JPH02500943A - ラーマン空洞ダンプレーザ - Google Patents
ラーマン空洞ダンプレーザInfo
- Publication number
- JPH02500943A JPH02500943A JP63506819A JP50681988A JPH02500943A JP H02500943 A JPH02500943 A JP H02500943A JP 63506819 A JP63506819 A JP 63506819A JP 50681988 A JP50681988 A JP 50681988A JP H02500943 A JPH02500943 A JP H02500943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- medium
- light
- nanometers
- raman
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
- H01S3/1086—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering using scattering effects, e.g. Raman or Brillouin effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Lasers (AREA)
- Laser Surgery Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(lii)光子強度がしきい値を越えたときに光子を吸収し、第2の周波数で光
子を放射する散乱媒体とを具備するレーザシステム。
9、第1の周波数において反射性である第1の反射器と、第1の周波数において
レーザ光を与えるレーザ媒体と、第1の周波数において実質上透明である表面と
、第2の反射器であって、
(1)第1の周波数において実質上透明であり、(11)第2の周波数において
反射性である第2の反射器と、第2の反射器から受けた光を焦点に集中させるた
めの集中レンズと、
0)レーザ光の強度がしきい値を越えたときのみレーザ光の顕著な量を吸収し、
(11)それに応答して第2の周波数において光を放射するラーマン媒体と、
ラーマン媒体から受けた光をコリメートするためのコリメートレンズと、
第1の周波数において反射性であり、第2の周波数において実質上透明である第
3の反射器とをこの順序で光路に沿って具備しているレーザシステム。
10、1084ナノメータにおいて反射性である第1の表面(Sl)と、
1064ナノメータにおいてレーザ光を与えるレーザ媒体(3)と、
1064ナノメータにおいて実質上透明である第2の表面(S2)と、
1542ナノメータにおいて反射性であり、1064ナノメータにおいて実質上
透明である媒体(22)と、1064ナノメータおよび1542ナノメータにお
いて実質上透明である集中レンズ(2B)および約69気圧の圧力のメタンを含
むラーマンセル(20)と、
1064ナノメータおよび1542ナノメータの両者において実質上透明である
媒体(30)と、・
1(1B4ナノメータおよび1542ナノメータの両者において実質上透明であ
るコリメートレンズ(33)と、1064ナノメータにおいてほとんど100%
に近い反射率でありおよび1542ナノメータにおいては12%より低い反射率
である媒体(18)であって、(a)の第1の表面および(1)の媒体が(b)
のレーザ媒体のための共振空洞を形成している媒体(18)とをこの順序で光路
に沿って具備し、
(r)のラーマンセル数は、(1)レーザ光子の強度がしきい値を越えたとき1
064ナノメータにおいてレーザ光子を吸収して光子のポピュレイションを実質
的に枯渇させ、(2) (i)の媒体を通過する1542ナノメータにおけるラ
ーマンシフトされた光子を放射するレーザシステム。
11、レーザ作用中空洞内にラーマン媒体を維持し、ラーマン媒体はレーザ光子
の強度が充分に大きいときにQを低下させるように作用して刺激されたラーマン
放射を誘起させるステップを含むレーザ空洞のQを低下させる方法。
12、光空洞中にレーザ光子の増加したポピュレイションを設定し、一方空洞中
に含まれたラーマン媒体を光子に通過させ、刺激されたラーマン放射が生じたと
きには空洞のQを変。
えて共振を減少させ、空洞からの光の伝送を促進させるステップを含むレーザ光
の周波数のシフトを生成する方法。
明 細 書
ラーマン空洞ダンプレーザ
[発明の背景]
1、発明の分野
この発明はレーザシステムに関するものであり、特に共振空洞のQが通常のシャ
ッターを使用することなく刺激されたラーマン効果の使用によって低下されるシ
ステムに関するものである。
2、論 説
第1図に示すように典型的なレーザは2個のミラー6と9の間に配置されたレー
ザ媒体3を有している。ミラー間の間隔12はレーザ周波数の半波長の整数倍で
ある。すなわち、距離12はN×λ/2に等しい。ここでNは整数であり、λは
波長である。それ故ミラー6と9は波長λにおける定在波を生じる空洞を形成す
る。
Qはフィギュア・オブ・メリットであり、それは空洞の共振のシャープさを表わ
す。Qスイッチングと呼ばれる技術がレーザ空洞から短い、強い光のバーストを
得るためにしばしば使用される。
Qスイッチングにおいては、シャッター15が閉じられ、ミラーの一方、この実
施例の場合はミラー9を遮蔽し、それによって光子がミラー間で前後に移動する
のを阻止する。閉じたシャッターは空洞のQを減少(低下)させることによって
発振を阻止する。発振がないと、刺激された放射は抑制され、レーザ媒体3中の
増加されたポピュレイション反転が増進される。シャッター15が開かれたとき
空洞は高いQとなり、ミラー6と9との間の反射が再び行われ、それによって放
射が刺激され、ポピニレイション反転の枯渇を可能にする。枯渇は迅速であり、
その結果短い強力な光パルスが生じる。
いくつかの形式のシャッターが使用できる。電子・光学的、磁気・光学的、音響
・光学的変調器が使用されることができ、また充分な光子の存在において透明に
なる漂白可能な染料も使用されることができる。また回転ミラーも使用できる。
しかしながら、染料スイッチを除くこれらのシャッターの全ては高価である。染
料スイッチに関してはある環境条件が染料Qスイッチの使用を不可能にしている
。
短い光パルスを発生するためにQスイッチングによるラーマンセルを使用する研
究が行われた。例えば文献(R,Frey。
A、deMartinoおよび)’、Pradere ”0ptics Let
ters、 8巻No、8゜437頁、1983年8月)には第1のストーク周
波数で短いパルスを発生するためのイントラ空洞ラーマンセルの使用について述
べている。さらに別の文献(F、deRougemont 、 DingKon
g X1an、 R,FreeyおよびF、Pradere ”0ptics
Letters”9巻No、lO、460頁、1984年10月)では第2のス
トーク周波数で短いパルスを発生するために使用される第1のストーク周波数の
高いQの共振器の使用について述べている。しかしながら、これらの研究者は全
てそれらの装置において通常のQスイッチを使用している。
[発明の目的]
この発明の目的は、改善されたレーザシステムを提供することである。
この発明の別の目的は、通常のQスイッチを使用せずに短い光パルスを生成する
レーザシステムを提供することである。
この発明のさらに別の目的は、レーザ周波数からシフトされる周波数において光
を生成するレーザシステムを提供することである。
[発明の要約]
この発明の1形態においては、2個の反射器が共振空洞を形成する。空洞はレー
ザ媒体およびラーマン媒体の両者を含んでいる。レーザ媒体はラーマン媒体を通
過するレーザ光子を生成する。レーザ光子の強度がしきい値(それは使用される
ラーマン媒体の特性である)に到達したとき、ラーマン媒体はレーザ光子を吸収
して、それによってレーザ光子のポピュレイションを枯渇させる。この時ラーマ
ン媒体は光を再放射するが、それはストークス(Stokes)周波数と呼ばれ
るレーザ周波数からシフトされた周波数である。さらに再放射された光はコヒー
レントである。
[図面の簡単な説明]
第1図は、通常のレーザを示す。第2図および第3図は、この発明の1形態を2
つの異なった動作位相において示す。
第4図は、この発明の出力強度対時間の特性である。
[発明の詳細な説明]
第2図および第3図はこの発明の1形態を示している。各図の部品は同一である
が、この発明の2つの異なった動作位相を示すために異なった部品はそれぞれに
おいて強調されている。
第2図において、レーザ媒体3は直径4.3m■、長さ45mmのNd :YA
GGロッドであり、表面Slはほぼ100%の反射率になるように被覆され、表
面S2は非反射性に被覆され、両方の被覆は1064ナノメータにおいて有効で
ある。反射器18は表面S3を1064ナノメータにおいてほぼ100%の反射
率になるように被覆された光学的に平坦なりK7である。また反射器18は両方
の表面S3およびS4を含む全体の反射率が別の波長、即ち1542ナノメータ
においてはほぼ12%(またはそれより下)であるように被覆されている。長い
波長におけるこの後者の、より小さい反射率の意義については後述する。
表面S1と83との間の光学的距離は48.7e■である。以上説明した装置は
反射器として作用する表面Slと83とにより1064ナノメータにおけるレー
ザ媒体3のレーザ作用のための共振空洞を与える。この空洞はSI S3空洞と
呼ばれる。
レーザ媒体3はLCパルス放電回路を使用するクセノンフラッシュランプによっ
てホンピングされる(ランプおよび回路は示されていない)。Lの値は25マイ
クロヘンリーであり、Cの値は25.3マイクロフアラツドである。
フラッシュランプの点火において、St S3空洞は1064ナノメータで発振
する。しかしながら、レーザ光の強度がそのしきい値に到達するときラーマン媒
体2’Oは第3図に関連して以下説明するように活性になる。
第3図において、1064ナノメータにおいて約2%の反射率で、1542ナノ
メータにおいて98%以上の反射率になるように被覆された光学的に平坦なりK
7である反射器22は、反射器18と共同して1542ナノメータにおいて低い
Qの空洞を与える。
反射器22の表面はS5として示され、そのためこの低いQの空洞はS3 S5
空洞と呼ぶことができる。上述のように1542ナノメータにおける反射器18
の反射率は12%以下である。これは反射器18および22に低いQの空洞を形
成させる。何故ならば、1542ナノメータにおいて反射器18に入射する光子
の大部分は反射されず矢印24で示すように透過されるからである。
この低いQの空洞内には約69気圧に加圧された容器中にメタン(CH4)の形
態でラーマン媒体が含まれている。左側の窓26はは+63amの焦点距離のB
K7メニスカス(meniscus)レンズであり、それは1064ナノメータ
および1540ナノメータで非反射性の被覆をされている。このメニスカスレン
ズは波形矢印28によって示されているようにメタン中に入力するレーザ光に焦
点を結ばせる。右側の窓30は1064ナノメータおよび1542ナノメータで
非反射性の被覆をされている光学的に平坦なりK7である。再コリメートレンズ
33は+50fllfllの焦点距離のBK7メニスカス(meniscus)
レンズであり、1064ナノメータおよび1542ナノメータで非反射性の被覆
をされている。
この後者のレンズは波形矢印37で示されているようにラーマンセルから出る光
子を再コリメートするように作用する。
ラーマン媒体20に対する強度しきい値に到達したとき刺激されたラーマン散乱
が発生し、ラーマン媒体の特徴である第1のストークス周波数において光子40
の生成を行う。この場合に、波長は1542ナノメータであり、以下のように計
算される。メタンに対する振動周波数は2914cm−”である。1064ナノ
メータのレーザ波長は9399c+a−1の周波数に変換される。これら2つの
周波数の差、すなわち、6485cm−1は1542ナノメータにおける第1の
ストークスラインの波長に対応している。
第4図は装置の出力のオシロスコープ表示の例である。
特性は1542ナノメータにおける放射の強度対時間特性である。インジュウム
ガリウムひ素フォトダイオード検出器が、400MHzの帯域幅を有する蓄積オ
シロスコープと共にパルスを記録するために使用された。平均出力エネルギはゲ
ルマニウムフォトダイオード検出器を使用して約2ミリジユールであることが測
定された。
この発明のいくつかの重要な点について以下説明する。
1、この発明は、通常のQスイッチングを使用しないで高い強度の光パルスを出
力する。上述のようにエネルギは約2ミリジユールであり、パルス継続時間は第
4図に示すように約3.5ナノ秒である。さらに出力は1次レーザ波長(106
4ナノメータ)からシフトされた波長(1542ナノメータ)である。
2、第4図に関連して記載されているようにフラッシュランプの単一のフラッシ
ュに応答して単一のパルスが得られる。
この発明は第3図および第4図におけるレーザ3を連続波(CW)レーザに置換
することによってパルス列を得ることを可能にする。この場合に、刺激されたラ
ーマンしきい値に到達したとき、ラーマン媒体20は迅速にレーザ光子ポビュレ
イションを枯渇させ、ストークス周波数で放射する。これに続いてラーマンしき
い値にれ−ざ光子ポピュレイションを再び蓄積するためにある長さの時間が必要
である。この再蓄積されたとき再び吸収が発生して第1のストークス周波数で連
続したパルス列が生じる。
3、この発明は少なくとも一つの観点において通常のQスイッチレーザと基本的
に異なった方法で動作する。この相違を説明するためにQスイッチを過度に単純
化して以下説明する。
Qスイッチングにおいては、エネルギ蓄積が電子のポピュレイション反転の形態
で生じる。すなわち、電子は1つ(またはいくつか)の高いエネルギレベルへ昇
進される。それがら空洞が高いQに切替えられたとき刺激放射が生じる。しかし
ながら、充分なポビュレイション反転がQスイッチングの時に存在しなければな
らないことは明白である。再び言うが自然発生的な転移の割合いまたは電子の減
衰はQスイッチングの時に充分な数が高いエネルギ状態に残る場合よりも充分に
低くなければならない。
この発明においては、刺激ラーマン散乱はレーザ光子のポビュレイション(レー
ザ媒体中の増加された電子のポビュレイシジンではない)がラーマンしきい値を
越えたときに生じる。それ故、レーザ媒体は上述のNd:YAGよりも速い自然
減衰率を有して使用されることができる。刺激放射が生じるまでポビュレイショ
ン反転を維持する機構はQスイッチングにおける場合のようにこの発明では支配
的ではない。
別の観点では、Qスイッチングにおいてレーザ出力は空洞のQが高い時に得られ
る。この発明においては、出力は51S3空洞が低い時に得られる。
この発明は高いQの空洞(SI S3空洞)が低いQの空洞(S3 S5空洞)
を含んでいる実施例により説明されている。
高いQの空洞は1波長、例えば1064ナノメータに同調され、一方低いQの空
洞はそれより長い波長、例えば1542ナノメータに同調される。ラーマン媒体
は低いQの空洞中に含まれている。レーザは高いQの空洞中に含まれ、レーザ、
高いQの空洞、および低いQの空洞は全て共通の光学経路を共有している。
レーザがポンプされるとき、高いQの空洞はレーザ光子のポピュレイションを増
加させる。この増加中ラーマン媒体はレーザ光子のポビュレイションに対して実
効的に透明である。
しかしながら、光子のポピュレイションがしきい値に到達すると、ラーマン媒体
はレーザ光子を吸収してそれを刺激されたラーマン効果によってシフトされた周
波数で再放射する。
ラーマン媒体による吸収は高いQの空洞(SI S3空洞)のQを低下させる。
以下の請求の範囲に記載されたこの発明の技術的範囲を逸脱することなく種々の
置換または変形を行うことが可能である。
二ズ===、己。
ニコ=匡=コ・b・
国際調査報告
1−0“^@th@+″胃・ PロT/USBS1022ムロSA 23752
Claims (12)
- 1.レーザ光子の強度がしきい値を越えたときに共振空洞のQを低下させるラー マン媒体を含むQ低下装置を具備しているレーザシステム。
- 2.光空洞中にレーザ媒体を具備しているレーザシステムにおいて、空洞内にラ ーマン媒体が含まれているレーザシステム。
- 3.第1の周波数において低い反射率の反射器を有する低いQの空洞と、 この低いQの空洞内に含まれているラーマン媒体と、第1の周波数においてラー マン媒体中に刺激されたラーマン放射を誘起するレーザとを具備し、第1の周波 数における光の伝送が反射器を通って生じるレーザシステム。
- 4.ラーマン媒体と、 このラーマン媒体中に光を投射するレーザと、ラーマン媒体およびレーザを含む 光空洞と、光空洞から刺激されたラーマン放射によって生成された光子を導く手 段とを具備するレーザシステム。
- 5.レーザと、 ラーマン媒体中にレーザ光の焦点を結ばせるためのレンズと、 ラーマン媒体から受けた光をコリメートするためのコリメートレンズと、 刺激されたラーマン散乱によって生成された光子がレーザに向かって移動するこ とを阻止する反射器とを具備するレーザシステム。
- 6.ラーマン媒体がガス状のメタンから構成されている請求項5記載のレーザシ ステム。
- 7.レーザ光源と、 (i)レーザ光がしきい値を越えた時にのみレーザ光を吸収し、 (ii)吸収に応答して、しかしレーザ光とは異なった周波数で光を放射し、 (iii)上記に(i)および(ii)を繰返して異なった周波数でパルスを生 成する手段とを具備している連続的レーザ源からパルス光を得る装置。
- 8.第1の周波数において光子を与えるレーザ媒体と、(i)レーザ媒体から光 子を受け、 (ii)光子強度がしきい値より下であるときは光子に実質上透明であり、 (iii)光子強度がしきい値を越えたときに光子を吸収し、第2の周波数で光 子を放射する散乱媒体とを具備するレーザシステム。
- 9.第1の周波数において反射性である第1の反射器と、第1の周波数において レーザ光を与えるレーザ媒体と、第1の周波数において実質上透明である表面と 、第2の反射器であって、 (i)第1の周波数において実質上透明であり、(ii)第2の周波数において 反射性である第2の反射器と、第2の反射器から受けた光を焦点に集中させるた めの集中レンズと、 (i)レーザ光の強度がしきい値を越えたときのみレーザ光の顕著な量を吸収し 、 (ii)それに応答して第2の周波数において光を放射するラーマン媒体と、 ラーマン媒体から受けた光をコリメートするためのコリメートレンズと、 第1の周波数において反射性であり、第2の周波数において実質上透明である第 3の反射器とをこの順序で光路に沿って具備しているレーザシステム。
- 10.1064ナノメータにおいて反射性である第1の表面(S1)と、 1064ナノメータにおいてレーザ光を与えるレーザ媒体(3)と、 1064ナノメータにおいて実質上透明である第2の表面(S2)と、 1542ナノメータにおいて反射性であり、1064ナノメータにおいて実質上 透明である媒体(22)と、1064ナノメータおよび1542ナノメータにお いて実質上透明である集中レンズ(26)および約69気圧の圧力のメタンを含 むラーマンセル(20)と、 1064ナノメータおよび1542ナノメータの両者において実質上透明である 媒体(30)と、 1064ナノメータおよび1542ナノメータの両者において実質上透明である コリメートレンズ(33)と、1064ナノメータにおいてほとんど100%に 近い反射率でありおよび1542ナノメータにおいては12%より低い反射率で ある媒体(18)であって、(a)の第1の表面および(i)の媒体が(b)の レーザ媒体のための共振空洞を形成している媒体(18)とをこの順序で光路に 沿って具備し、 (f)のラーマンセル数は、(1)レーザ光子の強度がしきい値を越えたとき1 064ナノメータにおいてレーザ光子を吸収して光子のポピュレイションを実質 的に枯渇させ、(2)(i)の媒体を通過する1542ナノメータにおけるラー マンシフトされた光子を放射するレーザシステム。
- 11.レーザ作用中空洞内にラーマン媒体を維持し、ラーマン媒体はレーザ光子 の強度が充分に大きいときにQを低下させるように作用して刺激されたラーマン 放射を誘起させるステップを含むレーザ空洞のQを低下させる方法。
- 12.光空洞中にレーザ光子の増加したポピュレイションを設定し、一方空洞中 に含まれたラーマン媒体を光子に通過させ、刺激されたラーマン放射が生じたと きには空洞のQを変えて共振を減少させ、空洞からの光の伝送を促進させるステ ップを含むレーザ光の周波数のシフトを生成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/083,342 US4868833A (en) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | Raman cavity dump laser |
| US083,342 | 1987-08-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02500943A true JPH02500943A (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=22177703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63506819A Pending JPH02500943A (ja) | 1987-08-10 | 1988-07-05 | ラーマン空洞ダンプレーザ |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4868833A (ja) |
| EP (1) | EP0325640B2 (ja) |
| JP (1) | JPH02500943A (ja) |
| KR (1) | KR920009707B1 (ja) |
| DE (1) | DE3886915T3 (ja) |
| EG (1) | EG18675A (ja) |
| ES (1) | ES2008560A6 (ja) |
| GR (1) | GR1001114B (ja) |
| IL (1) | IL87074A (ja) |
| NO (1) | NO178515C (ja) |
| TR (1) | TR26676A (ja) |
| WO (1) | WO1989001715A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4987644A (en) * | 1990-04-10 | 1991-01-29 | Fletcher Seafoods, Ltd. | Shell cutting method for processing shrimp |
| DE4111835A1 (de) * | 1991-04-11 | 1992-10-15 | Eltro Gmbh | Ramanlaser |
| JPH04349684A (ja) * | 1991-05-27 | 1992-12-04 | Pioneer Electron Corp | 光パルス発生装置 |
| WO1993026067A1 (en) * | 1992-06-17 | 1993-12-23 | The Commonwealth Of Australia | Raman device |
| US5315603A (en) * | 1993-01-11 | 1994-05-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Backscatter absorption for laser diodes |
| KR970005166B1 (ko) * | 1993-04-24 | 1997-04-12 | 국방과학연구소 | 유도 브릴루인 산란을 이용한 라만 레이저 발진 방법 및 그 장치 |
| DE4423308A1 (de) * | 1994-07-02 | 1996-01-04 | Zeiss Carl Fa | Intracavity-Raman-Laser |
| US5761224A (en) * | 1996-04-04 | 1998-06-02 | Her Majesty The Queen As Represented By The Minister Of National Defence Of Her Majesty's Canadian Government | Miniature stimulated raman shifting cell |
| JP2002031823A (ja) | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Japan Atom Energy Res Inst | 高出力短パルスレーザー光の発生システム |
| KR20020054505A (ko) * | 2000-12-28 | 2002-07-08 | 박태진 | 라만 레이저 장치의 변환체 |
| US12362531B2 (en) * | 2021-03-19 | 2025-07-15 | Applied Energetics, Inc. | Raman amplifier with shared resonator |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3668420A (en) * | 1970-09-25 | 1972-06-06 | Ibm | 1.5 micron raman laser |
| US3743964A (en) * | 1972-03-20 | 1973-07-03 | Ibm | Q-switching saturable absorber dye for a laser |
| US3764937A (en) * | 1972-04-26 | 1973-10-09 | United Aircraft Corp | Frequency controlled, passively q-switch laser |
| US4048516A (en) * | 1976-12-02 | 1977-09-13 | Gte Sylvania Incorporated | Laser apparatus for producing stimulated Raman scattering |
| US4327337A (en) * | 1980-01-03 | 1982-04-27 | General Electric Company | Intracavity raman frequency conversion in a high power laser |
| DE3114815C2 (de) * | 1981-04-11 | 1983-05-11 | Eltro GmbH, Gesellschaft für Strahlungstechnik, 6900 Heidelberg | Laservorrichtung |
| US4523315A (en) * | 1982-04-09 | 1985-06-11 | At&T Bell Laboratories | Raman gain medium |
| US4464758A (en) * | 1982-04-16 | 1984-08-07 | United Technologies Corporation | Passively-Q-switched dual laser |
| US4538274A (en) * | 1983-01-04 | 1985-08-27 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Q-Switched Raman laser system |
| FR2542104B1 (fr) * | 1983-03-04 | 1986-04-18 | Centre Nat Rech Scient | Procede et dispositif de creation d'impulsions lumineuses breves |
| US4599725A (en) * | 1983-03-08 | 1986-07-08 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Raman laser with controllable suppression of parasitics |
| US4633103A (en) * | 1983-05-04 | 1986-12-30 | Avco Everett Research Laboratory, Inc. | Two cell stimulated Raman scattering frequency conversion laser |
| US4570081A (en) * | 1983-06-27 | 1986-02-11 | Westinghouse Electric Corp. | Isolated pump in a double pass pump Raman oscillator and optimum conversion of pump energy in a Raman oscillator and amplifier |
| US4618783A (en) * | 1983-10-06 | 1986-10-21 | Centre National De La Rechereche Scientifique | Production of short light pulses by time compression |
| US4575645A (en) * | 1984-08-09 | 1986-03-11 | Northrop Corporation | Compact Raman oscillator-amplifier optical system |
| JP2530607B2 (ja) * | 1984-11-01 | 1996-09-04 | ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | 単一の反射鏡を必須とするラマン・レ−ザ |
| JPS61222289A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-02 | Tokyo Gas Co Ltd | レ−ザ装置 |
| US4717842A (en) * | 1986-01-23 | 1988-01-05 | Northrop Corporation | Mode-matched laser/raman coupled unstabled resonators |
| US4751714A (en) * | 1987-01-12 | 1988-06-14 | General Electric Company | Laser system with improved gaseous raman scattering cell |
-
1987
- 1987-08-10 US US07/083,342 patent/US4868833A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-07-05 EP EP88906814A patent/EP0325640B2/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-05 WO PCT/US1988/002246 patent/WO1989001715A1/en not_active Ceased
- 1988-07-05 JP JP63506819A patent/JPH02500943A/ja active Pending
- 1988-07-05 DE DE3886915T patent/DE3886915T3/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-05 KR KR1019890700611A patent/KR920009707B1/ko not_active Expired
- 1988-07-11 IL IL87074A patent/IL87074A/xx not_active IP Right Cessation
- 1988-07-18 TR TR88/0564A patent/TR26676A/xx unknown
- 1988-07-22 GR GR880100480A patent/GR1001114B/el unknown
- 1988-08-09 ES ES8802490A patent/ES2008560A6/es not_active Expired
- 1988-08-09 EG EG43288A patent/EG18675A/xx active
-
1989
- 1989-03-30 NO NO891347A patent/NO178515C/no not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR890702305A (ko) | 1989-12-23 |
| GR1001114B (el) | 1993-04-28 |
| DE3886915T2 (de) | 1994-06-09 |
| EP0325640A1 (en) | 1989-08-02 |
| GR880100480A (en) | 1989-05-25 |
| NO891347L (no) | 1989-03-30 |
| IL87074A (en) | 1993-01-31 |
| EG18675A (en) | 1994-09-29 |
| KR920009707B1 (ko) | 1992-10-22 |
| NO178515B (no) | 1996-01-02 |
| TR26676A (tr) | 1994-07-05 |
| DE3886915D1 (de) | 1994-02-17 |
| ES2008560A6 (es) | 1989-07-16 |
| NO178515C (no) | 1996-04-10 |
| IL87074A0 (en) | 1988-12-30 |
| EP0325640B1 (en) | 1994-01-05 |
| US4868833A (en) | 1989-09-19 |
| WO1989001715A1 (en) | 1989-02-23 |
| DE3886915T3 (de) | 1997-05-15 |
| NO891347D0 (no) | 1989-03-30 |
| EP0325640B2 (en) | 1997-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5673281A (en) | Solid state system for frequency conversion using raman-active media and non-linear media | |
| Kogelnik et al. | Stimulated emission in a periodic structure | |
| EP0744089B1 (en) | Passively q-switched picosecond microlaser | |
| JP2660227B2 (ja) | モードロックされたレーザ | |
| US3289099A (en) | Coherent light oscillators | |
| US5088096A (en) | Tunable power laser | |
| US3668420A (en) | 1.5 micron raman laser | |
| Seka et al. | Active‐passive mode‐locked oscillators at 1.054 μm | |
| US4048515A (en) | Broadband laser with intracavity crystal for generating second harmonic radiation | |
| US3582820A (en) | Erbium laser device | |
| US4641312A (en) | Method and device for producing individual short laser pulses | |
| JPH02500943A (ja) | ラーマン空洞ダンプレーザ | |
| US4167712A (en) | Praseodymium blue-green laser system | |
| US3571744A (en) | Lasers incorporating time variable reflectivity | |
| CN110932075B (zh) | 一种双波长脉冲对激光输出方法及激光器 | |
| US4268801A (en) | Mode-locked laser using a saturable absorber in a cavity | |
| US3581230A (en) | Passive q-switch and modulator for co{hd 2 {l lasers | |
| US5163061A (en) | Method of frequency shifting using a chromium doped laser transmitter | |
| US5163062A (en) | Method of frequency shifting using a chromium doped laser transmitter | |
| Masters et al. | Laser Q‐Spoiling Using an Exploding Film | |
| US3636474A (en) | Ultrashort optical pulse generation utilizing laserpumped lasers | |
| US3493885A (en) | Photobleachable q-spoiler dye for laser operation | |
| JP3171265B2 (ja) | 固体パルスレーザ装置 | |
| US3624544A (en) | Self mode-locking of lasers using dyes | |
| US3675151A (en) | Superradiant traveling-wave dye laser |