JPH0249723Y2 - - Google Patents
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- JPH0249723Y2 JPH0249723Y2 JP8682885U JP8682885U JPH0249723Y2 JP H0249723 Y2 JPH0249723 Y2 JP H0249723Y2 JP 8682885 U JP8682885 U JP 8682885U JP 8682885 U JP8682885 U JP 8682885U JP H0249723 Y2 JPH0249723 Y2 JP H0249723Y2
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案は、ドライエツチング装置に関し、特に
真空チヤンバ内に複数枚の被エツチング材を載置
棚に多段載置した状態でケミカルドライエツチン
グする構造をなすドライエツチング装置の改良に
係わる。 〔考案の技術的背景とその問題点〕 半導体集積回路の製造においては、シリコン等
の半導体基板上に各種の膜を堆積した後、写真触
刻法により形成されたレジストパターン等をマス
クとして該膜を選択的にエツチングする工程が行
われている。かかるエツチングに使用される装置
としては、最近、マイクロ波プラズマにより反応
性ガスを励起し、生成したエツチングガスをプラ
ズマ発生器と分離された真空チヤンバに輸送し、
該チヤンバ内の被エツチング材と反応せしめてエ
ツチングするケミカルドライエツチング装置が開
発されている。こうしたエツチング装置は、第4
図に示す構造のものが知られている。即ち、図中
の1は真空チヤンバであり、該チヤンバ1内には
複数枚の被エツチング材(例えばウエハ)2を平
面的に載置するための載置台3が配設されてい
る。前記チヤンバ1の上壁には、エツチングガス
を前記載置台3上のウエハ2に均一に導入するた
めのガス分散管4が取着されており、かつ該分散
管4にはガス導入管5が連結されている。このガ
ス導入管5の途中には、石英ガラス管からなる放
電管6が被嵌されており、かつ該放電管6には導
波管7を通して高周波出力8を印加することによ
りプラズマを発生させるようになつている。ま
た、前記真空チヤンバ1の下面にはガス排出管9
がマニホールド10を介して連結されており、か
つ該ガス排出管9には図示しない真空ポンプを連
結されている。 上述した装置において、載置台3の上に被エツ
チング材(ウエハ)3を載置し、ガス排出管9を
介して真空チヤンバ1の排気を行なう。この後、
ガス導入管5にCF4等の反応性ガスを供給し、該
ガス導入管5の途中に配置した放電管6に導波管
7を通して高周波出力8を印加することによりガ
スプラズマを発生させ、前記反応性ガスを励起
し、そのエツチングガスを分散管4を通して真空
チヤンバ1内に供給して載置台3上のウエハ2の
エツチングを行なう。こうしたエツチングにおい
て、エツチング処理と、プラズマ発生とを別個の
室で行なうため、ウエハ2のプラズマ照射による
損傷を防止できるという利点を有する。 しかしながら、上述した装置では被エツチング
材2を平面的に並べて載置するため、1回のエツ
チング工程における処理枚数が少なく、生産効率
が低いという問題があつた。かかる問題は、被エ
ツチング材であるウエハの大口径化に伴つてより
顕著となる。なお、前記構造のエツチング装置で
処理枚数を増加させようとすると、真空チヤンバ
1が大型化し、設備費等の面で好ましくない。 このようなことから、本出願人は既に被エツチ
ング材を多段に載置すると共に、各被エツチング
材の間にそれら被エツチング材を仕切る遮蔽板を
設けた構造の載置台を外部より真空容器内の回転
する支持台上に搬送して被エツチング材をエツチ
ングするドライエツチング装置(特願昭59−
250117号)を提案した。こうしたエツチング装置
では、被エツチング材間に遮蔽板を配置すること
により、被エツチング材から放射される赤外線に
よる輻射熱によつて上下に隣接する被エツチング
材が相互に加熱されるのを阻止し、被エツチング
材の温度上昇に伴うエツチングの不均一化を抑制
し、複数枚の被処理物を一度にエツチングでき
る。しかしながら、かかるドライエツチング装置
は載置台の一側面が複数枚の被エツチング材を該
載置台に収納するために解放されているので、載
置台を搬送部材により真空容器内の支持台上にセ
ツトする際、該載置台が横振れを生じると、その
解放した一側面から被エツチング材が飛出すとい
う不都合があつた。 〔考案の目的〕 本考案は、真空チヤンバ内の回転自在な支持台
上にカセツトを搬送部材を用いてセツトする際に
横振れを生じても、該カセツトの載置棚内に多段
に載置された複数枚の被エツチング材が飛出すの
を防止したドライエツチング装置を提供しようと
するものである。 〔考案の概要〕 本考案は、真空チヤンバに、反応性ガスをプラ
ズマ励起により生成したエツチングガスを導入す
るガス導入管と該チヤンバ内のガスを排気する排
気管を設け、かつ前記ガス導入管の途中に該導入
管を流通する反応性ガスを励起するためのプラズ
マ発生器を介装した構造のドライエツチング装置
において、一側面が解放され、被エツチング材を
多段に載置する載置棚及び該載置棚の前記被エツ
チング材の間に設けられた各被エツチング材を仕
切る遮蔽板から構成され、前記チヤンバ内に搬送
されるカセツトと、このカセツトの上面に取着さ
れた連結ブロツクと、前記載置棚の解放側面側の
前記ブロツク部分に該解放側面に対し平行して貫
通され、搬送用丸棒が挿入される丸穴と、前記解
放側面と反対の側面側の前記ブロツク部分に前記
丸穴と平行して貫通され、搬送用丸棒が挿入され
る長穴とを具備したことを特徴とするものであ
る。かかる本考案によれば、カセツト上面の連結
ブロツクに貫通され載置棚の解放側面側に位置す
る丸穴と該解放側面と反対の側面側に位置する長
穴とに夫々搬送用丸棒を挿入して丸棒を移動させ
ることによつて、カセツトの載置棚の解放した一
側面が上に向くように傾斜して搬送できるため、
搬送中に複数枚の被エツチング材が載置棚より飛
出すのを防止できる。 〔考案の実施例〕 以下、本考案の実施例を図面を参照して詳細に
説明する。 図中の11は、真空チヤンバであり、このチヤ
ンバ11のの上部には後述するカセツトが出入れ
される開閉自在な蓋体12が設けられている。前
記チヤンバ11の中心には、該チヤンバ11の下
面から貫通されたシヤフト13に軸着された支持
台14が回転可能に配置されている。前記シヤフ
ト13のチヤンバ11の外に位置する部分には軸
受15が設けられ、かつ該シヤフト13の下端は
モータ16の駆動軸17とベルト18を介して枢
着されている。 また、前記支持台14上には第2図に示すカセ
ツト19が設置される。このカセツト19は、被
エツチング材を多段に載置する載置棚20と例え
ばアルミニウム製の遮蔽板21とから構成されて
いる。前記載置棚20は、被エツチング材を収納
するために一側面が解放され、かつ三側面に支持
板22を有すると共に、各支持板22の内側面に
は複数の溝23が上下方向に形成されている。こ
れら溝23には、一段置きに前述した遮蔽板21
が載置されている。前記カセツト19の上面に
は、第1図及び第3図A,Bに示すように連結ブ
ロツク24が取着されている。この連結ブロツク
24には、搬送用丸棒を挿入する丸穴25及び長
穴26が前記載置棚20の解放側面と平行して貫
通されている。前記丸穴25は、前記解放側面側
の前記ブロツク24部分に位置し、前記長穴26
は前記解放側面に対し反対の側面側の前記ブロツ
ク24部分に位置している。 更に、前記チヤンバ11の左側壁にはエツチン
グガスを導入するガス導入管27が設けられてい
る。このガス導入管27の途中には、図示しない
石英ガラス管からなる放電管が被嵌されており、
かつ該放電管には図示しない導波管を通して高周
波出力を印加することによりプラズマを発生させ
るようになつている。前記チヤンバ11の右側壁
には、ガス排出管28が設けられている。これら
ガス導入管27及びガス排出管28のチヤンバ1
1の入口付近には、円板形状をなす分散管29,
29が支柱30を介してチヤンバ11の壁面と略
平行となるよう配設されている。 次に、本考案のドライエツチング装置の作用を
説明する。 まず、被エツチング材(例えばウエハ)31を
第2図及び第3図A,Bに示すようにカセツト1
9を構成する載置棚20の遮蔽板21間の溝23
に挿入設置した後、該カセツト19の連結ブロツ
ク24の丸穴25及び長穴26に搬送用丸棒32
a,32bを夫々挿入して吊下し、該丸棒32
a,32bを移動させることによつて、カセツト
19を蓋体12を開けたチヤンバ11内の支持台
14上に設置する。この際、連結ブロツク24の
丸穴25及び長穴26に丸棒32a,32bを挿
入してカセツト19を吊下すると、第3図Aに示
すように載置棚29の解放側面と反対の側面側の
ブロツク24部分に位置する長穴26に挿入され
た丸棒32bは該長穴26の上部側に位置するこ
とになるため、カセツト19は丸穴25に対して
長穴26側に傾斜する。その結果、カセツト19
を構成する載置棚20の解放側面が上に向くた
め、該載置棚20に多段に配置されたウエハ31
が搬送中の振動等により飛出すのを防止できる。
この後、一対の丸棒32a,32bを支持台14
上の所定の位置に下降せることによつて、第3図
Bに示すようにカセツト19を支持台14上にセ
ツトされる。次いで、ガス排出管28を介して真
空チヤンバ11を排気を行ない、ガス導入管27
にCF4等の反応性ガスを供給し、該ガス導入管2
7の途中に配置した放電管に導波管(いずれも図
示せず)を通して高周波出力を印加することによ
りガスプラズマを発生させ、前記反応性ガスを励
起し、そのエツチングガスをガス導入管27を通
して真空チヤンバ11内に導入しながら、排出管
14をモータ16によりゆつくり回転させる。こ
うして導入されたエツチングガスは、支持台14
と共に回転するカセツト19の載置棚20に多段
に設置されたウエハ31に供給されて、均一なエ
ツチングが行われる。かかる載置棚20に複数枚
載置したウエハ31のエツチングに際し、既述の
如く、ウエハ31から放射される赤外線による輻
射熱によつて上下に隣接するウエハ31が相互に
加熱されるのを遮蔽板21で阻止し、ウエハ31
の温度上昇に伴うエツチングの不均一化を制御
し、複数枚のウエハ31を一度にエツチングでき
る。 従つて、本考案によればカセツト19の載置棚
20に多段の配置されたウエハ31が該カセツト
19の搬送中に飛出すことなく、かつ熱輻射によ
りエツチングの不均一化を招くことなく、一度に
多数枚のウエハ33をエツチング処理できる。 なお、上記実施例ではアルミニウム製の遮蔽板
を使用したが、これに限定されず、石英ガラスの
遮蔽板や弗素樹脂でコーテイングした金属からな
る遮蔽板を使用してもよい。 (考案の効果) 以上詳述した如く、本考案によれば真空チヤン
バ内の回転自在な支持台上にカセツトを搬送部材
を用いてセツトする際に横振れを生じても、該カ
セツトの載置棚内に多段に載置された複数枚の被
エツチング材が飛出すのを防止でき、ひいては被
エツチング材を効率よくエツチング処理し得るド
ライエツチング装置を提供できる。
真空チヤンバ内に複数枚の被エツチング材を載置
棚に多段載置した状態でケミカルドライエツチン
グする構造をなすドライエツチング装置の改良に
係わる。 〔考案の技術的背景とその問題点〕 半導体集積回路の製造においては、シリコン等
の半導体基板上に各種の膜を堆積した後、写真触
刻法により形成されたレジストパターン等をマス
クとして該膜を選択的にエツチングする工程が行
われている。かかるエツチングに使用される装置
としては、最近、マイクロ波プラズマにより反応
性ガスを励起し、生成したエツチングガスをプラ
ズマ発生器と分離された真空チヤンバに輸送し、
該チヤンバ内の被エツチング材と反応せしめてエ
ツチングするケミカルドライエツチング装置が開
発されている。こうしたエツチング装置は、第4
図に示す構造のものが知られている。即ち、図中
の1は真空チヤンバであり、該チヤンバ1内には
複数枚の被エツチング材(例えばウエハ)2を平
面的に載置するための載置台3が配設されてい
る。前記チヤンバ1の上壁には、エツチングガス
を前記載置台3上のウエハ2に均一に導入するた
めのガス分散管4が取着されており、かつ該分散
管4にはガス導入管5が連結されている。このガ
ス導入管5の途中には、石英ガラス管からなる放
電管6が被嵌されており、かつ該放電管6には導
波管7を通して高周波出力8を印加することによ
りプラズマを発生させるようになつている。ま
た、前記真空チヤンバ1の下面にはガス排出管9
がマニホールド10を介して連結されており、か
つ該ガス排出管9には図示しない真空ポンプを連
結されている。 上述した装置において、載置台3の上に被エツ
チング材(ウエハ)3を載置し、ガス排出管9を
介して真空チヤンバ1の排気を行なう。この後、
ガス導入管5にCF4等の反応性ガスを供給し、該
ガス導入管5の途中に配置した放電管6に導波管
7を通して高周波出力8を印加することによりガ
スプラズマを発生させ、前記反応性ガスを励起
し、そのエツチングガスを分散管4を通して真空
チヤンバ1内に供給して載置台3上のウエハ2の
エツチングを行なう。こうしたエツチングにおい
て、エツチング処理と、プラズマ発生とを別個の
室で行なうため、ウエハ2のプラズマ照射による
損傷を防止できるという利点を有する。 しかしながら、上述した装置では被エツチング
材2を平面的に並べて載置するため、1回のエツ
チング工程における処理枚数が少なく、生産効率
が低いという問題があつた。かかる問題は、被エ
ツチング材であるウエハの大口径化に伴つてより
顕著となる。なお、前記構造のエツチング装置で
処理枚数を増加させようとすると、真空チヤンバ
1が大型化し、設備費等の面で好ましくない。 このようなことから、本出願人は既に被エツチ
ング材を多段に載置すると共に、各被エツチング
材の間にそれら被エツチング材を仕切る遮蔽板を
設けた構造の載置台を外部より真空容器内の回転
する支持台上に搬送して被エツチング材をエツチ
ングするドライエツチング装置(特願昭59−
250117号)を提案した。こうしたエツチング装置
では、被エツチング材間に遮蔽板を配置すること
により、被エツチング材から放射される赤外線に
よる輻射熱によつて上下に隣接する被エツチング
材が相互に加熱されるのを阻止し、被エツチング
材の温度上昇に伴うエツチングの不均一化を抑制
し、複数枚の被処理物を一度にエツチングでき
る。しかしながら、かかるドライエツチング装置
は載置台の一側面が複数枚の被エツチング材を該
載置台に収納するために解放されているので、載
置台を搬送部材により真空容器内の支持台上にセ
ツトする際、該載置台が横振れを生じると、その
解放した一側面から被エツチング材が飛出すとい
う不都合があつた。 〔考案の目的〕 本考案は、真空チヤンバ内の回転自在な支持台
上にカセツトを搬送部材を用いてセツトする際に
横振れを生じても、該カセツトの載置棚内に多段
に載置された複数枚の被エツチング材が飛出すの
を防止したドライエツチング装置を提供しようと
するものである。 〔考案の概要〕 本考案は、真空チヤンバに、反応性ガスをプラ
ズマ励起により生成したエツチングガスを導入す
るガス導入管と該チヤンバ内のガスを排気する排
気管を設け、かつ前記ガス導入管の途中に該導入
管を流通する反応性ガスを励起するためのプラズ
マ発生器を介装した構造のドライエツチング装置
において、一側面が解放され、被エツチング材を
多段に載置する載置棚及び該載置棚の前記被エツ
チング材の間に設けられた各被エツチング材を仕
切る遮蔽板から構成され、前記チヤンバ内に搬送
されるカセツトと、このカセツトの上面に取着さ
れた連結ブロツクと、前記載置棚の解放側面側の
前記ブロツク部分に該解放側面に対し平行して貫
通され、搬送用丸棒が挿入される丸穴と、前記解
放側面と反対の側面側の前記ブロツク部分に前記
丸穴と平行して貫通され、搬送用丸棒が挿入され
る長穴とを具備したことを特徴とするものであ
る。かかる本考案によれば、カセツト上面の連結
ブロツクに貫通され載置棚の解放側面側に位置す
る丸穴と該解放側面と反対の側面側に位置する長
穴とに夫々搬送用丸棒を挿入して丸棒を移動させ
ることによつて、カセツトの載置棚の解放した一
側面が上に向くように傾斜して搬送できるため、
搬送中に複数枚の被エツチング材が載置棚より飛
出すのを防止できる。 〔考案の実施例〕 以下、本考案の実施例を図面を参照して詳細に
説明する。 図中の11は、真空チヤンバであり、このチヤ
ンバ11のの上部には後述するカセツトが出入れ
される開閉自在な蓋体12が設けられている。前
記チヤンバ11の中心には、該チヤンバ11の下
面から貫通されたシヤフト13に軸着された支持
台14が回転可能に配置されている。前記シヤフ
ト13のチヤンバ11の外に位置する部分には軸
受15が設けられ、かつ該シヤフト13の下端は
モータ16の駆動軸17とベルト18を介して枢
着されている。 また、前記支持台14上には第2図に示すカセ
ツト19が設置される。このカセツト19は、被
エツチング材を多段に載置する載置棚20と例え
ばアルミニウム製の遮蔽板21とから構成されて
いる。前記載置棚20は、被エツチング材を収納
するために一側面が解放され、かつ三側面に支持
板22を有すると共に、各支持板22の内側面に
は複数の溝23が上下方向に形成されている。こ
れら溝23には、一段置きに前述した遮蔽板21
が載置されている。前記カセツト19の上面に
は、第1図及び第3図A,Bに示すように連結ブ
ロツク24が取着されている。この連結ブロツク
24には、搬送用丸棒を挿入する丸穴25及び長
穴26が前記載置棚20の解放側面と平行して貫
通されている。前記丸穴25は、前記解放側面側
の前記ブロツク24部分に位置し、前記長穴26
は前記解放側面に対し反対の側面側の前記ブロツ
ク24部分に位置している。 更に、前記チヤンバ11の左側壁にはエツチン
グガスを導入するガス導入管27が設けられてい
る。このガス導入管27の途中には、図示しない
石英ガラス管からなる放電管が被嵌されており、
かつ該放電管には図示しない導波管を通して高周
波出力を印加することによりプラズマを発生させ
るようになつている。前記チヤンバ11の右側壁
には、ガス排出管28が設けられている。これら
ガス導入管27及びガス排出管28のチヤンバ1
1の入口付近には、円板形状をなす分散管29,
29が支柱30を介してチヤンバ11の壁面と略
平行となるよう配設されている。 次に、本考案のドライエツチング装置の作用を
説明する。 まず、被エツチング材(例えばウエハ)31を
第2図及び第3図A,Bに示すようにカセツト1
9を構成する載置棚20の遮蔽板21間の溝23
に挿入設置した後、該カセツト19の連結ブロツ
ク24の丸穴25及び長穴26に搬送用丸棒32
a,32bを夫々挿入して吊下し、該丸棒32
a,32bを移動させることによつて、カセツト
19を蓋体12を開けたチヤンバ11内の支持台
14上に設置する。この際、連結ブロツク24の
丸穴25及び長穴26に丸棒32a,32bを挿
入してカセツト19を吊下すると、第3図Aに示
すように載置棚29の解放側面と反対の側面側の
ブロツク24部分に位置する長穴26に挿入され
た丸棒32bは該長穴26の上部側に位置するこ
とになるため、カセツト19は丸穴25に対して
長穴26側に傾斜する。その結果、カセツト19
を構成する載置棚20の解放側面が上に向くた
め、該載置棚20に多段に配置されたウエハ31
が搬送中の振動等により飛出すのを防止できる。
この後、一対の丸棒32a,32bを支持台14
上の所定の位置に下降せることによつて、第3図
Bに示すようにカセツト19を支持台14上にセ
ツトされる。次いで、ガス排出管28を介して真
空チヤンバ11を排気を行ない、ガス導入管27
にCF4等の反応性ガスを供給し、該ガス導入管2
7の途中に配置した放電管に導波管(いずれも図
示せず)を通して高周波出力を印加することによ
りガスプラズマを発生させ、前記反応性ガスを励
起し、そのエツチングガスをガス導入管27を通
して真空チヤンバ11内に導入しながら、排出管
14をモータ16によりゆつくり回転させる。こ
うして導入されたエツチングガスは、支持台14
と共に回転するカセツト19の載置棚20に多段
に設置されたウエハ31に供給されて、均一なエ
ツチングが行われる。かかる載置棚20に複数枚
載置したウエハ31のエツチングに際し、既述の
如く、ウエハ31から放射される赤外線による輻
射熱によつて上下に隣接するウエハ31が相互に
加熱されるのを遮蔽板21で阻止し、ウエハ31
の温度上昇に伴うエツチングの不均一化を制御
し、複数枚のウエハ31を一度にエツチングでき
る。 従つて、本考案によればカセツト19の載置棚
20に多段の配置されたウエハ31が該カセツト
19の搬送中に飛出すことなく、かつ熱輻射によ
りエツチングの不均一化を招くことなく、一度に
多数枚のウエハ33をエツチング処理できる。 なお、上記実施例ではアルミニウム製の遮蔽板
を使用したが、これに限定されず、石英ガラスの
遮蔽板や弗素樹脂でコーテイングした金属からな
る遮蔽板を使用してもよい。 (考案の効果) 以上詳述した如く、本考案によれば真空チヤン
バ内の回転自在な支持台上にカセツトを搬送部材
を用いてセツトする際に横振れを生じても、該カ
セツトの載置棚内に多段に載置された複数枚の被
エツチング材が飛出すのを防止でき、ひいては被
エツチング材を効率よくエツチング処理し得るド
ライエツチング装置を提供できる。
第1図は本考案の一実施例を示すエツチング装
置の断面図、第2図は第1図の真空チヤンバ内に
装填される載置棚の要部断面図、第3図A,Bは
第1図のエツチング装置の支持台及びカセツト付
近を拡大して示す正面図、第4図は従来のドライ
エツチング装置を示す概略図である。 11……真空チヤンバ、14……支持台、19
……カセツト、20……載置棚、21……アルミ
ニウム製の遮蔽板、24……連結ブロツク、25
……丸穴、26……長穴、27……ガス導入管、
28……排出管、31……被エツチング材(ウエ
ハ)、32a,32b……搬送用丸棒。
置の断面図、第2図は第1図の真空チヤンバ内に
装填される載置棚の要部断面図、第3図A,Bは
第1図のエツチング装置の支持台及びカセツト付
近を拡大して示す正面図、第4図は従来のドライ
エツチング装置を示す概略図である。 11……真空チヤンバ、14……支持台、19
……カセツト、20……載置棚、21……アルミ
ニウム製の遮蔽板、24……連結ブロツク、25
……丸穴、26……長穴、27……ガス導入管、
28……排出管、31……被エツチング材(ウエ
ハ)、32a,32b……搬送用丸棒。
Claims (1)
- 真空チヤンバに、反応性ガスをプラズマ励起に
より生成したエツチングガスを導入するガス導入
管と該チヤンバ内のガスを排気する排気管を設
け、かつ前記ガス導入管の途中に該導入管を流通
する反応性ガスを励起するためのプラズマ発生器
を介装した構造のドライエツチング装置におい
て、一側面が解放され、被エツチング材を多段に
載置する載置棚及び該載置棚の前記被エツチング
材の間に設けられた各被エツチング材を仕切る遮
蔽板から構成され、前記チヤンバ内に搬送される
カセツトと、このカセツトの上面に取着された連
結ブロツクと、前記載置棚の解放側面側の前記ブ
ロツク部分に該解放側面に対し平行して貫通さ
れ、搬送用丸棒が挿入される丸穴と、前記解放側
面と反対の側面側の前記ブロツク部分に前記丸穴
と平行して貫通され、搬送用丸棒が挿入される長
穴とを具備したことを特徴とするドライエツチン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8682885U JPH0249723Y2 (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8682885U JPH0249723Y2 (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61203541U JPS61203541U (ja) | 1986-12-22 |
| JPH0249723Y2 true JPH0249723Y2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=30638485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8682885U Expired JPH0249723Y2 (ja) | 1985-06-11 | 1985-06-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249723Y2 (ja) |
-
1985
- 1985-06-11 JP JP8682885U patent/JPH0249723Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61203541U (ja) | 1986-12-22 |
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