JPH02500626A - 質量制限ターゲット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 質量制限ターゲット 本発明はＸＩ！放出プラズマを発生するに充分なパワーでそれへ向けられるパル ス化されたレーザビームによってＸＩ！を発生するために使用されるターゲット に関し、且つ更に詳しくはレーザパルスによって′ｇ＆蝕され且つシステム中で 整合されてプラズマ発生に起因する細片を最小にするターゲット物質と概ね等し い厚さを有するＸＩｌ平版印刷機械で交換なく多数回使用するための前記したよ うなターゲットに関する。

過去に、「チップ」と一般に称せられる半導体装置は平版印刷性と呼ばれる方法 を用いて作られている。この方法では、レジスト被覆半導体ウェーハは対応する パターンをレジスト上へ！！露させるためにそれへ適用されるエネルギのパター ンを有する。ｌ露されたレジストは除去されることができ、又は暴露されたレジ スト以外の全てが除去されることができ、且つパターン化されたつ工−ハは次に 更に処理される。暴露及び別の処理を多数回繰返すことによって、非常に精巧な 半導体装置が製作され得る。つい最近まで、紫外線光がレジスト物質をＮｉ！す るエネルギとして商業的応用において殆ど専ら使用されている。しかしながら、 技術が進歩するにつれて、半導体ウェーハ上に配置される機構の大きざが益々小 さくなっできて今では機構の大きさは紫外線光エネルギによる正確なパターン化 の限界に達している。紫外線光を使用する際の１つの重要な制限ファクターは光 の波長であるａＮＢされる機構の大きさは今では使用される紫外線の波長に遅し ており、妥当な焦点深さ並びに単一レベルのレジストのような処理の単純性を同 時に維持しながら１５１構の大きさを更に減少することはもはや紫外線光を用い ては可能ではない。

ＸＩＩがＸＩｌのかなり小さい波長のために光よりも良い平版印刷暴露用エネル ギ源を提供することは、少なくとも１９７３年はど早期に米国特許３，７４３． ８４２でスミスほかによって提案されている。多くの試みがレジスト被覆半導体 ウェーハの暴露で使用するための各種形式のＸ線平版印刷機械の提案についてス ミスほかの教示に続いている。当業界でのかなりの前進が米国特許４゜１８４． ０７８に記載されているようにナブルほかによってなされ、そこではＸ線がプラ ズマを発生させるに充分なエネルギをもってパルス化されたレーザビームを金属 ターゲットにおいて集束することによって発生され得ることが提案された。ソフ トな、即ち長い波長のｘｉはプラズマから提供され、且つそのように発生された Ｘ線の経路中に配置されたマクス及びレジスト被Ｎ基体は次に！露されることが できた。

ナブルほかの教示は先のスミスほかの教示より多くの利点を有するが、それはレ ーザ誘起プラズマが、Ｘ線を発生することに加えて、プラズマを発生するに必要 とされる１５万℃以上の温度の結果として物質及びイオン細片を発生した１つの 重大な欠点を有する。物質細片問題はナブルほかによって認められ、且つマイラ ー保護シールドが設けられ、細片が敏感なＸＩ！マスク膜を損傷するのを防止し 又はマスク上に堆積するのを防止し且つｘｌｌの吸収体として作用するのを防止 した。しかしながら、ナブルほかによって提案されたマイラーシールドは、薄い マイラーシートでさえ入射Ｘ線、特により有効なソフトなＸＩＩの一部を吸収す るので、商業的なＸ１１片版印刷機械に組込むに望ましいものではない。更に、 膜自体は、それが堆積された細片のために益々不透明になるので、又はそれが大 きな部分の細片が衝突するために破滅的な損傷を受けるので定期的に交換され又 は更新されねばならない。

回転するシールドが米国特許４．４０８．３３８でグロブマンによって提案され ており、そこでは交互に開き且つ閉じる溝穴を有する回転円板がＸ線を開いた溝 穴に通過させ且つ細片を閉じた溝穴によって阻止した。１９８７年９月８日に許 可され、本出願の課受入へ譲渡されている米国特許４，６９２，９３４でフォー サイスによって提案されたような細片を排除する他の試みは細片をそらせるため にガスの空気力学的シートを使用することを含む。また、ナブルほかの技術での 細片の問題を克服するために、ＳＰ］Ｅ１３６巻半導体マイクロ平版印刷り些員 １１．４８頁、５２　（１９７８）の「パルス化されたＸＩＩのためのレーザプ ラズマ漁」と題するナブルほかによる論文に記載されているような他の技術が試 みられている。現在、ＸＩＩ平版印刷機械を作る商業的試みは、例えば米国特許 ４，５１４，８５８及び４，５１６，２５３に説明されているように、細片を放 出しないＸ線管をｘｉｓ源として利用している。

細片問題が特に厄介な問題となっているが、ナブルほかによって最初に提案され た技術に利益がある。第１に、源の大きさはレーザビームを小さいスポットに簡 単に集束することによって１常に小さく作られ得る。第２に、提供されるＸＩＩ のバーストの期間はレーザビームが提供される時間をＸＩＩ限することによって 非常に短くされ得る。

最後に、Ｘ線の平均パワーはＸＷＡ管によって発生されるよりも非常に高くする ことができ、在来式の紫外線光源の暴ｉ！儲に匹敵し又はそれを越える暴露量を 達成することができる。ナブルほかの技術のこれら利益の全ては、もし細片問題 が片づけられ又は好ましくは排除されるならば、商業的なＸ線平版印８１機械に 含むためのＸＩＩ源を非常に望ましくする。

ＸＩＩは最新式のＸＩｉ平版印刷機械で近接印刷モードで使用されているので、 暴露され得る機構の大きさは、源の有限の大きさのためにマスク機構の縁の周り に向けられるシャドウの大きさによって制限されることがある。

シャドウのぼけは次の関係に基づいて決定され得る。

δ−３（ｄ／Ｌ） 式中、δは源によって投ぜられるシャドウの幅であり、ｄは源の直径であり、し は源からマスクまでの距離であり、且つＳはマスク及びウェーハの離開距離であ る。例えば、もし５＝２０ミクロン、ｄ−２００ミクロン及びし−７０ミリメー トルであるならば、マスクの縁でのシャドウのほけδは０．００５７ミクロンで あり、それは０．５ミクロンはど小さい又はそれより小さい機構の大きさを印刷 するために許容し得る値である。また、マスク及びウェーハの間の小さい間隔Ｓ は、Ｘ１ｍの短い波長（例えば１４オングストローム）と−緒に、回折によるぼ けを減少する。このように、ナブルほかによって提案されたパルス化されたレー ザ誘起プラズマＸ線源の小さい寸法の故に、プラズマｘｉｓからレジスト被覆ウ ェーハまでの距離は、レジストへ到達し且つその上に所望のパターンを暴露する Ｘ１ｍの強さを最大限にするために約７０ミリメートルまで減少され得る。

７０〜１００ミリメートルの間隔内でそのような蟲エネルギレーザビームを直接 に集束することは、実用的でないほど速い（低ｆ／数）集束システムを必要とす る。

その代わりに、好ましい集束方法はビームをウェーハ平面より上に配置された集 束レンズに通過させ、且つｘＩＩ発生ターゲットの方へ収斂するビームをウェー ハ平面の直ぐ上に配置された鏡で反射することである。ｘｓｉｉターゲット領域 は望ましくは外部ビーム経路に対して減少された圧力に維持されているので、集 束するビームはターゲットを収める排気された空中の窓を通過する。レーザビー ムがプラズマによるレーザエネルギの最大吸収に対して、それ故Ｘ線放射の最大 可能発生に対して４５度又はそれより少ない角度でターゲットの方へ向けられる ので、追加の気化形状的制約が生じる。これらの設計上の制約はビーム運搬光学 機器での少なくとも若干のレーザ集束をＸＩＩターゲットに近づけることは避け られず、且つこれはプラズマ発生過程によって出される細片からの起こり得る汚 染の作用をビーム光学機器に与える。

るに充分なパワーでレーザビームをターゲット上へ集束するごとによって発生さ れるＸ線がマスター基体組合せの方へ向けられてｘＩｌのパターンを基体上のレ ジスト層へａＳさゼるＸＳ平版印刷システムにおいて、ターゲットが支持装置と 、支持装置によって保持されたターゲット物質の漕いシートとを具備することの 改良が提供さる。

ターゲット物質シートはレーザが集束される点においてターゲット物質全体の融 触を、レーザパルスが提供される時間中に実質的に完了させるに充分な厚さを有 する。

該ターゲットでは、プラズマからターゲット内層面中への熱伝導によって発生さ れる細片は、ｘＩ！発生に必要なターゲット物質の小量だけがプラズマ加熱サイ クル中に融触されるので最小限にされる。従来技術では、他のものが細片を排除 することに関係しない目的のために薄いターゲットにレーザビームを向けている 。例えば、ジョンソンほかに対する米国特許４，２９０．８４７及びブルクナー に対する４、６０８．２２２では、シュウチリウム及びトリチウムで充満された マイクロカプセルに熱核反応を起こす試みでレーザを衝突させている。他のもの はＰｈｙｓ、　Ｈｕｉｄ　２３巻、５号、１０１２〜１０３０頁（１９８０）の りビンはかの１Ｏ−１０Ｗ／ａＲにおける薄い箔のレーザープラズマ相互作用及 び融触加速度にあけるように物質の加速度対レーザ加熱を研究するために薄い箔 を使用している。Ｘｉ！ｖＪｆｆのための薄い箔の使用の利益ｔまこれまで実現 されていない。これらの利益を実現するために、レーザプラズマ細片発生の多く のことれまで知られない機構を考慮しなければならない。

本発明の１つの好適な実施例が次の図面を特に参考として以下に説明される。

第１図は従来技術によるＸＩ！平版平版印刷用いるＸ線発生装置を示し、 第２図はターゲット上のレーザビームの焦点スポットの周りの細片の溶融滴及び 蒸発物質部分の角度方向変位の図を示し、 第３図は細片及びイオンの両方共にレーザパルス誘起プラズマから放出される細 片の質量対角度方向変位及び高エネルギイオン数対角度方向変位の２つの重合せ たグラフを示し、 第４図は第１図のものと同様なｘｍ発生装置であって、発生されるプラズマから 放出される溶融滴及び蒸発物質細片の最小質量を利用するためにレーザビーム及 びマスクの特別の配置を有する装置を示し、 第５図は第４図に示すターゲット形状の利用する長寿命ターゲットの横断面図を 示し、 第６図は第５図に示すターゲットの底面図を示し、第７Ａ図及び第７Ｂ図からな る第７図はプラズマの発生中の拡大図を第７Ａ図に示し且つターゲット質量中に 空所をあけるプラズマからの熱の作用を第７Ｂ図に示し、第８Ａ図及び第８Ｂ図 からなる第８図は第８Ａ図にプラズマが形成される１１間の質１ｉ１１Ｊ限ター ゲットを示し、且つ第８Ｂ図にプラズマ終了後の該ターゲットを示し、第９Ａ図 及び第９Ｂ図からなる第９図は商業的な長寿命ターゲットに適合する改良された 質量制限ターゲットを第９Ａ図に示す上面図で示し且つ第９Ｂ図に示す１つのタ ーゲット領域の断面図で示し、 第１０図は、質ｉ１閥限機構を組入れた、第４図に示す長寿命ターゲットと同様 な、長寿命ターゲットを示し、第１１Ａ図及び第１１Ｂ図は、溝間にレベル領域 を含む、第１０図の長寿命ターゲットのより詳細な図をそれぞれの横断面図及び 底面図で示し、 第１２図はここで説明される新規なターゲット構造によって許される利点を利用 するＸ線平版印ｆＩＡ機械の構成部品の配置を示し、且つ 第１３図は第１０図及び第１１図に示す新規なターゲットｌｌｉ造を製作する方 法を例示するブロックｓｉ図を示す。

さて、第１図を参照すると、基本的な従来技術のパルス化されたレーザビーム誘 起プラズマＸ線平版印刷システム１ｏが図示される。この基本的なシステム１０ は前記した米国時ｒＦ４，１８４．０７８でナブルほかによって鍛初に説明され 、且つしつかりした金属ターゲット１８の焦点スポット１６にレンズ１４によっ て集束されるレーザビーム１２を含む。ビーム１２に充分なパワーを備えること によって、プラズマ２０がソフトなＸ線２２を発生する形式でスポット１６に発 生される。Ｘ１ｉｉ２２の若干はレジスト層２６で被覆されたヒ化ケイ素又はヒ 化ガリウムのウェーハ２８の方へＸ線マスク２４を通して適用されてマスクのパ ターンによって規制されるパターンをレジスト層２６上に暴露することができる 。

ｘＩｌ２２を発生することに加えて、システム１０は、プラズマ２０を発生する に必要とされる少なくとも１５万℃の高温度の結果として細片３０をも発生する 。細片３０はターゲット１８からはねかえされた金属の溶融滴、蒸発した金属及 び高エネルギイオンの形をとり得る。各種形式の細片３０のうち、高エネルギイ オン及び溶融滴は平版印刷方法に直接の反対の作用を及ぼすことがであるが、蒸 発した金属は単にマスク２４上に集まるだけであり、且つ蒸発金属の量がｘＩｌ を吸収し始めるに充分になるまでは重大な作用を及ぼさない。

細片の高エネルギイオン部分はマスク２４を加熱することがあり、それによりマ スクの反りを生じ且つマスク２４及びレジスト層２６の間に必要とされる臨界間 隔を変える。かなりの質量を有する溶＠滴はスポット１６がら跳ね掛けの形で放 射され、即ちターゲット表面近くの液体プールの表面上の力は膨張するプラズマ への初期の反応から現れる。もし溶融滴がマスク２４に衝突するならば、相当な １１１ｍがマスク２４の１〜２ミクロン厚の膜基体に起こることがある。事実、 溶融滴はマスク２４の膜を通して完全に移動することができ、又はマスク２４の 膜中へ埋没することができ、それによりマスク２４を使用不能にさせる。過去に 、シールドが、前記したナブルほかおよびグロブマンの特許に説明されるように 、蒸発金属及び溶＃＆滴がマスクへ遼するのを阻止するために使用されている゛ 。そのようなシールドは不運にも細片を阻止すると共にＸＩ！の若干を吸収し、 且つ単一のレーザ照射からさえ溶融滴細片からの破滅的な損傷を受ける。

更に、従来技術は、マリ−への米国特ｉ４．１７５，８３０で提案されるように 、高エネルギイオンをマスク面からそらすために磁石を使用することを教えてい る。これは真空環境で有効であるが、どの環境においても中性物質細片に作用し ない。

次に、第２図及び第３図を参照すると、第１図のスポット１６でプラズマ２ｏか ら放出される細片３ｏを分析することによって次のことが発見されている。即ち 、（１）　細片質量は溶融した滴及び蒸発したターゲット物質の両方を含むこと 、 ｔｚ　ｉｓ片３０の溶融滴部分は細片３ｏの質量の大部分を構成し且つ２つの分 離したはっきり大きな細片群３２及び３４に集中されること、 （３）　細片３０の蒸発金属部分は概ね細片の全質量の小部分であり且つ概ね均 等に分配されること、及び１４１　ｉｌ１片３０の高エネルギイオン部分はター ゲット１８に対して直角なＩ！３８に沿って最高であり且つターゲット１８への 法線から約４５°の点まで徐々に減少されることである。

（５）　大部分が第１図でレーザ軸線Ａ＆：泊って後ろへ向けられる若干の散乱 されたレーザ光線は軸線已に沿ってターゲットからスペクトル的に反射される。

２つの大きい細片群３２及び３４のうち、群３４はプラズマ２０の中心において ターゲット１８に対して直角な線３８の周りに対称的に集中され、且つ円錐形状 にされた群３２はレーザエネルギ及びターゲット組成物に依存して法１１３８か ら約４５°〜５５°の軸線の周りに集中される。最大物質細片質−の２つの群３ ２及び３４の間で放出される細片質量の最小４０量は蒸発物質だけを含み且つｗ ａＦＨを含まないと信じられる。加えて、入射レーザ放射はこの領域で発散され る光線を最小限にするように設定され得る。

溶融滴及び蒸発金属からなる物質細片３０に関するこの発見は、スポット１６の 周りでプラズマ２０から放出される細片の角度方向変位対ＩＩとして第２図に示 される。同じ情報は在来式のＸ−Ｙグラフとして第３図に示される。第３図はプ ラズマ２０から放出される高エネルギイオン数の角度方向分散をその上に重ね合 せて更に有する。第３図から理解され得るように、プラズマ２０から放出される 物質細片３ｏの質量は法線３８に沿ってターゲット１８までのピーク３４と、法 線から約５５°の軸線における別のピーク３２とを有する。プラズマ２゜から放 出される物質細片３０の最小質量は法線３８から２０゛及び３５°の間で離れた 点４０において起こり、且つ大きく減少した細片は第３図の曲線の１５°及び４ ５°点の間で発生され、即ち、点プラズマ２０に６いてターゲット１８からの法 線３８から１５°及び４５゜の間で発生される。第２図及び第３図の曲線の点４ ００周りの細片質量は大部分がスポット１６の周りに概ね均等に分配されるター ゲット物質細片３０の蒸発金属物質部分であると信じられる。法線３８から２０ 〜２５°の間の角度においてターゲット１８上へ入射するレーザビーム１２を選 択することによって、分散される光線の大部分が約１５〜３０°の間の角度にお いて軸線△又は已に沿って後退する。

更に第３図から、高エネルギイオンの数は洗練３８から３０”を越えると低くな ることは理解され得る。この故に、たとえマスク２４及び基体２６を法［１３８ から３５°〜４５°の閤の角度の軸線と一致するように整合させでも、実質的に 溶融滴細片又は分散光線ではなく高エネルギイオンの低い量が臨界マスク２４膜 表面に衝突するであろう。この角度からマスク２４に衝突する高エネルギイオン の量はマスクがプラズマ２ｏから約７０ミリメートルであることを考ｉ！すると 低く且つ許容し得る限界内であり、且つ第１２図に関して後述するようにかかる イオンは１つの雰囲気ヘリウム環境を通ってマスク２４へ移動する時に消散され る。後述するように、細片問題に関係しない他の利益はターゲット１８の配置角 度を４０”〜４５°の範囲まで移動することによって連成される。

次に第４図を参照すると、レーザビーム１２及びレンズ１４、ターゲット１８及 びマスク２４の好ましい整合の線図が、細片を分散させるために見つけられてい る様式を利用するために図示されている。第４図で、前に説明した同様な構成部 品は同じ参照数字を与えられている。

第４図に示すように、ターゲット１８はターゲット２４及び基体２８が存在する 平面に関して４５°の角度で配置される。加えて、レーザビーム１２はレンズ１ ４によって集束され且つ法Ｉ！３８から２０°の角度からスポット１６へ適用さ れ、そのスポットにおいてプラズマが形成される。第４図に示すように、レンズ １４は細片３０の経路中に示されるレーザ光学要素であるが、実際には排気され た空中にシールされた窓が細片３ｏの経路中の光学要素である。最後に、マスク ２４がビーム１２から法１１３８の他方の側で本！３８から４５°の角度で配置 される。このようにして、レーザビーム１２、及びその関連した光学要素、及び マスク２４の両方は最小細片輪１１４０との整合に近づいて配置され且つ特にス ポット１６から０°及び５０〜５５°軸線の周りに放出される損傷を与える溶融 滴から離れて配置される。この配置は、レンズ１４によって第４図で代表される 光学要素及び繊細なマスク２４膜の両方に対する損傷を防止するように構成され る。

従来技術で！ｉ！！識されているように、ターゲット１８が数秒毎に生ずるレー ザパルスの率で４〜８時間の間の連続使用のような比較的長い寿命をもつことが 必要である。

ターゲットがそのような長い寿命をもつために、円板又はテープの形状の部材を 設は且つ各照射後に小量回転させることが提案されている。このようにして、円 板に沿う全トラックが使用される。次に円板は横方向へ移動され且つ完全な段階 的回転が再び起こる。このようにして、複数のターゲット領域の複数のトラック が各ターゲット１８上に作られ得る。例えば、前記した米国特許３．７４３．８ ４２を参照されたい。

第４図に示す角度でレーザターゲット１８を配置する際に、ターゲット表面の位 置がターゲット１８及びマスク２４の間の空間中へ侵入することは明らかである 。Ｘ線平版印刷システムの好適な実施例では、該空間は、望ましくはウェーハ２ ８をマスク２４へ整合させるために例えば光学システムのような他の構成部品又 はサブシステムによって占められる。このため、第４図に示すターゲット形状は 商業的なＸｌｉ平版印刷機械で許容できない。

次に第５図及び第６図を参照すると、第４図に関して説明した望ましい配置を利 用し且つ更に従来技術の回転円板ターゲットと同様な長寿命を有する改良された ターゲット４４構成が図示されている。第５図で、前述した同様な要素は同じ数 字表示を与えられる。最大細片質量の２つの群３２及び３４は群の軸線に沿う！ ｉｌｌとして図示されることは注目されるべきである。更に、ターゲット４４は その細部を一層明瞭に示し得るために他の要素との関係で拡大して図示されてい る。

ターゲット４４は直径約３〜６インチ（７６，２履〜１５２．４嗣）の丸い円板 の一般的な形状を有し、４インチ（１０１，６ａ＊）が公称デザインである。タ ーゲット４４の頂側は、基体２８が歩道操作中に移動される平面に対して及びマ スク２４が配置される平面に対して平行である。ターゲット４４の頂部は、ター ゲット４４をその頂部の平面で回転させ且つ横方向へ移動するために使用される ターゲットチャック及び歩進器モータ移動装Ｗ（第５図に図示せず）によって保 持される。ターゲットの底部に、即ちレーザビーム１２が集束されるターゲット ４４の側に、一連のターゲット領域が複数個の同心円状トラックの周りに画成さ れ、且つ各ターゲット領域は歩道器モータによって集束されるレーザビーム１２ を横切るように配置し得る。

第６図に示すように、ターゲット４４の底部は一連の予成形された同心状溝４６ を有し、且つ多溝は対向側４８及び後ろ側５ｏを有し、対向側４８はレーザビー ム１２が入射するように横方向及び回転運動によって整合される時にそれに集束 されたレーザビーム１２を有する。

第５図に示すように、多溝の対向側４８はその頂側に関して３０°の角度で配置 され、且つターゲット４４のための移動装置はターゲット４４を横方向へ移動す るようになっており、それにより満４６の対向側４８のそれぞれはレーザビーム １２を入射するように整合される。このようにして、レーザビーム１２が入射す るターゲット領域表面は第４図に示す角度と同じ角度にある。溝４６の後ろ側５ ０の角度は重要ではないが、該角度は溶＠滴、蒸発物質又は高エネルギイオンの 細片３ｏがそれによって遮られないようにするに充分であるべきである。

溝４６の対向表面４８の４５°の角度の選択は溶融滴及び高エネルギイオンの両 方を最小限にする希望性に基づいており且つこの目的を達成するために適するよ うに第３図によって示されている。しかしながら、若干の場合には、高エネルギ イオンは第１２図に関して後述するようにマスク２４への移動中に１つの雰囲気 ヘリウム充満経路を通過させるような他のファクターによって減衰されることが でき、それにより角度を他のファクターによって設定し得る。考慮する必要のあ る考案はターゲット４４に配置されるトラックの数を含み、それはより急な角度 を要求し、従って溝４６の幅をより狭くし、又はレーザビーム１２が与えられる 角度を増す要求を含み、それもより急な角度を要求する。

第５図及び第６図に示すターゲット４４は細片３０問題、従って従来技術の厄介 なことの多くを回避する。しかしながら、細片の源の追加の研究はそれが殆ど全 部排除され得ることを示している。次に第７Ａ図及び第７Ｂ図からなる第７図を 参照すると、細片の源の説明が与えられる。第７図で、第１図に関して先に説明 したものと同様な構成部品は同じ数字の表示を与えられる。第７Ａ図で、レーザ ビーム１２はターゲット１８の焦点スポット１６に集束される。焦点スポット１ ６は第１図から拡大されて２００ミクロン直径円であり、且つレーザビーム１２ は約１０〜２０ナノ秒のバルスヒームとして与えられる。

レーザビーム１２が与えられた直後に、プラズマ２０は形成され且つターゲット １８表面の頂部１〜２ミクロ＞５２は７５ズｖ２０が約１５０，０００℃〜５０ ０゜０００℃の温度まで高められるにつれて融触される。プラズマ２０の形成及 び持続中のターゲット物質１８の融触５２の実際の量はレーザビーム１２のパワ ー及び持続時間に依存し且つターゲット物質の選択に依存する。これはプラズマ ２ｏがターゲット１８から離れる方向へ発生され、且つターゲット１８上又は中 に発生されないためである。このＸ線放出プラズマ２０の状態はレーザ１２のパ ルスの持続時間の間及びその後数ナノ秒の間続く。

しかしながら、ターゲット物質の５２はレーザビーム１２パルスの提供中に実質 的に完了する。プラズマ２ｏが存在する時間中、ソフトなｘｉがそれから連続的 に放出される。レーザビームが止むと、プラズマ２ｏは冷却し始め、且つ数ナノ 秒後にＸ線放出は停止し且つプラズマ２０は消散する。この時、プラズマ２ｏが らの若干のエネルギが領域の運動量保存の故にターゲット１８中へ垂直に移動す る。

次に第７Ｂ図を参照すると、熱がターゲット１８物質中へ伝導するにつれて、空 所５４がターゲット１８物質の溶融及びイオン化のために形成される。溶融した ターゲット１８物質は先に説明した溶融滴を放出し、且つ溶融したターゲット１ ８の部分は先に説明した蒸発金属として放出される。約１マイクロ秒のオーダー の時間の後、熱は充分に分配され、それにより空所５４はもはや寸法を増加せず 且つそれ以上の細片２０は放出されない。

上の説明から、パルス化されたレーザビーム１２で誘起されるプラズマ２ｏの有 用な結果、即ちソフトなＸ線２２がプラズマ２０の存在中に発生され且つこの時 間中にターゲット１８物質の約１〜２ミクロンだけの融触５２が起こることは明 らかである。パルス化されたレーザビーム１２で誘起されるプラズマ２０の無用 な且つ望ましくない結果、即ち細片３０は、Ｘｌ１２２が放出を停止した後の空 所５４の形成中に発生される。

次に第８Ａ図及び第８Ｂ図からなる第８図を参照すると、第７図に関してなされ た観察を利用する質ｌｌ１１限ターゲット５６が図示される。ｖｉ量制限ターゲ ット５６は支持体５８と、１〜２ミクロンの間の厚さの薄い金属膜６０とを含む 。ＷＡ６ｏの正確な厚さはそれへ適用されるレーザビーム１２のパルスのパワー 及び持続時間に基づいて選択される。Ｉ！１６０の厚さはＸ線がプラズマ２０か ら放出される時間中に膜の厚さ全体の融触を許すに充分であるべきである。実際 に、融触はレーザ１２パルスの提供時間中に実質的に完了する。今日のレーザ技 術及び利用し得るターゲット密度に基づくターゲット６０の厚さの外限界は１／ １０ミクロンと１０ミクロン程度との間であるが、前述したように１〜２ミクロ ンの間が好ましい。

第８Ａ図に示すように、レーザビーム１２が膜６０に衝突すると、プラズマ２０ が発生され、且つターゲット！１Ｊ６０物質の融触はレーザ１２の焦点スポット の周りの１１６０の厚さ全体が融触されるまで起こる。１Ｉ６０の厚さ並びにレ ーザビーム１２のエネルギ及び持続時間を適当に選択することによって、Ｘ線放 出プラズマがレーザど−ムコ２バルス後長くこれを持続するので、１１６０はレ ーザビーム１２パルスの後縁が起こる時間だけ実質的に！！蝕され且つレーザビ ーム１２パルスの後縁投数ナノ秒全体的に！！蝕される。プラズマ２０はそれが 冷却するとＸＩ！の放出を停止する。従来技術で第７Ｂ図に示す空所５４を形成 した熱は、焦点スポット１６から外方へ膜６０（第８Ｂ図参照）を通して半径方 向へ伝導し、それにより膜６０にむしろ大きい直径の穴６２を作る。大きい穴６ ２のために、ターゲット５６は交換が必要とされる前に単一のターゲットに作ら れ得る制限されたスポット数のために商業的利用を制限される。更に、熱が半径 方向へ消散されて穴６２を形成する時、細片が更に発生される。この種類の細片 は蒸発金属及び支持構造細片であり且つより直ちに破滅的な溶融滴細片ではない 。

次に第９Ａ図及び第９Ｂ図からなる第９図を参照すると、商業的種類の質１副限 ターゲット６４が図示さる。

第９Ａ図はターゲット６４の頂面図を示し且つ第９Ｂ図は１つのターゲット領域 ６６の破断図を示す。第９Ａ図を参照すると、ターゲット６４はそれに作られた 複数個の同心円即ちトラックの隣接するターゲット領域６６を有する円板形状の ｍｕであり、各トラックは多数の該ターゲット領域６６を有する。別に、ターゲ ット６４はテープの長さに沿って作られた複数個の列のターゲット領域６６を有 するカセットテープとして設計され得る。

第９Ｂ図に、１つのターゲット領１ｔ６６が図示される。

ターゲット領域６６はケイ素、金属又はプラスチックであり得る基部物質６８に 作られ、それらの全ては在来の技術によって調製され得る。基部物質６８は良好 なヒートシンクとして作用するように選択される。例えばポリイミド又はマイラ ーのようなポリマー物質の薄い膜又はフィルム７０がターゲットの底部、即ちレ ーザど一ム１２が集束される側に固定され、且つ例えばステンレス鋼のターゲッ ト物質７２がフィルム７０上にスパッタリングによって付着され又は別の方法で フィルム７０へ固定される。別に、膜７０は、窒化物物質（窒化ケイ素又は窯化 硼素のような）、オキシニトライド物質（シリコンオキシニトライドのような） 、セラミックまたは他の誘電体物質又はチタンのような金属の薄いフィルムであ り得る。フィルム７ｏの必要な特性は、それが良好な熱伝導体であること及び金 属ターゲット物質７２がフィルム７０の厚さにもかかわらず通常の処理技術によ ってそれへ容易に付着されることである。

プラストマスク７１が膜支持体７０の上に加えられ且つ幾つかの作用を行うこと ができる。第１に、それは細片を隣接のターゲット領域６６から離れる方へ向け 、それにより寸法のより密接した詰込みを可能にする。更に、それは別のヒート シンクとして作用し、それにより発生される中性の細片の量を制限する。最後に 、それは溶解した穴の縁での粒子発生の可能性に対する特別のものを提供する。

プラストマスク７１は機械的剛度及びかなりのヒートシンク能力を備えるために ２５ミクロン厚さより大きくあるべきである。

ターゲット物質７２の寸法は焦点スポット１６の直径よりも少なくとも僅かに大 きいように選択される。例えば、集束されるレーザビーム１２の焦点スポットが 直径２００ミクロンである場合、ターゲット物質７２は３００ミクロン直径の円 であり得る。次に、約５００〜１５００ミクロン直径の穴７４が基部６８を通し てフィルム７０まで作られる。穴７４は通常の技術によって基部物質をエツチン グすることによって形成され得る。別に、穴７４は最初に形成されることができ 且つフィルム層７０が穴７４の上に適用されることができた。このように、穴７ ４はレーザ穴あけ、又は通常の機械加工、又はエツチングによって形成されるこ とができた。更に、基部６８は穴７４を成形したプラスチック又は金属であり得 る。

ターゲット物質の寸法は穴７４と同じ位大きいことができ、又はフィルム７０を 全部覆うことができる。

作動中に、レーザビーム１２がターゲット物質７２上に集束されると、プラズマ ２０が形成され且つターゲット物質７２の厚さ全体がプラズマ２ｏの存在中に融 触される。プラズマ２０が終了した後、熱が残りのターゲット物質７２によって 及びフィルム７０によって基部６８の方へ且つその中へ半径方向に伝導される。

熱はもはや第７図に示すように従来技術での状態であるような１つのスポットに 集中しないので、空所が基部６８に形成されず、それ故かなりの量の蒸発した細 片だけが残りのターゲット物質７２及びフィルム７ｏを蒸発することから放出さ れる。従って、基部６８及びプラストマスク７１はプラズマ２０からの熱のヒー トシンクとして作用し、加えて形成される横方向穴の寸法を制限し、それにより 第８Ｂ図に示す問題を解決する。

次に第１０図を参照すると、商業的なターゲット７６が図示され、それには第７ 図〜第９図に関して上で説明した質量制限ターゲット概念が第５図及び第６図に 示すターゲット４４１念に組入れられている。ターゲット７６は、レーザ１２が 衝突する底側か複数個の同心溝７８を有し且つ合溝がレーザ１２によって衝突さ れる対向側８０と、反対側８２とを有することでターゲット４４と同様である。

更に、対向側８ｏ及び反対側８２の角度方向配置は、前述したようにマスク２４ 及びレーザビーム光学要素の両方を最小細片点４０及び４２と整合させることが できる。ターゲット７６の基部物質８４は、ターゲット４４に必要とされる物質 よりはむしろケイ素つ工−ハ、プラスチック、又は金属のような便利な物質で作 られ得る。加えて、フィルム８６はターゲット７６に対する溝付底部側に配置さ れ且つターゲット物質８８は合溝７８の対向側８ｏに沿って予め画成された隣接 位置においてフィルム８６の上に付着される。ターゲット領域８８のそれぞれは プラズマの存在中に実質的に全部の融触を許す厚さを有するように選択される。

最後に、穴９０が金属ターゲット領域８８のそれぞれの上に配置される。この構 造では、質量制限ターゲット概念は細片制限及び長寿命ターゲット概念を組入れ ており、長寿命ターゲットを提供し、以前放出され得る細片から重要な要素を防 護するシステムで使用するために適当に配置することによって放射される細片を 最小限にする。

次に第１１Ａ図及び第１１Ｂ図を参照すると、ターゲット７６の別の実施例の拡 大詳細図が図示される。特に、第１１Ａ図にターゲット７６の溝付側部の部分の 平面図が図示され且つ第１１Ｂ図に第１１Ａ図の線１１Ｂ−１１Ｂを横切る横断 面図が図示される。第１１Ａ図及び第１１８図で、穴９０は側部８ｏに対して垂 直に配置され且つ直径約０．６〜１．０ミリメートルに作られる。

穴９ｏは表面８０に対して垂直であり且つ例えばレーザビームによって作成され 得る。フィルム８６はターゲット７６の溝付表面全体の上に配置され且つ直径約 ０．２０ミリメートル〜０．３０ミリメートルの円形金属ターゲット８８は穴９ ｏのほぼ中心にお番ブる位置においてフィルム８６上に配置される。対向側部８ ０は長さ約０．８３０ミリメートルであり且つターゲット７６の底部の平面から 約２５°の角度で配置され、且つ反対側部８２は長さ約１．１２５ミリメートル であり且つターゲット７６の平面から約２５゛の角度で配置される。長さ約０． ３０ミリメートルを有し且つターゲット７６の平面と平行に配置された平坦部が 合溝を分離する。

上の寸法によって、各溝間の中心から中心までの間隔は約２．００ミリメートル である。これらの寸法によって、その中心線の方へ収斂するレーザビーム１２は ターゲット８８からの垂線から離れる方へ２０”の角度（中心線）で且つターゲ ット７６の水平面から２５°の角度で提供され得る。この配置は放出される細片 をａｌｌなマスク２４の膜から離れる方向へ移動させる。

合溝を分離する平坦な領域９２は、ターゲット７６の平行に関する垂直方向位置 及び整合を感知するためのシステム１０の感知装置（図示せず）によって使用さ れ得る。これらのパラメータの両方はレーザビームをターゲット領域８８に集束 することによってＸ１１を発生するためにターゲット７６を使用する時に重要に なる。もしターゲットが高過ぎ又は低過ぎ又はレベルがでないことを感知される ならば、ターゲット７６の位置を調節する装置（図示せず）がシステム１０と共 に設けられることができ、それにより金属ターゲット領域８８はレーザビーム１ ２の所望の焦点位置に配置され得る。

次に第１２図を参照すると、第１０図の改良されたターゲット構造を組入れるＸ 線平版印刷システム１００が図示される。よく知られているように、ターゲット 表面上の集束されたレーザビーム１０４の入射角度は、焦点スポットが大き過ぎ るほど広がるのを防止するために約４５°よりも小さい。従来技術の平坦な長寿 命ターゲットでは、レーザビームの狭い入射角度の必要並びにプラズマを形成す るターゲット領域とレジスト被覆ウェーハとの間の間隔が７０ミリメートルを大 きく越えないことの必要が、非常に速いレーザ集束レンズを必要とし且つ収斂す る集束ビームの単位領域当りの高パワーを処理し得る特別に被覆された光学要素 を要する結果を生じる。

ターゲット１０２に加えて、ＸＩ！平版印刷システム１００の他の主要な構成部 品は、レーザビーム発生装置（図示せず）、レーザビーム１０４の方向付は及び 集束！１１０６、ターゲットを中に配置する排気室１０８、マスク１１ｏ及びチ ップ製作平版印刷技術で使用される通常の歩道器システムであり得るウェーへ歩 道器組立体１１２を含む。排気室１０８内にターゲット取扱装＠１１４があり、 該ターゲット取扱装置はターゲット１０２を移動させるための横方向モータ及び 回転モータを含み、それによりその各ターゲット領域は集束レーザビーム１０４ を入射するように移動される。レーザ集束システムは、集束された２０ジユール のレーザビームを２００ミクロン直径の焦点スポットでターゲット上へ向けるた めの通常の構造の反射！１１３及び１１５及び集束レンズ１２０を含む。

ターゲット１０２を収容し且つプラズマが中で発生される排気室１ｏ８はプラズ マを形成させるために２０トルより低い圧力（ヘリウム雰囲気中）に維持されね ばならない、排気室１０８の外側に、１つの雰囲気ヘリウム環境が存在する。排 気苗１０８ヘレーザビームロ１１６及び差コラム１１８が連結される。排気され る０１１６はレーザビーム１０４の入射角度で配置され、且つレーザビーム１０ ４を０１１６へ入れると同時に室１０８の内側及び外側の間に圧力差を維持する シールされた窓１２２を含む。差コラム１１８はマロツジほかへの米国特許４， ４８４，３３９に記載されているものと同様であることができ且つ１つ以上の中 間至２４を含むことができる。差コラム１１８の出力部分１２６の１つの雰囲気 ヘリウム環境は高エネルギイオンがマスク１１０に衝突するのを阻止する。更に 、中間空１２４と関連した排気口１２８と排気’１１０８と関連した排気口１３ ０とは、かなりの空気流を差ロラム１１８の２つの開口１３２及び１３４を通し て生じさせる。この空気流は、質量制限ターゲット１０２によって依然形成され 得る小さい細片がマスク１１０の方へ伝達されるのを阻止する傾向を更に有する 。

ターゲット１０２の合溝の対向側部はターゲット１０２が移動装！１１１４によ って移動される平面に関して４５°の角度で配置される。これは、プラズマが形 成される点から、従ってプラズマが終了した後に形成され得る溶８１滴の経路か ら直ぐ下方にマスク１１０を配置することを許す。更に、レーザ口１１６は垂直 線から６０゜の角度で配置されて溶融滴細片の最小領域にある。溶融滴細片の最 小領域は鎮Ｉ！Ｊ１３６．１３８及び１４０によって示され且つ第２図の２つの 群３２及び３４に対応する。第１２図に示すようにレーザ口１１６を約６０°に 配置し得ること及びターゲット１０２の入射面に対して４５°限界内にレーザ入 射角度を依然維持し得ることによって、集束レンズ１２０及びターゲット１０２ の間の距離は大きく増加される。これはレンズコーティングを！１１１５及び窓 １２２に適用することを許し且つ更により小口径の、即ち大きいｆ数のレンズ１ ２０を使用することを許す。

次に第１３図を参照すると、ターゲット７６の製作の仕方を例示するブロック線 図が図示される。基本的なプロセスは２つの基本的なステップ、即ち素材を準備 するステップ１４２と素材を加工するステップ１４４とを含む。ステップ１４２ のｔｌＬｉｉされる素材はプラスチック素材又は金属素材のいずれかであり得る 。プラスチックであるならば、それはブロック１４６で示すように射出成形技術 によって作られ得る。成形は素材に穴９ｏを有し又は有していないことができ且 つこれは穴が第９図及び第１０図に示すように垂直であるか、又は第１１Ｂ図に 示すようにターゲット物質８８に対して垂直であるかに依存することができる。

もし成形される素材がブロック１４６において穴９０を形成されないならば、ブ ロック１４８に従って、穴９０は例えばレーザビームを使用して穴あけ加工され る。もし金属の素材が使用されるならば、ブロック１５０は素材が溝７８の適当 な寸法及び配置を有するように機械加工される。次に、ブロック１５０に従って 、穴は例えばレーザビームによって加工された素材に配置される。

次に、素材を加工する主要なステップ１４４はフィルム８２及び金属ターゲット 領域８８が付加されることを必要とする。最初に、ブロック１５４に従って、薄 いマイラー又は他の適当な物質のシートが準備される。次に、ブロック１５６に 従って、ステップ１４２から準備された素材は紫外線硬化反応接着剤又はエポキ シを素材の溝付表面へ付加させる。これは接着剤の均等な厚さを生じるために素 材を旋回することによって塗布され得る。次に、ブロック１５８に従って、準備 されたマイラーフィルムシートは接着剤を被覆した素材に接合され且つそれに対 して向けられる紫外線光によって所定の位置に硬化される。マイラーシートはブ レス嵌合装置、穴９０へ取付けられる真空、又はその両方の技術によって素材へ 接合され得る。良好な嵌合が満７８の底部よりはむしろ穴９ｏを取囲む領域で起 こることが最も重要であり、この故に真空技術が望ましい。最後に、ブロック１ ６０に従って、金属ターゲットと領域８８がスパッタリングのために穴９０の中 心と整合されたマスクを利用する既知のスパッタリング技術によって付加される 。

手続補正書 １．事件の表示 ＰＣＴ　／　ＵＳ　８８　／　０２８８２２、発明の名称 質量制限ターゲット ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 インコーホレーテッド ４、代理人 居　所　〒１００東京都千代田区大手町二丁目２番１号新大手町ビルヂング３３ １ 同時に出願審査請求書を提出してあります。

η・ら （特許請求の範囲の第３項七第１８項および第２２項を削除する。） 「２、特許請求の範囲 １、Ｘ線放出プラズマ（２０）を発生するに充分なパワーでレーザビームパルス （１２又は１０４）をターゲット（１Ｂ、　４４．５６．６６、７６又は１０２ ）上へ集束することによってＸ線（２２）が発生され、前記発生されたＸ線（２ ２）がマスク−基体組合せ（２４，２８又は１１０．１１２）に衝突してＸ線の パターンを前記基体（２８又は１１２）上のレジスト層（２６）へ暴露させるＸ 線平版印刷システムであって、前記ターゲット（１Ｂ、４４．５６．６６、７６ 又は１０２）が支持装置（４４，５８，６８又は８４）と、前記支持装置（４４ ，５８，６８又は８４）によって保持されたターゲット物質（６０，７２又は８ ８）の薄いシートと、前記ターゲット物質（６０，７２又は８８）のシートが前 記レーザパルス（１２又は１０４）が提供される時間中に前記レーザパルス（１ ２又は１０４）が集束される点においてターゲット物質（６０゜７２又は８８） 全体の融触を許すに充分な厚さを有することとを特徴とするＸ線平版印刷システ ム。

当　前記支持装置４４５８６８又は８４　が前記Ｘ−線放出プラズマ（２０の終 端後に存在する熱の３、Ｘ線（２２）のパターンをレジスト被覆（２６）要素（ ２８又は１１２）上に、Ｘ線放出プラズマ（２０）を形成するためにターゲット （５６，６６，７６又は１０２）においてパルス化されたレーザビーム（１２又 は１０４）を集束すること及び前記プラズマ（２０）によって放出されたＸ４％ （２２）の経路中にマスク（２４又は１１０）及び前記要素（２８又は１１２） を整合させることのステップによって暴露する方法であって、前記レーザパルス （１２又は１０４）が生じる間に前記レーザパルス（１２又は１０４）の焦点に おいてターゲット物質（６０，７２又は８８）の厚さを実質的に融触することを 特徴とする方法。

先　前記プラズマ（２０）からの熱を前記焦点スポットから半径方向へ離れる方 へ向けることを更に特徴とする特許請求の範囲第主項に記載の方法。

色　前記熱を前記ターゲラ）（６６，７６又は１ｏ２）の基部を形成するヒート シンク（６８又は８４）中へ消散させることを更に特徴とする特許請求の範囲第 旦項Ｘ追募土盪に記載の方法。Ｊ 国際調査報告

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. １．Ｘ線放出プラズマ（２０）を発生するに充分なパワーでレーザビームパルス （１２又は１０４）をターゲット（１８、４４、５６、６６、７６又は１０２） 上へ集束することによってＸ線（２２）が発生され、前記発生されたＸ線（２２ ）がマスクー基体組合せ（２４、２８又は１１０、１１２）に衝突してＸ線のパ ターンを前記基体（２８又は１１２）上のレジスト層（２６）へ暴露させるＸ線 平版印刷システムであつて、前記ターゲット（１８、４４、５６、６６、７６又 は１０２）が支持装置（４４、５８、６８又は８４）と、前記支持装置（４４、 ５８、６８又は８４）によつて保持されたターゲット物質（６０、７２又は８８ ）の薄いシートと、前記ターゲツト物質（６０、７２又は８８）のシートが前記 レーザパルス（１２又は１０４）が提供される時間中に前記レーザパルス（１２ 又は１０４）が集束される点においてターゲツト物質（６０、７２又は８８）全 体の融蝕を許すに充分な厚さを有することとを特徴とするＸ線平版印刷システム 。
2. ２．前記ターゲツト物質（６０、７２又は８８）が０．１及ひ１０ミクロンの間 の厚さの金属の層であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のシステム。
3. ３．前記ターゲツト物質（６０、７２又は８８）が１．０及び２．０ミクロンの 間の金属の層であることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のシステム。
4. ４．前記支持装置（４４、５８、６８又は８４）がフイルム（７０又は８６）に よって覆われた開口（７４又は９０）を有し、且つ前記ーゲツト物質（６０、７ ２又は８８）が前記フイルム（７０又は８６）の上で且つ前記開口（７４又は９ ０）の下に配置されることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のシステム。
5. ５．前記ターゲット物質（７２又は８８）の表面領域及ひ前記開口（７４又は９ ０）が両方共に前記レーザビーム（１２又は１０４）の焦点スポットの領域の大 きさのオーダー内であることを特徴とする請求の範囲第４項に記載のシステム。
6. ６．前記開口（７４又は９０）の横断面積が前記レーザビーム（１２又は１０４ ）の焦点スポットの寸法の二倍より大きくない寸法を有し、且つ前記ターゲツト 物質（７２又は８８）の面積が前記開口（７４又は９０）の横断面積よりも小さ いことを特徴とする請求の範囲第５項に記載のシステム。
7. ７．前記支持装置（４４、５８、６８又は８４）がＸ線発生ブラスマ（２０）の 終了後に存在する熱のためのヒートシンクであることを特徴とする請求の範囲第 ４項に記載のシステム。
8. ８．前記フイルム（７０又は８６）が熱を前記ヒートシンク（４４、５８、６８ 又は８４）へ伝導するための伝導性物質であることを特徴とする請求の範囲第７ 項に記載のシステム。
9. ９．前記フイルム（７０又は８６）が前記ターゲツト物質（７２又は８８）を前 記フイルム（７０又は８６）へ固定させる物質であるように選択されることを特 徴とする請求の範囲第４項に記載のシステム。
10. １０．前記フイルム（７０又は８６）が熱伝導性物質であることを特徴とする請 求の範囲第４項に記載のシステム。
11. １１．前記フイルム（７０又は８６）が前記ターゲツト物質（７２又は８８）を 前記フイルム（７０又は８６）へ固定させる物質であるように選択されることを 特徴とする請求の範囲第１０項に記載のシステム。
12. １２．前記フイルム（７０又は８６）がポリマー物質であることを特徴とする請 求の範第１項から第１１項のいずれか１項に記載のシステム。
13. １３．前記フイルム（７０又は８６）がポリイミド物質であることを特徴とする 請求の範囲第１２項に記載のシステム。
14. １４．前記フイルム（７０又は８６）が窒化物物質であることを特徴とする請求 の範囲第１項から第１１項のいずれか１項に記載のシステム。
15. １５．前記フイルム（７０又は８６）が窒化ケイ素物質であることを特徴とする 請求の範囲第１４項に記載のシステム。
16. １６．前記フイルム（７０又は８６）が窒化■素物質であることを特徴とする請 求の範囲第１４項に記載のシステム。
17. １７．前記フイルム（７０又は８６）がオキシニトラィド物質であることを特徴 とする請求の範囲第１項から第１１項のいずれか１項に記載のシステム。
18. １８．前記フイルム（７０又は８６）がシリコンオキシニトライド物質であるこ とを特徴とする請求の範囲第１７項に記載のシステム。
19. １９．Ｘ線（２２）のパターンをレジスト被覆（２６）要素（２８又は１１２） 上に、Ｘ線放出ブラスマ（２０）を形成するためにターゲツト（５６、６６、７ ６又は１０２）においてパルス化されたレーザビーム（１２又は１０４）を集束 すること及び前記プラズマ（２０）によつて放出されたＸ線（２２）の経路中に マスク（２４又は１１０）及び前記要素（２８又は１１２）を整合させることの ステツプによつて暴露する方法であつて、前記レーザパルス（１２又は１０４） が生じてする間に前記レーザパルス（１２又は１０４）の焦点においてターゲツ ト物質（６０、７２又は８８）の厚さを実質的に融蝕することを特徴とする方法 。
20. ２０．前記ブラスマ（２０）からの熱を前記焦点スポットから半径方向へ離れる 方へ向けることを更に特徴とする請求の範囲第１９項に記載の方法。
21. ２１．前記熱を前記ターゲツト（６６、７６又は１０２）の基部を形成するヒー トシンク（６８又は８４）中へ消散させることを更に特徴とする請求の範囲第１ ９項に記載の方法。
22. ２２．熱を前記ターゲツト物質（７２又は８８）の上方の開いた領域（７４又は ９０）中へ消散させることを更に特徴とする請求の範囲第１９項、第２０項又は 第２１項の１項に記載の方法。