JPH0246676A - Surge absorption device - Google Patents
Surge absorption deviceInfo
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- JPH0246676A JPH0246676A JP19582488A JP19582488A JPH0246676A JP H0246676 A JPH0246676 A JP H0246676A JP 19582488 A JP19582488 A JP 19582488A JP 19582488 A JP19582488 A JP 19582488A JP H0246676 A JPH0246676 A JP H0246676A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明はサージ吸収装置に係り、特に高いサージ耐量を
有するサージ吸収装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a surge absorption device, and particularly to a surge absorption device having high surge resistance.
[従来の技術]
従来より、サージ電圧を吸収するサージ吸収素子には、
ギャップ式サージ吸収器又は酸化亜鉛系バリスタ等の電
圧非直線抵抗体等が広く用いられている。しかしながら
、ギャップ式サージ吸収器は、放電遅れが大きく、明暗
効果により特性の安定性に欠けること、及び、酸化亜鉛
系バリスタでは絶縁抵抗が小さいことから、十分なサー
ジ電圧吸収効果が得られないという欠点を有している。[Conventional technology] Conventionally, surge absorption elements that absorb surge voltage include
Voltage nonlinear resistors such as gap type surge absorbers or zinc oxide varistors are widely used. However, gap-type surge absorbers have large discharge delays and lack of stability in characteristics due to light-dark effects, and zinc oxide-based varistors have low insulation resistance, making it difficult to obtain sufficient surge voltage absorption effects. It has its drawbacks.
本出願人は、このような従来のサージ吸収素子の特性不
良を解消するものとして、マイクロギャップ式サージ吸
収素子を先に特許出願した(特開昭55−128283
゜以下、「先願I」という。)。The present applicant previously filed a patent application for a micro-gap type surge absorbing element (Japanese Unexamined Patent Publication No. 128283/1983) in order to eliminate the defective characteristics of conventional surge absorbing elements.
゜Hereinafter referred to as "Prior Application I." ).
先願■のサージ吸収素子は、第2図に示す如く、セラミ
ックス絶縁溝12を有する導電性皮膜13を形成したセ
ラミックス素地11の両端にリード線15付の電極16
を設け、これを絶縁性の外装体17内に入れ、その両端
を熱融着等で封着してなるものである。14はセラミッ
クス素子、18は空間を示す。As shown in FIG. 2, the surge absorbing element of the prior application (2) has electrodes 16 with lead wires 15 attached to both ends of a ceramic base 11 on which a conductive film 13 having a ceramic insulating groove 12 is formed.
This is placed in an insulating exterior body 17, and both ends thereof are sealed by heat fusion or the like. 14 is a ceramic element, and 18 is a space.
第2図に示すようなマイクロギャップ式サージ吸収素子
は、放電遅れや明暗による特性の違いもなく、絶縁抵抗
値も大きい等の優れた特性を有している。The microgap type surge absorbing element as shown in FIG. 2 has excellent characteristics such as no discharge delay or difference in characteristics due to brightness and darkness, and high insulation resistance value.
ところで、サージ吸収素子に印加されるサージ電流がサ
ージ吸収素子1個のサージ耐量を超えることが予想され
る場合には、サージ吸収素子を複数個並列に電気的に接
続してサージ耐量を増加させることが必要となる0本出
願人は、先に、高電圧のサージを速やかに吸収すること
のできる、極めてサージ耐量の大きいサージ吸収装置と
して、上記のようなマイクロギャップ式サージ吸収素子
を複数個電気的に並列に接続したサージ吸収装置を提案
した(特開昭57−76777号。以下、「先願II
Jという、)、即ち、先願!■のサージ吸収装置は、マ
イクロギャップ式のサージ吸収素子を複数個電気的に並
列に接続し、サージ電流を個々のサージ吸収素子に分流
させることにより、高いサージ耐量を得るものである。By the way, if the surge current applied to the surge absorbing element is expected to exceed the surge withstand capacity of one surge absorbing element, the surge withstand capacity can be increased by electrically connecting multiple surge absorbing elements in parallel. The applicant first developed a plurality of micro-gap type surge absorbing elements as described above as a surge absorbing device with extremely high surge resistance that can quickly absorb high voltage surges. proposed a surge absorption device electrically connected in parallel (Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-76777. Hereinafter referred to as "Prior Application II
), i.e., first-to-file! The surge absorbing device (2) obtains high surge resistance by electrically connecting a plurality of micro-gap type surge absorbing elements in parallel and shunting the surge current to each surge absorbing element.
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、先願!■のサージ吸収装置では、並列に
接続した各サージ吸収素子のサージに対する応答特性に
少しでも差があった場合、サージ応答性の良い素子だけ
にサージが集中する。このため、電流が偏って流れるこ
とにより、放電したサージ吸収素子にのみ限界を超える
電流が流れてこの素子が破壊されるため、複数個のサー
ジ吸収素子を並列接続しても、全体のサージ耐量が増加
した状態となり得ない場合があった。[Problem to be solved by the invention] However, the first application! In the surge absorbing device (2), if there is even a slight difference in the surge response characteristics of the surge absorbing elements connected in parallel, the surge will concentrate only on the element with good surge response. For this reason, as the current flows unbalanced, a current that exceeds the limit flows only to the discharged surge absorbing element and this element is destroyed. Therefore, even if multiple surge absorbing elements are connected in parallel, the overall surge withstand There were cases where it was not possible to reach a state where the amount of
本発明は上記従来の問題点を解決し、サージ電流を確実
に分流することができる、高いサージ耐量を有するサー
ジ吸収装置゛を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned conventional problems and provide a surge absorbing device that can reliably shunt surge current and has a high surge withstand capacity.
[課題を解決するための手段]
本発明のサージ吸収装置は、マイクロギャップ式サージ
吸収素子と抵抗とを直列に接続してなるサージ吸収手段
を2個以上電気的に並列に接続したものを含むことを特
徴とする。[Means for Solving the Problems] The surge absorption device of the present invention includes one in which two or more surge absorption means each having a micro-gap type surge absorption element and a resistor connected in series are electrically connected in parallel. It is characterized by
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例に係るサージ吸収装置を示す
回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a surge absorbing device according to an embodiment of the present invention.
図示の如く、本発明のサージ吸収装置は、マイクロギャ
ップ式サージ吸収素子a++a2・・・anと抵抗b+
、b2・・・bnとをそれぞれ直列に接続してなるサー
ジ吸収手段C+、C2・・+Qnを、2個以上の複数個
(第1図においてはn個)電気的に並列に接続したもの
である。As shown in the figure, the surge absorbing device of the present invention includes micro-gap type surge absorbing elements a++a2...an and resistors b+
, b2...bn are connected in series, respectively, and two or more (n in Figure 1) surge absorbing means C+, C2...+Qn are electrically connected in parallel. be.
本発明に用いるマイクロギャップ式サージ吸収素子は、
その放電開始電圧が、使用する回路の最大回路電圧より
も高いものであれば良く、特に限定されるものではない
。例えば、前述の第2図に示すようなマイクロギャップ
式サージ吸収素子を用いることができる。The microgap type surge absorption element used in the present invention is
The discharge starting voltage is not particularly limited as long as it is higher than the maximum circuit voltage of the circuit used. For example, a microgap type surge absorbing element as shown in FIG. 2 described above can be used.
また、本発明に用いる抵抗は、必要とされるサージ耐量
を有するものであれば良く、特に限定されるものではな
いが、被保護回路の回路インピーダンスよりも十分に低
いものであることが好ましく、通常は1〜100Ω程度
のものが適当である。Further, the resistor used in the present invention may be any resistor as long as it has the necessary surge resistance, and is not particularly limited, but it is preferably sufficiently lower than the circuit impedance of the circuit to be protected. Usually, a value of about 1 to 100 Ω is suitable.
これらのサージ吸収素子及び抵抗を用いて、本発明のサ
ージ吸収装置を組み立てる組立方法についても特に限定
されるものではないが、形状を安定させる場合には、全
体を適当な被覆材料で被覆しても良い、被覆材料として
は、絶縁性が良好なケースや絶縁性被覆材、熱収縮チュ
ーブが好適であるが、特にこれらに限定されるものでは
ない。The method of assembling the surge absorbing device of the present invention using these surge absorbing elements and resistors is not particularly limited, but if the shape is to be stabilized, the entire body may be covered with an appropriate coating material. The covering material is preferably a case with good insulation, an insulating covering material, or a heat-shrinkable tube, but is not particularly limited to these.
また、各素子の接続方法としては、かしめ、はんだ付け
、基板による配線等が適当であるが、必要とされるサー
ジ耐量があれば特にこれらに限定されるものではない。Further, as a method for connecting each element, caulking, soldering, wiring with a board, etc. are suitable, but the method is not particularly limited to these as long as it has the required surge resistance.
本発明においては、サージ吸収素子及び抵抗を直列に接
続してなるサージ吸収手段を2個以上の複数個並列に接
続するが、サージ吸収手段の接続個数には特に制限はな
く、使用口的に応じて、即ち、印加されるサージ電流の
程度に応じて適当な個数を接続する。In the present invention, two or more surge absorbing means formed by connecting a surge absorbing element and a resistor in series are connected in parallel, but there is no particular restriction on the number of surge absorbing means to be connected, depending on the usage. An appropriate number of them are connected depending on the degree of surge current to be applied.
[作用]
本発明のサージ吸収装置では、マイクロギャップ式サー
ジ吸収素子と抵抗を直列に接続してなるサージ吸収手段
を2個以上並列に接続することにより、サージ吸収装置
にサージ電圧が印加されその1つのサージ吸収手段のサ
ージ吸収素子に電流が流れた時、電流が流れたサージ吸
収手段の抵抗の抵抗値によって生じる電圧で他のサージ
吸収手段を動作させて、サージ電流を各サージ吸収手段
に確実に分流することができる。[Function] In the surge absorbing device of the present invention, a surge voltage is applied to the surge absorbing device by connecting two or more surge absorbing means formed by connecting a microgap type surge absorbing element and a resistor in series in parallel. When a current flows through the surge absorbing element of one surge absorbing means, the voltage generated by the resistance value of the resistor of the surge absorbing means through which the current flows operates the other surge absorbing means, and the surge current is transferred to each surge absorbing means. It is possible to reliably separate the flow.
即ち、第1図に示すようなサージ吸収装置にサージ電圧
が印加されると、まずマイクロギャップ式サージ吸収素
子a l r & 2・・・anのうち、放電応答性の
良好ないずれか1つのサージ吸収素子、例えばalに放
電が発生する。この時、B+−B+’間にはこの放電し
たサージ吸収素子alとこれに直列に接続される抵抗b
1の抵抗値の和と、流れ込んだ電流値との積となる電圧
が発生し、この電圧が82−82’間、−Bn−Bn間
にも印加されるため、その他のサージ吸収素子a2・・
・anにも放電を発生させることができる。That is, when a surge voltage is applied to the surge absorption device as shown in FIG. A discharge occurs in the surge absorbing element, for example Al. At this time, between B+ and B+', there is a resistor b connected in series with this discharged surge absorbing element al.
A voltage is generated that is the product of the sum of the resistance values of 1 and the flowing current value, and this voltage is also applied between 82 and 82' and between -Bn and Bn, so that other surge absorption elements a2 and・
・Discharge can also be generated in an.
例えば、2つのサージ吸収手段CI及びC2を並列に接
続してなるサージ吸収装置においては、装置にサージが
印加されると、放電応答性の良好などちらか一方のサー
ジ吸収素子a1に放電が発生すると共に、B l −B
I ′間にはこの放電したサージ吸収素子a、と抵
抗b+の抵抗値の和と流れ込んだ電流値との積となる電
圧が発生し、この電圧がB2−82’間にも印加される
ため、もう一方のサージ吸収素子a2にも放電が発生す
る。For example, in a surge absorbing device formed by connecting two surge absorbing means CI and C2 in parallel, when a surge is applied to the device, a discharge occurs in one of the surge absorbing elements a1, which has good discharge response. and B l −B
A voltage that is the product of the sum of the resistance values of the discharged surge absorbing element a and the resistor b+ and the flowing current value is generated between I', and this voltage is also applied between B2 and 82'. , discharge also occurs in the other surge absorbing element a2.
放電中のマイクロギャップ式サージ吸収素子の抵抗値は
接続された抵抗の抵抗値に比べ非常に小さく、2つの抵
抗b+、b2の抵抗値を等しくしておくことにより放電
後のサージ電流はサージ吸収手段C++02に均等に分
流される。The resistance value of the micro-gap surge absorption element during discharge is very small compared to the resistance value of the connected resistor, and by making the resistance values of the two resistors b+ and b2 equal, the surge current after discharge can be absorbed. It is equally divided into means C++02.
この放電機構は同様のサージ吸収手段CI +02・・
・c、を3個以上並列に接続した場合も同様であり、サ
ージ電流は並列に接続されたサージ吸収手段ellc2
・・・Cnに均等に分流される。This discharge mechanism is a similar surge absorbing means CI +02...
The same applies when three or more c are connected in parallel, and the surge current is absorbed by the surge absorbing means ellc2 connected in parallel.
...Evenly divided into Cn.
従って、並列に接続するサージ吸収手段の個数を増加さ
せることにより、サージ耐量を増加させることができる
。Therefore, by increasing the number of surge absorbing means connected in parallel, the surge resistance can be increased.
サージ吸収手段の並列個数を増加させることにより、サ
ージ耐量を増加させることは、第3図のグラフからも明
らかである。第3図においては、横軸にサージ吸収手段
の並列個数、縦軸にサージ吸収装置のサージ耐量を示す
。これによると本発明のサージ吸収装置のサージ耐量A
は、並列接続するサージ吸収手段の個数(n)に比例し
て増加しており、サージ吸収手段が1個の場合のサージ
耐量A1に対して、サージ吸収手段をn個設けた場合の
サージ耐量AnはAn ”A r X nの関係が成り
立つ。It is clear from the graph of FIG. 3 that the surge withstand capacity is increased by increasing the number of parallel surge absorbing means. In FIG. 3, the horizontal axis shows the number of parallel surge absorbing means, and the vertical axis shows the surge withstand capacity of the surge absorbing device. According to this, the surge withstand capacity A of the surge absorber of the present invention
increases in proportion to the number (n) of surge absorption means connected in parallel, and the surge resistance A1 when there is one surge absorption means is different from the surge resistance when n surge absorption means are provided. The following relationship holds true for An.
[実施例コ
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。[Example] Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following Examples unless the gist thereof is exceeded.
実施例1
第4図に示す如く、マイクロギャップ式サージ吸収素子
al、B2と抵抗す、、b2をそれぞれ直列に接続した
2個のサージ吸収手段C+、C2を並列に接続したサー
ジ吸収装置を組み立てた。Example 1 As shown in Fig. 4, a surge absorption device was assembled in which two surge absorption means C+ and C2 were connected in parallel, each having micro-gap surge absorption elements al and B2 and resistors , and b2 connected in series. Ta.
接続にはリード線1を用い、かしめ2により接続した。Lead wire 1 was used for connection, and connection was made by caulking 2.
また、装置全体は絶縁性のケース3で被覆した。Further, the entire device was covered with an insulating case 3.
なお、使用したマイクロギャップ式サージ吸収素子a、
、B2の放電開始電圧は300Vであり、抵抗り、、b
2は3Ωの巻線抵抗を使用した。この抵抗b+、b2は
外側がセメント材で被覆されており、容量は3Wである
。これらを直列に接続したサージ吸収手段CI、C2の
サージ耐量はそれぞれ1500Aであった。In addition, the microgap type surge absorption element a used,
The discharge starting voltage of ,B2 is 300V, and the resistance, ,b
2 used a 3Ω wire-wound resistor. These resistors b+ and b2 are coated on the outside with cement material and have a capacity of 3W. The surge withstand capacity of each of the surge absorption means CI and C2 connected in series was 1500A.
このサージ吸収装置のサージ耐量を測定したところ、3
000Aとなり、1個のサージ吸収手段の2倍になって
いた。When we measured the surge withstand capacity of this surge absorber, we found that it was 3.
000A, which is twice as much as one surge absorbing means.
実施例2
第5図(回路図)、第6図(平面図。ただし、ケース3
の上面及び充填材5は図示せず。)、第7図(第6図■
−■線に沿う断面図)及び第8図(第7図■−■線に沿
う断面図)に示す如く、サージ吸収素子a I+ a
2 * a 3 + a 4 + B5と抵抗す皿、b
2.b3.b4.b5をそれぞれ直列に接続した5個の
サージ吸収手段CI + 02 O03、C4,O5を
並列に接続したサージ吸収装置を組み立てた。本実施例
では、これらを基板4上で接続し、全体を絶縁性のケー
ス3に内蔵した。また、ケース3の内部の空間は、絶縁
性充填材5を充填した。マイクロギャップ式サージ吸収
素子al”−’a5と抵抗b1〜b5の接続は、かしめ
2を用いており、これを基板4にはんだ付け6した。7
は電極である。Example 2 Fig. 5 (circuit diagram), Fig. 6 (plan view).However, case 3
The upper surface and the filler 5 are not shown. ), Figure 7 (Figure 6■
As shown in FIG. 8 (cross-sectional view taken along the line ■-■) and FIG.
2 * a 3 + a 4 + B5 and the resistance plate, b
2. b3. b4. A surge absorbing device was assembled in which five surge absorbing means CI + 02 O03, C4, and O5 were connected in parallel. In this embodiment, these are connected on a substrate 4 and the whole is housed in an insulating case 3. Further, the space inside the case 3 was filled with an insulating filler 5. The micro-gap type surge absorbing element al''-'a5 and the resistors b1 to b5 are connected using caulking 2, which is soldered 6 to the board 4.7
is an electrode.
なお、使用したマイクロギャップ式サージ吸収素子a、
”−’a5の放電開始電圧は2400Vであり、抵抗b
1〜b8は10Ωの巻線抵抗を使用した。この抵抗b+
〜b5は外側がセメント材で被覆されており、容量は5
Wである。これらを直列に接続したサージ吸収手段cI
Nc5のサージ耐量はそれぞれ1500Aであった。In addition, the microgap type surge absorption element a used,
``-'The discharge starting voltage of a5 is 2400V, and the resistance b
1 to b8 used wire-wound resistances of 10Ω. This resistance b+
~b5 is covered with cement material on the outside and has a capacity of 5
It is W. Surge absorption means cI connecting these in series
The surge resistance of Nc5 was 1500A.
このサージ吸収装置のサージ耐量を測定したところ、7
500Aとなり、1個のサージ吸収手段の5倍となって
いた。When we measured the surge resistance of this surge absorber, we found that it was 7.
The current was 500A, which was five times that of one surge absorbing means.
[発明の効果]
以上詳述した通り、本発明のサージ吸収装置によれば、
サージ電圧で放電した電流を確実に分流し、それにより
、サージ耐量を大幅に増大することができる。しかも、
サージ吸収手段の並列個数を選定することにより、必要
とするサージ耐量を任意に設定することができる。[Effects of the Invention] As detailed above, according to the surge absorption device of the present invention,
The current discharged by the surge voltage can be reliably shunted, thereby greatly increasing surge resistance. Moreover,
By selecting the number of parallel surge absorbing means, the required surge resistance can be set arbitrarily.
第1図は本発明の一実施例に係るサージ吸収装置を示す
回路図、第2図は先願■に係るサージ吸収素子を示す断
面図、第3図はサージ吸収装置のサージ耐量とサージ吸
収手段の並列個数との関係を示すグラフ、第4図は実施
例1で製造したサージ吸収装置の断面図、第5図は実施
例2で製造したサージ吸収装置の回路図、第6図は同平
面図、第7図は第6図■−■線に沿う断面図、第8図は
第7図■−■線に沿う断面図である。
a l * a 2 + an・・・マイクロギャ
ップ式サージ吸収素子、
b l 、b 2 * b n ””抵抗、Cj I
+ 02 + On・・・サージ吸収手段、1・・・リ
ード線、 2・・・かしめ、3・・・絶縁性の
ケース、
4・・・基板、 5・・・絶縁性充填材、
6・・・はんだ、 7・・・電極、11・・
・セラミックス素地、
12・・・セラミックス絶縁溝、
13・・・導電性皮膜、
14・・・セラミックス素子、
15・・・リード線、 16・・・電極、1フ・
・・絶縁性外装体、 18・・・空間。Fig. 1 is a circuit diagram showing a surge absorbing device according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a sectional view showing a surge absorbing element according to the prior application (■), and Fig. 3 is a surge withstand capacity and surge absorption of the surge absorbing device. A graph showing the relationship with the number of parallel means, FIG. 4 is a sectional view of the surge absorber manufactured in Example 1, FIG. 5 is a circuit diagram of the surge absorber manufactured in Example 2, and FIG. 6 is the same. A plan view, FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line ■--■ in FIG. 6, and FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line ■--■ in FIG. 7. a l * a 2 + an... micro gap type surge absorption element, b l, b 2 * b n ””resistance, Cj I
+ 02 + On... Surge absorption means, 1... Lead wire, 2... Caulking, 3... Insulating case, 4... Board, 5... Insulating filler,
6...Solder, 7...Electrode, 11...
- Ceramic base, 12... Ceramic insulating groove, 13... Conductive film, 14... Ceramic element, 15... Lead wire, 16... Electrode, 1 frame...
...Insulating exterior body, 18...Space.
Claims (1)
列に接続してなるサージ吸収手段を2個以上電気的に並
列に接続したものを含むことを特徴とするサージ吸収装
置。(1) A surge absorption device comprising two or more surge absorption means each electrically connected in parallel, each consisting of a microgap surge absorption element and a resistor connected in series.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19582488A JPH0246676A (en) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | Surge absorption device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19582488A JPH0246676A (en) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | Surge absorption device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246676A true JPH0246676A (en) | 1990-02-16 |
Family
ID=16347612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19582488A Pending JPH0246676A (en) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | Surge absorption device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246676A (en) |
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