JPH0248624B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0248624B2 JPH0248624B2 JP62168977A JP16897787A JPH0248624B2 JP H0248624 B2 JPH0248624 B2 JP H0248624B2 JP 62168977 A JP62168977 A JP 62168977A JP 16897787 A JP16897787 A JP 16897787A JP H0248624 B2 JPH0248624 B2 JP H0248624B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- cathode
- film
- sputtering
- film forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は基材に物質の成膜を行うスパツタリン
グ装置に関するものである。
グ装置に関するものである。
従来スパツタリングにより、成膜を行う場合、
第１図に示すようなスパツタリング装置が使用さ
れている。
第１図に示すようなスパツタリング装置が使用さ
れている。
このスパツタリング装置は真空室１内の底部に
ターゲツト材５と磁石２とよりなる陰極６を配置
し、この陰極６上方の真空室１の天井部に回転板
３を設けた構造で、この回転板３下面に基材４を
固定し、この回転板３を回転させて、成膜しよう
とする陰極６の真上に停止させた上、陰極６から
陽イオンの衝撃によりたたき出された物質を基材
４に飛散させてそれぞれの位置において成膜を行
つているものである。
ターゲツト材５と磁石２とよりなる陰極６を配置
し、この陰極６上方の真空室１の天井部に回転板
３を設けた構造で、この回転板３下面に基材４を
固定し、この回転板３を回転させて、成膜しよう
とする陰極６の真上に停止させた上、陰極６から
陽イオンの衝撃によりたたき出された物質を基材
４に飛散させてそれぞれの位置において成膜を行
つているものである。
しかし、この従来の構造の場合、陰極６を複数
取り付けようとした時、真空室１の容積が大きく
なり、それだけ装置自体が大型化し、場所を取る
欠点があつたり、また真空室１を排気するために
大型の真空ポンプを使用しなければならず、価格
も高くなつてしまう欠点がある。
取り付けようとした時、真空室１の容積が大きく
なり、それだけ装置自体が大型化し、場所を取る
欠点があつたり、また真空室１を排気するために
大型の真空ポンプを使用しなければならず、価格
も高くなつてしまう欠点がある。
更に排気時間が長くなり、それだけ作業性に劣
る欠点もあつた。
る欠点もあつた。
本発明はかかる欠点を解決したもので、装置自
体が小さくなり、真空ポンプも小型のものを使用
することが出来て安価な装置になり、また排気時
間も短縮されて成膜作業の能率がアツプしたスパ
ツタリング装置を提供することになる。
体が小さくなり、真空ポンプも小型のものを使用
することが出来て安価な装置になり、また排気時
間も短縮されて成膜作業の能率がアツプしたスパ
ツタリング装置を提供することになる。
真空状態において、陰極ａから陽イオンの衝撃
によりたたき出された物質を基材１２表面に飛散
させて基材１２表面に成膜を行うスパツタリング
装置において、真空室１３の中に複数の陰極ａを
円周上に配置した回転板１４を設け、この回転板
１４の天井部に成膜室１５を開口連設する。
によりたたき出された物質を基材１２表面に飛散
させて基材１２表面に成膜を行うスパツタリング
装置において、真空室１３の中に複数の陰極ａを
円周上に配置した回転板１４を設け、この回転板
１４の天井部に成膜室１５を開口連設する。
真空室１３内を低圧状態にして、回転板１４を
回転させて陰極ａを成膜室１５内に設けられてい
る基材１２の真下に停止させる。
回転させて陰極ａを成膜室１５内に設けられてい
る基材１２の真下に停止させる。
この状態で陰極ａから陽イオンの衝撃によりた
たき出された物質を基材１２表面に飛散させて基
材１２表面に第一層目の成膜を行う。
たき出された物質を基材１２表面に飛散させて基
材１２表面に第一層目の成膜を行う。
成膜終了後、回転板１４を回転させて次の陰極
ａを基材１２の真下に停止させた状態で第二層目
の成膜を行う。
ａを基材１２の真下に停止させた状態で第二層目
の成膜を行う。
この操作を繰り返す事により基材１２表面に多
層膜を形成することが出来る。
層膜を形成することが出来る。
第４図の場合には、回転板１４を回転させてタ
ーゲツト材１１を磁石１０真上に停止させるとタ
ーゲツト材１１と磁石１０とにより陰極ａが形成
され、この陰極ａから陽イオンの衝撃により叩き
出された物質を基材１２表面に飛散させて成膜を
行う。
ーゲツト材１１を磁石１０真上に停止させるとタ
ーゲツト材１１と磁石１０とにより陰極ａが形成
され、この陰極ａから陽イオンの衝撃により叩き
出された物質を基材１２表面に飛散させて成膜を
行う。
多層膜の場合にはこの上記操作を繰り返して成
膜を行う。
膜を行う。
第２図は、回転板１４の中心に回転導入軸１６
を真空シール１７を介して真空室１３底部中心に
軸受支承し、この回転導入軸１６に回転機構１８
を設けている。
を真空シール１７を介して真空室１３底部中心に
軸受支承し、この回転導入軸１６に回転機構１８
を設けている。
この回転板１４は第５図に示すような円形状の
ものでも良いし、第６図に示すように十文字状の
ものでも良く、第５図の場合は、陰極ａを円周上
に一定の間隔を置いて設け、第６図の場合は、陰
極ａを夫々の先端部に設けている。
ものでも良いし、第６図に示すように十文字状の
ものでも良く、第５図の場合は、陰極ａを円周上
に一定の間隔を置いて設け、第６図の場合は、陰
極ａを夫々の先端部に設けている。
この真空室１４の一側に電源導入端子１９を陰
極ａに対して接離自在に設け、この電源導入端子
１９に電源２０を接続している。
極ａに対して接離自在に設け、この電源導入端子
１９に電源２０を接続している。
この回転導入軸１６にロータリジヨイント２１
を設け、このロータリジヨイント２１より陰極ａ
に冷却を送水して陰極ａを冷却する場合を図示し
ている。
を設け、このロータリジヨイント２１より陰極ａ
に冷却を送水して陰極ａを冷却する場合を図示し
ている。
また真空室１３に真空ポンプが連設される排気
口２２とガスが導入されるガス導入口２３とが設
けられている。
口２２とガスが導入されるガス導入口２３とが設
けられている。
この真空室１３の天井部１３ａ一側に基材１２
を収納保持する成膜室１５を開口連設し、この成
膜室１５の開口部真下にシヤツター２４を水平回
動自在に設け、図中２５はそのハンドル、２６は
基材１２を着脱自在に取り付ける治具、２７は蓋
である。
を収納保持する成膜室１５を開口連設し、この成
膜室１５の開口部真下にシヤツター２４を水平回
動自在に設け、図中２５はそのハンドル、２６は
基材１２を着脱自在に取り付ける治具、２７は蓋
である。
第３図は真空室１３の天井部１３ａの両側に成
膜室１５を設けて同時に２基材１２の成膜を行う
場合を図示しているが、更に成膜室１５を数を増
やすことにより、同時に複数の基材１２に成膜を
行うことが出来る。
膜室１５を設けて同時に２基材１２の成膜を行う
場合を図示しているが、更に成膜室１５を数を増
やすことにより、同時に複数の基材１２に成膜を
行うことが出来る。
第４図の陰極ａはターゲツト材１１に直接磁石
１０を設けないで、真空室１３底部に固定し、回
転板１４を回転させてターゲツト材１１を磁石１
０の真上に停止させてターゲツト材１１と磁石１
０とにより陰極ａを形成させた時にスパツタリン
グを行う場合を図示している。
１０を設けないで、真空室１３底部に固定し、回
転板１４を回転させてターゲツト材１１を磁石１
０の真上に停止させてターゲツト材１１と磁石１
０とにより陰極ａを形成させた時にスパツタリン
グを行う場合を図示している。
この場合も、第２，３図と同様に回転導入軸１
６にロータリジヨイント２１を設け、このロータ
リジヨイント２１により冷却水をターゲツト材１
１裏側に送水して冷却するようにする。
６にロータリジヨイント２１を設け、このロータ
リジヨイント２１により冷却水をターゲツト材１
１裏側に送水して冷却するようにする。
電源２０と回転導入軸１６とを接続してターゲ
ツト材１１に伝達する場合を図示している。（２
８は絶縁部、２９はシールド板） 〔発明の効果〕 本発明は上述の様に構成したから次の様な特長
を有するものである。
ツト材１１に伝達する場合を図示している。（２
８は絶縁部、２９はシールド板） 〔発明の効果〕 本発明は上述の様に構成したから次の様な特長
を有するものである。
１ 従来のスパツタリング装置は第１図に示すよ
うに真空室１内の底部に陰極６を配置し、この
陰極６上方の真空室１の天上部に回転板３を設
けた構造で、この回転板３下面に基材４を固定
し、この回転板３を回転させて、成膜しようと
する陰極６の真上に停止させた上、陰極６から
陽イオンの衝撃によりたたき出された物質を基
材４に飛散させてそれぞれの位置において成膜
を行うものであるから陰極６を多数取り付けよ
うとした時、真空室１の容積が大きくなり、そ
れだけ装置自体が大型化し、場所を取る欠点が
あつたり、また真空室１を排気するために大型
の真空ポンプを使用しなければならず、価格も
高くなつてしまう欠点がある。
うに真空室１内の底部に陰極６を配置し、この
陰極６上方の真空室１の天上部に回転板３を設
けた構造で、この回転板３下面に基材４を固定
し、この回転板３を回転させて、成膜しようと
する陰極６の真上に停止させた上、陰極６から
陽イオンの衝撃によりたたき出された物質を基
材４に飛散させてそれぞれの位置において成膜
を行うものであるから陰極６を多数取り付けよ
うとした時、真空室１の容積が大きくなり、そ
れだけ装置自体が大型化し、場所を取る欠点が
あつたり、また真空室１を排気するために大型
の真空ポンプを使用しなければならず、価格も
高くなつてしまう欠点がある。
更に排気時間が長くなり、それだけ作業性に
劣る欠点もあつた。
劣る欠点もあつた。
この点本発明は、真空室１３と成膜室１５と
を別々にしたから真空室１３自体を非常に小型
することが出来、このため装置自体が小さくな
り、真空ポンプを排気能力が小さな小型のもの
を使用することが出来、また短時間で十分に低
い圧力が得られるから作業能率が向上すること
になる。
を別々にしたから真空室１３自体を非常に小型
することが出来、このため装置自体が小さくな
り、真空ポンプを排気能力が小さな小型のもの
を使用することが出来、また短時間で十分に低
い圧力が得られるから作業能率が向上すること
になる。
２ この真空室１３の中に複数の陰極ａを円周上
に配置した回転板１４を設けたから回転板１４
を回転させて陰極ａを成膜室１５の真下に位置
させて順次スパツタリングを行うことによりタ
ーゲツト材１１や基材１２を大気にさらすこと
なく複数層の成膜を行うことが出来、極めて作
業能率の向上を高めることになる。
に配置した回転板１４を設けたから回転板１４
を回転させて陰極ａを成膜室１５の真下に位置
させて順次スパツタリングを行うことによりタ
ーゲツト材１１や基材１２を大気にさらすこと
なく複数層の成膜を行うことが出来、極めて作
業能率の向上を高めることになる。
３ 第３図に示すように成膜室１５を複数設ける
ことにより同時に複数の基材１２に対して同時
に成膜を行うことが出来るから一層成膜作業が
能率がアツプすることになる。
ことにより同時に複数の基材１２に対して同時
に成膜を行うことが出来るから一層成膜作業が
能率がアツプすることになる。
４ 第４図に示すようにターゲツト材１１と磁石
１０を離して磁石１０を真空室１３底部に固定
しているから成膜する物質を変えることにより
ターゲツト材１１のみを変換することが出来る
から極めて便利であり、また経済的である。
１０を離して磁石１０を真空室１３底部に固定
しているから成膜する物質を変えることにより
ターゲツト材１１のみを変換することが出来る
から極めて便利であり、また経済的である。
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図
は従来のスパツタリング装置の正断面図、第２図
は本装置の正断面図、第３，４図は本装置別例の
正断面図、第５，６図は回転板の平面図である。 ａ……陰極、１０……磁石、１１……ターゲツ
ト材、１２……基材、１３……真空室、１３ａ…
…天井部、１４……回転板、１５……成膜室。
は従来のスパツタリング装置の正断面図、第２図
は本装置の正断面図、第３，４図は本装置別例の
正断面図、第５，６図は回転板の平面図である。 ａ……陰極、１０……磁石、１１……ターゲツ
ト材、１２……基材、１３……真空室、１３ａ…
…天井部、１４……回転板、１５……成膜室。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空状態において、陰極から陽イオンの衝撃
によりたたき出された物質を基材表面に飛散させ
て基材表面に成膜を行うスパツタリング装置にお
いて、真空室の中に複数の陰極を円周上に配置し
た回転板を設け、この真空室の天井部に成膜室を
開口連設し、この回転板を回転させて陰極を成膜
室の真下に停止させてスパツタリングを行う事を
特徴とするスパツタリング装置。 ２ 真空状態において、陰極から陽イオンの衝撃
によりたたき出された物質を基材表面に飛散させ
て基材表面に成膜を行うスパツタリング装置にお
いて、真空室の中に複数のターゲツト材を円周上
に配設した回転板を設け、この真空室の天井部に
成膜室を開口連設し、この成膜室の真下に位置す
る真空室底部に磁石を固定し、この回転板を回転
させてターゲツト材を磁石上に停止させた時にス
パツタリングを行う事を特徴とするスパツタリン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16897787A JPS6415368A (en) | 1987-07-07 | 1987-07-07 | Sputtering device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16897787A JPS6415368A (en) | 1987-07-07 | 1987-07-07 | Sputtering device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6415368A JPS6415368A (en) | 1989-01-19 |
| JPH0248624B2 true JPH0248624B2 (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=15878068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16897787A Granted JPS6415368A (en) | 1987-07-07 | 1987-07-07 | Sputtering device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6415368A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010090033A (ko) * | 2001-08-14 | 2001-10-18 | 손종역 | 박막의 레이저 증착에서 1축 제어방식의 멀티타겟홀터. |
| JP4667057B2 (ja) * | 2005-02-08 | 2011-04-06 | キヤノン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56155981A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | Optical encoder |
-
1987
- 1987-07-07 JP JP16897787A patent/JPS6415368A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6415368A (en) | 1989-01-19 |
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