JPH0246535A - 光ピックアップ装置 - Google Patents
光ピックアップ装置Info
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- JPH0246535A JPH0246535A JP63196556A JP19655688A JPH0246535A JP H0246535 A JPH0246535 A JP H0246535A JP 63196556 A JP63196556 A JP 63196556A JP 19655688 A JP19655688 A JP 19655688A JP H0246535 A JPH0246535 A JP H0246535A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、レーザ光を用いて光ディスクや光磁気ディス
ク等の光記憶媒体に記憶される情報の記録や読み出し等
を行うだめの光情報処理用の光ピックアップに関するも
のである。
ク等の光記憶媒体に記憶される情報の記録や読み出し等
を行うだめの光情報処理用の光ピックアップに関するも
のである。
従来の技術
従来、光ディスクや光磁気ディスク等の光記憶媒体に記
憶される情報の記録や読み出しをレーザ光を用いて行う
光ピックアップは、光源としての半導体レーザ、この半
導体レーザから出射する光を光記憶媒体上に収束するた
めの光学レンズ、この光記憶媒体で反射するレーザ光を
受光素子に導くためのビームスプリッタ、媒体からの反
射光に非点収差等を与え、光記憶媒体上に収束された光
の焦点ずれを検出可能にして、受光素子に結像させるた
めのシリンドリカルレンズ及び反射光を受光して、焦点
ずれトラッキングずれ及び前記光記憶媒体に記憶された
情報を検出するための受光素子を含んで構成されている
。
憶される情報の記録や読み出しをレーザ光を用いて行う
光ピックアップは、光源としての半導体レーザ、この半
導体レーザから出射する光を光記憶媒体上に収束するた
めの光学レンズ、この光記憶媒体で反射するレーザ光を
受光素子に導くためのビームスプリッタ、媒体からの反
射光に非点収差等を与え、光記憶媒体上に収束された光
の焦点ずれを検出可能にして、受光素子に結像させるた
めのシリンドリカルレンズ及び反射光を受光して、焦点
ずれトラッキングずれ及び前記光記憶媒体に記憶された
情報を検出するための受光素子を含んで構成されている
。
通常の光ピックアップは、このように光記憶媒体で反射
するレーザ光を受光素子に導くためのビームスプリッタ
や反射光に非点収差等を与え、この光記憶媒体上に収束
された光の焦点ずれを検出可能にしてこの受光素子に結
像させるためのシリンドリカルレンズ等が必要とされる
ので、光学部品点数が増え光軸合わせが困難となり製造
価格が高価なものとなシ、また光ピックアップを小型化
する上でおおきな問題となっていた０ そこで小型化を実現するために、前記のレンズやビーム
スプリンタ、受光素子等の機能を複合化した光集積回路
をもちいた光集積化ピンクアンプが提案された。（参考
文献、裏ら、電子通信学会論文誌 Ｖｏｌ、Ｊｅｓ−Ｃ
，８０３１９８５）この光ビックアンプの概略を第６図
に示す。半導体レーザ６１よシ出射された光は、Ｓｉ基
板５２上に形成された光導波路５３を伝搬し、この６
△−／゛ 光導波路５３上に形成された集光性グレーティングカプ
ラ５４により、光ディスク５．６の表面に集光される。
するレーザ光を受光素子に導くためのビームスプリッタ
や反射光に非点収差等を与え、この光記憶媒体上に収束
された光の焦点ずれを検出可能にしてこの受光素子に結
像させるためのシリンドリカルレンズ等が必要とされる
ので、光学部品点数が増え光軸合わせが困難となり製造
価格が高価なものとなシ、また光ピックアップを小型化
する上でおおきな問題となっていた０ そこで小型化を実現するために、前記のレンズやビーム
スプリンタ、受光素子等の機能を複合化した光集積回路
をもちいた光集積化ピンクアンプが提案された。（参考
文献、裏ら、電子通信学会論文誌 Ｖｏｌ、Ｊｅｓ−Ｃ
，８０３１９８５）この光ビックアンプの概略を第６図
に示す。半導体レーザ６１よシ出射された光は、Ｓｉ基
板５２上に形成された光導波路５３を伝搬し、この６
△−／゛ 光導波路５３上に形成された集光性グレーティングカプ
ラ５４により、光ディスク５．６の表面に集光される。
そして光ディスクの表面で記録情報に応じた強度で反射
して広がる光は再度集光性グレーティングカプラ６４に
達し、導波光に変換されて、その一部は半導体レーザ６
１に戻るが一部は集光性ビームスプリッタ５６により他
の二方向に分割され、Ｓｉ基板５２に形成された二対の
受光素子６７に結像され、フーコー法により、焦点ずれ
、 Ｉ−ランキングずれ及び前記光記録媒体に記録さ
れた情報の信号が検出される。
して広がる光は再度集光性グレーティングカプラ６４に
達し、導波光に変換されて、その一部は半導体レーザ６
１に戻るが一部は集光性ビームスプリッタ５６により他
の二方向に分割され、Ｓｉ基板５２に形成された二対の
受光素子６７に結像され、フーコー法により、焦点ずれ
、 Ｉ−ランキングずれ及び前記光記録媒体に記録さ
れた情報の信号が検出される。
また、小型化を実現するために、通常の光ピックアップ
におけるビームスプリッタとシリンドリカルレンズの両
方の機能を同時に実現可能なホログラム素子で置き換え
られた光ピックアップが開発された。（参考文献、木材
ら、第２２回微小光学研究会論文 Ｖｏｌ 、１４，２
２８．１９８６）このホログラム型の光ピックアップの
概略を第６図に示す。半導体レーザ６１よシ放射された
光は、ホログラムレンズ６２を通過し結像レンズ６１＼
−／ ６３により光ディスク６４の表面に集光される。
におけるビームスプリッタとシリンドリカルレンズの両
方の機能を同時に実現可能なホログラム素子で置き換え
られた光ピックアップが開発された。（参考文献、木材
ら、第２２回微小光学研究会論文 Ｖｏｌ 、１４，２
２８．１９８６）このホログラム型の光ピックアップの
概略を第６図に示す。半導体レーザ６１よシ放射された
光は、ホログラムレンズ６２を通過し結像レンズ６１＼
−／ ６３により光ディスク６４の表面に集光される。
光ディスク６４の表面で記録情報に応じた強度で反射し
て広がる光は、再度結像レンズ６３により収束され一部
は半導体レーザ６１に戻るが、一部は二つの領域（Ｒ１
、Ｒ２）に分割されたホログラム素子６２により二方向
に分割され、四分割の受光素子６６に結像され、所謂ナ
イフェツジ法により焦点ずれ、トラッキングずれ及び前
記光記憶媒体に記憶された情報の信号が検出される。
て広がる光は、再度結像レンズ６３により収束され一部
は半導体レーザ６１に戻るが、一部は二つの領域（Ｒ１
、Ｒ２）に分割されたホログラム素子６２により二方向
に分割され、四分割の受光素子６６に結像され、所謂ナ
イフェツジ法により焦点ずれ、トラッキングずれ及び前
記光記憶媒体に記憶された情報の信号が検出される。
発明が解決しようとする課題
ところが、前記の光集積化ピックアップでは光デイスク
上に充分に絞って集光させるためには、フォーカシング
グレーティングカプラ６４に厳しい精度が要求され、ま
た半導体レーザの波長の変動によっても集光特性が悪化
するという欠点があった。またこの光集積化光ピンクア
ップでは半導体レーザ５１から発する光の一部がフォー
カシンググレーティングカプラ５４に到達するまでにビ
ームスプリッタ５６により回折されるために、光の利用
効率が悪い。また、第６図のホログラム型７ Ｉ−ノ の光ピツクアンプでは、ホログラム素子を半導体レーザ
と収束（結像）レンズの間に配置させる必要がちシ、ま
た、レーザから放射する光を光デイスク上に１μｍ以下
の回折限界に絞るために、収束レンズと半導体レーザと
の距離を約１ａ以上隔てて、ビーム径を一度大きくして
から大きなＮＡの収束レンズで絞シ込む必要がある。従
って光ピックアップの小型化には限界があった。
上に充分に絞って集光させるためには、フォーカシング
グレーティングカプラ６４に厳しい精度が要求され、ま
た半導体レーザの波長の変動によっても集光特性が悪化
するという欠点があった。またこの光集積化光ピンクア
ップでは半導体レーザ５１から発する光の一部がフォー
カシンググレーティングカプラ５４に到達するまでにビ
ームスプリッタ５６により回折されるために、光の利用
効率が悪い。また、第６図のホログラム型７ Ｉ−ノ の光ピツクアンプでは、ホログラム素子を半導体レーザ
と収束（結像）レンズの間に配置させる必要がちシ、ま
た、レーザから放射する光を光デイスク上に１μｍ以下
の回折限界に絞るために、収束レンズと半導体レーザと
の距離を約１ａ以上隔てて、ビーム径を一度大きくして
から大きなＮＡの収束レンズで絞シ込む必要がある。従
って光ピックアップの小型化には限界があった。
本発明は、以上の様な従来の光ピックアップの問題点を
克服し、小型の光ピツクアンプを提供するものである。
克服し、小型の光ピツクアンプを提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、光を放射するレーザ光源、前記レーザから出
射する光を発散させるための光学レンズ、及び前記発散
された光を光記憶媒体上に収束するための光学レンズ、
前記光記憶媒体によって反射される光を結合させる回折
素子の形成された光導波路、及びとの光導波路を伝搬す
る光を検出するための受光素子を含んで構成され、前記
回折素子、光導波路及び受光素子が前記発散用或は収束
用の光学レンズの表面に形成されている光ピックアップ
を得るものである。
射する光を発散させるための光学レンズ、及び前記発散
された光を光記憶媒体上に収束するための光学レンズ、
前記光記憶媒体によって反射される光を結合させる回折
素子の形成された光導波路、及びとの光導波路を伝搬す
る光を検出するための受光素子を含んで構成され、前記
回折素子、光導波路及び受光素子が前記発散用或は収束
用の光学レンズの表面に形成されている光ピックアップ
を得るものである。
また、本発明は、光を放射するレーザ光源、前記レーザ
から出射する光を発散させるための光学レンズ、及び前
記発散された光を光記憶媒体上に収束するための光学レ
ンズ、前記光記憶媒体によって反射させる光を結合させ
る回折素子の形成された光導波路及びとの光導波路を伝
搬する光を放射するための素子及び前記放射された光を
検出するための受光素子を含んで構成され、前記回折素
子、光導波路及び光導波路を伝搬する光を外部に放射す
る結合素子が、前記発散性又は収束性のレンズの表面に
形成され、かつ受光素子が前記レーザ光源の近傍に配置
されている光ピックアップを提供するものである。また
本発明は、光を放射する半導体レーザ光源、前記半導体
レーザから出射する光を発散させる発散レンズ、及び前
記発散された光を光記憶媒体上に光学レンズで収束し、
前記光記憶媒体からの反射光が前記の発散レンズに戻り
、前記発散レンズの表面に形成された光導波９ ヘ一／
゛ 路に前記反射光が回折格子を介して結合されて前記光導
波路を伝搬し、前記回折格子とは別に形成された回折格
子により前記光導波路外に放射されて、受光素子に導か
れるとともに、前記半導体レーザ光源および受光素子が
同一のマウント上に配置され、かつ、光導波路と回折格
子の形成された発散レンズによって、前記半導体レーザ
と受光素子が密封されている。
から出射する光を発散させるための光学レンズ、及び前
記発散された光を光記憶媒体上に収束するための光学レ
ンズ、前記光記憶媒体によって反射させる光を結合させ
る回折素子の形成された光導波路及びとの光導波路を伝
搬する光を放射するための素子及び前記放射された光を
検出するための受光素子を含んで構成され、前記回折素
子、光導波路及び光導波路を伝搬する光を外部に放射す
る結合素子が、前記発散性又は収束性のレンズの表面に
形成され、かつ受光素子が前記レーザ光源の近傍に配置
されている光ピックアップを提供するものである。また
本発明は、光を放射する半導体レーザ光源、前記半導体
レーザから出射する光を発散させる発散レンズ、及び前
記発散された光を光記憶媒体上に光学レンズで収束し、
前記光記憶媒体からの反射光が前記の発散レンズに戻り
、前記発散レンズの表面に形成された光導波９ ヘ一／
゛ 路に前記反射光が回折格子を介して結合されて前記光導
波路を伝搬し、前記回折格子とは別に形成された回折格
子により前記光導波路外に放射されて、受光素子に導か
れるとともに、前記半導体レーザ光源および受光素子が
同一のマウント上に配置され、かつ、光導波路と回折格
子の形成された発散レンズによって、前記半導体レーザ
と受光素子が密封されている。
作用
本発明は、発散作用を有する光学レンズを介して、収束
レンズに達するレーザ光を光デイスク上に絞シ込む事に
より、半導体レーザと収束レンズの距離を短縮化し、ま
た、信号の含まれる反射光を光導波路を用いて受光素子
に導く事により、光ピックアップの小型化が実現される
ものである。
レンズに達するレーザ光を光デイスク上に絞シ込む事に
より、半導体レーザと収束レンズの距離を短縮化し、ま
た、信号の含まれる反射光を光導波路を用いて受光素子
に導く事により、光ピックアップの小型化が実現される
ものである。
実施例
本発明の詳細を実施例を用いて説明する。第１の発明の
実施例の概略を第１図に示す。矢印は光の伝搬状態を示
す半導体レーザ１より放射される光は、発散レンズ（凹
レンズ）２により放射角が１０ハ・−／゛ 広げられ、収束レンズ（凸レンズ）３により光ディスク
４０表面に集光される。そして光ディスク４の表面で反
射するレーザ光は逆方向に発散して収束レンズ３に入射
し、集光性の光に変換される。
実施例の概略を第１図に示す。矢印は光の伝搬状態を示
す半導体レーザ１より放射される光は、発散レンズ（凹
レンズ）２により放射角が１０ハ・−／゛ 広げられ、収束レンズ（凸レンズ）３により光ディスク
４０表面に集光される。そして光ディスク４の表面で反
射するレーザ光は逆方向に発散して収束レンズ３に入射
し、集光性の光に変換される。
この集光性の光の一部は発散レンズ２を通過して半導体
レーザ１に戻るが、一部は、発散レンズ２の表面に形成
された光導波路５に、グレーティングカプラすなわち４
つの光回折素子ｅ（ｅａ、ｅｂ。
レーザ１に戻るが、一部は、発散レンズ２の表面に形成
された光導波路５に、グレーティングカプラすなわち４
つの光回折素子ｅ（ｅａ、ｅｂ。
６Ｃ、６ｄ ）を介して結合され、光導波路６中を４方
向に分れて伝搬する。そして光導波路６を伝搬する光は
、たとえばアモルファスシリコンで形成された４つの受
光素子７（７Ｎ、７ｂ、７Ｃ。
向に分れて伝搬する。そして光導波路６を伝搬する光は
、たとえばアモルファスシリコンで形成された４つの受
光素子７（７Ｎ、７ｂ、７Ｃ。
７ｄ）に達して、光記憶媒体（光ディスク４）に記憶さ
れた信号並びにフォーカシング信号、トラッキング信号
が検出される。
れた信号並びにフォーカシング信号、トラッキング信号
が検出される。
第２図（ａ）は中央部に４つの光回折素子６ａ〜６ｄの
形成された第１図に示す発散レンズの表面の概略を示す
図であシ、（ｂ）は（＋Ｌ）のＩｆ−１’線断面図であ
る。曲がりとチャーピングの構造を有する誘電体の装荷
層が光導波路６の上に形成され、光１ １ ”−７ 回折素子６すなわちグレーティングカプラが形成されて
いる。このグレーティングカプラは、それぞれ半導体レ
ーザに向って集光しようとする集光性の光を光導波路に
導き、かつ矢印ｌのととく光導波路内の受光素子に集光
させる機能を有している。
形成された第１図に示す発散レンズの表面の概略を示す
図であシ、（ｂ）は（＋Ｌ）のＩｆ−１’線断面図であ
る。曲がりとチャーピングの構造を有する誘電体の装荷
層が光導波路６の上に形成され、光１ １ ”−７ 回折素子６すなわちグレーティングカプラが形成されて
いる。このグレーティングカプラは、それぞれ半導体レ
ーザに向って集光しようとする集光性の光を光導波路に
導き、かつ矢印ｌのととく光導波路内の受光素子に集光
させる機能を有している。
また、これらのグレーティングカプラすなわち光回折素
子（ｅａ、６ｂ、ｅｃ、ｓｄ）のうち、素子６ａ及び６
Ｃは光ディスクがジャストフォーカス（半導体レーザの
出射光が、光デイスク上に最少のスポット径になる様に
、光ディスク４と収束レンズ３の距離が保たれている状
態）よシも少し収束レンズから離れた時に結合効率が最
大となる様に設定されているロ一方６ｂ、６ｄは光ディ
スクがジャストフォーカスよシも少し近づいた時に結合
効率が最大となる様に設定されている。従って、４つの
受光素子７ｉＬ 、 ７ｂ 、 了０ 、７ｄの出力を
Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄとすれば、（Ａ＋Ｃ）（Ｂ＋Ｄ）で、フ
ォーカス信号が得られ、また（Ａ＋Ｂ ）−（Ｃ＋Ｄ
’）で、トラッキング信号が得られる。またＡ−１−Ｂ
−１−Ｃ−１−Ｄは、記録信号であるＯ 本実施例では、光導波路やグレーティングカプラ、受光
素子等が凹レンズ２の上側の表面に形成されているが、
凹レンズ２の下側の表面に形成してもかまわない。
子（ｅａ、６ｂ、ｅｃ、ｓｄ）のうち、素子６ａ及び６
Ｃは光ディスクがジャストフォーカス（半導体レーザの
出射光が、光デイスク上に最少のスポット径になる様に
、光ディスク４と収束レンズ３の距離が保たれている状
態）よシも少し収束レンズから離れた時に結合効率が最
大となる様に設定されているロ一方６ｂ、６ｄは光ディ
スクがジャストフォーカスよシも少し近づいた時に結合
効率が最大となる様に設定されている。従って、４つの
受光素子７ｉＬ 、 ７ｂ 、 了０ 、７ｄの出力を
Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄとすれば、（Ａ＋Ｃ）（Ｂ＋Ｄ）で、フ
ォーカス信号が得られ、また（Ａ＋Ｂ ）−（Ｃ＋Ｄ
’）で、トラッキング信号が得られる。またＡ−１−Ｂ
−１−Ｃ−１−Ｄは、記録信号であるＯ 本実施例では、光導波路やグレーティングカプラ、受光
素子等が凹レンズ２の上側の表面に形成されているが、
凹レンズ２の下側の表面に形成してもかまわない。
またグレーティングカプラは収束性の光を、光導波路上
の受光素子に集光する様に構成されているが、受光素子
を周辺部に配置して、導波路内を中央部から周辺部に発
散する様にグレーティングカプラを構成する事も可能で
ある。
の受光素子に集光する様に構成されているが、受光素子
を周辺部に配置して、導波路内を中央部から周辺部に発
散する様にグレーティングカプラを構成する事も可能で
ある。
また、光導波路５．グレーティングカプラ６及び受光素
子７は、収束レンズ３のどちらかの表面に形成されてい
てもよい。
子７は、収束レンズ３のどちらかの表面に形成されてい
てもよい。
第１図のピックアップでは、発散レンズ２を用い、レン
ズの表面にグレーティングカプラ、光導波路、受光素子
を形成する構成を用いるため、半導体レーザ１と収束レ
ンズ３の距離を６咽以下と小さくでき、小型化を図るこ
とができる。
ズの表面にグレーティングカプラ、光導波路、受光素子
を形成する構成を用いるため、半導体レーザ１と収束レ
ンズ３の距離を６咽以下と小さくでき、小型化を図るこ
とができる。
第３図（＋Ｌ）に本発明の第２の実施例を示す。光ピ１
３ハ・−／ ツクアップの概略構成と信号検出の原理は前記の実施例
と同様である。ただし、グレーティングカプラである素
子６に達した反射光は、レンズの外側に向う発散光とし
て光導波路５′を伝搬し、別に設置された同心円状の第
２のグレーティングカプラ９により、空間（この場合下
側）に放射され、半導体レーザの周辺部に配置されたＳ
ｉの受光素子８に照射されて信号が検出される。
３ハ・−／ ツクアップの概略構成と信号検出の原理は前記の実施例
と同様である。ただし、グレーティングカプラである素
子６に達した反射光は、レンズの外側に向う発散光とし
て光導波路５′を伝搬し、別に設置された同心円状の第
２のグレーティングカプラ９により、空間（この場合下
側）に放射され、半導体レーザの周辺部に配置されたＳ
ｉの受光素子８に照射されて信号が検出される。
本実施例の特徴は、受光素子８として通常のＳｉの半導
体光検出素子を用いる事が出来るので、数１００Ｍｂｉ
ｔ／ｓ程度の高速な信号の読み取ｐ等を行う事が可能で
あシ、また信頼性も高い。
体光検出素子を用いる事が出来るので、数１００Ｍｂｉ
ｔ／ｓ程度の高速な信号の読み取ｐ等を行う事が可能で
あシ、また信頼性も高い。
本発明では、光導波路５′を伝搬する光を受光素子８に
導くのにグレーティングカプラを用いたが、必ずしもグ
レーティングカプラを用いる必要はなく、プリズムカプ
ラや反射鏡を用いても良く、また光導波路の端面から放
射される光を検出しても良い。また本実施例では光導波
路が凹レンズ２の半導体レーザ側に形成されているが、
光デイスク側に形成されていても良い。この場合の実施
例１４ ′・ ／ を第３図（ｂ）に示す。
導くのにグレーティングカプラを用いたが、必ずしもグ
レーティングカプラを用いる必要はなく、プリズムカプ
ラや反射鏡を用いても良く、また光導波路の端面から放
射される光を検出しても良い。また本実施例では光導波
路が凹レンズ２の半導体レーザ側に形成されているが、
光デイスク側に形成されていても良い。この場合の実施
例１４ ′・ ／ を第３図（ｂ）に示す。
本発明の第２の実施例の光ピックアップに用いる事の可
能な半導体レーザ装置の一例を第４図に記す。（ａ）は
上面から観た図であり、（ｂ）は側面から見た装置の断
面図である。第４図において、第３図と同一機能部分は
同一番号を付し、レンズ３とディスク４は共通であるだ
め図では省略する。
能な半導体レーザ装置の一例を第４図に記す。（ａ）は
上面から観た図であり、（ｂ）は側面から見た装置の断
面図である。第４図において、第３図と同一機能部分は
同一番号を付し、レンズ３とディスク４は共通であるだ
め図では省略する。
１は半導体レーザ、４２はＳｉサブマウント、８は受光
素子、２は凹レンズであシ、光導波路５′とグレーティ
ングカプラ６．９が設置されている。
素子、２は凹レンズであシ、光導波路５′とグレーティ
ングカプラ６．９が設置されている。
また４９はマウントであり、６０は凹レンズ４５の設置
されたキャップであり、内部は窒素等の不活性ガスが充
填され、６１は電極端子である。
されたキャップであり、内部は窒素等の不活性ガスが充
填され、６１は電極端子である。
半導体レーザ１から放射した光は凹レンズ２により、更
に発散性の光として外部に放射される。
に発散性の光として外部に放射される。
一方、光ディスク等の外部からの信号を含む収束性の光
が、グレーティングカプラ９により、光導波路５′に結
合し、光導波路５′を伝搬する光がグレーティングカプ
ラ９を介して受光素子８に達して検出される。
が、グレーティングカプラ９により、光導波路５′に結
合し、光導波路５′を伝搬する光がグレーティングカプ
ラ９を介して受光素子８に達して検出される。
１５ ベーン
本実施例においては、光導波路を伝搬する光がグレーテ
ィングカプラを介して受光素子に達するが、光導波路上
に受光素子が形成されていてもかまわない。
ィングカプラを介して受光素子に達するが、光導波路上
に受光素子が形成されていてもかまわない。
第４図の半導体レーザ装置は、前記の様に光ピンクアッ
プに応用する事により、小型の光ピンクアップを実現で
き、かつ受光素子８と半導体レーザ１が同一マウント４
９に一体設置されておシ、これらの位置合せが容易であ
シ、組立も行いやすい。キャップ５１．凹レンズ２にて
封止されておシ、信頼性も極めてすぐれたものとなる。
プに応用する事により、小型の光ピンクアップを実現で
き、かつ受光素子８と半導体レーザ１が同一マウント４
９に一体設置されておシ、これらの位置合せが容易であ
シ、組立も行いやすい。キャップ５１．凹レンズ２にて
封止されておシ、信頼性も極めてすぐれたものとなる。
発明の効果
以上に示した如く、本発明は従来の光ピックアップの問
題点を克服し、小型軽量な光ピンクアップを提供するも
のであり、大きな価値を有するものである。
題点を克服し、小型軽量な光ピンクアップを提供するも
のであり、大きな価値を有するものである。
第１図は本発明の実施例の光ピックアップの概略図、第
２図（ａ） 、 （ｂ）は同実施例に用いた光導波路の
設置された発散レンズの平面図、ｍ−ｎ’線断面図、第
３図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の他の実施例の光ピッ
クアップ装置の概略図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本
発明の半導体レーザ装置の他の例の概略平面図、■■′
線断面図、第５図、第６図は従来の光集積化ピンクアッ
プ、ホログラム型光ピックアップの概略図である。 １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・・・発散レン
ズ、３・・・・・収束レンズ、４・・・・・・光ディス
ク、５．５’・・印・光導波路、６・・・・・光回折素
子、７・・・・・受光素子。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 はが１名区 区 憾 Ｃす ＼ｒ 塚 Ｐ″ 保 七収
２図（ａ） 、 （ｂ）は同実施例に用いた光導波路の
設置された発散レンズの平面図、ｍ−ｎ’線断面図、第
３図（ａ） 、 （ｂ）は本発明の他の実施例の光ピッ
クアップ装置の概略図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は本
発明の半導体レーザ装置の他の例の概略平面図、■■′
線断面図、第５図、第６図は従来の光集積化ピンクアッ
プ、ホログラム型光ピックアップの概略図である。 １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・・・発散レン
ズ、３・・・・・収束レンズ、４・・・・・・光ディス
ク、５．５’・・印・光導波路、６・・・・・光回折素
子、７・・・・・受光素子。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 はが１名区 区 憾 Ｃす ＼ｒ 塚 Ｐ″ 保 七収
Claims (3)
- （１）光を放射するレーザ光源、前記レーザから出射す
る光を発散させるための光学レンズ、及び前記発散され
た光を光記憶媒体上に収束するための光学レンズ、前記
光記憶媒体によって反射される光を導波路に結合させる
ための回折素子の形成された光導波路、及び前記光導波
路を伝搬する光を検出するための受光素子を含んで構成
され、前記回折素子と光導波路と受光素子が前記発散用
或は収束用の光学レンズの表面に形成されている事を特
徴とする光ピックアップ装置。 - （２）光を放射するレーザ光源、前記レーザから出射す
る光を発散させるための光学レンズ、及び前記発散され
た光を光記憶媒体上に収束するための光学レンズ、前記
光記憶媒体によって反射させる光を結合させる回折素子
の形成された光導波路、及び前記光導波路を伝搬する光
を放射するための素子及び前記放射された光を検出する
ための受光素子を含んで構成され、前記回折素子と光導
波路と光導波路を伝搬する光を外部に放射する結合素子
が、前記発散性又は収束性のレンズの表面に形成され、
かつ受光素子が前記レーザ光源の近傍に配置されている
事を特徴とする光ピックアップ装置。 - （３）光を放射する半導体レーザ光源、前記半導体レー
ザ光源から出射する光を発散させる発散レンズ、及び前
記発散された光を光記憶媒体上に光学レンズで収束し、
前記光記憶媒体からの反射光が前記の発散レンズに戻り
、前記発散レンズの表面に形成された光導波路に前記反
射光が回折格子を介して結合されて前記光導波路を伝搬
し、前記回折格子とは別に形成された回折格子により前
記光導波路外に放射されて、受光素子に導かれるととも
に、前記半導体レーザ光源および受光素子が同一のマウ
ント上に配置され、かつ、前記光導波路と回折格子の形
成された発散レンズによって、前記半導体レーザ光源と
受光素子が密封されている事を特徴とする光ピックアッ
プ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196556A JP2506972B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 光ピックアップ装置 |
| US07/487,964 US5161148A (en) | 1988-08-05 | 1989-08-01 | Optical pick-up using wavelength guide with grating coupler therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63196556A JP2506972B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 光ピックアップ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246535A true JPH0246535A (ja) | 1990-02-15 |
| JP2506972B2 JP2506972B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=16359700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63196556A Expired - Fee Related JP2506972B2 (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 光ピックアップ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2506972B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003071529A1 (en) * | 2002-02-25 | 2003-08-28 | Sony Corporation | Optical pickup and disk drive unit |
| JP2020134592A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 株式会社豊田中央研究所 | 回折格子アレイ |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP63196556A patent/JP2506972B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003071529A1 (en) * | 2002-02-25 | 2003-08-28 | Sony Corporation | Optical pickup and disk drive unit |
| US7280457B2 (en) | 2002-02-25 | 2007-10-09 | Sony Corporation | Optical disc with an improved compound lens |
| JP2020134592A (ja) * | 2019-02-14 | 2020-08-31 | 株式会社豊田中央研究所 | 回折格子アレイ |
| JP2023126362A (ja) * | 2019-02-14 | 2023-09-07 | 株式会社豊田中央研究所 | 回折格子アレイ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2506972B2 (ja) | 1996-06-12 |
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