JPH0247541B2 - - Google Patents
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- JPH0247541B2 JPH0247541B2 JP59192333A JP19233384A JPH0247541B2 JP H0247541 B2 JPH0247541 B2 JP H0247541B2 JP 59192333 A JP59192333 A JP 59192333A JP 19233384 A JP19233384 A JP 19233384A JP H0247541 B2 JPH0247541 B2 JP H0247541B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、霧化した原料溶液を加熱された基
板に吹き付け、その表面にSnO2，In2O3，TiO2，
SiO2等の薄膜を作製する装置に関する。
板に吹き付け、その表面にSnO2，In2O3，TiO2，
SiO2等の薄膜を作製する装置に関する。
この種の霧化薄膜作製装置の構成を第３図によ
り説明すると、反応室１の中に表面（薄膜を作製
する側の面をいう、以下同じ）を下方へ向けて基
板２が設置され、これらが背面側からヒータ３に
よつて加熱される。基板２の下位には、霧化器４
と給気器５が備えられ、霧化器４に連結されたノ
ズル６が基板２へ向けて設置されている。
り説明すると、反応室１の中に表面（薄膜を作製
する側の面をいう、以下同じ）を下方へ向けて基
板２が設置され、これらが背面側からヒータ３に
よつて加熱される。基板２の下位には、霧化器４
と給気器５が備えられ、霧化器４に連結されたノ
ズル６が基板２へ向けて設置されている。
原料溶液には、Sn，In等の塩化物溶液が使用
され、これが霧化器４において霧化され、給気器
５に備えたフアン９によつてノズル６から基板２
の表面に緩やかに吹き付けられる。このとき基板
２表面は、上記原料溶液中の原料成分の反応温度
より高温に、例えばSnO2膜の作製に際しては、
400〜500℃の温度に加熱される。
され、これが霧化器４において霧化され、給気器
５に備えたフアン９によつてノズル６から基板２
の表面に緩やかに吹き付けられる。このとき基板
２表面は、上記原料溶液中の原料成分の反応温度
より高温に、例えばSnO2膜の作製に際しては、
400〜500℃の温度に加熱される。
基板２の表面に吹き付けられた霧状の原料溶液
は、その一部が同基板２の表面付近で加熱される
ことによつて脱水されると共に気化され、かつ空
気中の酸素や水蒸気と反応して基板２の表面に
Sn，Inの酸化物等からなる薄膜が作製される。
は、その一部が同基板２の表面付近で加熱される
ことによつて脱水されると共に気化され、かつ空
気中の酸素や水蒸気と反応して基板２の表面に
Sn，Inの酸化物等からなる薄膜が作製される。
上記装置において、ノズル６から吐出された霧
状の原料溶液の内、薄膜の作製に寄与しない原料
溶液の大半は、霧状のまゝ排気口７から排気され
る。しかし、ヒータ３からの輻射や対流によつて
反応室１の内壁が加熱され、その温度が高くなる
と、これに沿つて流れる霧状の原料溶液の一部が
脱水、気化され、さらに酸素等と反応し、同内壁
に被膜として付着する。
状の原料溶液の内、薄膜の作製に寄与しない原料
溶液の大半は、霧状のまゝ排気口７から排気され
る。しかし、ヒータ３からの輻射や対流によつて
反応室１の内壁が加熱され、その温度が高くなる
と、これに沿つて流れる霧状の原料溶液の一部が
脱水、気化され、さらに酸素等と反応し、同内壁
に被膜として付着する。
この内壁に付着した被膜は、基板２への薄膜の
作製を続けるに従つて次第に成長し、4μm程度ま
でに堆積すると、被膜内の歪によつて細かなひび
割れが入り、細片となつて反応室１内に拡散す
る。そしてこの一部は、基板２の表面に付着し、
そこに作製される薄膜にピンホール等の不良を発
生させる原因となる。
作製を続けるに従つて次第に成長し、4μm程度ま
でに堆積すると、被膜内の歪によつて細かなひび
割れが入り、細片となつて反応室１内に拡散す
る。そしてこの一部は、基板２の表面に付着し、
そこに作製される薄膜にピンホール等の不良を発
生させる原因となる。
この発明は、従来の霧化薄膜作製装置における
上記の問題を解決すべくなされたものであつて、
反応室の周壁に被膜が付着するのを防止すること
によつて、基板表面に作製される薄膜にピンホー
ル等の不良が生じるのを防ぐことを目的とするも
のである。
上記の問題を解決すべくなされたものであつて、
反応室の周壁に被膜が付着するのを防止すること
によつて、基板表面に作製される薄膜にピンホー
ル等の不良が生じるのを防ぐことを目的とするも
のである。
この発明は、少なくとも基板に対向する反応室
の内壁を一定温度以下に冷却したものである。こ
の点を第１図及び第２図に基づき、さらに具体的
に説明すると、第１図で示すように、支持枠１１
の基板１２，１２…が連ねて嵌め込まれ、これが
同図において右から左側へと順次送られていく。
これら基板１２，１２…の背面側には、熱伝導良
好な金属板からなる均熱板１３を介してヒータ１
４が配置されている。
の内壁を一定温度以下に冷却したものである。こ
の点を第１図及び第２図に基づき、さらに具体的
に説明すると、第１図で示すように、支持枠１１
の基板１２，１２…が連ねて嵌め込まれ、これが
同図において右から左側へと順次送られていく。
これら基板１２，１２…の背面側には、熱伝導良
好な金属板からなる均熱板１３を介してヒータ１
４が配置されている。
基板１２，１２…の表面側には、底壁１５と側
壁１６，１６によつて囲まれた反応室１７が形成
されており、底壁１５は、上記支持枠１１と平行
になるよう約15度の抑角で設置されている。基板
１２，１２…と対向する反応室１７の内壁、即ち
底壁１５に冷却手段２３が備えられており、さら
に必要な場合は、側壁１６，１６にも同様の冷却
手段２３が備えられる。図示の場合は、これら上
記底壁１５と側壁１６，１６が何れも冷媒を通す
ための多数の流路を備えたクーリングパネルによ
り構成されている。また、図示の底壁１５には、
調整機構１８，１８が備えられ、これによつて基
板１２，１２…と底壁１５との間隔や同底壁１５
の傾きが調整できるようになつている。
壁１６，１６によつて囲まれた反応室１７が形成
されており、底壁１５は、上記支持枠１１と平行
になるよう約15度の抑角で設置されている。基板
１２，１２…と対向する反応室１７の内壁、即ち
底壁１５に冷却手段２３が備えられており、さら
に必要な場合は、側壁１６，１６にも同様の冷却
手段２３が備えられる。図示の場合は、これら上
記底壁１５と側壁１６，１６が何れも冷媒を通す
ための多数の流路を備えたクーリングパネルによ
り構成されている。また、図示の底壁１５には、
調整機構１８，１８が備えられ、これによつて基
板１２，１２…と底壁１５との間隔や同底壁１５
の傾きが調整できるようになつている。
底壁１４の第１図において左端には、給気器２
１及び霧化器２２に接続されたノズル１９が設け
られ、これが基板１２，１２…へ向けて設置され
ている。他方、底壁１５の第１図において右端に
は、排気口２０が開設されている。
１及び霧化器２２に接続されたノズル１９が設け
られ、これが基板１２，１２…へ向けて設置され
ている。他方、底壁１５の第１図において右端に
は、排気口２０が開設されている。
この装置では、均熱板１３を介してヒータ１４
により基板１２，１２…を加熱すると共に、反応
室１７の内壁、即ち底壁１５及び側壁１６，１６
等を冷却手段２３で冷却しながら、ノズル１９か
ら霧状の原料溶液を基板１２，１２…の表面に緩
やかに吹き付ける。このときの基板１２，１２…
の表面は、上記原料溶液中の原料成分の反応温度
より高い温度に維持し、逆に底壁１５や側壁１
６，１６の壁面温度は、同原料成分の反応温度以
下に維持することが必要である。
により基板１２，１２…を加熱すると共に、反応
室１７の内壁、即ち底壁１５及び側壁１６，１６
等を冷却手段２３で冷却しながら、ノズル１９か
ら霧状の原料溶液を基板１２，１２…の表面に緩
やかに吹き付ける。このときの基板１２，１２…
の表面は、上記原料溶液中の原料成分の反応温度
より高い温度に維持し、逆に底壁１５や側壁１
６，１６の壁面温度は、同原料成分の反応温度以
下に維持することが必要である。
基板１２，１２…の表面に吹き付けられた霧状
の原料溶液は、加熱されることによつて、脱水、
気化され、さらに酸素や水蒸気と反応して同表面
に薄膜となつて凝着する。他方、反応室１７の内
壁に達した原料溶液は、その壁面温度が原料成分
の反応温度以下に維持されているため、上記脱
水、気化及びこれに続く酸素等との反応が行われ
ず、霧状のまゝ排気口２０から排気され、上記内
壁に被膜として付着しない。
の原料溶液は、加熱されることによつて、脱水、
気化され、さらに酸素や水蒸気と反応して同表面
に薄膜となつて凝着する。他方、反応室１７の内
壁に達した原料溶液は、その壁面温度が原料成分
の反応温度以下に維持されているため、上記脱
水、気化及びこれに続く酸素等との反応が行われ
ず、霧状のまゝ排気口２０から排気され、上記内
壁に被膜として付着しない。
なお、第１図、第２図のような装置を使用して
SnO2膜を作製する場合は、基板１２，１２…の
表面温度を400〜500℃に維持し、他方底壁１５の
壁面温度を250〜310℃前後に維持することによつ
て好ましい結果が得られている。
SnO2膜を作製する場合は、基板１２，１２…の
表面温度を400〜500℃に維持し、他方底壁１５の
壁面温度を250〜310℃前後に維持することによつ
て好ましい結果が得られている。
次ぎにこの発明の実施例について説明する。
実施例 １
四塩化錫（五水塩）25g、三塩化アンチモン
1g、塩酸４mlを純水150c.c.に順次溶解して原料溶
液を作つた。
1g、塩酸４mlを純水150c.c.に順次溶解して原料溶
液を作つた。
第１図及び第２図で示すように、約15度に傾け
た支持枠１１に縦横100mm、厚さ1.0mmのガラス製
の基板１２，１２…をセツトと共に、厚さ20mmの
コージライト多孔質磁器（空隙率85％）で覆われ
た幅120mm、縦20mmの吐出口を有するノズル１９
を使用し、これを上記吐出口の中心部が基板１
２，１２…表面から50mmの距離に位置するよう設
置した。
た支持枠１１に縦横100mm、厚さ1.0mmのガラス製
の基板１２，１２…をセツトと共に、厚さ20mmの
コージライト多孔質磁器（空隙率85％）で覆われ
た幅120mm、縦20mmの吐出口を有するノズル１９
を使用し、これを上記吐出口の中心部が基板１
２，１２…表面から50mmの距離に位置するよう設
置した。
この状態で基板１２，１２…表面を400℃に加
熱すると共に、これら基板１２，１２…を毎分
1.5cmの速度で第１図において右から左へと移動
させながら毎分１c.c.相当の霧状の原料液を空気と
共に同基板１２，１２…の表面に10分間緩やかに
吹き付けた。このとき、底壁１５を水冷し、その
壁面温度を280℃に維持した。
熱すると共に、これら基板１２，１２…を毎分
1.5cmの速度で第１図において右から左へと移動
させながら毎分１c.c.相当の霧状の原料液を空気と
共に同基板１２，１２…の表面に10分間緩やかに
吹き付けた。このとき、底壁１５を水冷し、その
壁面温度を280℃に維持した。
この結果基板１２，１２…の表面に平均
0.35μmのSnO2膜が作製され、他方底壁１５に
は、被膜の付着が見られなかつた。
0.35μmのSnO2膜が作製され、他方底壁１５に
は、被膜の付着が見られなかつた。
実施例 ２
支持枠１１を水平に設置し、その他の条件を上
記実施例１と同様にして実施したところ、基板１
２，１２…の表面に平均0.31μmのSnO2膜が作製
された。他方底壁１５には、やはり被膜の付着が
見られなかつた。
記実施例１と同様にして実施したところ、基板１
２，１２…の表面に平均0.31μmのSnO2膜が作製
された。他方底壁１５には、やはり被膜の付着が
見られなかつた。
なお、上記実施例は、何れもSnO2膜を作製す
る場合のものであるが、他の薄膜、例えばIn2O3，
TiO2，SiO2等の薄膜を作製する場合も概ね同様
の結果が得られる。
る場合のものであるが、他の薄膜、例えばIn2O3，
TiO2，SiO2等の薄膜を作製する場合も概ね同様
の結果が得られる。
（発明の効果〕
以上説明した通り、この発明によれば、反応室
１７の内壁に被膜が形成するのを防止することが
できる。従つて剥離した被膜が基板表面１２，１
２…に付着し、そこに作製される薄膜にピンホー
ル等の不良を発生させるといつた従来の問題を解
決することができる。なお、この発明は、上記実
施例のように、基板１２，１２…を搬送しながら
薄膜を作製する装置及び同基板１２を固定した状
態で薄膜を作製する装置の何れにおいても同様に
有効である。
１７の内壁に被膜が形成するのを防止することが
できる。従つて剥離した被膜が基板表面１２，１
２…に付着し、そこに作製される薄膜にピンホー
ル等の不良を発生させるといつた従来の問題を解
決することができる。なお、この発明は、上記実
施例のように、基板１２，１２…を搬送しながら
薄膜を作製する装置及び同基板１２を固定した状
態で薄膜を作製する装置の何れにおいても同様に
有効である。
第１図は、この発明の実施例を示す霧化薄膜作
製装置の要部概略縦断面図、第２図は、第１図の
Ａ−Ａ拡大切断部端面図、第３図は、霧化薄膜作
製装置の従来例を示す概略縦断側面図である。 １２……基板、１５……反応室の底壁、１６…
…反応室の側壁、１７……反応室、１９……ノズ
ル、２１……給気器、２２……霧化器、２３……
冷却手段。
製装置の要部概略縦断面図、第２図は、第１図の
Ａ−Ａ拡大切断部端面図、第３図は、霧化薄膜作
製装置の従来例を示す概略縦断側面図である。 １２……基板、１５……反応室の底壁、１６…
…反応室の側壁、１７……反応室、１９……ノズ
ル、２１……給気器、２２……霧化器、２３……
冷却手段。
Claims (1)
- １ 原料溶液を霧化する霧化器及びこれをノズル
へ送る給気器を備え、基板を表面が下方を向くよ
う反応室内に設置し、この下位に基板の表面に向
けてノズルを設置し、原料溶液中の原料成分の反
応温度より高温に基板を加熱しながら、上記ノズ
ルから霧状の原料溶液を基板に緩やかに吹き付
け、その表面に薄膜を作製する装置において、反
応室の少なくとも基板と対向する内壁に冷却手段
を設け、同内壁を原料溶液中の原料成分の反応温
度以下に冷却してなることを特徴とする霧化薄膜
作製装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192333A JPS6169962A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 霧化薄膜作製装置 |
| FR858513280A FR2570085B1 (fr) | 1984-09-13 | 1985-09-06 | Dispositif de formation de fines pellicules sur des substrats |
| US06/774,508 US4649857A (en) | 1984-09-13 | 1985-09-10 | Thin-film forming device |
| AU47382/85A AU569414B2 (en) | 1984-09-13 | 1985-09-11 | Nozzle for use in thin-film forming device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59192333A JPS6169962A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 霧化薄膜作製装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6169962A JPS6169962A (ja) | 1986-04-10 |
| JPH0247541B2 true JPH0247541B2 (ja) | 1990-10-22 |
Family
ID=16289536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59192333A Granted JPS6169962A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 霧化薄膜作製装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4649857A (ja) |
| JP (1) | JPS6169962A (ja) |
| AU (1) | AU569414B2 (ja) |
| FR (1) | FR2570085B1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6316068A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Res Dev Corp Of Japan | 薄膜形成用噴霧装置 |
| JPH0336280A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH0390578A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| JPH0390580A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 霧化薄膜形成方法 |
| JPH0390579A (ja) * | 1989-08-31 | 1991-04-16 | Taiyo Yuden Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| US6428623B2 (en) * | 1993-05-14 | 2002-08-06 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition apparatus with liquid feed |
| JP4969787B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2012-07-04 | 株式会社フジクラ | 成膜装置および成膜方法 |
| JP4597847B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2010-12-15 | 株式会社フジクラ | 成膜装置 |
| US8329557B2 (en) * | 2009-05-13 | 2012-12-11 | Silicon Genesis Corporation | Techniques for forming thin films by implantation with reduced channeling |
| CN114420384B (zh) * | 2022-02-10 | 2023-12-12 | 江西华新电线电缆有限公司 | 一种电缆生产挤包冷却干燥一体装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA466321A (en) * | 1950-07-04 | Corning Glass Works | Electrically-conducting coating on glass and other ceramic bodies | |
| US2564677A (en) * | 1947-09-15 | 1951-08-21 | Corning Glass Works | Electrically conducting coating on glass and other ceramic bodies |
| US3335697A (en) * | 1954-05-18 | 1967-08-15 | Siemens Ag | Apparatus for vapor deposition of silicon |
| DE1244733B (de) * | 1963-11-05 | 1967-07-20 | Siemens Ag | Vorrichtung zum Aufwachsen einkristalliner Halbleitermaterialschichten auf einkristallinen Grundkoerpern |
| FR1462335A (fr) * | 1965-10-16 | 1966-04-15 | Philips Nv | Procédé d'application de couches d'oxyde d'étain sur des dispositifs supports |
| US3424628A (en) * | 1966-01-24 | 1969-01-28 | Western Electric Co | Methods and apparatus for treating semi-conductive materials with gases |
| US3460510A (en) * | 1966-05-12 | 1969-08-12 | Dow Corning | Large volume semiconductor coating reactor |
| US3816166A (en) * | 1970-03-11 | 1974-06-11 | Philips Corp | Vapor depositing method |
| US3916822A (en) * | 1974-04-26 | 1975-11-04 | Bell Telephone Labor Inc | Chemical vapor deposition reactor |
| US4371587A (en) * | 1979-12-17 | 1983-02-01 | Hughes Aircraft Company | Low temperature process for depositing oxide layers by photochemical vapor deposition |
| IT1147832B (it) * | 1982-03-29 | 1986-11-26 | Dynamit Nobel Ag | Apparecchio e procedimento per la produzione di materiali semiconduttori iperpuri |
| JPS613885A (ja) * | 1984-06-18 | 1986-01-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 霧化薄膜作製方法 |
-
1984
- 1984-09-13 JP JP59192333A patent/JPS6169962A/ja active Granted
-
1985
- 1985-09-06 FR FR858513280A patent/FR2570085B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1985-09-10 US US06/774,508 patent/US4649857A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-09-11 AU AU47382/85A patent/AU569414B2/en not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2570085B1 (fr) | 1992-09-25 |
| FR2570085A1 (fr) | 1986-03-14 |
| AU4738285A (en) | 1986-03-20 |
| US4649857A (en) | 1987-03-17 |
| JPS6169962A (ja) | 1986-04-10 |
| AU569414B2 (en) | 1988-01-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |