレン製の炉布に変えた以外は、実施
例1と同様な条件で連続塩素化した、連続塩素化50時
間後で、濾過開始10分後のP?li中のゼオライト触
媒濃度を第2表に示す。
第2表 注)OC8ニジクロロベンゼン ■CBニトリクロロベンゼン 第3表 比較例1 実施例1と同じ反応器を使用し、塩素ガスを上昇管下部
より供給し、塩化水素ガスの導入を行わない以外は、実
施例1と同様な条件で塩素化した。
液循環流量は342イ/hrであった。結果を第3表に
示す。
発明の効果 本発明の方法によれば、ゼオライト触媒存在下、塩素ガ
スを用いてベンゼンまたはモノ!換ベンゼンを連続塩素
化するに当り、液外部循環ガスリフト型反応器を用るこ
とにより、大きな総括伝導係数と大きな循環液流量が得
られ、容易に反応熱を除去することができ、そして、塩
素ガスを気液分離槽に供給すると共に、副生ずる塩化水
素ガスを反応器下部に導入することにより、塩化水素ガ
スが、反応液の循環の推進力となり、多塩素付加物や多
塩素置挽物の副生を抑制して、パラ位が塩素で置換され
たベンゼン誘導体を長期間にわたり安定に製造すること
ができる。したがって本願発明は、パラ位が塩素で置換
されたベンゼン誘導体を製造するのに、工業的に極めて
有用な方法である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の工程の一例を示す工程図である。 1・・・上昇管、2・・・気液分1w機、3・・・下降
管、4・・・冷却手段、5・・・濾過器、6・・・撹拌
槽、7.8.9.10.11.12・・・バルブ、13
・・・分離液抜出しライン、14・・・冷却器、15・
・・圧力調整弁、16・・・渦流量計、17・・・脱水
器、18・・・パイプ、19・・・圧縮機。 特許出願人 呉羽化学工業株式会社 代理人   弁理士  淵部 剛 第1図 手続補正書 (自発) 平成 1年 7月10日 特許庁長官  吉 1)文 毅 殿 1、事件の表示 昭和63年 特許願 第194384号2、発明の名称 ベンゼンまたはモノ置換ベンゼンの塩素化方法3、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 代表者  児玉 俊一部 4、代理人 住所 〒101 東京都千代田区神田錦町1丁目8番5号6、補正の内容 (1)明細書第4頁第8行目の「エアーリフト型」を「
ガスリフト型」に補正する。 (2)同第5頁第4行目の「その目的は、」と「ベンゼ
ン又は」の間に「液外部循環ガスリフト型反応器を用い
」を挿入する。 (3)同第6頁下から第4行目の「反応器」を「上昇管
」に補正する。 (4)同第6頁下から第3行目の「固液分離機の」を「
固液分離機に」に補正する。 (5)同第7頁下から第4行目の「少なくとも5(至)
以上、」を削除する。 (6)同第11頁第1行目の「0.001 m/Jをr
o、01m/Jに補正する。 (7)同第14頁第8行目の「用いるのが好ましいが」
を「用いるが」に補正する。 (8)同第15頁第4行目ないし第16頁第1行目の「
作用・・・・・制御されると推測される。」を削除する
。 (9)同第16頁第4行目の「伝導係数」を「伝熱係数
」に補正する。 (10)同第16頁下から第4行目の「エアーリフト型
」を「ガスリフト型」に補正する。 (11)同第20頁上段の第3表を以下の通り補正する
。 注) DCBニジクロロベンゼン π1ニトリクロロベンゼン (12)同第20頁下から第7行目の「総括伝導」を「
総括伝熱」に補正する。 (13)同20頁下から4行目の「塩化水素ガスを」を
「塩化水素ガスの一部を」に補正する。 以上 」

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ベンゼン又はモノ置換ベンゼンをゼオライト触媒
    の存在下、塩素ガスにより液相で塩素化するに当り、上
    昇管、気液分離槽、及び下降管よりなり、冷却手段を上
    昇管及び/又は下降管に付した液外部循環ガスリフト型
    の反応器、及び固液分離機を少なくとも有する装置を用
    い、ベンゼン又はモノ置換ベンゼンを該装置のいずれか
    の位置に供給し、塩素ガスを気液分離槽に供給し、かつ
    、気液分離槽より排出される塩化水素ガスの一部を反応
    器下部に導入すると共に、反応器より抜き出した反応液
    を固液分離機に導入してゼオライト触媒を分離し、分離
    液を精製工程に送り、ゼオライト触媒を反応器に戻すこ
    とを特徴とするベンゼン又はモノ置換ベンゼンの塩素化
    方法。
  2. (2)固液分離機が、間欠的に加圧逆洗が可能な密閉型
    濾過器である請求項(1)記載の塩素化方法。
  3. (3)固液分離機が、多孔質セラミックよりなる濾材を
    有する濾過器である請求項(1)に記載の塩素化方法。
JP63194384A 1988-08-05 1988-08-05 ベンゼンまたはモノ置換ベンゼンの塩素化方法 Expired - Lifetime JP2558149B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63194384A JP2558149B2 (ja) 1988-08-05 1988-08-05 ベンゼンまたはモノ置換ベンゼンの塩素化方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63194384A JP2558149B2 (ja) 1988-08-05 1988-08-05 ベンゼンまたはモノ置換ベンゼンの塩素化方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0245432A true JPH0245432A (ja) 1990-02-15
JP2558149B2 JP2558149B2 (ja) 1996-11-27

Family

ID=16323704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63194384A Expired - Lifetime JP2558149B2 (ja) 1988-08-05 1988-08-05 ベンゼンまたはモノ置換ベンゼンの塩素化方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2558149B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2558149B2 (ja) 1996-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0319153B1 (en) Preparation of 3,3,3-trifluoropropene-1
EP0408005A1 (en) Process for preparing 1,1,1,2-tetrafluoroethane
WO1996026914A1 (en) Process for preparing 1,1,1,3,3-pentafluoropropane
JPH0251888B2 (ja)
EP2630081B1 (en) Production of polycrystalline silicon in closed-loop processes and systems
CN111574329B (zh) 一种用于生产4-氯-3,5-二甲基苯酚的反应精馏装置及方法
US4528174A (en) Method for preparing hydrogen chloride for the ethyleneoxichlorination process
HU191194B (en) Process for producing of 1,2 diclore-ethan
AU599923B2 (en) Chlorination of iron-containing metaliferous materials
US9394180B2 (en) Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop systems
CN120714536A (zh) 一种1,1,1,2,3-五氯丙烷的生产设备及其生产方法
JPH0245431A (ja) ベンゼンまたはモノ置換ベンゼンの塩素化方法
US5600039A (en) Process for the preparation of 1,1,1,2-tetrafluoroethane
DK151007B (da) Fluidiserbar pulverformet kontaktmasse til anvendelse ved oxyhalogenering af i gasfase carbonmonoxid og carbonhydrider
US20120100042A1 (en) Production of Polycrystalline Silicon in Substantially Closed-Loop Systems
US4436942A (en) Process for the catalyzed fluorination of haloalkyl aromatic compounds
EP0103940A1 (en) Process for preparing vanadium halides
EP4565529A1 (en) In-situ hot filtration for gas-solid-separation in carbide-derived carbon production
KR790001615B1 (ko) 메탄을 옥시염소화 시키는 방법
JP2558149B2 (ja) ベンゼンまたはモノ置換ベンゼンの塩素化方法
EP0007064B1 (en) Purification of ethylene dichloride
KR101236099B1 (ko) 신규한 염화비닐 단량체 제조방법
EP0241755B1 (en) Process for the production in continuous of phtalodinitrile
JPH0416403B2 (ja)
EP0115076A1 (en) Process for producing azine compounds