JPH0246590A - メモリ装置 - Google Patents

メモリ装置

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JPH0246590A
JPH0246590A JP63196708A JP19670888A JPH0246590A JP H0246590 A JPH0246590 A JP H0246590A JP 63196708 A JP63196708 A JP 63196708A JP 19670888 A JP19670888 A JP 19670888A JP H0246590 A JPH0246590 A JP H0246590A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
flip
input
flops
transistors
Prior art date
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Pending
Application number
JP63196708A
Other languages
English (en)
Inventor
Tetsuyuki Fukushima
哲之 福島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63196708A priority Critical patent/JPH0246590A/ja
Publication of JPH0246590A publication Critical patent/JPH0246590A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はメモリ装置に関し、特に画像データのフレーム
バッファ等として用いられる、シリアルボート、ボラレ
ルボートを備えたデュアルボー1〜型のメモリ装置に関
する。
〔従来の技術〕
従来のこの種のメモリ装置について図面を参照して説明
する。
第4図は従来のメモリ装置の一例を示す回路図である。
メモリセルアレイ]は、マトリクス状に配列された複数
のメモリセル11と、これらメモリセル11と接続する
複数のディジット線り、〜D5及びワード線(WK )
とを備えている。
データ転送ゲート3は、それぞれ第1の端子を各ディジ
ット線り、〜D5と対応して接続しゲートに共にデータ
転送制御信号TOを入力し、てオン・オフし、第1及び
第2の端子間のデータの転送を行う複数のトランジスタ
Q31〜Q35を備えている。
データレジスタ4は、それぞれ入出力端をデータ転送ゲ
ート3の各トランジスタQ31〜Q35の第2の端子と
対応して接続しこの入出力端に伝達されたデータを保持
する複数のレジスタR1〜R6を備えている。
データ入出力回路5は、それぞれ一端を各レジスタR1
〜R5の入出力端と対応して接続し他端をデータバス5
1と共通接続しゲートに走査信号SS1〜SS、を入力
してオン・オフし、各レジスタR1〜R5とデータバス
51との間のデータの転送を行う複数のトランジスタQ
51〜Q55を備えている。なお、データバス5]はシ
リアルデータ入出力用の入出力端子TToと接続してい
る。
シフトレジスタ2Bは、縦続接続された複数のフリップ
フロップFF、〜FF5を備え、これらフリップフロッ
プト′F1〜FF5の出力端から、データ入出力回路ら
のトランジスタQ+it〜Q55を順次オン状態とする
走査信号S81〜S85を出力する。
F述したデータ転送ゲート3.データレジスタ4、デー
タ入出力回路5及びシフトレジスタ2Bによりシリアル
ボートが形成される。
次に、このメモリ装置の動作について、データを読出す
場合を例にして説明する。
メモリセルアレイ1において、ロウアドレスにのワード
線W+<が活性化してワード線WK上のメモリセル11
をリフレッシュすると、各メモリセル11のデータが対
応するディジット線D1〜D、上に現われる。
この直後にデータ転送制御信号T Gによりデータ転送
ゲート3を開くと、各ディジット線D1〜D5上のデー
タがデータレジスタ4の各レジスタR1〜R5に転送さ
れラッチされる(ロウアドレスにのワード線WKと接続
する全てのメモリセル11のデータが転送される)。
データレジスタ4の各レジスタR1〜R5にラッチされ
たデータは、シフトレジスタ2Bからの走査信号SS1
〜SS5により順次オンするデータ入出力回路5のトラ
ンジスタQ51〜Q55により1ビツトずつ順次、デー
タバス51を介して入出力端子TIOへ転送され、シリ
アルデータとして出力される。
〔発明が解決しようとする課題〕
」二連した従来のメモリ装置は、データ転送ゲート3.
データレジスタ4.デ−タ入出力回路5及びシフトレジ
スタ2Rによりシリアルボートを形成する構成となって
いるので、データレジスタ4及びシフトレジスタ2Bに
よるデバイスの占有面積が大きくデバイスサイズが大き
くなるという欠点があり、またデータバス51が大きな
負荷となるためデータ転送時間が長くなり、シリアルア
クセス時間が長くなるという欠点がある。
本発明の目的は、デバイスサイズを小さくすることがで
き、かつシリアルアクセス時間を短縮することができる
メモリ装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のメモリ装置は、マトリクス状に配列された複数
のメモリセルと、これらメモリセルと接続する複数のテ
ィジット線及びワード線とを備えたメモリセルアレイと
、縦続接続された複数のフリップフロップを備え、これ
らフリップフロップの最前段及び最後段の少なくとも一
方にシリアルデータを入力する入力端子及びシリアルデ
ータを出力する出力端子の少なくとも一方を対応して接
続し、クロック信号により前記各フリップフロップの入
力端に伝達されたデータを順次後方へ伝達するシフトレ
ジスタと、前記各フリップフロップの入力端(又は出力
端〉と前記各デイフッ1〜線との間にそれぞれ対応して
接続されこれらの間のデータの転送を行う複数のトラン
ジスタを備えたデータ転送ゲートとを有している。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図である。
この実施例は、本発明をシリアルボートの出力側に適用
したものである。
この実施例のメモリセルアレイ1は従来のメモリ装置と
同様である。
シフトレジスタ2は、それぞれトランジスタQ21〜Q
24を介して縦続接続された複数のフリップフロップF
 F 、〜FF5を備え、最後段のフリップフロップF
F5に出力端子′「。を接続し、トランジスタQ21〜
Q24がオフ状態のときクロック信号CLKにより各フ
リップフロップFFl〜FF5にそれぞれの入力端のデ
ータを保持し、トランジスタQ21〜Q24がオン状態
のときクロック信号CLKにより、各フリップフロップ
FF、〜FF、に保持されているデータを順次後方へ伝
達する。
データ転送ゲート3は、シフトレジスタ2のフリップフ
ロップFF2〜FF5の入力端とディジット線D1〜D
4との間にそれぞれ対応して接続され、ゲートにデータ
転送制御信号TGを入力してオン・オフし、ディジット
線D1〜D4のデータをフリップフロップFF2〜FF
、の各入力端へ転送する。
インバータ11は、データ転送制御信号TGを反転して
トランジスタQ21〜Q24のゲートへ伝達し、データ
転送ゲート3によりディジット線D1〜D4のデータが
フリップフロップFF2〜FF5の入力端へ転送される
とき各フリップフロップFF、〜FF5相互間を分離し
、データシフト時にはこれらフリップフロップFF、〜
FF5相互間を接続する。
」二連したシフトレジスタ2.データ転送ゲート3及び
インバータ■1によりシリアルボートか形成される。
次に、この実施例の動作を説明する。
メモリセルアレイ1において、ロウアドレスにのワード
線WKが活性化してワード線W8上のメモリセル11を
リフリッシュすると、メモリセル]1のデータが対応す
るディジット線■)1〜I)4上に現われる。
この直後にデータ転送制御信号T Gによりデータ転送
ゲート3を開くと、各ディジット線り、〜D4上のデー
タがシフトレジスタ2のフリップフロップFF2〜FF
、の入力端に転送され、クロック信号CL、 Kにより
フリップフロップFF2〜FF5にラッチされる(この
とき、トランジスタQ21〜Q24はオフ状態であり、
また、ロウアドレスにのワード線WKと接続する全ての
メモリセル11のデータが転送される)。
データ転送制御信号TGが非活性状態になるとトランジ
スタQ21〜Q24は導通するので、フリップフロップ
FF2〜FF5にラッチされたデータはクロック信号C
LKにより順次後方へ伝達され、出力端子Toから1ビ
ツトづつ順次出力される。
第2図は本発明の第2の実施例を示す回路図である。
この実施例は、本発明をシリアルボートの入力側に適用
したものである。
この実施例が第1の実施例と相違する点は、インバータ
■l及び最後段のフリップフロップFF5と出力端子T
oとの接続を除去すると共にトランジスタQ 2 t〜
Q24を短縮し、最前段のフリップフロップFF1に入
力端子T1を接続し、データの流れを入力端子T+から
シフトレジスタ2Aを経てディジット線り、〜D5/\
至るように逆にした点にある。
次に、この実施例の動作について説明する。
入力端子TIに入力されたシリアルデータSDIは、ク
ロック信号CLKに従って順次シフトレジスタ2Aのフ
リップフロップFF、〜FF、にシフトされラッチされ
る。
シフトレジスタ2Aにデータが蓄えられたところで、デ
ータ転送制御信号TGを活性化してシフトレジスタ2A
内のデータをディジッ1へ線D1〜D5を介して、活性
化されているワード線WKと接続するメモリセル11に
転送する。
第3図は本発明の第3の実施例を示す回路図である。
この実施例は、第1及び第2の実施例を統合し、シリア
ルデータの入力と出力とが同一回路で行なえるようにし
たものである。
この実施例は、第1の実施例のインバータ■1の入力端
をデータ転送制御信号TGの入力端子と切離して独立し
て制御できるようにし、また最前段、最後段のフリップ
フロップFFI 、F ト”5にそれぞれ入力端子TI
、出力端子T。を接続したもので、シリアルデータを入
力するときは、制御信号C8によりトランジスタQ21
〜Q24を短絡し、シリアルデータを出力するときは、
制御信号CSをデータ転送制御信号TGと同一波形とし
てトランジスタQ21〜Q24のオン・オフを制御する
この実施例の動作は、シリアルデータの出力時には第1
の実施例と同様であり、また入力時には第2の実施例と
同様である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、シリアルボートを、シフ
トレジスタの各フリップフロップの入力端又は出力端と
各ディジット線との間をデータ転送ゲートの各トランジ
スタを介して接続してこれらの間のデータの転送を行い
、かつシフトレジスタにデータを直接載せて伝達する構
成とすることにより、従来必要としたデータレジスタと
データバスを含むデータ入出力回路とを除去することか
できるので、デバイスサイズを小さくすることができ、
かつシリアルアクセス時間を短縮することができる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第3図はそれぞれ本発明の第1乃至第3の実
施例を示す回路図、第4図は従来のメモリ装置の一例を
示す回路図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. マトリクス状に配列された複数のメモリセルと、これら
    メモリセルと接続する複数のディジット線及びワード線
    とを備えたメモリセルアレイと、縦続接続された複数の
    フリップフロップを備え、これらフリップフロップの最
    前段及び最後段の少なくとも一方にシリアルデータを入
    力する入力端子及びシリアルデータを出力する出力端子
    の少なくとも一方を対応して接続し、クロック信号によ
    り前記各フリップフロップの入力端に伝達されたデータ
    を順次後方へ伝達するシフトレジスタと、前記各フリッ
    プフロップの入力端(又は出力端)と前記各ディジット
    線との間にそれぞれ対応して接続されこれらの間のデー
    タの転送を行う複数のトランジスタを備えたデータ転送
    ゲートとを有することを特徴とするメモリ装置。
JP63196708A 1988-08-05 1988-08-05 メモリ装置 Pending JPH0246590A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63196708A JPH0246590A (ja) 1988-08-05 1988-08-05 メモリ装置

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JP63196708A JPH0246590A (ja) 1988-08-05 1988-08-05 メモリ装置

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JPH0246590A true JPH0246590A (ja) 1990-02-15

Family

ID=16362267

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JP63196708A Pending JPH0246590A (ja) 1988-08-05 1988-08-05 メモリ装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04176089A (ja) * 1990-11-08 1992-06-23 Nec Corp メモリ装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60263397A (ja) * 1984-06-01 1985-12-26 インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン ダイナミツク・ランダム・アクセス・メモリ用行バツフア回路
JPS63152095A (ja) * 1986-12-17 1988-06-24 Toshiba Corp テレビジヨン信号処理用半導体集積回路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60263397A (ja) * 1984-06-01 1985-12-26 インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン ダイナミツク・ランダム・アクセス・メモリ用行バツフア回路
JPS63152095A (ja) * 1986-12-17 1988-06-24 Toshiba Corp テレビジヨン信号処理用半導体集積回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04176089A (ja) * 1990-11-08 1992-06-23 Nec Corp メモリ装置

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