JPH0248865B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はブリツジ回路、特に物理量変化に応じ
て抵抗値が変化する抵抗素子を４辺に配設したフ
ルブリツジ回路における零点調整あるいは零点移
動温度補償等を行う調整回路を付加したブリツジ
回路の改良に関するものである。

一般に、圧力、長さその他の物理量変化に応じ
て抵抗値が変化する例えば半導体歪みゲージ等の
抵抗素子を４辺に配設したフルブリツジ回路が電
気的測定手段として広範囲に用いられており、各
種の測定条件下においても簡便で正確な電気的測
定信号が検出し得るという利点を有する。この種
のブリツジ回路においては、ブリツジの検出精度
を向上させる為にブリツジ出力の零点調整及び零
点移動温度補償が必要となる。すなわち、零点調
整は、物理量が加わらない状態でブリツジ出力を
零にする測定条件を得る為に、４辺の抵抗値のア
ンバランスに起因するブリツジ出力（オフセツト
電圧）を零に調整することであり、また零点移動
温度補償は抵抗素子が物理量とは無関係に温度変
化の影響による熱応力あるいは素子自体の抵抗温
度特性のバラツキ等によつて生じるブリツジ回路
の零点出力の温度による移動（零点移動温度特
性）を補償するものである。前記各補償作業はブ
リツジ回路において不可欠なものであり、特に各
抵抗素子として半導体歪みゲージ等のように抵抗
温度係数の大きい素子を用いる場合、あるいは物
理量変化を極めて高精度で且つ安定に検出する場
合に正確な零点移動温度補償を行うことが必要と
される。

第１図には零点調整及び零点移動温度補償回路
が付加された従来のブリツジ回路が示され、ブリ
ツジ回路１０の４辺には抵抗素子１２，１４，１
６及び１８がそれぞれ設けられ、前記補償を行う
為に、抵抗素子１２には直列抵抗rsが又抵抗素子
１８には並列抵抗r_Pが接続され、両抵抗r_S及びr_P
の抵抗値を調整することによつて４辺の抵抗値と
抵抗温度係数を同時にバランスさせて零点調整と
零点移動温度補償とが行われている。前記両抵抗
r_S及びr_Pは温度変化に対して実質的に抵抗変化を
生じないすなわち抵抗温度係数の小さい抵抗素子
からなる。

第１図において、零点調整はブリツジ回路１０
の４辺の抵抗値が２組の相対する２辺の抵抗値の
積が等しくなるように各挿入抵抗r_S、r_Pの抵抗値
を調整することにより行われるが、勿論、この零
点調整のみを行えば調整辺の抵抗温度係数は変化
することが明らかである。一方、零点移動温度補
償は抵抗温度係数の大きい辺に挿入した調整抵抗
にて当該辺の抵抗温度係数を小さくし、４辺の抵
抗温度係数がバランスが得られるが、勿論この場
合においても、調整された辺の抵抗値は変化し、
零点が移動することは明らかである。すなわち、
零点調整及び抵抗移動温度補償は互に相関性を有
しているので、実際の調整時においては、直列抵
抗r_Sと並列抵抗r_Pの各抵抗値とこれらを接続する
辺とを適宜選択することにより零点調整と零点移
動温度補償とを同時に行い、この時の各抵抗値の
選択は周知のように下記近似式にて設定される。

r_S＝2R△V_T／V_io・Ｒ／△Ｒ−△V_O／V_io …(1)式 r_P＝Ｒ／２（△V_O／Vin＋△V_T／Vin・Ｒ／△Ｒ）…(2
)式 上式においてＲは各抵抗素子１２，１４，１
６，１８として拡散型半導体歪みゲージを用いた
時の同一の各素子抵抗値、△Ｒは各抵抗素子１
２，１４，１６，１８の温度変化△Ｔに対する抵
抗変化量、V_ioはブリツジ回路１０の入力端子間
電圧、△V_Oは零点出力電圧、△V_Tは温度変化△
Ｔに対する零点移動量である。

なお、上式は近似解である為、実際の調整は、
いづれか一方の抵抗r_S，r_Pを所定辺に接続した
後、他方の抵抗をブリツジ回路１０の零点出力が
実際に零となるように調整した状態で行われる。

従来のブリツジ回路においては、抵抗素子１
２，１４，１６，１８を半導体歪みゲージで形成
しその抵抗値が１〜２キロオームの場合、前記直
列抵抗r_Sを100オーム程度以下そして並列抵抗r_P
を数10キロオーム以上とすることが一般的であ
り、このような実際のブリツジ回路においては各
調整抵抗r_S及びr_Pの値を微調整することが極めて
困難であるという欠点があつた。すなわち、零点
出力を例えば±0.1mV程度以下に微調整しようと
する場合、前記直列抵抗r_Sの微調整によれば0.1
オーム以下の値まで細かく調整する必要が生じ、
この為に前記直列抵抗r_Sを調整可能な小さな抵抗
値を有する複数の固定抵抗の組合わせで構成した
りあるいは１オーム程度の可変抵抗を用いなけれ
ばならないという問題を生じる。しかしながら、
複数の固定抵抗の組合わせはブリツジ回路を複雑
及び高価格とする欠点を有し、又抵抗値の低い可
変抵抗はその形状が大型化するという欠点があつ
た。そして、前記微調整を並列抵抗r_Pで行う場合
には、並列抵抗r_Pの形状が大型化し、又適当な抵
抗素子が得られないという問題があり、又並列抵
抗値を更に大きくする場合には、その挿入辺を変
更しなければならないという問題が生じ、いずれ
も場合においてもその微調整が極めて困難になる
という欠点があつた。

特に、前記微調整はブリツジ回路１０を圧力変
換器として用いた場合等に大きな問題を生じる場
合がある。すなわち、ブリツジ回路にて絶対圧型
の圧力変換器を構成し、大気圧の変動あるいは大
気圧以上の圧力変動を気圧変動も含めて絶対圧変
化として検出する際、標準大気圧の時にブリツジ
出力を零とする調整が必要となるが、この時、前
述した調整困難な場合が生じやすい。一般に、圧
力変換器に作用する圧力が零（真空）であつて、
起歪部に歪みが発生していない状態で、出力電圧
がほぼ零値になり、又その時の温度による出力変
化が小さい状態が得られた場合においても、標準
大気圧における零点出力はそれ自体零点移動温度
特性を有し、この特性が第２図に示される。すな
わち、零点出力として標準大気圧出力に相当する
電圧△V_Oを設定した時には、零点移動温度特性
として第２図に示される標準大気圧出力△V_Oの
出力低下に相当する零点移動△V_Tが生じる。そ
こで、第２図の零点出力△V_O及び零点移動△V_T
をいずれも零とするように前記直列抵抗r_S及び並
列抵抗r_Pの値を求めると、並列抵抗r_Pは一般に
100キロオーム以上となり、又その接続辺も第１
図の素子１６あるいは１８のいずれかに分れ、そ
の設定が極めて困難になるという問題がある。こ
れは直列抵抗r_Sによつて素子１２の辺の抵抗値を
大きくして零点出力を負側へ移行させると同時に
この辺の抵抗温度係数を小さくして零点移動温度
特性を正側に変化させ直列抵抗r_Sだけで零点出力
を零にする効果及び零点移動温度補償の効果がほ
とんど得られてしまい、並列抵抗r_Pはわずかな零
点出力の調整だけに使用されることとなる為であ
る。

いずれにおいても、従来装置では、直並列抵抗
の抵抗値が調整の行いにくい範囲にある為に正確
な微調整を得ることが極めて困難であるという欠
点があつた。

本発明は上記従来の課題に鑑みなされたもので
あり、その目的は、零点の微調整を極めて容易に
行うことができる改良されたブリツジ回路を提供
することにある。

上記目的を達成する為に、本発明は、４辺のそ
れぞれに物理量変化に応じて抵抗値が変化する抵
抗素子が接続され、相対する一対の電源端子間に
電源を接続し、他の一対の出力端子から出力電圧
を取出すブリツジ回路において、前記ブリツジ回
路の任意の１辺にその辺の抵抗素子より十分に大
きな抵抗値を有するバイアス用並列抵抗を予め接
続し、このバイアス用並列抵抗の接続されたブリ
ツジ辺と隣接するブリツジ辺に調整用の並列抵抗
を接続し、更に他のブリツジ辺に調整用の直列抵
抗を接続し、前記バイアス用並列抵抗、調整用並
列抵抗及び直列抵抗を温度変化に対して実質的に
抵抗変化を生じない抵抗素子から形成し、バイア
ス用並列抵抗を予め接続しておくことによつてそ
の後に接続する調整用の並列抵抗値を前記バイア
ス用並列抵抗と同程度の抵抗値範囲に設定し、調
整用の直列抵抗及び並列抵抗によつてブリツジ回
路の零点調整及び零点移動温度補償を行うことを
特徴とする。

以下図面に基づいて本発明の好適な実施例を説
明する。

第３図には本発明にかかるブリツジ回路の第１
実施例が示され、第１図の従来回路と同一部材に
は同一符号を付して説明を省略する。第３図の各
抵抗素子１２，１４，１６，１８は拡散型半導体
歪みゲージからなり、このブリツジ回路１０は例
えば圧力変換として利用することができ、第４，
５図にはブリツジ回路１０を含む圧力変換器の好
適な実施例が示されている。

第４，５図においてシリコン単結晶の薄板から
なるシリコンダイアフラム２０がその周縁部にて
基台２２に真空中でガラス接着されており、その
中央部には薄肉状の起歪部２４が形成され、該起
歪部２４の表面中央部に拡散型半導体歪みゲージ
からなる抵抗素子１２，１６が、又周縁部に同じ
く拡散型半導体歪みゲージからなる抵抗素子１
４，１８がそれぞれ拡散手法にて形成されてい
る。そして、各素子１２，１４，１６，１８はシ
リコンダイアフラム２０上に形成された拡散リー
ド部又は蒸着アルミ配線によつて直列に接続さ
れ、その両端及び３個の接続点はシリコンダイア
フラム２０の周縁に設けられたアルミ電極リード
端子２６〜３４に接続され、第３図のブリツジ回
路１０が形成されている。従つて、前記シリコン
ダイアフラム２０に圧力が作用すると抵抗素子１
２，１６と抵抗素子１４，１８には引張側及び圧
縮側の反対方向の歪みが加わり、抵抗値がそれぞ
れ反対方向に変化し、圧力を正確に電気的に検出
することが可能となる。なお、第５図から明らか
なように、起歪部２４と基台２２との間には真空
の基準圧室３６が形成され、絶対圧型の圧力変換
器を構成しているが、鎖線で示されるように、基
準圧室３６を基台２２に設けられた背圧孔３８に
て外部と導通することによつて、ゲージ圧型又は
差圧型の圧力変換器を構成することができる。

以上のようにして、本発明にかかるブリツジ回
路１０は第４，５図の圧力変換器その他として用
いることができ、次に、第３図における本発明の
調整回路の構造を説明する。

第３図において、ブリツジ回路１０の相対する
電源端子４０，４２はそれぞれ電源４４の正極及
び負極に接続され、ブリツジ回路１０に直流電圧
が供給されている。そして、ブリツジ回路１０の
他方の相対する一対の出力端子４６，４８はそれ
ぞれ正出力端子５０及び負出力端子５２に接続さ
れている。

そして、ブリツジ回路１０の各４辺から任意に
選択された辺例えば実施例において抵抗素子１２
の辺に調整用の直列抵抗５４が接続されている。
更に、例えば実施例において抵抗素子１６が接続
されている辺にはバイアス用並列抵抗５６が、又
この辺と隣接する辺実施例においては抵抗素子１
８が接続されている辺に調整用並列抵抗５８が接
続されている。前記直列抵抗５４及び両並列抵抗
５６，５８は拡散型半導体歪みゲージから成る抵
抗素子１２，１４，１６，１８の抵抗温度係数と
比して充分小さい抵抗温度係数を有し、実質的に
温度変化によつて抵抗変化を生じない抵抗素子か
ら形成されている。

本発明の第１実施例は以上の構成からなり、そ
の調整作用を以下の調整手順に従つて説明する。

(1) バイアス用並列抵抗５６としてその抵抗値を
拡散型半導体歪みゲージより大きく好ましくは
10倍以上の大きさを有する値で、且つ抵抗値の
選択調整が容易で実際上最も使用しやすい範囲
から任意の抵抗値を選択してブリツジ回路１０
の任意の１辺実施例においては抵抗素子１６の
接続辺に接続する。半導体歪みゲージの抵抗値
がおよそ１〜２キロオームの場合、この並列抵
抗５６の抵抗値は数10キロオーム〜100キロオ
ーム程度の範囲から選択することが好適であ
る。

(2) 第３図の直列抵抗５４及び調整用並列抵抗５
８が接続されていない状態すなわち直列抵抗５
４が短絡した状態で圧力変換器を零点状態（ブ
リツジ出力を零にしたい状態）として零点出力
の値と零点移動温度特性を求める。

(3) 前２項で求めた零点出力の値を零にし且つ零
点移動温度特性を温度補償するに必要な直列抵
抗５４及び調整用並列抵抗５８の抵抗値及びこ
れらの抵抗接続辺を前述した(1)、(2)式により求
める。

(4) 前３項より求められた計算結果に対応する直
列抵抗５４及び調整用並列抵抗５８を所定辺に
接続し、次にブリツジ回路１０の零点出力が実
際に零となるように調整用並列抵抗５８の抵抗
値を調整する。（なお、調整用並列抵抗５８の
抵抗値は接続後に直接調整することも可能であ
り、この場合には前記(2)式の計算は不用とな
る。） (5) 零点移動温度補償を更に高精度に行う為に、
前４項の調整後再度零点出力の値と零点移動温
度特性を求め、これに基づいて３，４項の計算
及び調整を行う。この時、３項では直列抵抗５
４の補正値を求め、４項では直列抵抗５４の値
に前記補正値に従つた補正を加え、その後、調
整用並列抵抗５８の抵抗値を調整して零点出力
の微調整を行う。以下この微調整を必要回数繰
り返すことにより、本発明の零点微調整を行う
ことができる。

以上説明したように、第１実施例回路によれ
ば、抵抗値の選択が容易で且つ実際上最も使用し
やすい範囲から任意に選択されたバイアス用並列
抵抗５６を予めブリツジ回路１０の任意１辺すな
わち実施例における抵抗素子１６の接続辺に接続
した後、零点調整と零点移動温度補償の為の直列
抵抗５４及び調整用並列抵抗５８の値を求めるの
で、必然的に、調整用並列抵抗５８の抵抗値は予
め抵抗値の定められているバイアス用並列抵抗５
６の抵抗値に近接した値となり、その接続辺も電
源端子４０，４２を挾む隣接する辺に必然的に定
められることとなる。すなわち、ブリツジ回路１
０の互に隣接する２辺に同一抵抗値の並列抵抗を
接続すれば、両ブリツジ辺の抵抗値に対して同様
の変化を与え、又両ブリツジ辺の抵抗温度係数も
同様の変化を示すことから、このような両列抵抗
の隣接辺への接続ではブリツジ回路１０の零点出
力及び零点移動温度特性になんら影響を与えない
こととなり、調整用に用いられる並列抵抗５８の
抵抗値を調整に容易な抵抗値範囲とし且つ零点調
整及び零点移動温度補償を確実に行う為には、予
め並列抵抗５８の抵抗値を設定する為のバイアス
用として用いる並列抵抗５６を任意のブリツジ辺
に設ければ良いことが理解される。

以上のように、本発明によれば、予めバイアス
用並列抵抗をブリツジ回路の任意辺に接続するこ
とによつて、調整用並列抵抗の抵抗値を所望の抵
抗値範囲から任意に選択することが可能となる。

具体例として、前述した絶対圧型圧力変換器で
標準大気圧時の出力を零にしようとする場合、ブ
リツジ回路１０の入力直流電圧V_io＝6V、各抵抗
素子１２，１４，１６，１８の抵抗値Ｒ＝1800オ
ーム、その抵抗温度係数１℃当り0.14％、圧力零
（真空）時の出力電圧を±30mV、標準大気圧に
おける出力感度を60mVそして出力の感度温度係
数を１℃当り−0.14％（これより１℃当りの△V_T
は−0.084mVとなる。）とし、直列抵抗５４、バ
イアス用並列抵抗５６及び調整用の並列抵抗５８
の各抵抗値をそれぞれr54、r56、r58とすると、
第１図の従来装置においては、r54＝約50〜90オ
ーム（抵抗素子１２に直列接続）そしてr58＝約
200キロオーム〜∞（抵抗素子１６又は１８に並
列接続）となるのに対し、第３図の本実施例にお
いては、バイアス用並列抵抗値r56を100キロオー
ムにすれば、直列抵抗値r54は従来と同様の約50
〜90オーム（抵抗素子１２に直列接続）となる
が、調整用の並列抵抗r58は約50〜100キロオーム
（抵抗素子１８に並列接続）となり、このことか
ら、調整用の並列抵抗値r58をバイアス用並列抵
抗r56に近い値に設定することができ調整が極め
て容易となり、又その接続するブリツジ辺も特定
のブリツジ辺実施例においては抵抗素子１８の接
続辺に定まることとなる。

以上のようにして、直列抵抗５４及び並列抵抗
５８の低抗値を求め、これを各特定のブリツジ辺
に接続した後、本実施例回路の零点出力が実際に
零となるように並列抵抗５８の抵抗値が調整され
る。この並列抵抗５８の抵抗値はバイアス用並列
抵抗５６によつて実際上最も使用しやすい範囲に
設定可能である為、零点調整は従来と比して極め
て容易に行うことができる。更に、本発明によれ
ば、調整用並列抵抗５８の接続ブリツジ辺が特定
するので、従来のように調整の都度その接続辺を
変更することがなく、調整回路構成を著しく簡素
化することが可能となる。又、零点出力の微調整
は、予め並列抵抗５８の調整によつて概略調整を
行つた後にバイアス用の並列抵抗５６の抵抗値を
微小範囲で調整して行うことも可能であり、この
微調整は零点移動温度特性に大きな影響を与える
ことがないので、零点出力を0.1mV以下にまで微
調整しようとする場合においても、両並列抵抗５
６，５８の調整にて正確な零点調整を行うことが
可能となる利点を有する。

なお、第３図の実施例における電源端子４０，
４２と出力端子４６，４８を任意に変更して、端
子４０，４２を出力端子に又端子４６，４８を電
源端子としても同様の効果を得ることが可能であ
る。

更に、前記実施例において、電源４４は通常の
場合定電圧電源とするが、抵抗素子１２，１４，
１６，１８を拡散型半導体歪みゲージで形成した
時の感度温度特性を温度補償する為に電源４４を
定電流電源とすることも可能である。

第６図には本発明の第２実施例が示され、第３
図の第１実施例と同一部材には同一符号を付して
説明を省略する。第２実施例は零点微調整回路を
付加し、更に細かい零点調整を可能としたことを
特徴とし、抵抗素子１８の一端と直列抵抗５４の
一端との間に固定抵抗６０及び可変抵抗６２の並
列回路が接続され、該並列回路が零点微調整回路
を形成し、前記可変抵抗６２の中間端子が正出力
端５０に接続されている。

前記固定抵抗６０と可変抵抗６２との並列合成
抵抗値は該並列抵抗を流れる電流値と該並列抵抗
値との積が所定の調整電圧幅となるように設定
し、又両抵抗のうち固定抵抗６０は並列合成抵抗
値に近い値とし一方可変抵抗６２はその抵抗値が
できるだけ大きく且つその選択が容易で実際に使
用しやすい抵抗値に設定されている。第６図にお
ける零点微調整回路は初期組立て時からブリツジ
回路１０に接続され、可変抵抗６２の中間端子を
ほぼ抵抗値の中央位置に設定した状態で前記第１
実施例と同様の零点調整及び零点移動温度補償を
行つても良く、又ブリツジ回路１０の零点調整及
び零点移動温度補償が行われた後にブリツジ回路
１０に付加接続されても良い。なお、第６図にお
ける電源４４は定電流電源から形成されている。

本発明の第２実施例は以上の構成からなり、以
下にその作用を説明する。

固定抵抗６０及び可変抵抗６２からなる零点微
調整回路には、抵抗素子１２，１８の電流が流
れ、固定抵抗６０の両端には並列合成抵抗値と該
電流抵抗値の積に等しい電圧降下が生じる。この
時可変抵抗６２の中間電位は前記零点微調整回路
が付加接続されていない第３図の第１実施例にお
ける出力端子４６の電位に等しくなる。従つて可
変抵抗６２の中間端子が抵抗値の中央位置にある
場合には、両出力端子５０，５２間に得られる出
力電圧は零点微調整回路が付加接続されていない
時の出力電圧と同一値となることが理解される。
そして、可変抵抗６２の中間端子を動かせば、正
出力端子５０からは可変抵抗６２の中間端子移動
位置に対応した一定電圧だけ偏位した出力電圧が
得られ、可変抵抗６２の調整によつてブリツジ回
路１０の零点出力調整ができることとなる。この
時の調整電圧幅は前記並列合成値とその電流値と
の積に等しくなり、この電圧調整幅を小さくして
微細な調整を行う為には前記並列合成値を小さく
すれば良いことが明らかである。この並列合成抵
抗値の減少は単に固定抵抗６０の抵抗値を小さく
するのみで良く、可変抵抗６２の抵抗値は任意に
入手の容易な実際の使用に便利な可変抵抗値とす
ることができ、低価格で微調整容易なブリツジ回
路を得ることが可能となる。

具体例として、電源４４から3mAの電流が供
給され、抵抗素子１２，１８にはその約半分の
1.5mA程度の電流が流れるものとし、この時±
1mV程度の微調整（調整電圧幅で2mV）を行い
得る回路を構成する為には、前記並列合成抵抗値
を約1.3オームとすれば良い。そして、この時の
固定抵抗６０の抵抗値を約1.3オームとすれば、
可変抵抗６２としては10〜100オーム以上の抵抗
値の素子を使用すれば良く、可変抵抗として小型
な且つ標準型の素子を利用することが可能とな
る。

又、第６図の実施例によれば、可変抵抗６２に
よる調整範囲は正側から及び負側におよぶので、
ブリツジ回路１０の出力を増幅する為にIC直流
増幅器等をブリツジ回路１０に直結した場合に
も、ブリツジ回路１０の零点出力をIC直流増幅
器の入力オフセツト電圧（IC直流増幅器の出力
を零にする入力電圧）に等しくなるように正負両
方向に調整することができ、IC直流増幅器の出
力の零点調整を容易に行うことが可能となる。

第７図には本発明の第３実施例が示され、第６
図の第２実施例にスパン調整抵抗を付加接続した
ことを特徴とし、第６図と同一部材には同一符号
を付して説明を省略する。

第３実施例において、零点微調整回路の固定抵
抗は抵抗値のほぼ等しい固定抵抗６０ａ，６０ｂ
に分割され、両固定抵抗６０ａ，６０ｂの共通接
続点と負出力端子５２との間にスパン調整抵抗６
４が付加接続されたことを特徴とする。

すなわち、スパン調整抵抗６４はこの抵抗値を
小さくすれば、出力端子４６，４８間に得られる
電圧変化に対して出力端子４６，４８間の出力電
圧が低下することを利用して、出力電圧のスパン
調整を行う為の抵抗からなる。従つて、スパン調
整抵抗６４の抵抗値を任意に変更することによつ
て、検出電圧を任意のレベルにスパン調整するこ
とが可能となる。第７図の実施例において、スパ
ン調整抵抗６４はその一端が同一抵抗値の固定抵
抗６０ａ，６０ｂの接続点に接続されているの
で、零点調整時においては、スパン調整抵抗６４
に電流が流れることなく、このことから、零点調
整時にはスパン調整抵抗６４がなんら零点調整作
用に悪影響を与えることはない。

以上説明したように、本発明によれば、フルブ
リツジ回路の抵抗素子に調整用の直列抵抗及び並
列抵抗を接続して零点調整及び零点移動温度補償
を行うブリツジ回路において、バイアス用並列抵
抗を予めブリツジ辺に任意の１辺に接続し、この
辺と隣接するブリツジ辺に接続される調整用の並
列抵抗の抵抗値を予め所望範囲の抵抗値に設定す
ることができ、調整用並列抵抗値を調整の容易な
値に選択することが可能となり、小型且つ微調整
容易なブリツジ回路を得ることが可能となる。

更に、本発明においては、抵抗値の小さい固定
抵抗と一般に入手しやすい標準的な抵抗値を有す
る可変抵抗の並列接続からなる零点微調整回路を
接続することによつて、零点調整を高精度に且つ
簡単な回路構成で得ることが可能となる利点を有
する。

以上のように、本発明によれば、小型且つ高精
度なブリツジ回路を安価に提供することができ、
広範囲の測定器に適応し得るブリツジ回路を得る
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の調整抵抗が付加されたブリツジ
回路を示す回路図、第２図は従来のブリツジ回路
を圧力変換器として用いた場合の温度特性図、第
３図は本発明にかかるブリツジ回路の好適な第１
実施例を示す回路図、第４図は第３図のブリツジ
回路を圧力変換器として構成した実施例を示す斜
視図、第５図は第４図の要部断面図、第６図は本
発明にかかるブリツジ回路の好適な第２実施例を
示す回路図、第７図は本発明にかかるブリツジ回
路の好適な第３実施例を示す回路図である。 １０…ブリツジ回路、１２，１４，１６，１８
…抵抗素子、４０，４２…電源端子、４４…電
源、４６，４８…出力端子、５４…直列抵抗、５
６…バイアス用並列抵抗、５８…調整用並列抵
抗、６０…固定抵抗、６２…可変抵抗、６４…ス
パン調整抵抗。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ４辺のそれぞれに物理量変化に応じて抵抗値
   が変化する抵抗素子が接続され、相対する一対の
   電源端子間に電源を接続し、他の一対の出力端子
   から出力電圧を取出すブリツジ回路において、 前記ブリツジ回路の任意の１辺にその辺の抵抗
   素子より十分に大きな抵抗値を有するバイアス用
   並列抵抗を予め接続し、 このバイアス用並列抵抗の接続されたブリツジ
   辺と隣接するブリツジ辺に調整用の並列抵抗を接
   続し、 更に他のブリツジ辺に調整用の直列抵抗を接続
   し、 前記バイアス用並列抵抗、調整用並列抵抗及び
   直列抵抗を温度変化に対して実質的に抵抗変化を
   生じない抵抗素子から形成し、 バイアス用並列抵抗を予め接続しておくことに
   よつてその後に接続する調整用の並列抵抗値を前
   記バイアス用並列抵抗と同程度の抵抗値範囲に設
   定し、 調整用の直列抵抗及び並列抵抗によつてブリツ
   ジ回路の零点調整及び零点移動温度補償を行うこ
   とを特徴とするブリツジ回路。 ２ 特許請求の範囲１記載の装置において、ブリ
   ツジ回路の一方の出力端子に固定抵抗と可変抵抗
   との並列回路からなる零点微調整回路を接続し、
   前記可変抵抗の中間端子からブリツジ出力を取り
   出し、可変抵抗の調整によつて零点出力の微調整
   を行うことを特徴とするブリツジ回路。 ３ 特許請求の範囲１，２のいずれかに記載の回
   路において、ブリツジ回路の出力端子間にスパン
   調整抵抗を接続したことを特徴とするブリツジ回
   路。