JPH0248429B2 - Saamaruhetsudo - Google Patents
SaamaruhetsudoInfo
- Publication number
- JPH0248429B2 JPH0248429B2 JP5792284A JP5792284A JPH0248429B2 JP H0248429 B2 JPH0248429 B2 JP H0248429B2 JP 5792284 A JP5792284 A JP 5792284A JP 5792284 A JP5792284 A JP 5792284A JP H0248429 B2 JPH0248429 B2 JP H0248429B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- recording current
- width
- thermal head
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 36
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/345—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads characterised by the arrangement of resistors or conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、サーマルヘツドに関し、とくにその
導電体の形状に関するものである。
導電体の形状に関するものである。
以下、従来例を図面を参照して説明する。第１
図はラインプリンタ用サーマルヘツドの要部平面
図例を示す。同図において、単一のドライバ用
ICに接続される発熱抵抗体R1〜Rnは、共通電極
Ｃから短冊形に分岐した導電体C1〜Cnに接続し
て形成される。抵抗体の他端には多数の個別導電
体L1〜Lnが接続され、これらの個別導電体はIC
のボンデイング端子T1〜Tnまで延長して形成さ
れる。個別導電体L1〜Lnには、抵抗部と接する
パタン幅（例えば0.115mm）よりも小さい幅の導
体抵抗補正領域‘n'が一般には設けられる。‘n'
の領域のパタン幅は例えば0.08mmとすることがで
きる。個別導電体上には、絶縁層を介して破線で
示すICが搭載される。発熱抵抗体R1〜Rnを通電
発熱せしめた記録電流は、IC内の記録電流接地
電極からボンデイングワイヤ、又は半田バンプ等
の手段によりICの両側に配置されたサーマルヘ
ツド基板上の各々の接地端子Ｇへ流れ、その記録
電流はｍ本又はｍ／２本の発熱抵抗体に流れた分
が集つて外部記録電流接地導体PGへ流れる（図
面矢印方向へ流れる）。接地導体は同一幅の寸法
で基板端子部まで延長して形成される、本構造を
基本形として基板上に多数配置したものがライン
プリンタ用サーマルヘツドである。
図はラインプリンタ用サーマルヘツドの要部平面
図例を示す。同図において、単一のドライバ用
ICに接続される発熱抵抗体R1〜Rnは、共通電極
Ｃから短冊形に分岐した導電体C1〜Cnに接続し
て形成される。抵抗体の他端には多数の個別導電
体L1〜Lnが接続され、これらの個別導電体はIC
のボンデイング端子T1〜Tnまで延長して形成さ
れる。個別導電体L1〜Lnには、抵抗部と接する
パタン幅（例えば0.115mm）よりも小さい幅の導
体抵抗補正領域‘n'が一般には設けられる。‘n'
の領域のパタン幅は例えば0.08mmとすることがで
きる。個別導電体上には、絶縁層を介して破線で
示すICが搭載される。発熱抵抗体R1〜Rnを通電
発熱せしめた記録電流は、IC内の記録電流接地
電極からボンデイングワイヤ、又は半田バンプ等
の手段によりICの両側に配置されたサーマルヘ
ツド基板上の各々の接地端子Ｇへ流れ、その記録
電流はｍ本又はｍ／２本の発熱抵抗体に流れた分
が集つて外部記録電流接地導体PGへ流れる（図
面矢印方向へ流れる）。接地導体は同一幅の寸法
で基板端子部まで延長して形成される、本構造を
基本形として基板上に多数配置したものがライン
プリンタ用サーマルヘツドである。
さて総抵抗体本数が1728本であり、解像度が８
本／mmであるA4版サーマルヘツドを一例として
説明する。単一のICが32本の抵抗体を駆動する
場合（即ちｍ＝32）には、ICは4.0mmのピツチで
合計54個基板上に配置される。抵抗体R1〜Rnの
パタン幅を各々0.115mmとし抵抗体の間隔を0.01
mmとすると、‘a'で示す距離は3.99mmとなる。ま
た‘b'で示す距離は前述した通り4.0mmとなる。
本／mmであるA4版サーマルヘツドを一例として
説明する。単一のICが32本の抵抗体を駆動する
場合（即ちｍ＝32）には、ICは4.0mmのピツチで
合計54個基板上に配置される。抵抗体R1〜Rnの
パタン幅を各々0.115mmとし抵抗体の間隔を0.01
mmとすると、‘a'で示す距離は3.99mmとなる。ま
た‘b'で示す距離は前述した通り4.0mmとなる。
ICの幅を２mmとすると、ボンデイングに要す
る端子Tp及びTgの長さは好ましくは0.5mm程度
以上であることから、ボンデイング端子T1〜Tn
の両側に配置された外部記録電流接地導体PGの
幅寸法‘l'は凡そｌ≒（４−２−0.5×２）mm／２
＝0.5mmとなる。記録電流接地導体PGの幅寸法‘l'
は所望により隣接したICの接地導体と相互に短
絡されて総合で１mm程度の幅寸法とすることがで
きる。
る端子Tp及びTgの長さは好ましくは0.5mm程度
以上であることから、ボンデイング端子T1〜Tn
の両側に配置された外部記録電流接地導体PGの
幅寸法‘l'は凡そｌ≒（４−２−0.5×２）mm／２
＝0.5mmとなる。記録電流接地導体PGの幅寸法‘l'
は所望により隣接したICの接地導体と相互に短
絡されて総合で１mm程度の幅寸法とすることがで
きる。
半導体ICは技術の進歩に伴なつて高集積度化
し、現在では単一のICが64本の発熱抵抗体（即
ちｍ＝64）を駆動することができるようになつ
た。従つて上記例においてはICは8.0mm（即ちｂ
＝８）のピツチで合計27個基板上に配置される。
この場合には、ICの長さが従来の２倍程度とな
り、駆動される発熱抵抗体本数も２倍となるの
で、記録電流接地導体PGの幅寸法は従来の４倍
程度とする必要が生じる。〓即ち接地導体PGの導
体抵抗をｍ＝32のときに0.1Ωとし、各々の発熱
抵抗体R1〜Rnに流れる記録電流を0.04Aとする
と、記録電流による損失電圧は最大でも32×0.04
×0.1V≒0.13V程度にすぎない。しかし、接地導
体PGと同一の幅寸法をｍ＝64の場合にも適用す
ると、ICの長さが凡そ２倍となり、接地導体も
２倍の長さとなるために、この導体抵抗は２倍の
0.2Ω程度となる。従つて損失電圧は最大でも64
×0.04×0.2≒0.51Vにも達する。この損失電圧は
同時駆動発熱抵抗体本数に依存して印加記録電圧
（例えば12V）を実効的に下げることになり、ひ
いては印字記録濃度ムラを生じさせることにな
る。
し、現在では単一のICが64本の発熱抵抗体（即
ちｍ＝64）を駆動することができるようになつ
た。従つて上記例においてはICは8.0mm（即ちｂ
＝８）のピツチで合計27個基板上に配置される。
この場合には、ICの長さが従来の２倍程度とな
り、駆動される発熱抵抗体本数も２倍となるの
で、記録電流接地導体PGの幅寸法は従来の４倍
程度とする必要が生じる。〓即ち接地導体PGの導
体抵抗をｍ＝32のときに0.1Ωとし、各々の発熱
抵抗体R1〜Rnに流れる記録電流を0.04Aとする
と、記録電流による損失電圧は最大でも32×0.04
×0.1V≒0.13V程度にすぎない。しかし、接地導
体PGと同一の幅寸法をｍ＝64の場合にも適用す
ると、ICの長さが凡そ２倍となり、接地導体も
２倍の長さとなるために、この導体抵抗は２倍の
0.2Ω程度となる。従つて損失電圧は最大でも64
×0.04×0.2≒0.51Vにも達する。この損失電圧は
同時駆動発熱抵抗体本数に依存して印加記録電圧
（例えば12V）を実効的に下げることになり、ひ
いては印字記録濃度ムラを生じさせることにな
る。
本発明は上記の欠点を除去するためなされたも
のであり、ボンデイング端子がT1からTpあるい
はTnからTgへ移行するにつれて、即ち個別導電
体がICのセンタ側へ近づくにつれて、ボンデイ
ング端子の距離を実効的に短かくし、もつて記録
電流接地導体PGの幅寸法を段階的にあるいは単
調に広げたものである。
のであり、ボンデイング端子がT1からTpあるい
はTnからTgへ移行するにつれて、即ち個別導電
体がICのセンタ側へ近づくにつれて、ボンデイ
ング端子の距離を実効的に短かくし、もつて記録
電流接地導体PGの幅寸法を段階的にあるいは単
調に広げたものである。
以下図面にそつて本発明の一実施例を説明す
る。
る。
第２図は本発明の一実施例を示したものであ
る。単一のICが駆動できる発熱抵抗体本数を64
本（即ちｍ＝64）とし、前例のR1〜Rnのパタン
幅を各々0.115mmとすると、‘a'で示す距離は7.99
mmとなる。また、ボンデイングに所要とする端子
長の寸法を各々0.5mmとし、IC搭載下の個別導電
体ピツチを0.091mmとすると、‘p′'で示す距離は、
例えばT5〜T60部においてはb′≒｛0.091×（60−
５＋１）＋0.5×２｝≒6.1mmとなる。従つてボン
デイング端子T1〜Tnの両側に配置された外部記
録電流接地導体PGの幅寸法‘l'はｌ≒（８−6.1）
mm／２＝0.95mmとなり、従来の幅の２倍にも達し
ない。しかし、Tp（ｐ＝32）及びTg（ｇ＝33）に
おいては、ICの幅を２mmとすると外部記録電流
接地導体PGの幅寸法‘l′'はl′＝（８−２−0.5×２）
mm／２＝2.5mmとなり、従来の５倍程度の幅寸法
とすることができる。上記幅の狭い接地導体（ｌ
領域）においては、導体を流れる電流はR1〜R8
及びR64〜R57程度の少数の発熱抵抗体を通電発
熱せしめた記録電流にのみ限定されるために、実
効的損失電圧は低い。また大電流が流れる領域に
おいては、接地導体PGの幅が広く実効的損失電
圧は低いものとなる。従つて本発明のサーマルヘ
ツドは単一のICが駆動できる発熱抵抗体本数を
従来の２倍以上としても、均一な印字記録濃度を
提供できるものである。
る。単一のICが駆動できる発熱抵抗体本数を64
本（即ちｍ＝64）とし、前例のR1〜Rnのパタン
幅を各々0.115mmとすると、‘a'で示す距離は7.99
mmとなる。また、ボンデイングに所要とする端子
長の寸法を各々0.5mmとし、IC搭載下の個別導電
体ピツチを0.091mmとすると、‘p′'で示す距離は、
例えばT5〜T60部においてはb′≒｛0.091×（60−
５＋１）＋0.5×２｝≒6.1mmとなる。従つてボン
デイング端子T1〜Tnの両側に配置された外部記
録電流接地導体PGの幅寸法‘l'はｌ≒（８−6.1）
mm／２＝0.95mmとなり、従来の幅の２倍にも達し
ない。しかし、Tp（ｐ＝32）及びTg（ｇ＝33）に
おいては、ICの幅を２mmとすると外部記録電流
接地導体PGの幅寸法‘l′'はl′＝（８−２−0.5×２）
mm／２＝2.5mmとなり、従来の５倍程度の幅寸法
とすることができる。上記幅の狭い接地導体（ｌ
領域）においては、導体を流れる電流はR1〜R8
及びR64〜R57程度の少数の発熱抵抗体を通電発
熱せしめた記録電流にのみ限定されるために、実
効的損失電圧は低い。また大電流が流れる領域に
おいては、接地導体PGの幅が広く実効的損失電
圧は低いものとなる。従つて本発明のサーマルヘ
ツドは単一のICが駆動できる発熱抵抗体本数を
従来の２倍以上としても、均一な印字記録濃度を
提供できるものである。
本発明が上記の効果を呈する以上、外部記録電
流接地導体PGの材質や膜厚、パタン幅、導体の
強化法（メツキ法、印刷法等により膜厚を部分的
に厚くする方法）、単一のICが駆動できる抵抗体
本数、ボンデイング端子を短かくするステツプ数
（即ち前記接地導体PGを段階的に幅広くするステ
ツプ数）、あるいは端子を短かくする方法（段階
状、あるいは単調減少等）、発熱抵抗体の解像度
等、何ら制約されるものではないことは当然であ
る。また、本発明のサーマルヘツドの用途も特に
限定されるべきものではなく、ラインヘツド、シ
リアルヘツド等に用いることも当然できる。更に
また、前記接地導体PGは配線の都合により局部
的に細くすることも当然できる。
流接地導体PGの材質や膜厚、パタン幅、導体の
強化法（メツキ法、印刷法等により膜厚を部分的
に厚くする方法）、単一のICが駆動できる抵抗体
本数、ボンデイング端子を短かくするステツプ数
（即ち前記接地導体PGを段階的に幅広くするステ
ツプ数）、あるいは端子を短かくする方法（段階
状、あるいは単調減少等）、発熱抵抗体の解像度
等、何ら制約されるものではないことは当然であ
る。また、本発明のサーマルヘツドの用途も特に
限定されるべきものではなく、ラインヘツド、シ
リアルヘツド等に用いることも当然できる。更に
また、前記接地導体PGは配線の都合により局部
的に細くすることも当然できる。
第１図は従来のサーマルヘツドの要部を示す平
面図。第２図は本発明の一実施例によるサーマル
ヘツドの要部を示す平面図。 １……Ｃ（C1〜Cn）共通電極、２……R1〜Rn
発熱抵抗体、３……L1〜Ln個別導電体、４……
T1〜Tnボンデイング端子、５……PG外部記録電
流接地端子、６……ｎ領域導体抵抗補正領域。
面図。第２図は本発明の一実施例によるサーマル
ヘツドの要部を示す平面図。 １……Ｃ（C1〜Cn）共通電極、２……R1〜Rn
発熱抵抗体、３……L1〜Ln個別導電体、４……
T1〜Tnボンデイング端子、５……PG外部記録電
流接地端子、６……ｎ領域導体抵抗補正領域。
Claims (1)
- １ 発熱抵抗体に接続ししかも該抵抗体から延長
して形成された個別導電体をICへのボンデイン
グ端子として搭載ICの両側に配置し、隣接した
搭載ICの前記ボンデイング端子との中間に発熱
抵抗体を通電発熱せしめた記録電流を接地させる
ための接地導電体を設けたサーマルヘツドにおい
て、該接地導電体のパタン幅を前記個別導電体が
ICのセンタ側へ近づくにつれて段階的にまたは
単調に広くし、相対応して前記ボンデイング端子
をIC側へ短かく形成することを特徴とするサー
マルヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5792284A JPH0248429B2 (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | Saamaruhetsudo |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5792284A JPH0248429B2 (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | Saamaruhetsudo |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201967A JPS60201967A (ja) | 1985-10-12 |
| JPH0248429B2 true JPH0248429B2 (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=13069488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5792284A Expired - Lifetime JPH0248429B2 (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | Saamaruhetsudo |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0248429B2 (ja) |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP5792284A patent/JPH0248429B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60201967A (ja) | 1985-10-12 |
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