JPH0245847Y2 - - Google Patents
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- JPH0245847Y2 JPH0245847Y2 JP11343884U JP11343884U JPH0245847Y2 JP H0245847 Y2 JPH0245847 Y2 JP H0245847Y2 JP 11343884 U JP11343884 U JP 11343884U JP 11343884 U JP11343884 U JP 11343884U JP H0245847 Y2 JPH0245847 Y2 JP H0245847Y2
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- liquid crystal
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- electric field
- insulator
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Landscapes
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- Liquid Crystal (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
この考案は、光源からの光の透過を制御する微
少シヤツタを備えてなる液晶装置に関する。
少シヤツタを備えてなる液晶装置に関する。
近年、液晶装置にあつては、二周波駆動方式に
よつて微少シヤツタを高速駆動するようにしたも
のが知られている。すなわち、液晶物質を挾んで
互いに対向する一対の基板において、一方の基板
の内面には縦方向に延びる複数の信号電極と、他
方の基板の内面には横方向に延びる複数の対向電
極とが夫々形成され、この信号電極と対向電極と
が対向する夫々の部分の一部によつてマトリツク
ス状に配列された複数の微少シヤツタが構成され
ている。なお、液晶物質は、一対の基板間の最外
郭付近に液晶物質を取り囲むように配置されたシ
ール部材によつて封止されている。而して、二周
波駆動方式による微少シヤツタは、誘電異方性が
駆動周波数により反転する特性を持つた二周波駆
動用液晶を用いたもので、この二周波駆動用液晶
は、誘電異方性がゼロになる交差周波数より低い
低周波数で誘電異方性が正、高い高周波数で負と
なる。そして、このような特性を持つ二周波駆動
用液晶においては、低周波信号の印加と高周波信
号の印加とにより前記微少シヤツタの開閉が制御
される。
よつて微少シヤツタを高速駆動するようにしたも
のが知られている。すなわち、液晶物質を挾んで
互いに対向する一対の基板において、一方の基板
の内面には縦方向に延びる複数の信号電極と、他
方の基板の内面には横方向に延びる複数の対向電
極とが夫々形成され、この信号電極と対向電極と
が対向する夫々の部分の一部によつてマトリツク
ス状に配列された複数の微少シヤツタが構成され
ている。なお、液晶物質は、一対の基板間の最外
郭付近に液晶物質を取り囲むように配置されたシ
ール部材によつて封止されている。而して、二周
波駆動方式による微少シヤツタは、誘電異方性が
駆動周波数により反転する特性を持つた二周波駆
動用液晶を用いたもので、この二周波駆動用液晶
は、誘電異方性がゼロになる交差周波数より低い
低周波数で誘電異方性が正、高い高周波数で負と
なる。そして、このような特性を持つ二周波駆動
用液晶においては、低周波信号の印加と高周波信
号の印加とにより前記微少シヤツタの開閉が制御
される。
しかしながら、上述のように構成された液晶装
置にあつては、微少シヤツタを構成する以外の対
向電極と信号電極との対向面積が大きく、しかも
前液晶物質は誘電率が高いため、微少シヤツタを
構成する以外の対向電極と信号電極とが対向する
部分（以下、リード電極部分と称呼する。）の静
電容量が大きくなる。したがつて、前記走査電極
と信号電極との間に高周波成分が印加されると、
前記リード電極部分の等価的なコンデンサを介し
て前記リード電極部分に大きな電流が流れて発熱
することとなり、この発熱により、液晶物質が劣
化し、また、液晶物質の動作性等が変化するとい
う難点があつた。
置にあつては、微少シヤツタを構成する以外の対
向電極と信号電極との対向面積が大きく、しかも
前液晶物質は誘電率が高いため、微少シヤツタを
構成する以外の対向電極と信号電極とが対向する
部分（以下、リード電極部分と称呼する。）の静
電容量が大きくなる。したがつて、前記走査電極
と信号電極との間に高周波成分が印加されると、
前記リード電極部分の等価的なコンデンサを介し
て前記リード電極部分に大きな電流が流れて発熱
することとなり、この発熱により、液晶物質が劣
化し、また、液晶物質の動作性等が変化するとい
う難点があつた。
この考案は、上述した事情を背景になされたも
ので、その目的とするところは、リード電極部分
の発熱を効果的に減少せしめた液晶装置を提供す
ることにある。
ので、その目的とするところは、リード電極部分
の発熱を効果的に減少せしめた液晶装置を提供す
ることにある。
この考案は、上述した目的を達成するために、
少なくとも微少シヤツタを除く一対の基板間に絶
縁体を充填した点を要旨とするものである。
少なくとも微少シヤツタを除く一対の基板間に絶
縁体を充填した点を要旨とするものである。
本実施例は、二周波駆動方式によつて液晶シヤ
ツタを高速駆動するようにしたゲスト．ポスト効
果型液晶装置に適用したものである。図中１は複
数の微少シヤツタSo（例えば１≦ｎ≦1500）が形
成された液晶シヤツタ部である。微少シヤツタSo
は、チドリ状に配列された正方形のドツト形状で
あり、本実施例においては、二色性染料（ゲス
ト）を液晶材（ポスト）に添加した液晶組成物を
用いることにより、色素の光の吸収異方性を利用
するゲスト・ポスト効果型液晶表子で構成されて
いる。即ち、第１図において、二周波駆動用液晶
に二色性染料を添加してなる液晶層２を挾んで上
下に対向する一対のガラス基板３，４のうち、下
部ガラス基板３の内面には横方向に延びる複数本
（本実施例では２本）の走査電極５，５が形成さ
れ、また、上部ガラス基板４の内面には、縦方向
に延びる複数本（本実施例では650本）の信号電
極６，６……が形成されており、そして、液晶シ
ヤツタSoは夫々、複数本の走査電極５，５と信号
電極６，６……が対向する部分の一部で構成され
ている。なお、上記走査電極５と信号電極６に信
号が印加されると、この両電極間の液晶分子及び
二色性染料分子の長軸は、前記信号が低周波信号
のときは電界方向に配列し、高周波信号のときは
電界方向に垂直配列される。よつて、上記微少シ
ヤツタは前記二色性染料の吸収特性の相違によ
り、低周波信号の印加で開放され、低周波信号の
印加で閉成される。
ツタを高速駆動するようにしたゲスト．ポスト効
果型液晶装置に適用したものである。図中１は複
数の微少シヤツタSo（例えば１≦ｎ≦1500）が形
成された液晶シヤツタ部である。微少シヤツタSo
は、チドリ状に配列された正方形のドツト形状で
あり、本実施例においては、二色性染料（ゲス
ト）を液晶材（ポスト）に添加した液晶組成物を
用いることにより、色素の光の吸収異方性を利用
するゲスト・ポスト効果型液晶表子で構成されて
いる。即ち、第１図において、二周波駆動用液晶
に二色性染料を添加してなる液晶層２を挾んで上
下に対向する一対のガラス基板３，４のうち、下
部ガラス基板３の内面には横方向に延びる複数本
（本実施例では２本）の走査電極５，５が形成さ
れ、また、上部ガラス基板４の内面には、縦方向
に延びる複数本（本実施例では650本）の信号電
極６，６……が形成されており、そして、液晶シ
ヤツタSoは夫々、複数本の走査電極５，５と信号
電極６，６……が対向する部分の一部で構成され
ている。なお、上記走査電極５と信号電極６に信
号が印加されると、この両電極間の液晶分子及び
二色性染料分子の長軸は、前記信号が低周波信号
のときは電界方向に配列し、高周波信号のときは
電界方向に垂直配列される。よつて、上記微少シ
ヤツタは前記二色性染料の吸収特性の相違によ
り、低周波信号の印加で開放され、低周波信号の
印加で閉成される。
また、上下ガラス基板３，４の内面において、
走査電極５および信号電極６を構成する透明導電
膜７，８上には、微少シヤツタSoを構成する部分
を除く他の部分に金属導電層（クロム薄膜）９，
１０が形成され、またこれら金属導電膜９，１０
上において、上下ガラス基板３，４の内面全体に
は、絶縁体１１，１２が形成されている。ここ
で、金属導電層９，１０は、微少シヤツタSo以外
の部分を光学的にマスクする為のものである。ま
た、絶縁体１１，１２は、液晶に比較して極めて
誘電率の小さな有機化合物（例えば、ポリイミド
樹脂等）または無機化合物（例えばSiO2、TiO2
等）によつて構成されたもので、その表面にはラ
ビング等により水平配向処理が施されており、液
晶分子をホモジニアス配列させる。しかして、上
部ガラス基板４の内面に形成された絶縁体１２は
薄く上部ガラス基板４の内面に対して均一に形成
されているが、下部ガラス３の内面に形成された
絶縁体１１は、液晶シヤツタ部１とそれ以外の部
分とでその厚さを異ならしめている。即ち、液晶
シヤツタ部１に対応する絶縁体１１の厚さは、例
えば0.2μmの如く薄く形成されているのに対し、
液晶シヤツタ部１を除く絶縁体１１の厚さは、上
部ガラス基板４の内面に形成された絶縁体１２に
達する厚さとなつている。このように、絶縁体１
１は液晶シヤツタ部１を除き厚膜に形成され、こ
の厚膜部が他方の基板の絶縁体１２に達している
為、液晶シヤツタ部１を除く基板３，４間は、誘
電率の小さい絶縁体で充填された構成となつてい
る。しかして、絶縁体１１を形成するには、先
ず、下部ガラス基板３の内面全体に、液晶シヤツ
タ部１に対応する厚さを持つた薄膜を形成する。
しかる後に、この薄膜上に配向処理を施こし、そ
して、液晶シヤツタ部１以外の部分に厚膜部を形
成する。このようにして絶縁体１１を段階的に形
成しても良く、勿論薄膜部と厚膜部を同時に形成
してもよい。なお、上下ガラス基板３，４間の周
縁部近傍には、液晶層２を封止する為のシール部
材１３が設けられている。
走査電極５および信号電極６を構成する透明導電
膜７，８上には、微少シヤツタSoを構成する部分
を除く他の部分に金属導電層（クロム薄膜）９，
１０が形成され、またこれら金属導電膜９，１０
上において、上下ガラス基板３，４の内面全体に
は、絶縁体１１，１２が形成されている。ここ
で、金属導電層９，１０は、微少シヤツタSo以外
の部分を光学的にマスクする為のものである。ま
た、絶縁体１１，１２は、液晶に比較して極めて
誘電率の小さな有機化合物（例えば、ポリイミド
樹脂等）または無機化合物（例えばSiO2、TiO2
等）によつて構成されたもので、その表面にはラ
ビング等により水平配向処理が施されており、液
晶分子をホモジニアス配列させる。しかして、上
部ガラス基板４の内面に形成された絶縁体１２は
薄く上部ガラス基板４の内面に対して均一に形成
されているが、下部ガラス３の内面に形成された
絶縁体１１は、液晶シヤツタ部１とそれ以外の部
分とでその厚さを異ならしめている。即ち、液晶
シヤツタ部１に対応する絶縁体１１の厚さは、例
えば0.2μmの如く薄く形成されているのに対し、
液晶シヤツタ部１を除く絶縁体１１の厚さは、上
部ガラス基板４の内面に形成された絶縁体１２に
達する厚さとなつている。このように、絶縁体１
１は液晶シヤツタ部１を除き厚膜に形成され、こ
の厚膜部が他方の基板の絶縁体１２に達している
為、液晶シヤツタ部１を除く基板３，４間は、誘
電率の小さい絶縁体で充填された構成となつてい
る。しかして、絶縁体１１を形成するには、先
ず、下部ガラス基板３の内面全体に、液晶シヤツ
タ部１に対応する厚さを持つた薄膜を形成する。
しかる後に、この薄膜上に配向処理を施こし、そ
して、液晶シヤツタ部１以外の部分に厚膜部を形
成する。このようにして絶縁体１１を段階的に形
成しても良く、勿論薄膜部と厚膜部を同時に形成
してもよい。なお、上下ガラス基板３，４間の周
縁部近傍には、液晶層２を封止する為のシール部
材１３が設けられている。
しかして、上述のように構成された液晶装置を
用いて効果確認試験を実施した。この効果確認試
験は、上記実施例に係るように、液晶シヤツタ部
１以外を絶縁体で充填した液晶装置と、従来に係
るように、絶縁体全体を薄膜に形成した液晶装置
に夫々二周波駆動用液晶を封入し、高周波印字時
の温度上昇（発熱の度合）を夫々測定したもの
で、次の条件下で実施した。即ち、液晶シヤツタ
部１の全長は15cm、微少シヤツタSoのサイズは
100×100μm（チドリ配列）、信号電極５の数は650
本、走査電極６の数は２本で、全ての微少シヤツ
タSoを同時に駆動した。そして、誘電率ε⊥８
の二周波駆動用液晶を使用すると共に、高周波駆
動電圧波形信号としては、300KHzの矩形波、
25Vを使用し、また、液晶装置は、40℃恒温槽中
に固定させた。
用いて効果確認試験を実施した。この効果確認試
験は、上記実施例に係るように、液晶シヤツタ部
１以外を絶縁体で充填した液晶装置と、従来に係
るように、絶縁体全体を薄膜に形成した液晶装置
に夫々二周波駆動用液晶を封入し、高周波印字時
の温度上昇（発熱の度合）を夫々測定したもの
で、次の条件下で実施した。即ち、液晶シヤツタ
部１の全長は15cm、微少シヤツタSoのサイズは
100×100μm（チドリ配列）、信号電極５の数は650
本、走査電極６の数は２本で、全ての微少シヤツ
タSoを同時に駆動した。そして、誘電率ε⊥８
の二周波駆動用液晶を使用すると共に、高周波駆
動電圧波形信号としては、300KHzの矩形波、
25Vを使用し、また、液晶装置は、40℃恒温槽中
に固定させた。
このような条件の下で繰り返し温度測定を実施
してそれらの温度上昇を検討した。この結果、 従 来 温度上昇 66deg 本実施例 温度上昇 25deg のデータが得られた。これにより、本実施例の温
度上昇は、従来に比較して1/2以下であり、優れ
た効果を持つことが分かつた。
してそれらの温度上昇を検討した。この結果、 従 来 温度上昇 66deg 本実施例 温度上昇 25deg のデータが得られた。これにより、本実施例の温
度上昇は、従来に比較して1/2以下であり、優れ
た効果を持つことが分かつた。
このようにシヤツタ部１以外の部分を絶縁体で
充填するようにしたから、液晶シヤツタ部１を構
成する以外の走査電極５と信号電極６とが対応す
る部分（リード電極部分）の静電容量が小さくな
る。このため、リード電極部分に流れる電流が小
さくなり、発熱を抑えることができるので、液晶
物質の動作特性の変化及び劣化を防止し得、また
走査電極５、信号電極６も透明導電膜の上に金属
膜を形成した比較的簡単な電極構造となる。更
に、液晶使用量が少なくて済み、経済的である。
更に、構造的にも強度が増して堅牢なものとな
る。
充填するようにしたから、液晶シヤツタ部１を構
成する以外の走査電極５と信号電極６とが対応す
る部分（リード電極部分）の静電容量が小さくな
る。このため、リード電極部分に流れる電流が小
さくなり、発熱を抑えることができるので、液晶
物質の動作特性の変化及び劣化を防止し得、また
走査電極５、信号電極６も透明導電膜の上に金属
膜を形成した比較的簡単な電極構造となる。更
に、液晶使用量が少なくて済み、経済的である。
更に、構造的にも強度が増して堅牢なものとな
る。
そして、この液晶装置は、その微少シヤツタの
開閉により、光源からの光を制御して感光体上に
ドツトによる画像を形成し、この像を用紙に転写
させるようにした電子写真式プリンタ等の印字装
置に用いて最適である。
開閉により、光源からの光を制御して感光体上に
ドツトによる画像を形成し、この像を用紙に転写
させるようにした電子写真式プリンタ等の印字装
置に用いて最適である。
なお、この考案は、上記実施例に限定されず、
この考案を逸脱しない範囲内において種々変形応
用可能である。例えば、上記実施例は、ゲスト・
ホスト型液晶装置に実施した場合であるが、その
他にTN（ツイスト・ネマテイツク）液晶装置等
にも勿論適用可能である。
この考案を逸脱しない範囲内において種々変形応
用可能である。例えば、上記実施例は、ゲスト・
ホスト型液晶装置に実施した場合であるが、その
他にTN（ツイスト・ネマテイツク）液晶装置等
にも勿論適用可能である。
また、上記実施例においては、液晶シヤツタ部
１の幅方向両側部を夫々絶縁体で充填するように
したが、その一方を充填するだけであつてもよ
い。更に、上記実施例では、複数の微少シヤツタ
を有する液晶シヤツタ部１を除く部分を絶縁体で
充填するようにしたが、微少シヤツタを除く他の
部分全てを充填するようにしてもよい。
１の幅方向両側部を夫々絶縁体で充填するように
したが、その一方を充填するだけであつてもよ
い。更に、上記実施例では、複数の微少シヤツタ
を有する液晶シヤツタ部１を除く部分を絶縁体で
充填するようにしたが、微少シヤツタを除く他の
部分全てを充填するようにしてもよい。
この考案は、以上詳細に説明したように、少な
くとも微少シヤツタを除く一対の基板間に絶縁体
を充填するようにしたから、高周波駆動時の発熱
を十分抑えることができ、液晶物質の動作特性の
変化及び劣化を防止し得、また液晶使用量も少な
く経済的である等の優れた効果を有する。
くとも微少シヤツタを除く一対の基板間に絶縁体
を充填するようにしたから、高周波駆動時の発熱
を十分抑えることができ、液晶物質の動作特性の
変化及び劣化を防止し得、また液晶使用量も少な
く経済的である等の優れた効果を有する。
図面はこの考案の一実施例を示したもので、第
１図は第２図Ａ−Ａ線断面図、第２図は第１図Ｂ
−Ｂ線断面図である。 ２……液晶層、３……下部ガラス基板、４……
上部ガラス基板、５……走査電極、６……信号電
極、So……微少シヤツタ、１１，１２……絶縁
体。
１図は第２図Ａ−Ａ線断面図、第２図は第１図Ｂ
−Ｂ線断面図である。 ２……液晶層、３……下部ガラス基板、４……
上部ガラス基板、５……走査電極、６……信号電
極、So……微少シヤツタ、１１，１２……絶縁
体。
Claims (1)
- 信号電極と走査電極とが対向する内面に形成さ
れた一対の基板間に、誘電異方性が０となる交差
周波数より低い周波数の低周波電界中で正の誘電
異方性を示し、前記交差周波数より高い周波数の
高周波電界中で負の誘電異方性を示す液晶物質が
封入され、前記信号電極と走査電極間に前記低周
波電界と高周波電界とを選択的に供給することに
より、前記信号電極と走査電極とが対向する部分
の一部で構成される微少シヤツタの光透過を制御
する液晶装置において、前記微少シヤツタが複数
配列された液晶シヤツタ部を除いて前記一対の基
板間に前記液晶物質より誘電率が小さい絶縁体を
充填したことを特徴とする液晶装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11343884U JPS6129320U (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 液晶装置 |
| US06/719,708 US4647156A (en) | 1984-04-12 | 1985-04-04 | Liquid crystal device |
| GB08509191A GB2158632B (en) | 1984-04-12 | 1985-04-10 | Liquid crystal device |
| DE19853513200 DE3513200A1 (de) | 1984-04-12 | 1985-04-12 | Fluessigkristall-einrichtung |
| FR858505569A FR2563031B1 (fr) | 1984-04-12 | 1985-04-12 | Dispositif a cristaux liquides |
| HK636/89A HK63689A (en) | 1984-04-12 | 1989-08-10 | Liquid crystal device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11343884U JPS6129320U (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6129320U JPS6129320U (ja) | 1986-02-21 |
| JPH0245847Y2 true JPH0245847Y2 (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=30672469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11343884U Granted JPS6129320U (ja) | 1984-04-12 | 1984-07-27 | 液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6129320U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102271889B1 (ko) * | 2014-10-30 | 2021-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP11343884U patent/JPS6129320U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6129320U (ja) | 1986-02-21 |
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