JPH0249051B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は制御回路と、該制御回路に接続された
増幅段と、給電源から互いに異なる電位が供給さ
れるように該給電源に結合された２つの供給端子
とを具え、前記増幅段は2n個のトランジスタを
具え、該ｎを１よりも大きい整数となし、該トラ
ンジスタの各々は主電流通路および制御電極を有
し、前記主電流通路を前記２つの供給端子間に直
列に接続し、前記トランジスタの直列回路配置の
第ｎ番目の電流通路と第（ｎ＋１）番目の電流通
路との接合点に出力端子を接続し、前記２つの供
給端子の第１供給端子と前記出力端子との間に配
置されているｎ個のトランジスタを前記出力端子
と前記２つの供給端子の第２供給端子との間に配
置されているｎ個のトランジスタに対し相補導電
形となし、前記トランジスタの直列回路配置の順
次の主電流通路の接合点の１つに少なくとも１個
のダイオードを経て２（ｎ−１）個の別の供給端
子の各々をそれぞれ接続し、前記別の供給端子が
接続されている前記結合点を前記出力端子に接続
せず、前記別の供給端子をさらに２つの前記給電
源の電位間に存る供給電圧を前記供給端子に印加
するために別の給電源に接続させ、所定の接合点
に接続された前記ダイオードを、該接続点の電位
が該ダイオードに接続された前記別の供給端子の
電位と、該別の供給端子と同じ側の負荷接続の供
給端子との電位との間にあるとき、逆バイアスす
るように前記ダイオードを接続して成る増幅回路
に関する。

斯る増幅回路すなわち、第１供給端子から第２
供給端子へと漸次に減少する一連の供給電位をそ
れぞれ２（ｎ−１）個の別の供給端子へ供給する
ようになした増幅回路は米国特許第3622899号明
細書に開示されている。斯様な増幅回路を特にオ
ーデイオ増幅器或いは電話システムの線路回路の
駆動段として使用することができる。

これら増幅回路では、瞬時出力電圧の大きさお
よび出力電流の方向により直列配置のどのトラン
ジスタが導通しどのトランジスタが非導通になる
かが決まる。供給電圧の値は導通トランジスタの
個数によつて決まるので、これら増幅器では出力
信号の広い電圧範囲にわたり内部電圧消費が低い
という利点がある。

しかしながら、斯る増幅回路は使用トランジス
タのコレクタ−エミツタ降伏電圧の２倍以上の出
力電圧で作動させるのには適していない。このた
め、特に高動作電圧を使用するオーデイオおよび
ビデオ増幅器或いは加入者回路の駆動段に斯様な
増幅回路を集積回路の形態で使用することが妨げ
られている。

さらに、リアクタンス負荷の結果としての各出
力信号の周期の一部分の期間の場合のように出力
電流の符号が出力電圧の符号と反対であつたり、
或いは電話システムの加入者線路に大きな共通モ
ード信号が存在したりする場合には、電力消費の
低減も僅かにすぎない。

本発明の目的は本明細書の頭初に説明したよう
な増幅回路であつて、許容できる一層大きな出力
電圧を有する増幅回路を提供せんとするにある。

従つて、本発明によれば増幅回路は別の給電源
は少なくともほぼ同様な順次の漸次に減少する供
給電圧を、前記２つの供給端子のうち最大極性を
有する供給端子から前記出力端子の方向における
それぞれ（ｎ−１）個の前記別の供給端子と、前
記出力端子から前記２つの供給端子のうちの他方
の供給端子の方向におけるそれぞれ（ｎ−１）個
の前記別の供給端子の双方へ、供給するように成
したことを特徴とする。

このように構成すれば、この増幅回路の少なく
とも増幅段を比較的高い出力電圧を供給するよう
にしながら集積回路の形態に形成することがで
き、斯様に集積化された増幅器を電話システムの
加入者回路の駆動段として特に使用できるように
なすことができるという利益を奏し得る。

さらに、本発明によれば、出力電流の符号が出
力電圧の符号と異なる場合でも従来既知の増幅回
路の場合よりも電力消費の低減を一層大きくなす
ことができるという利益を奏し得る。

本発明の他の要旨によれば2n個の前記トラン
ジスタを、前記出力端子の両側にあるｎ個の順次
のトランジスタの各群におけるトランジスタの漏
洩電流が前記供給端子から前記出力端子に向かい
増大するようにすることができる。

このように構成することにより非導通状態にあ
る各トランジスタの端子間電圧を漸次に減少する
順次の供給電圧のワン・ステツプ電圧にほぼ等し
い値に制限することができるという利点がある。

さらに本発明の実施に当つては、前記制御回路
が第１および第２制御回路供給端子間に接続され
た直列回路を具える増幅回路において、前記直列
回路はｎ個の順次に配置されたインピーダンス回
路と、任意の電圧シフト段と、ｎ個の駆動トラン
ジスタとを具え、該駆動トランジスタの主電流通
路を順次に配置させてあり、さらに前記インピー
ダンス回路、前記電圧シフト段および前記駆動段
の接合点を前記増幅段のベース端子に順次に接続
し、前記インピーダンス回路の接合点を前記増幅
段の第１供給端子および前記出力端子間に接続さ
れたトランジスタのベース端子に接続し、さらに
別の供給端子をダイオードを経て前記インピーダ
ンス回路の接合点に順次に接続し、さらに入力端
子を前記第２制御回路供給端子に接続された駆動
トランジスタのベースに接続し、さらに別の供給
端子を他の駆動トランジスタのベースに順次に接
続することができる。

このように構成することにより、増幅回路全体
を同一技術で形成することができるという利点が
ある。

以下、図面により本発明の実施例につき説明す
る。

尚、各実施例において対応する構成成分につい
ては同一符号を附して示す。

第１図に示す増幅回路は制御回路１と増幅段２
とを具え、この増幅段は２つの供給端子３，４を
含み、これらに給電源５および６から互いに異な
る電位を印加する。

2n個のトランジスタから成る直列回路配置を
これら給電端子３および４間に配置しているがこ
の実施例ではｎ＝３となし、その６個のトランジ
スタを７〜１２までの符号で示してある。出力端
子５５−１をｎ番目のトランジスタと（ｎ＋１）
番目のトランジスタの主電流通路の接合点に接続
させてあり、この実施例ではこれをトランジスタ
９の主電流通路とトランジスタ１０の主電流通路
との接合点に接続させている。負荷５５を端子５
５−１とアース電位点５６との間に接続する。

トランジスタ７，８および９はトランジスタ１
０，１１および１２に対し相補形となつている。
別の給電源すなわち電圧源１３〜１６の一側をア
ースし他側をトランジスタ７〜１２の主電流通路
の接合点２１〜２４へ別の端子５１〜５４及びダ
イオード１７〜２０を経てそれぞれ接続し、これ
ら給電源によつてトランジスタ８〜１１へ電力を
供給するようになす。特に、給電源１３を別の端
子５１およびダイオード１７を介してトランジス
タ７および８の主電流通路の接合点２１へ接続す
る。同様に、給電源１４を別の端子５２およびダ
イオード１８を経てトランジスタ８および９の主
電流通路の接合点２２へ接続する。給電源１５を
別の端子５３およびダイオード１９を介してトラ
ンジスタ１０および１１の主電流通路の接合点２
３へ接続し、給電源１６を別の端子５４およびダ
イオード２０を介してトランジスタ１１および１
２の主電流通路の接合点２４へ接続する。ダイオ
ード１７の電流導通方向はトランジスタ７のベー
ス・エミツタ接合の電流導通方向と同じであり、
ダイオード１８の電流導通方向はトランジスタ８
のベース・エミツタ接合のそれと同じであり、ダ
イオード１９の電流導通方向はトランジスタ１１
のベース・エミツタ接合のそれと同じであり、か
つダイオード２０の電流導通方向はトランジスタ
１２のベース・エミツタ接合のそれと同じであ
る。

トランジスタ７〜１２のベース端子２５〜３０
を制御回路１に接続する。

この制御回路１は入力信号が供給される一対の
入力端子３１および３２を有し、第１図に示すよ
うに入力端子３２を第２供給端子４に接続する。
この制御回路１はさらに抵抗の形の電流源３３と
ダイオード３４〜４１の形の多数の電圧シフト段
との直列回路配置を具え、これらダイオード３４
〜４１を電流源からみて順方向にバイアスしおよ
びこの直列回路配置を第１供給端子３と入力端子
３１との間に接続する。ベース端子２５〜３０を
この直列回路配置の中間口出しタツプへ接続さ
せ、特に、電流源３３とダイオード３４との間の
口出しタツプ４２をダイオード４３を介して端子
２５へ接続し、ダイオード３４と３５との間の口
出しタツプ４４をダイオード４５を介して端子２
６に接続し、ダイオード３６と３７との間の口出
しタツプ４６を端子２７へ直接接続し、ダイオー
ド３８と３９との間の口出しタツプ４７を端子２
８に直接接続し、ダイオード４０と４１との間の
口出しタツプ４８をダイオード４９を介して端子
２９に接続する。さらに入力端子３１をダイオー
ド５０を経て端子３０に接続する。

ダイオード４７，４５，４９および５０の各々
の電流導通方向はこれが接続されているトランジ
スタのベース・エミツタ接続の電流導通方向と対
応する。

次にこの増幅回路の動作につき説明する。この
実施例では端子４の電位が−100Vに等しいよう
に給電源６の電圧を選定している点に留意すべき
である。

またこの制御回路用の給電圧を給電源５および
６とは別の給電源から導出させてもよい。

別の給電源すなわち電圧源１３および１４は漸
次に減少する順次の電圧を別の供給端子５１およ
び５２に供給し、別の給電源１５および１６は同
じようにまたはほぼ同じように漸次に減少する順
次の電圧を別の供給端子５３および５４に供給す
るが、これら電圧はこの実施例の場合には給電源
１３および１５が0Vであり、給電源１４および
１６が−50Vである。入力端子３１および３２
に、電圧源６および１６間の電圧差よりも小さい
従つて端子４に対し＋50Vよりも小さい電圧の入
力信号が供給されると、電流源３３から供給され
る電流が入力端子３１に流れそして、抵抗性負荷
の場合には、負荷５５を経て電流が流れるが、こ
の電流はトランジスタ１０のベース・エミツタ接
合、ベース端子２８およびダイオード３９，４０
および４１を経て入力端子３１へ流れ、トランジ
スタ１０を導通となし、および負荷電流がトラン
ジスタ１１のベース・エミツタ接合ダイオード４
９およびダイオード４１を経て端子３１へ流れト
ランジスタ１１を導通となす。この場合、負荷電
流はダイオード２０を介して給電源すなわち電圧
源１６へ流れることはもとよりトランジスタ１２
のベース・エミツタ接合およびダイオード５０を
介して入力端子にも流れてトランジスタ１２を導
通となす。次いでこのダイオード２０が非導通と
なり、負荷電流がトランジスタ１０，１１および
１２の主電流通路を介して給電源６に流れる。こ
のことは入力信号の電力が増幅されて負荷５５に
供給されることを意味する。

トランジスタ９の端子間電圧は、別の供給端子
５３および５４に供給されるほとんど同じの、漸
次に減少する順次の電圧を別の給電端子５１およ
び５２へ供給することによつて、この順次の漸次
に減少する電圧のワン・ステツプ電圧に制限され
る。すなわち、出力端子５５−１の電圧は４個の
接合の接合電圧がなければ−100Vと−50Vとの
間にある入力端子３１の電圧に等しく、一方接合
点２２の電圧は−50Vであるから、50V以下の電
圧をトランジスタ９の端子間に生じさせることが
できる。このため、150Vの範囲にある出力電圧
を生じるこの増幅器をいわゆる低電圧技術で実現
することができるとともにそれがため集積回路形
態で容易に形成することができるという利益を奏
する。上述した50ボルト以下の入力電圧の状態に
おいて、外部妨害によつて出力端子５５−１の電
位が低下すると、電流源３３の電流の小部分がダ
イオード３４，３５，３６およびトランジスタ９
のベース−エミツタ接合を経て出力端子５５−１
へと流れるためにトランジスタ９が導通する。こ
のとき負荷電流が電圧源１４により発生してダイ
オード１８およびトランジスタ９の主電流通路を
経て流れる。このことはこの負荷電流が給電源６
の電圧よりワンステツプの電圧増分だけ大きい電
圧を有する給電源１４により発生される利点をも
たらす。この結果として、50V以下の入力電圧に
おいてこのような妨害負荷電流が流れる期間中に
おける上述した本発明増幅段の電力消費は前述し
た米国特許のものよりも小さくなる。このような
外部妨害により出力端子に印加される電流はこの
増幅回路を加入者回路の増幅器として用いる場合
に同相モード（同相信号）妨害により発生し得る
と共に（この妨害は入力信号による出力電流より
大きい妨害電流を発生し得る）、負荷がリアクタ
ンス性である場合に電流と電圧が異なる極性にな
る周期部分において発生し得る。

端子３２の電圧に対し＋100Vよりも小さいが
＋50Vに等しいそれよりも大なる値にまで入力電
圧が増大すると、ダイオード２０が導通しかつト
ランジスタ１１を流れる電流がダイオード２０を
介して−50Vの電圧源１６へ流れる。よつてトラ
ンジスタ１２は非導通となる。このことは出力電
圧が小さいと、供給電圧を得るための電圧源も小
さい電圧例えばこの実施例では−100Vの代わり
に−50Vの電圧を有するという利点である。端子
３２の電圧に対し前述した＋50V〜＋100Vの電
圧範囲内に入力信号が位置している場合には、負
荷５５に供給される電流に50Vのステツプ電圧を
掛け合わせた量だけ消費電力の低減となる。出力
端子５５−１での電流の取り出しにより、電力消
費に関しては米国特許につき前述したと同様な利
益を得る。

端子３２の電圧に対し＋150V以下ではあるが
＋100Vに等しいかまたはそれ以上に入力電圧が
高まると、接合点４２ないし４８の電圧は、抵抗
性負荷の場合にはトランジスタ１０および１１を
非導通となしおよび電流源３３によつて生じた電
流の微小部分がダイオード３４，３５および３
６、ベース接点２７およびトランジスタ９のベー
ス・エミツタ接点を経て流れ、このトランジスタ
９を導通せしめかつ、このトランジスタ９の主電
流通路およびダイオード１８を経て、給電源１４
により負荷電流を供給せしめるような、高い値の
電位を有する。その結果、電流源３３によつて供
給される電流の微小部分は、ダイオード３４およ
び４５、ベース端子２６、トランジスタ８のベー
ス・エミツタ接合およびトランジスタ９のコレク
タ・エミツタ接合を経て負荷５５へ流れ、このト
ランジスタ８を導通せしめおよび、トランジスタ
８および９の主電流通路を介するとともにダイオ
ード４３、ベース端子２５およびトランジスタ７
のベース・エミツタ接合を介して給電源１３によ
つて負荷電流を供給せしめる。このときダイオー
ド１８は非導通となる。次いでトランジスタ７が
導通し＋50Vの給電源５からトランジスタ７，８
および９の主電流通路を経て負荷５５へと負荷電
流が流れる。

給電源１５および１６に対する漸次に減少する
順次の供給電圧を給電源１３および１４の供給電
圧の漸次に減少する順次の供給電圧と等しくまた
はほとんど等しく選定すると、トランジスタ１０
の端子間電圧はこの減少する順次の供給電圧のワ
ン・ステツプの増分電圧に制限される。すなわ
ち、負荷５５の端子間電圧は端子３２の−100V
の電圧よりも＋100V〜＋150V高いすなわち共通
電位点５６の電圧よりも０〜＋50V高い入力端子
３１の電圧にほとんど等しい。他方、接合点２３
の電圧は給電源１５の電圧に等しく0Vであるた
め、非導電トランジスタ１０のコレクタ・エミツ
タ端子間電圧は50V以下である。このためこの高
出力電圧電力の増幅段をいわゆる低電圧技術で形
成することが可能となる。

前述した＋100V〜＋150Vの入力電圧の状態に
おいて、外部妨害によつて出力端子５５−１の電
位が上昇すると、出力端子５５−１からトランジ
スタ１０のエミツタ・ベース接合およびダイオー
ド３９，４０および４１を経て電流が流れ、トラ
ンジスタ１０を導通せしめる。尚、このような事
態も電話システムの加入者線路上の同相モード信
号により発生し得ると共に、リアクタンス負荷の
場合において出力信号の周期の一部分中に発生し
得る。このとき負荷から供給された電流がトラン
ジスタ１０の主電流通路およびダイオード１９を
経て給電源１５へ流れる。0V〜50Vの入力信号
につき説明したと同様に、この場合にも前述した
米国特許に開示されている増幅回路の消費電力よ
りも消費電力が低減する。

上述した処から、例えば駆動範囲を＋50Vから
＋100Vへ拡張することにより、オーデイオへの
応用に好適な増幅回路を得ることができる。これ
は、＋100Vの給電源を追加するとともにトランジ
スタ７〜１２までの直列回路配置の各半部に１個
のトランジスタを追加しかつこれに関連して直列
回路配置の上側半部では＋100Vの給電源に追加
の接続を行ない下側半部では＋50Vの給電源５に
追加の接続を行うことによつて、簡単に成し遂げ
ることができる。この場合、給電源５をあるダイ
オードを介してトランジスタ７に接続するととも
に別のあるダイオードを介して直列回路配置の下
側半部の追加のトランジスタにも接続する必要が
ある。さらに、この制御回路にはダイオードのよ
うな追加の電圧シフト段を含めた追加の口出しタ
ツプを備える必要がある。これらダイオードの個
数は、ある接合点からこの接合点にベースを結合
させているトランジスタのエミツタの方向に見て
この直列回路配置の次の接合点の方向に見たダイ
オードの個数と等しくする。さらに、この対称構
成の増幅段、従つてまたこの実施例では出力電圧
の定格が＋100V〜−100Vであるような増幅回路
では、トランジスタのしや断方向のコレクタ・エ
ミツタ接合の電圧は50Vのワン・ステツプの増分
電圧以下である。斯して、トランジスタを複数個
直列接続して使用することにより、任意所望の電
圧を発生させることができ、一方各トランジスタ
の端子間電圧をワン・ステツプの増分電圧に制限
することができる。

所定の出力電圧に対して、減少する順次の電圧
のワン・ステツプ増分に対する電圧値を別の値に
選定することもできる点に留意すべきである。し
かしながら、ワン・ステツプの大きさを低減する
とトランジスタの直列回路配置にさらに多くのト
ランジスタが必要となり、対応して制御回路が拡
張しかつ給電源の個数も増大する。従つて、一般
には、この直列回路配置のトランジスタの個数を
選択してこの回路配置のトランジスタの各々の端
子間に、増幅段を形成する技術と関連した最大の
逆電圧が生ずるようにする。

所定の入力電圧では導通しないトランジスタの
端子間における全電圧降下の分布状態を簡単に保
証するために、直列回路配置の各半部にはトラン
ジスタが出力端子５５−１に接近するに従つてこ
れらトランジスタの各々の漏洩電流が増大するよ
うにこれらトランジスタを配列する。集積回路と
して構成された増幅回路では順次のトランジスタ
においてベース・コレクタ接合表面面積が次第に
大きくなるように選ぶことによつてこれを達成で
きる。

このことはトランジスタ７の漏洩電流がトラン
ジスタ８の漏洩電流よりも小さく、この後者の漏
洩電流がトランジスタ９の漏洩電流よりも小さい
ことを意味する。同様に、トランジスタ１２の漏
洩電流はトランジスタ１１の漏洩電流よりも小さ
く、この後者の漏洩電流がトランジスタ１０の漏
洩電流よりも小さい。トランジスタ７，８および
９が非導通であると、トランジスタ７の漏洩電流
はトランジスタ８を経て放電される。しかしなが
ら、このトランジスタ８の漏洩電流はトランジス
タ７の漏洩電流よりも大きいので、これら漏洩電
流の差が給電源１３からダイオード１７を経てト
ランジスタ８に供給される。このため、接合点２
１の電圧が定まりかつ、この電圧が給電源１３の
電圧すなわち0Vにほぼ等しいという利点を得る。
従つて、減少する電圧シーケンスのワン・ステツ
プの増分電圧すなわち50Vがトランジスタ７の端
子間に供給される。トランジスタ９の漏洩電流は
トランジスタ８の漏洩電流よりも大きいので、こ
れら漏洩電流の差が給電源１４によつてダイオー
ド１８を経てトランジスタ９に供給される。この
ため、トランジスタ８の両端子間での電圧降下は
50Vに制限され、このことは同様にトランジスタ
１１および１２の端子間での電圧降下にも当ては
まる。既にトランジスタ９および１０の端子間で
の、制限を受けた電圧降下については説明をし
た。このような簡単な方法で等しい部分に分割さ
れている全電圧降下は高出力電圧増幅段を低電圧
技術で構成することを可能となす。

或いはまた単一トランジスタ７〜１２を使用す
る代わりにダーリントン接続のトランジスタ対を
使用することも可能である。しかしながらその場
合には、制御回路１内における直列回路配置の順
次の口出しタツプの各々間での電圧シフトを高め
る必要がある。例えばこれら口出しタツプ間に配
置させたダイオードの個数１個だけ増大させる必
要がある。

著しく低い入力電圧でトランジスタ７および８
のベース・エミツタ接合間にあまり高い値の逆電
圧が生じないようにするため、制御回路はダイオ
ード４３と４５とを具える。同様に、ダイオード
４９および５０はトランジスタ１１および１２の
ベース・エミツタ接合を保護する。しかしなが
ら、ダイオード４３，４５，４９および５０の漏
洩電流は関連するトランジスタ７，８，１１およ
び１２のベース・エミツタ接合の漏洩電流よりも
大きく、よつて前述の電圧が尚もこれらベース・
エミツタ接合間の大部分に印加されるかも知れな
い。これを妨止するため、これら接合をダイオー
ド５７，５８，５９および６０によつてそれぞれ
分路する。これらダイオードの電流導通方向はこ
れと関連するベース・エミツタ接合の導通方向と
は反対方向であるので、前述の逆電圧はダイオー
ド４３，４５，４９および５０の端子間にほぼ完
全に印加される。

より高い出力電圧を望む場合には、これらダイ
オードを、単一ダイオードの代わりに複数の直列
に接続したダイオードを使用することによつて、
逆方向の過度の高電圧から保護することができ
る。その場合、例えば制御回路の直列回路配置中
の順次の口出しタツプ間に配置したダイオードの
個数を増やすことによつて、口出しタツプ間の電
圧シフトに適合するようにしなければならない。

前述した電力増幅回路に対しては、これまで
は、制御回路１を、特に電流源３３が0Vの入力
電圧で生じた150Vの電圧に耐えしかも入力端子
３１および３２間に高入力電圧が得られるような
技術で、構成したものと仮定した。これらの欠点
を除去しかつ特に制御回路１を増幅器２と同一の
低電圧技術で構成することができるようにするた
め、第２図に示す増幅回路を使用することもでき
る。

第２図に示す制御回路１は供給端子３および４
間に配設した直列回路配置により形成されてお
り、一般にこの直列回路配置はｎ個のインピーダ
ンス回路と、これと直列に配置されかつ少なくと
も１個のダイオードによつて形成された任意の電
圧シフト段およびこのダイオードと直列に配列さ
れたｎ個の駆動トランジスタの主電流通路とを具
えている。第２図に示す実施例では増幅回路は６
個のトランジスタを有しているので、これら回路
は３個のインピーダンス５７，５８および５９
と、１個または恐らくは２個のダイオード６０で
構成される電圧シフト段と、３個の駆動トランジ
スタ６１，６２および６３とを具える。これら直
列回路配置には、これら素子の各々の間に口出し
タツプ６４，６５，６６，６７，６８および６９
を配設させてあり、これら口出しタツプを増幅段
２のベース端子２５〜３０のそれぞれに順次に接
続させてある。インピーダンス回路５７〜５９に
対し抵抗を使用することができるが、特に第４図
につき後述する形態でこれらを電流源として構成
するのがよい。

さらに、制御回路１は供給端子７４，７５およ
び供給端子７６，７７を有し、供給端子７４およ
び７５には増幅段２の別の供給端子５１および５
２に印加されるとほぼ同じ漸次に減少する順次の
電圧を供給し、および供給端子７６および７７に
は増幅段２の別の供給端子５３および５４に印加
されるとほぼ同じ漸次に減少する順次の供給電圧
を印加する。この実施例では、供給端子５１，５
３，７４および７６を相互接続してもよい。同様
に、供給端子５２，５４，７５および７７を相互
接続してもよい。トランジスタ６１〜６３までは
トランジスタ７〜９までと同一導電形とし、駆動
トランジスタ６１〜６３のコレクタを口出しタツ
プ６７〜６９に接続する。

さらに、供給端子７４をダイオード７８を用い
て口出しタツプ６４に接続し、供給端子７５を２
つのダイオード７９−１，７９−２を用いて口出
しタツプ６５に接続し、供給端子７６を３個のダ
イオード７０−１，７０−２および７０−３を用
いて駆動トランジスタ６１のベースに接続し、供
給端子７７を２つのダイオード７７−１，７７−
２を用いて駆動トランジスタ６２のベースに接続
し、入力端子３１を駆動トランジスタ６３のベー
スに接続する。駆動トランジスタ６１および６２
にベース電流を供給するため、供給端子８８と駆
動トランジスタ６１のベースとの間に別の電流源
７２を配置しさらに供給端子８９と駆動トランジ
スタ６２のベースとの間に別の電流源７３を配置
する。供給端子７６および７７の電圧よりもワ
ン・ステツプ増分電圧だけ高い電圧すなわち＋
50Vおよび0Vを供給端子８８および８９にそれ
ぞれ供給する。

さらに、増幅段２においては、ダイオード１８
の代わりに２つのダイオード１８−１および１８
−２を使用しダイオード１９の代わりに２つのダ
イオード１９−１および１９−２を使用してい
る。

次にこの増幅回路の動作につき説明する。

入力電圧に応答して駆動トランジスタ６３を飽
和状態に駆動するような値のベース電流を当該駆
動トランジスタへ供給する程度まで0.7Vよりも
高い当該入力電圧では、口出しタツプ６９の電圧
は−100Vよりも僅かに正である。このため、電
流源７３によつて供給される電流が駆動トランジ
スタ６２のベース−エミツタ接合および駆動トラ
ンジスタの主電流通路を経て供給端子４へと流れ
る。その場合駆動トランジスタ６２は飽和状態に
あり、従つて口出しタツプ６８の電圧もまた−
100Vよりも僅かに正である。電流源７２によつ
て供給される電流は駆動トランジスタ６１のベー
ス−エミツタ接合を経て供給端子４に流れ、駆動
トランジスタ６１の主電流通路は飽和状態とな
り、口出しタツプ６６の電圧は−100Vに対し僅
かに正である。このトランジスタ６１の主電流通
路を経て流れる電流の大部分は、電流源の形態に
あるインピーダンス回路５７，５８および５９の
直列回路配置およびダイオード６０を経て、供給
端子３から供給される。

電流源であるインピーダンス回路５７〜５９
は、電流源５９によつて生じた電流が電流源５８
によつて生じた電流を僅かに越えしかもこの後者
の電流が電流源５７によつて生じた電流を僅かに
越えているように定めてある。実際にはこれら電
流の値を1.2、1.1および１ｍＡとする。電流源５
９と５８との電流強度の差が供給端子７５からダ
イオード７９−１および７９−２を経て電流源５
９へ供給される。同様に電流源５８と５７との電
流強度の差が一供給端子７４からダイオード７８
を経て電流源５８に供給される。

このため、口出しタツプ６４と６５とにおける
電圧をそれぞれ0Vよりも接合電圧１個分小さい
電圧および−50Vよりも接合電圧２個分小さい電
圧に固定する。この場合、電流源５７〜５９の
各々の端子間に供給される電圧は実質的には漸次
減少する順次の電圧のワン・ステツプ電圧すなわ
ち50Vの電圧以下である。このため、これらの電
流源を増幅段２の素子と同じ低電圧技術で構成す
ることができるという利点を得える。

駆動トランジスタ６１を経て流れる電流の微小
部分を負荷５５から取り出す。前述の入力信号に
おいて、出力端子５５−１からトランジスタ１０
のベース−エミツタ接合および駆動トランジスタ
６１〜６３の主電流通路を経て供給端子４へ流れ
る電流がある。この電流はトランジスタ１０を導
通となし、負荷電流をトランジスタ１１のベース
−エミツタ接合および駆動トランジスタ６２およ
び６３の主電流通路を経て供給端子４へ流し、こ
の負荷電流により、トランジスタ１１が導通し、
この負荷電流をトランジスタ１０および１１の主
電流通路およびダイオード２０を経て別の供給端
子５４へと流すようになる。トランジスタ１１の
主電流通路を経て流れる前記の微小部分はトラン
ジスタ１２のベース−エミツタ接合および駆動ト
ランジスタ６３の主電流通路を経て供給端子へ流
れる。このためトランジスタ１２が導通し、ダイ
オード２０をしや断し、そして負荷電流がトラン
ジスタ１０，１１および１２の主電流通路を経て
供給端子４へ流れる。

その場合、ダイオード１９−１および１９−２
の端子間電圧は−100Vである点に留意すべきで
ある。これがため、各ダイオードでの電圧降下が
最大50V以下となるように２つのダイオードを備
えたのである。

また、この実施例では、電流方向が反転する
と、第１図の実施例に示したと同様な方法でトラ
ンジスタ９から電流が導出され、またこれにより
それと同様の利点を得る。

入力信号が低減すると、駆動トランジスタ６３
を経て流れる電流が低減する。これに応答し口出
しタツプ６９の電圧も低減する。この電圧が−
50Vよりも１つの接合電圧分だけ高い電圧よりも
高くならない限り、電流源７３によつて生じた電
流は全体的に駆動トランジスタ６３を経て放電さ
れ、そして駆動トランジスタ６１および６２は飽
和状態に留まる。

その結果、口出しタツプ６６の電圧は、飽和ト
ランジスタ６１および６２並びにダイオード６０
の端子間電圧を無視した状態において、増大する
が、前述した電圧よりは増大せず、従つてダイオ
ード７９−１および７９−２は導通状態を維持す
る。

入力信号の微小減少時に駆動トランジスタ６３
を経て流れるコレクタ電流の微小減少に応答して
このトランジスタの端子間電圧が増大し、電流源
５９の両端子間電圧が減少し、この減少はトラン
ジスタ６３の端子間で増大する電圧と同じ振幅を
有する。トランジスタ１０，１１および１２のベ
ース電流とは別に、電流源５９は駆動トランジス
タ６３の負荷を形成し、その結果増幅された出力
信号を得る。駆動トランジスタ６３を経る電流の
減少により、トランジスタ１０，１１および１２
の制御電流が減少し、従つて負荷を経て流れる電
流が減少する。その結果、負荷の端子間電圧が減
少する。駆動トランジスタ６３の端子間電圧が、
電流源５９の端子間電圧降下が約１ 1/2であるよ
うな程度にまで増大すると、電流源５９は必らず
しもその電流の全てを放電することができない。
このことはこの電流源５９の端子間に存在する電
圧降下ではこの電流源は飽和状態にして駆動され
そしてこの電流源は電流源５８の電流に等しくな
るまで電流を供給することを意味する。電流が等
しくなる瞬時にダイオード７９−１および７９−
２は逆バイアスされ、電流源５８はトランジスタ
６１，６２および６３の主電流通路を経て供給す
る。

入力信号がさらに減少すると、口出しタツプ６
９の電圧は−50Vよりも１個の接合電圧分だけ増
大された電圧に増大する。この口出しタツプでの
電圧がさらに増大する場合には、電流源７３の電
流が供給端子７７、ダイオード７１−１および７
１−２を経て流れ始める。よつてトランジスタ６
２のベース電圧は−50Vとダイオード７０−１お
よび７０−２の端子間電圧降下分とを加え合わせ
た電圧にクランプされ従つてエミツタの電圧は−
50Vよりも接合１つ分の電圧だけ増大された電圧
に制限される。これがため、制御トランジスタ６
３は実質的には−50Vを越えることがなく従つて
このトランジスタを増幅段２を構成させたと同じ
低電圧技術で構成することができる。

加えて、口出しタツプ６９の高電圧トランジス
タ１２のベースの電圧を高めてトランジスタ１１
の主電流通路からトランジスタ１２のベースへ最
早電流が流れることができないような値になし、
従つてこの電流はダイオード２０を経て別の供給
端子５４へと流れる。よつて、このトランジスタ
１２は非導通とされる。この場合、このトランジ
スタが常に非導通となるようにするため、駆動ト
ランジスタ６２のベース回路は供給端子５４と直
列に接続されたダイオード回路配置よりも１個多
いダイオードを有している。

より低い電圧を有する電源から電力を供給する
利点については第１図に示す実施例を参照して既
に広く説明した。駆動トランジスタ６２のベース
電流の減少により、このトランジスタは飽和状態
から駆動され、従つてそのコレクタ電位が増大す
る。入力信号がさらに減少している場合に、次第
に多くの電流が電流源７３からダイオード７１−
１および７１−２を経て供給端子７７へと流れる
ので、駆動トランジスタ６２の端子間電圧は一層
増大する。口出しタツプ６５の電圧が0Vより１
個の接合電圧および電流源５８の端子間残留電圧
分だけ減少された電圧よりも高い電圧に増大しな
い限り、駆動トランジスタ６２の端子間電圧が増
大すると、電流源５８の端子間電圧が低減し、口
出しタツプ６４の電圧が50Vに固定されたままで
ある。従つて、電流源５８は約−50Vから約0V
の出力電圧範囲内で駆動トランジスタ６２に対す
る負荷抵抗として使用される。

出力電圧範囲が−100Vから−50Vの場合に駆
動トランジスタ６３および電流源５９について前
述した事項は出力電圧範囲が−50Vから0Vであ
る場合の駆動トランジスタ６２および電流源５８
に対しても同様に適用できる。

口出しタツプ６８の電圧が0Vよりも２個の接
合電圧分だけ増大された電圧に等しくなるまで入
力信号が減少する場合には、その時電流源７２に
よつて生じたベース電流がダイオード７０−１，
７０−２および７０−３を経て、供給端子７６へ
と流れ始め、駆動トランジスタ６１を飽和状態か
ら離れて駆動させ、その結果、駆動トランジスタ
６２につき説明したと同様に、口出しタツプ６８
の電圧が0Vよりも２個の接合電圧分だけ増大さ
れた電圧に固定されるために、その点の電圧はそ
れ以上増大することができない。このため駆動ト
ランジスタ６２の端子間での電圧降下は約50Vに
制限されるという利点が得られる。

口出しタツプ６８の電圧が高いとトランジスタ
１１が非導通となる。その場合、トランジスタ１
１が常に非導通とされるようにするため、駆動ト
ランジスタ６１の制御回路中のダイオードの個数
をトランジスタ１１のエミツタと別の供給端子５
３との間に配置させたダイオードの個数よりも１
個だけ多くする。前述した理由により、このダイ
オードの個数を２とし、従つて駆動トランジスタ
６１の制御回路のダイオードの個数を３個に増や
す。

さらに、口出しタツプ６８の高電圧に応答して
口出しタツプ６４の電圧がダイオード７８を逆バ
イアスさせるような高い値となる。その場合、駆
動トランジスタ６３によつて定まる電流を電流源
５７によつて供給する。

口出しタツプ６４〜６６の電圧が高電圧である
ので、その後はトランジスタ９に対するベース電
流は口出しタツプ６６から負荷５５へと流れてこ
のトランジスタ９を導通にする。トランジスタ８
に対するベース電流は口出しタツプ６５から負荷
へとトランジスタ９の主電流通路を経て流れ、よ
つてトランジスタ８を導通することができる。そ
の場合トランジスタ７に対するベース電流が口出
しタツプ６４からトランジスタ８および９の主電
流通路を経て負荷へ流れ、これに応答してトラン
ジスタ８を導通とすることができる。その時、負
荷電流が供給端子３からトランジスタ７，８およ
び９の主電流通路を経て負荷へと流れる。

その場合、トランジスタ８のエミツタと別の供
給端子５２との間にほぼ100Vの電圧が存在する
ことに留意すべきである。これがため、２個のダ
イオード１８−１および１８−２をこのエミツタ
と別の供給端子５２との間に配列してこれら２つ
のダイオードの各々の端子間の逆電圧を50Vに制
限する。

このことは、２つのダイオードを供給端子７５
と口出しタツプ６５との間に配列させおよび口出
しタツプにトランジスタ８のベースを接続させて
このトランジスタ８のベース電圧がエミツタ電圧
よりも１個の場合電圧を差し引いた電圧に等しく
なし、よつて最大50Vの逆電圧が各ダイオード７
９−１および７９−２の端子間に存在するように
なす必要があることを意味する。これら２つのダ
イオード７９−１および７９−２は−50Vよりも
少ない出力電圧でトランジスタ８を非導通状態に
保持するために必要である。

入力電圧がさらに減少すると、駆動トランジス
タ６１の電圧は増大し従つて電流源５７の端子間
電圧が減少する。その場合電流源５７は信号増幅
駆動トランジスタ６１に対し負荷として作用す
る。

出力電圧範囲が−50V〜0Vおよび−100V〜−
50Vのそれぞれの場合に対し、電流源５８および
５９並びに駆動トランジスタ６２および６３につ
いて前述した事項は出力電圧範囲が0V〜＋50V
の電流源５７および駆動トランジスタ６１に対し
ても同様に適用できる。

第１図の実施例につき説明したと同様に電流を
反転させた場合でも第２図の増幅回路に適用でき
ることに留意すべきである。この図に示す実施例
では、トランジスタ６３が飽和状態に駆動されて
いるときは、端子間電圧が150Vおよび100Vにそ
れぞれ高められ得る電流源７２および７３は別と
して、全ての素子間電圧は最大50Vに制限され
る。実際、電流源７２および７３の電圧を50V以
下の電圧だけ可成り低減させることができるの
で、いつでも100V以上の電圧を電流源７２の端
子間に生じるようにすることができる。

第３図に示す実施例はこの欠点を有していな
い。

第３図に示す実施例は増幅段２と制御回路１と
を同じ低電圧技術を用いてすつかり構成できる増
幅回路を示す。

この実施例に示す増幅段２は第２図に示す増幅
段と同じであるが、制御回路１は第２図の制御回
路とは異なる。

駆動トランジスタ６１および６２のベースにの
み接続された電流を用いる代わりに、この制御回
路はこれら駆動トランジスタと直列に部分的に配
置させた電流ミラー回路を含んでいる。トランジ
スタ６１の主電流通路と直列に部分的に配置され
ている電流源はこのトランジスタ６１のコレクタ
と口出しタツプ６７との間に接続したダイオード
８０を具え、このダイオードの導通方向を駆動ト
ランジスタ６１の導通方向と同一方向となしてい
る。このダイオード８０を抵抗８２とトランジス
タ１０〜１２と同一導電形の補助トランジスタの
ベース−エミツタ接合とによつて分路する。トラ
ンジスタ８１のコレクタを駆動トランジスタ６１
のベースに接続する。

同様に、口出しタツプ６８と駆動トランジスタ
６２のコレクタとの間にダイオード８３を含ま
せ、そのダイオードの導通方向を駆動トランジス
タ６２の導通方向と対応させ、さらにこのダイオ
ード８３を抵抗８５と、補助トランジスタ８１と
同一導電形と同一導電形の補助トランジスタのベ
ース−エミツタ接合とにより分路する。トランジ
スタ８４のコレクタを駆動トランジスタ６２のベ
ースに接続する。駆動トランジスタ６１および６
２に対する所望のベース電流を、ダイオード８０
および８３をそれぞれ経て流れ、抵抗８２および
８５をそれぞれ経て流れおよび補助トランジスタ
８１および８４をそれぞれ経て流れる参照電流か
ら導出する。口出しタツプ６８および６９におけ
る電圧値が0Vおよび−50Vよりもそれぞれ正で
ある入力電圧の場合には、補助トランジスタ８１
および８４によつてそれぞれ供給される過剰の制
御電流が供給端子７６および７７へとそれぞれ流
れる。口出しタツプ６８および６９における電圧
がそれぞれ0Vおよび−50Vよりもそれぞれ負で
あるような入力電圧の場合には駆動トランジスタ
６１および６２はそれぞれ飽和状態に駆動され
る。

他の点では増幅回路の動作は第２図に示した実
施例につき説明した動作と全く同一である。口出
しタツプ６７および６８間の電圧と口出しタツプ
６８および６９間の電圧とを前述したと同様に最
大50Vに制限するので、各素子８０，８１，８
２，８３，８４および８５の端子間には50Vより
も高い電圧を生じることはできない。従つて、第
３図に示す実施を同じ低電圧技術ですつかり形成
することができる。

第１図〜第３図に示す増幅回路は電話回路特に
加入者線路に使用して特に好適である。加入者線
路はその一方のワイヤに0Vの直流電圧をかつ他
方のワイヤに−50Vの直流電圧を有し、これら２
つの電圧には例えば音声信号のような形の交流信
号が重量される。

入力端子３１および３２に適当な入力信号を供
給することによつて、出力側で0Vまたは−50V
の直流電圧を取り去ることができる。供給端子３
および４のそれぞれの電圧に対し＋50Vおよび−
100Vの電圧を選定して、0Vの直流電圧を有する
ワイヤに対しては＋50Vの電圧掃引を利用できる
ようになしかつ−50Vの直流電圧を有するワイヤ
に対しては−50Vの電圧掃引を利用できるように
なし加入者線路の十分な振幅の呼出信号を供給す
るようになす。オーデイオ増幅器として使用する
ため対称な供給電圧をもつた構成については既に
説明した。

第２図および第３図の実施例に使用して制御回
路１の直列回路配置のインピーダンス回路５７，
５８および５９の各々を実現するために好適な電
流源を第４図に示す。この電流源はこれまでも知
られているものであつて、第１端子９０に接続さ
れた２個のダイオード９３および９４の直列回路
と、これらダイオード回路の両端子間に接続され
た抵抗９５および９６のベース−エミツタ接合の
直列回路とを具えている。この場合、トランジス
タ９６を流れるベース電流は２つのダイオード９
３および９４を経て流れる電流、抵抗９５の値お
よびトランジスタ９６のベース−エミツタ接合を
経て流れる電流によつて決まる。これらダイオー
ド９３および９４を流れる電流と抵抗９５を流れ
る電流との間には非直線的関係にある。このベー
ス電流によりこのトランジスタのコレクタ電流が
決まる。ダイオード９７と抵抗９８との直列回路
をトランジスタ９６のコレクタに接続する。さら
に、トランジスタ９９のベース−エミツタ接合と
抵抗１００とをダイオード９７および抵抗９８の
端子間に接続し、このトランジスタ９９のコレク
タをダイオード９４に接続する。

トランジスタ９９のベース電流はダイオード９
７を経る電流および抵抗９８と１００との比によ
つて決まる。これら抵抗９８および１００を流れ
る電流の間にはほぼ直線的な関係があり、前述の
ベース電流によつてトランジスタ９９のコレクタ
電流が決まる。

トランジスタ９９を流れる電流はダイオード９
３および９４を経て端子９０に流れ、そして前述
したように、トランジスタ９６を流れる電流をダ
イオード９３および９４を経る電流から導出す
る。ダイオード９７および抵抗９８を流れる電流
はトランジスタ９６を流れる電流であり、この電
流によりトランジスタ９９を経て流れる電流が決
まる。従つて、トランジスタ９６および９９を経
て流れる電流は平衡に近づく。この電流源のトラ
ンジスタ９６の電流利得は１よりも大きい。その
結果、トランジスタ９６、ダイオード９７および
トランジスタ９９、および抵抗９８および１００
によつて形成されるループのループ利得は１より
も大きいので、この電流源は端子９０および９１
に電圧が印加されると自動的に始動する。

この電流源によつて生ずる電流を完全にドレイ
ンすることが出来ない場合には、トランジスタ９
６および９９は飽和状態となり、その結果、これ
らトランジスタの電流利得が低減し、よつて抵抗
９５およびダイオード９３および９４を経る電流
と抵抗９８および１００を経る電流との間の電流
比を変化せしめかつこの電流源自体を供給された
微小電流における新しい平衡状態へと調整せしめ
る。

電流源の上半部および下半部をトランジスタ９
７および９９のコレクタによつて相互接続するの
で、端子間電圧は広い電圧範囲にわたり変化でき
る。

50Vから２個の接合電圧よりも僅かに高い電圧
までの電圧まで、この回路は電流源として作動し
続ける。その後このインピーダンス回路自体が前
述したように低い電流に調整する。

前述した特性からこの電流源は第２図および第
３図に示す実施例ではインピーダンス回路として
使用して好適である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による増幅回路の第１実施例を
示す回路図、第２図は本発明による増幅回路の第
２実施例を示す回路図、第３図は第２図に示す実
施例の変更例を示す回路図、第４図は第２図およ
び第３図の双方または一方に示す実施例に使用す
るためのインピーダンス回路の実施例を示す回路
図である。 １……制御回路、２……増幅段、３，４……供
給端子、５，６，１３〜１６……給電源、７〜１
２，６１〜６３，８１，８４，９６，９７，９９
……トランジスタ、７〜２０，３４〜４１，４
３，４５，４９，５０，６０，８０，８３，９
３，９４，１８−１，１８−２，１９−１，１９
−２，７０−１，７０−２，７７−１，７７−
２，７９−１，７９−２……ダイオード、２１〜
２４……接合点、２５〜３０……ベース端子、３
１，３２……入力端子、３３，７２，７３……電
流源、４２，４４，４６〜４８，６４〜６９……
口出しタツプ、５１〜５４，７４〜７７，８８，
８９……供給端子、５５……負荷、５５−１……
出力端子、５６……アース、５７〜５９……イン
ピーダンス回路、８２，８５，９５，９８……抵
抗。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 制御回路と、該制御回路に接続された増幅段
   と、給電源から互いに異なる電位が供給されるよ
   うに該給電源に結合された２つの供給端子とを具
   え、前記増幅段は2n個のトランジスタを具え、
   該ｎを１よりも大きい整数となし、該トランジス
   タの各々は主電流通路および制御電極を有し、前
   記主電流通路を前記２つの供給端子間に直列に接
   続し、前記トランジスタの直列回路配置の第ｎ番
   目の電流通路と第（ｎ＋１）番目の電流通路との
   接合点に出力端子を接続し、前記２つの供給端子
   の第１供給端子と前記出力端子との間に配置され
   ているｎ個のトランジスタを前記出力端子と前記
   ２つの供給端子の第２供給端子との間に配置され
   ているｎ個のトランジスタに対し相補導電形とな
   し、前記トランジスタの直列回路配置の順次の主
   電流通路の接合点の各点に少なくとも１個のダイ
   オードを経て２（ｎ−１）個の別の供給端子の
   各々をそれぞれ接続し、前記別の供給端子が接続
   されている前記結合点を前記出力端子に接続せ
   ず、前記別の供給端子をさらに２つの前記給電源
   の電位間に在る供給電圧を該供給端子に印加する
   ために別の給電源に接続させ、所定の接合点に接
   続された前記ダイオードは、該接続点の電位が該
   ダイオードに接続された前記別の供給端子の電位
   と、前記出力端子に対し該別の供給端子と同じ側
   の前記供給端子の電位との間にあるとき、逆バイ
   アスされるように前記ダイオードを接続して成る
   増幅回路において、前記別の給電源は少なくとも
   ほぼ同様な順次の漸次に減少する供給電圧を、前
   記２つの供給端子のうち最大極性を有する供給端
   子から前記出力端子の方向におけるそれぞれ（ｎ
   −１）個の前記別の供給端子と、前記出力端子か
   ら前記２つの供給端子のうちの他方の供給端子の
   方向におけるそれぞれ（ｎ−１）個の前記別の供
   給端子の双方へ、供給するように成したことを特
   徴とする増幅回路。 ２ 2n個の前記トランジスタを、前記出力端子
   の両側にあるｎ個の順次のトランジスタの各群に
   おけるトランジスタの漏洩電流が前記供給端子か
   ら前記出力端子に向かい増大するように成してい
   ることを特徴とする特許請求の範囲１記載の増幅
   回路。 ３ 前記制御回路が第１および第２制御回路供給
   端子間に接続された直列回路を具える特許請求の
   範囲１記載の増幅回路において、前記直列回路は
   ｎ個の順次に配置されたインピーダンス回路と、
   任意の電圧シフト段と、ｎ個の駆動トランジスタ
   とを具え、該駆動トランジスタの主電流通路を順
   次に配置させてあり、さらに前記インピーダンス
   回路、前記電圧シフト段および前記駆動トランジ
   スタの接合点を前記増幅段のベース端子に順次に
   接続し、前記インピーダンス回路の接合点を前記
   増幅段の第１供給端子および前記出力端子間に接
   続されたトランジスタのベース端子に接続し、さ
   らに別の供給端子をダイオードを経て前記インピ
   ーダンス回路間の接合点に順次に接続し、さらに
   入力端子を前記第２制御回路供給端子に接続され
   た駆動トランジスタのベースに接続し、さらに別
   の供給端子を残りの駆動トランジスタのベースに
   順次に接続して成ることを特徴とする増幅回路。 ４ 前記ｎ個の駆動トランジスタを前記増幅段の
   第１供給端子および前記出力端子間にあるｎ個の
   前記トランジスタと同じ導電型となし、前記残り
   の駆動トランジスタのベースを個別の電流源を経
   て別の供給端子に接続し、これら別の供給端子に
   前記増幅段の第１供給端子の供給電圧から出発し
   て漸次減少する（ｎ−１）個の順次の供給電圧を
   供給するように成したことを特徴とする特許請求
   の範囲３記載の増幅回路。 ５ 前記他の駆動トランジスタの各々を、前記駆
   動トランジスタのベース、エミツタ、およびコレ
   クタ接続とそれぞれ対応する第１、第２および第
   ３端子と、ベースを前記第１端子に接続させかつ
   コレクタをダイオードを経て前記第３端子に接続
   した主トランジスタと、コレクタを前記第１端子
   に接続し、ベースを前記主トランジスタのコレク
   タに接続しおよびエミツタを抵抗を経て前記第３
   端子に接続した補助トランジスタとを具える回路
   配置で置換したことを特徴とする特許請求の範囲
   ３記載の増幅回路。 ６ 前記増幅段の前記別の供給端子の各々と前記
   トランジスタの主電流通路の前記別の供給端子に
   結合された接合点との間に配置されるダイオード
   の個数は前記別の供給端子と前記２つの供給端子
   のうち最も近い方の供給端子との間に配置されて
   いる直列回路中のトランジスタの主電流通路の個
   数と等しく、さらに前記別の供給端子と前記イン
   ピーダンス回路に加えられた制御回路の直列回路
   の口出しタツプとの間に配置されるダイオードの
   個数はこれら別の供給端子の各々と前記第１供給
   端子との間に配置されたインピーダンス回路の個
   数と等しくし、さらに前記別の供給端子と前記駆
   動トランジスタの制御端子との間に配置されるダ
   イオードの個数は前記別の供給端子の各々と前記
   第２供給端子との間に配置された駆動トランジス
   タの主電流通路の個数に１を加えた数に等しくな
   していることを特徴とする特許請求の範囲４また
   は５記載の増幅回路。 ７ 前記インピーダンス回路の各々は電流源の形
   態となすことを特徴とする特許請求の範囲３〜５
   のいずれたか一つに記載の増幅回路。