JPH0249466B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0249466B2 JPH0249466B2 JP57078476A JP7847682A JPH0249466B2 JP H0249466 B2 JPH0249466 B2 JP H0249466B2 JP 57078476 A JP57078476 A JP 57078476A JP 7847682 A JP7847682 A JP 7847682A JP H0249466 B2 JPH0249466 B2 JP H0249466B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sensor
- measuring device
- sensor membrane
- catalyst
- membrane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
- G01N27/126—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising organic polymers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T436/00—Chemistry: analytical and immunological testing
- Y10T436/19—Halogen containing
- Y10T436/196666—Carbon containing compound [e.g., vinylchloride, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フタロシアニンを含有し加熱される
センサ膜の電気抵抗の変化または変化速度を測定
値として検出して、ハロゲン化有機化合物から成
る麻酔ガスの空気中の含有量の測定に用いる、ガ
ス状または蒸気状媒体の測定装置に関する。
センサ膜の電気抵抗の変化または変化速度を測定
値として検出して、ハロゲン化有機化合物から成
る麻酔ガスの空気中の含有量の測定に用いる、ガ
ス状または蒸気状媒体の測定装置に関する。
ドイツ連邦共和国特許出願公開第2809873号公
報から、空気中のガス状または液体状媒体を検出
する為に、測定値としてポルフイリン、例えばフ
タロシアニンから選ばれた半導体の電気抵抗の変
化を測定する方法が公知である。フタロシアニン
はこの場合金属原素、殊に鉄、ニツケル、コバル
ト、銅、またはマンガンを含有することがある。
測定センサとしては、積層されたセラミツクの支
持体が、抵抗測定装置と接続されて設けられる。
銅−フタロシアニンから成る測定センサの抵抗値
基準値は、1.5×106Ωに設定される。ガスが吸収
されると、抵抗が低下し、その際の変化の差が測
定値として検出される。熱操作によつて、吸収さ
れたガスは再び放出される。しかしこの公知の公
開公報では室内空気中の麻酔ガスをppmの範囲で
測定する方法については全く言及されていない。
しかも公知のセンサの感度はppmオーダの測定の
為には極めて低すぎる。
報から、空気中のガス状または液体状媒体を検出
する為に、測定値としてポルフイリン、例えばフ
タロシアニンから選ばれた半導体の電気抵抗の変
化を測定する方法が公知である。フタロシアニン
はこの場合金属原素、殊に鉄、ニツケル、コバル
ト、銅、またはマンガンを含有することがある。
測定センサとしては、積層されたセラミツクの支
持体が、抵抗測定装置と接続されて設けられる。
銅−フタロシアニンから成る測定センサの抵抗値
基準値は、1.5×106Ωに設定される。ガスが吸収
されると、抵抗が低下し、その際の変化の差が測
定値として検出される。熱操作によつて、吸収さ
れたガスは再び放出される。しかしこの公知の公
開公報では室内空気中の麻酔ガスをppmの範囲で
測定する方法については全く言及されていない。
しかも公知のセンサの感度はppmオーダの測定の
為には極めて低すぎる。
英国特許出願第2002907号明細書において、可
燃性で還元性のガスおよび蒸気の検出に殊に適
し、ただし麻酔ガスには適さないガスセンサとし
て、酸化物の半導体膜が用いられている。この際
半導体膜は、触媒膜を有する酸化アルミニウム膜
で被覆される。この公知の実施例では半導体酸化
膜と触媒膜との間で温度差はない。
燃性で還元性のガスおよび蒸気の検出に殊に適
し、ただし麻酔ガスには適さないガスセンサとし
て、酸化物の半導体膜が用いられている。この際
半導体膜は、触媒膜を有する酸化アルミニウム膜
で被覆される。この公知の実施例では半導体酸化
膜と触媒膜との間で温度差はない。
ドイツ連邦共和国特許第1271430号明細書およ
びドイツ連邦共和国特許出願公告第1299141号公
報には、患者への呼吸ガス中の有機的麻酔剤蒸気
含有量の連続的検出装置が記載されている。この
場合、麻酔成分によつて、膨化するシリコーンゴ
ムから成る条片の長さが変化し、この変化が測定
値の尺度とみなされる。この形式の装置では、患
者への呼吸ガス中の麻酔剤成分の割合が比較的高
い場合（約１％）しか測定できず、これよりずつ
と僅かな値の空気中の麻酔ガス濃度を測定するこ
とはできない。この場合測定可能な限界値は
2ppmまでである。
びドイツ連邦共和国特許出願公告第1299141号公
報には、患者への呼吸ガス中の有機的麻酔剤蒸気
含有量の連続的検出装置が記載されている。この
場合、麻酔成分によつて、膨化するシリコーンゴ
ムから成る条片の長さが変化し、この変化が測定
値の尺度とみなされる。この形式の装置では、患
者への呼吸ガス中の麻酔剤成分の割合が比較的高
い場合（約１％）しか測定できず、これよりずつ
と僅かな値の空気中の麻酔ガス濃度を測定するこ
とはできない。この場合測定可能な限界値は
2ppmまでである。
更に公知技術として、エングシユトレーム メ
デイカル アクチボラケツト社（Engstro¨m
Medical AB）のパンフレツト「EMMA」1980
年６月発行、にEMMA装置が紹介されている。
この装置では商品名ハロトハン（Halothan
〔F3C・CHCl・Br〕）、商品名エンフルラン
（Enfluran〔C2F5・CH2ClO〕）、商品名メトオキシ
フルラン（Methoxyfluran〔H3C・Ｏ・CF2・
CHCl2〕）、商品名イソフルラン（Isofluran
〔C2F5・Ｏ・CH2Cl〕）等の個々の麻酔ガスを個
別に測定することができる。センサとして、シリ
コーン油で被覆された水晶共振子が用いられる。
油の膜にガスが取込まれると、水晶共振子の周波
数が変化し、この変化が電気回路で麻酔ガス成分
の尺度として測定される。この装置も患者への呼
吸ガス中の比較的高い麻酔ガス成分の監視の為の
測定にしか適さず、これより遥かに僅かな空気中
の麻酔ガス成分の監視には感度不足である。
デイカル アクチボラケツト社（Engstro¨m
Medical AB）のパンフレツト「EMMA」1980
年６月発行、にEMMA装置が紹介されている。
この装置では商品名ハロトハン（Halothan
〔F3C・CHCl・Br〕）、商品名エンフルラン
（Enfluran〔C2F5・CH2ClO〕）、商品名メトオキシ
フルラン（Methoxyfluran〔H3C・Ｏ・CF2・
CHCl2〕）、商品名イソフルラン（Isofluran
〔C2F5・Ｏ・CH2Cl〕）等の個々の麻酔ガスを個
別に測定することができる。センサとして、シリ
コーン油で被覆された水晶共振子が用いられる。
油の膜にガスが取込まれると、水晶共振子の周波
数が変化し、この変化が電気回路で麻酔ガス成分
の尺度として測定される。この装置も患者への呼
吸ガス中の比較的高い麻酔ガス成分の監視の為の
測定にしか適さず、これより遥かに僅かな空気中
の麻酔ガス成分の監視には感度不足である。
空気中の麻酔ガス、商品名ハロトハンの測定の
為の試験方法はドイツ連邦共和国特許出願公開第
2830781号公報から公知である。この場合所定の
限界値を上回ると、熱分解される自由なハロゲン
に応答する試験管の変色が生ずる。この試験管に
よつてハロトハンの空気中の成分をサンプルを抜
取つて監視することができる。
為の試験方法はドイツ連邦共和国特許出願公開第
2830781号公報から公知である。この場合所定の
限界値を上回ると、熱分解される自由なハロゲン
に応答する試験管の変色が生ずる。この試験管に
よつてハロトハンの空気中の成分をサンプルを抜
取つて監視することができる。
本発明の目的は、簡単な装置を用いて雰囲気中
の麻酔ガス成分を高感度で測定できるようにする
ことであり、その際雰囲気中の人間に対し所定時
間内で作用する麻酔ガスの薬量を測定することで
ある。本発明のもう一つの目的は、動作が確実で
構造は簡単な、所定の麻酔ガスに対して特に高感
度なセンサを提供することにある。
の麻酔ガス成分を高感度で測定できるようにする
ことであり、その際雰囲気中の人間に対し所定時
間内で作用する麻酔ガスの薬量を測定することで
ある。本発明のもう一つの目的は、動作が確実で
構造は簡単な、所定の麻酔ガスに対して特に高感
度なセンサを提供することにある。
この目的の解決の為に、本発明では冒頭に述べ
た形式の測定装置において、センサの、加熱可能
な基板に載置された少なくともフタロシアニンか
ら成るセンサ膜の領域上の自由空間に、検出すべ
き麻酔ガスの分子の解離の為に、電気的に加熱さ
れる触媒を設ける。本発明において、非金属フタ
ロシアニンまたは金属−フタロシアニン化合物か
ら成るセンサ膜を用いると有利である。銅−フタ
ロシアニンから成るセンサ膜を用いると、殊に有
利である。商品名ハロトハン、エンフルラン、商
品名フオラン（Foran）といつた麻酔ガス検出に
有利である。その際ハロゲン化有機化合物から成
る麻酔ガスに対して極めて高感度な測定が行なえ
る。本発明のセンサを用いるとハロトハンから成
る麻酔ガス成分を1ppmの濃度まで検出すること
ができる。ほぼ同等の感度がエンフルランおよび
フオランの麻酔ガスに対しても得られる。逆に亜
酸化窒素〔N2O〕、アセトン、エチルアルコール
に対する感度は著しく劣り、10000ppmを上回つ
て初めて検出信号が発生する。
た形式の測定装置において、センサの、加熱可能
な基板に載置された少なくともフタロシアニンか
ら成るセンサ膜の領域上の自由空間に、検出すべ
き麻酔ガスの分子の解離の為に、電気的に加熱さ
れる触媒を設ける。本発明において、非金属フタ
ロシアニンまたは金属−フタロシアニン化合物か
ら成るセンサ膜を用いると有利である。銅−フタ
ロシアニンから成るセンサ膜を用いると、殊に有
利である。商品名ハロトハン、エンフルラン、商
品名フオラン（Foran）といつた麻酔ガス検出に
有利である。その際ハロゲン化有機化合物から成
る麻酔ガスに対して極めて高感度な測定が行なえ
る。本発明のセンサを用いるとハロトハンから成
る麻酔ガス成分を1ppmの濃度まで検出すること
ができる。ほぼ同等の感度がエンフルランおよび
フオランの麻酔ガスに対しても得られる。逆に亜
酸化窒素〔N2O〕、アセトン、エチルアルコール
に対する感度は著しく劣り、10000ppmを上回つ
て初めて検出信号が発生する。
触媒を加熱することによつて、麻酔ガスは、セ
ンサ層のフタロシアニンが特に敏感に反応する成
分へ熱分解される。さらに種々異なるる触媒温度
を使用することにより、種々の麻酔ガスを区別す
ることができる。本発明により、麻酔ガスが高感
度へ検出されるのは、フタロシアニンがハロゲン
炭化水素に対して高感度を有するためである。
ンサ層のフタロシアニンが特に敏感に反応する成
分へ熱分解される。さらに種々異なるる触媒温度
を使用することにより、種々の麻酔ガスを区別す
ることができる。本発明により、麻酔ガスが高感
度へ検出されるのは、フタロシアニンがハロゲン
炭化水素に対して高感度を有するためである。
空間内空気から検出された麻酔ガスの薬量の測
定の為には、作用時間の後に生ずるセンサ膜の抵
抗値を測定すればよい。麻酔ガスの作用で急激に
低下したセンサ膜の抵抗値は、回復の為に付加的
に加熱しない限り、室温では比較的緩慢にしか回
復しないので、積分作用が生じる。このようにし
て、12時間の監視時間の終了時毎に薬量の指示お
よび／または相応の警報信号のトリガを行う、定
置または携持可能な装置が構成される。続いてセ
ンサ膜は50゜〜100℃での加熱により回復させられ
る。
定の為には、作用時間の後に生ずるセンサ膜の抵
抗値を測定すればよい。麻酔ガスの作用で急激に
低下したセンサ膜の抵抗値は、回復の為に付加的
に加熱しない限り、室温では比較的緩慢にしか回
復しないので、積分作用が生じる。このようにし
て、12時間の監視時間の終了時毎に薬量の指示お
よび／または相応の警報信号のトリガを行う、定
置または携持可能な装置が構成される。続いてセ
ンサ膜は50゜〜100℃での加熱により回復させられ
る。
特許請求の範囲第２項および第３項記載の構成
により、センサ膜と触媒とを異なる温度に加熱す
ることができるので、感度を著しく高めることが
できる。
により、センサ膜と触媒とを異なる温度に加熱す
ることができるので、感度を著しく高めることが
できる。
特許請求の範囲第４項記載の構成により、殊に
触媒をパラジウムかまたは白金から形成すると、
細く短い針金で十分所望の効果が得られる。
触媒をパラジウムかまたは白金から形成すると、
細く短い針金で十分所望の効果が得られる。
特許請求の範囲第６項記載の構成において、被
覆電極をガス透過性にするには、例えばその膜を
十分薄くするとか、孔を空ける等の種々の方法が
考えられる。
覆電極をガス透過性にするには、例えばその膜を
十分薄くするとか、孔を空ける等の種々の方法が
考えられる。
特許請求の範囲第７項記載の構成は、貴金属の
もつ大きな仕事関数が本発明における所望の効果
を高めるので殊に有利である。
もつ大きな仕事関数が本発明における所望の効果
を高めるので殊に有利である。
特許請求の範囲第８項記載の構成を用いると、
広範囲において変化速度が室内の麻酔ガスの濃度
に比例するので有利である。
広範囲において変化速度が室内の麻酔ガスの濃度
に比例するので有利である。
特許請求の範囲第９項記載の構成では、センサ
を付加的部材に挿入すれば自動的に適切な接続が
形成される。
を付加的部材に挿入すれば自動的に適切な接続が
形成される。
次に本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明
する。
する。
第１図および第２図に示す扁平なセルとしての
センサには、セラミツク基板、例えば酸化アルミ
ニウムから成る基板が設けられており、基板の裏
側には接点２，３を備えた半導体の加熱層４が設
けられている。セラミツク基板１の表面には銅−
フタロシアニン〔CuPc〕を含有するセンサ膜５
が設けられており、このセンサ膜は、金から成る
蒸着された接続電極６，７と共に、付着力を高め
るクロム膜に接続されている。センサ膜５より約
10mm隔つた空気中には触媒として用いられ加熱さ
れる白金コイル線８が設けられており、端子接点
９，１０に接続されている。
センサには、セラミツク基板、例えば酸化アルミ
ニウムから成る基板が設けられており、基板の裏
側には接点２，３を備えた半導体の加熱層４が設
けられている。セラミツク基板１の表面には銅−
フタロシアニン〔CuPc〕を含有するセンサ膜５
が設けられており、このセンサ膜は、金から成る
蒸着された接続電極６，７と共に、付着力を高め
るクロム膜に接続されている。センサ膜５より約
10mm隔つた空気中には触媒として用いられ加熱さ
れる白金コイル線８が設けられており、端子接点
９，１０に接続されている。
第３図のサンドイツチセルとしてのセンサの実
施例では、電極６はセラミツク基板１の表面に設
けられている。電極６上にセンサ膜５が設けら
れ、センサ膜表面は被覆電極としてのガス透過電
極７で被覆されている。電極７およびセンサ膜５
の前方の自由な空間には、コイル線８として形成
された触媒が接続端子９，１０に接続されて設け
られている。セラミツク基板１の裏面には接点
２，３を備えた半導体加熱層４が設けられてい
る。接続電極６，７は金〔Au〕から作られてい
る。
施例では、電極６はセラミツク基板１の表面に設
けられている。電極６上にセンサ膜５が設けら
れ、センサ膜表面は被覆電極としてのガス透過電
極７で被覆されている。電極７およびセンサ膜５
の前方の自由な空間には、コイル線８として形成
された触媒が接続端子９，１０に接続されて設け
られている。セラミツク基板１の裏面には接点
２，３を備えた半導体加熱層４が設けられてい
る。接続電極６，７は金〔Au〕から作られてい
る。
第４図は扁平セル〔CuPc〕と、サンドイツチ
セル〔Au−CuPc−Au〕とを、検出すべき麻酔
ガス（ハロトハン）の空気中の濃度Ｋと電流上昇
率di／dt（電流の変化速度Ａ（アンペア）／Ｓ（秒））
との関 係を示すグラフである。このグラフから、変化速
度Ａ／Ｓが広範囲に亘つて麻酔ガスの濃度に比例し ていることがわかる。
セル〔Au−CuPc−Au〕とを、検出すべき麻酔
ガス（ハロトハン）の空気中の濃度Ｋと電流上昇
率di／dt（電流の変化速度Ａ（アンペア）／Ｓ（秒））
との関 係を示すグラフである。このグラフから、変化速
度Ａ／Ｓが広範囲に亘つて麻酔ガスの濃度に比例し ていることがわかる。
第５図および第６図において、縦軸は10Vのと
きの電流を10-7Aの単位でとり、横軸は時間を時
間単位でとつてある。この第５図および第６図
は、積分素子としてのセンサを薬量の測定に用い
ることができることを示す。第５図からわかるよ
うに、空気中の濃度5ppmのハロトハンが作用す
ると、４時間半の間に電流は0.6×10-7Aから4.3
×10-7Aに上昇する。第６図は、空間の温度を31
℃に高めた場合、上限に達した電流強度が12時間
以内に極く緩慢にしか（図示の場合６％しか）低
下しないことを示す。
きの電流を10-7Aの単位でとり、横軸は時間を時
間単位でとつてある。この第５図および第６図
は、積分素子としてのセンサを薬量の測定に用い
ることができることを示す。第５図からわかるよ
うに、空気中の濃度5ppmのハロトハンが作用す
ると、４時間半の間に電流は0.6×10-7Aから4.3
×10-7Aに上昇する。第６図は、空間の温度を31
℃に高めた場合、上限に達した電流強度が12時間
以内に極く緩慢にしか（図示の場合６％しか）低
下しないことを示す。
温度設定は、その都度センサ膜の加熱温度に相
応して行い、センサ膜の加熱温度が適当な制御回
路によつて測定に適した値に設定されるようにす
ると有利である。
応して行い、センサ膜の加熱温度が適当な制御回
路によつて測定に適した値に設定されるようにす
ると有利である。
第１図は扁平セルとして形成された本発明のセ
ンサの側面図、第２図は第１図のセンサの平面
図、第３図はサンドイツチセルとして形成された
本発明のセンサの斜視図、第４図は扁平セルおよ
びサンドイツチセルにおいての麻酔ガス濃度Ｋに
依存する電流上昇率を示すグラフ図、第５図は扁
平セルとして形成されたセンサでの積分作用を示
すグラフ図、第６図は第５図に示すセンサで蓄積
された測定値の減少過程を示すグラフ図である。 １……基板、４……加熱層、５……センサ膜、
６，７……接続電極、８……触媒。
ンサの側面図、第２図は第１図のセンサの平面
図、第３図はサンドイツチセルとして形成された
本発明のセンサの斜視図、第４図は扁平セルおよ
びサンドイツチセルにおいての麻酔ガス濃度Ｋに
依存する電流上昇率を示すグラフ図、第５図は扁
平セルとして形成されたセンサでの積分作用を示
すグラフ図、第６図は第５図に示すセンサで蓄積
された測定値の減少過程を示すグラフ図である。 １……基板、４……加熱層、５……センサ膜、
６，７……接続電極、８……触媒。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フタロシアニンを含有し、加熱されるセンサ
膜５の電気抵抗の変化または変化速度を測定値と
して検出して、ハロゲン化有機化合物から成る麻
酔ガスの空気中の含有量を測定する、ガス状また
は蒸気状媒体の測定方法を実施するための装置で
あつて、 センサの、加熱可能な基板１に載置された、フ
タロシアニンを含有するセンサ膜５の領域前方の
自由空間に、検出すべき麻酔ガスの分子の解離の
為に、電気的に加熱される触媒８を設けたことを
特徴とする測定装置。 ２ 触媒８の温度がセンサ膜５の温度より高い特
許請求の範囲第１項記載の測定装置。 ３ 触媒８の温度を約200゜〜600℃とし、センサ
膜５の温度は約20゜〜40℃とした、特許請求の範
囲第２項記載の測定装置。 ４ 触媒８を白金属元素の金属から針金状に形成
した、特許請求の範囲第１項記載の測定装置。 ５ 一方の面に加熱層４が設けられ、他方の面に
センサ膜５を設けた板状のセラミツク基板１から
センサを形成した特許請求の範囲第１項記載の測
定装置。 ６ センサを、センサ膜５が電極６上に設けら
れ、ガス透過被覆電極７で被覆されたサンドイツ
チセルとして構成した特許請求の範囲第１項記載
の測定装置。 ７ センサ膜の接続部を貴金属から形成した、特
許請求の範囲第５項記載の測定装置。 ８ センサ膜を定電圧源に接続し、抵抗変動の測
定値として、電流の強さの変化を測定する特許請
求の範囲第１項記載の測定装置。 ９ センサを携持用の小形装置として形成し、セ
ンサ膜の強化加熱による回復の為には、センサ
を、センサ膜の加熱強化用電流供給部が設けられ
た付加装置と接続するようにした、特許請求の範
囲第１項記載の測定装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3118936A DE3118936C2 (de) | 1981-05-13 | 1981-05-13 | Verwendung eines Meßverfahrens für gas- oder dampfförmige Medien und Vorrichtung hierzu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57194346A JPS57194346A (en) | 1982-11-29 |
| JPH0249466B2 true JPH0249466B2 (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=6132156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57078476A Granted JPS57194346A (en) | 1981-05-13 | 1982-05-12 | Measuring device for gassy or vapory medium |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4455378A (ja) |
| JP (1) | JPS57194346A (ja) |
| DE (1) | DE3118936C2 (ja) |
| FR (1) | FR2506020B1 (ja) |
| GB (1) | GB2098741B (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5055266A (en) * | 1984-03-02 | 1991-10-08 | Arch Development Corporation | Method for detecting toxic gases |
| GB2155184B (en) * | 1984-03-02 | 1988-04-13 | Us Energy | Combined sensor device for detecting toxic gases |
| JPS61149856A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-08 | Shinkosumosu Denki Kk | ガス検知素子 |
| US4818348A (en) * | 1987-05-26 | 1989-04-04 | Transducer Research, Inc. | Method and apparatus for identifying and quantifying simple and complex chemicals |
| DE3729286A1 (de) | 1987-09-02 | 1989-03-16 | Draegerwerk Ag | Messgeraet zur analyse eines gasgemisches |
| US5733506A (en) * | 1989-11-08 | 1998-03-31 | British Technology Group, Ltd. | Gas sensors and compounds suitable therefor |
| DE4037479C2 (de) * | 1990-11-24 | 2002-04-11 | Paragon Ag | Phthalocyanin-Sensor zum Zwecke des Nachweises von Stickoxyden in der Luft |
| DE19924906C2 (de) * | 1999-05-31 | 2001-05-31 | Daimler Chrysler Ag | Halbleiter-Gassensor, Gassensorsystem und Verfahren zur Gasanalyse |
| DE10144873A1 (de) * | 2001-09-12 | 2003-03-27 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanischer Wärmeleitfähigkeitssensor mit poröser Abdeckung |
| JP4859310B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2012-01-25 | コクヨ株式会社 | 椅子 |
| US20170052162A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-02-23 | The Regents Of The University Of California | Devices and methods for detecting halogenated organic compounds |
| CN120404860B (zh) * | 2025-07-02 | 2025-10-03 | 华中科技大学同济医学院附属协和医院 | 一种基于铂掺杂MoS2叉指电极的地氟醚检测传感器及方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2407110C3 (de) * | 1974-02-14 | 1981-04-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sensor zum Nachweis einer in einem Gas oder einer Flüssigkeit einthaltenen Substanz |
| US3961248A (en) * | 1974-07-02 | 1976-06-01 | Nohmi Bosai Kogyo Co. Ltd. | Gas detector using gas sensing elements exhibiting different response characteristics |
| US4039941A (en) * | 1975-05-09 | 1977-08-02 | Stanford Research Institute | Gas sensor |
| FR2364449A1 (fr) * | 1976-09-10 | 1978-04-07 | Issec Labo Physicochim Appliqu | Nouveaux procedes et dispositifs d'analyse de gaz |
| CH595629A5 (ja) * | 1976-10-12 | 1978-02-15 | Cerberus Ag | |
| LU76937A1 (ja) * | 1977-03-11 | 1978-10-18 | ||
| JPS5952781B2 (ja) * | 1977-05-16 | 1984-12-21 | 株式会社東芝 | 感ガス素子 |
| JPS547196A (en) * | 1977-06-16 | 1979-01-19 | Figaro Eng | Gas detecting element |
| DE2737385A1 (de) * | 1977-08-19 | 1979-03-22 | Licentia Gmbh | Gasspuerelement zum nachweis von fetten und geruchsstoffen in duensten |
| JPS5657954A (en) * | 1979-10-17 | 1981-05-20 | Olympus Optical Co Ltd | Liquid sample diluting apparatus |
| SE434438B (sv) * | 1980-02-21 | 1984-07-23 | Gambro Engstrom Ab | Anordning for detektering av forekomsten av en given gaskomponent i en gasblandning |
| GB2077437A (en) * | 1980-06-07 | 1981-12-16 | Emi Ltd | Ammonia gas sensors |
-
1981
- 1981-05-13 DE DE3118936A patent/DE3118936C2/de not_active Expired
-
1982
- 1982-04-06 GB GB8210200A patent/GB2098741B/en not_active Expired
- 1982-04-26 US US06/372,048 patent/US4455378A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-04-30 FR FR8207928A patent/FR2506020B1/fr not_active Expired
- 1982-05-12 JP JP57078476A patent/JPS57194346A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2506020A1 (fr) | 1982-11-19 |
| JPS57194346A (en) | 1982-11-29 |
| US4455378A (en) | 1984-06-19 |
| GB2098741B (en) | 1985-07-24 |
| DE3118936C2 (de) | 1985-07-04 |
| GB2098741A (en) | 1982-11-24 |
| FR2506020B1 (fr) | 1985-11-22 |
| DE3118936A1 (de) | 1982-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0311439A2 (en) | Ozone gas sensor and ozone gas detecting device having ozone gas sensor | |
| EP0940673B1 (en) | Method using a semiconductor gas sensor. | |
| JPH0249466B2 (ja) | ||
| JP2001318069A (ja) | 呼気ガス分析装置 | |
| JPH0517650Y2 (ja) | ||
| CN105229463B (zh) | 双气体传感器结构及测量方法 | |
| JPH03282247A (ja) | 引火性ガスの検出 | |
| CN101871904A (zh) | 气体检测装置、气体检测系统及气体检测装置的制作方法 | |
| RU2132551C1 (ru) | Способ эксплуатации газового датчика | |
| JP3682474B2 (ja) | 水晶振動子電極材料との反応を利用したガス測定法 | |
| JPH10115597A (ja) | ガスセンサ | |
| JP2010066009A (ja) | 薄膜ガスセンサ | |
| JP2004020377A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
| JP4790430B2 (ja) | 接触燃焼式ガスセンサを用いた検出回路 | |
| CN113155904B (zh) | 一种用于空气环境中的高灵敏氢气传感器及其制备方法 | |
| JPH0633410Y2 (ja) | ガスセンサ | |
| JPH0731153B2 (ja) | 可燃性ガスセンサ | |
| JPH0340817B2 (ja) | ||
| EP0701123A1 (en) | Formaldehyde vapour detector | |
| EP4102217A1 (en) | Hydrogen gas sensor assembly | |
| JP3387611B2 (ja) | Ｃｏガスセンサーおよびｃｏガス検出方法 | |
| GB2184244A (en) | Device for detecting a component of an ambient gas | |
| KR960010688B1 (ko) | 반도체식 아세토니트릴 감지센서 및 그 제조방법 | |
| JPH07167813A (ja) | 匂いセンサ | |
| JPS62235555A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ |