JPH02501005A - 減温での薄片製造用冷却室 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 減温での薄片製造用冷却室 発明の背景 本発明は、この出願の請求の範囲第１項の前文にし友がって、液体チッ素（ＬＮ ２）で冷却されかつガス状チッ素（ＧＮ２）で掃引されそして顕微鏡および電子 顕微鏡用ノ薄イ、とくに超薄い部片を製造するのに同けられる冷却室に関する。

従来の技術 現在の技術水準によれば、ＬＮ２？？却およびＧＮ２掃引またはＧＮ２充項冷却 室は、以前に使用された冷却カートｖツジまたはクリオスタットの代りに、ビス コプラスチック反粘性または生物医学的物体の電子顕微鏡検査用のクリオ超ミク ロトームの分野において好適に使用される（ハンブルグでの電子顕微鏡使用につ いての第１０回国際会議の電子顕微鏡１９８２年第１巻第９〜１８頁における、 二ツチージツテのクリオセクショニング用機器：１９８４年のシュトウッッガル ト１１番地のグイス・ファー／ｌ／１１ゲーａエム・ペー＋＋　バー　（Ｗｉａ ｓ、　Ｖｅｒｌ、　Ｇｍｂ）りの寄稿論文１．１．２、第１〜２．４８頁、とく に第６９〜９１頁のジー・−シ゛ンメルお工びダブリュー・フォーゲル、電子顕 微鏡使用方法のコレクションにおける超ミクロトームおよび超ミクロトーム用器 、装置技術−作用−付属品、１１７０のシー争うイヒヤートやニー拳ジーのカタ ログ１、に、−ＦＣ４Ｄ−Ｄ４／８４．１９８４年のジップによるＦＣ４Ｄ低温 切断装置；ウィーンＡ−１１７０のシーΦライヒヤートリエー拳ジーのカタログ １．　ｘ、　−（ＲＹＯＰＲＥＰ、　Ｅ　−８／８６．１９８６年のスーパーＥ Ｍ調査用タライ・プリパレーショ／を参照〕。ウィーンＡ−１１７０のライヒャ ート・ニー・ジーの最近の好適なＦＣ４Ｄ装置によれば、凍結された物体および ナイフがその中に置かれる切断空間はＬＮ２に、より直接冷却される開放項端付 きアルミニウム薄板製の箱である。このために、超ミクロトームにより利用し得 る空間を考慮して、左右に２つの相互に連通しているアルミニウム薄板タンク（ 二重タンク装置〕が約１リツトルのＬＮ２に収容してありかつこれらは前記切断 室に接続される。この装置（切断室を有する二重タンク〕はＬＮ２の沸点（−１ ９６℃）に非常に近接する最小温度の達成を可能にしかつまた物体ナイフ区域に おける氷堆積なしに開放切断室による加工（「開放頂部加工」〕ヲ可能にする。

この状況は強力なＧＮ２の流れに非常に依存し、この流れは極低温媒体として使 用されかつバッフル板によって切断室の底部に部分的に偏向されるＬＮ２から一 定に蒸発させられている。この方法において、切断室は一方で物体およびナイフ かりま之そ九らの支持体？冷却する冷九く乾燥し九〇Ｎ２の流れによって底部か ら上方に掃引される一方、他方で切断室への湿った室空気の侵入を阻止する。超 ミクロトームの熱および冷気感度に関連して、またタンク装置の外側上の霜付着 ならびに冷却表面を回避する必要があるので記載された装置は発泡合成プラスチ ック（例えば、発泡ポリスチレンまたはポリウレタン）からなる絶縁層およヒ最 後にサーモスタットで室温に加熱されかつ容易に熱全伝導する材料（例えば、ア ルミニウム鋳造品〕からなる室壁によって封入される（とくに、１９７９年２月 １７日のドイツ連邦共和国特許出願第２９０６１５３　ｃ　２号、エッチ・ジッ プ、ケー・ノイマン、ニッチ・クレーバーおよびエッチ・ハッシッヒ、発明の名 称「加工を必要とする物体、とくに生物学上の物体を保持するための冷却室」を 参照）。このような室壁は同様に比較的厚い絶縁層とともに長期間使用後に回避 されることができない箱形成を阻止するだけでなく、同時に外壁を越えて流れる ＧＮｇをもはや不安定な超ミクロトーム機構に妨害作用全持たない温度レベルに まで暖める。室壁は、弾力性の内部ライニングを介して、組立て要素（例えば、 あり継ぎ〕上に固定され、それにより七九にミクロトームまたは超ミクロトーム のナイフ支持体に取り付けられることができる。組立て要素は堅固な金属接続に おいてカッタホルダ用基板を支持する。これに反して、物体は今までは一般にブ リッジ状要素に固定され、該要素はミクロトームまたは超ミクロトームのプレパ ラート支持アームに取り付けられかつ上方から切断家内に投入する（クリステン センブリツジ、１９７１年のジエイ拳セル・ピオル（Ｂｉｏｌ、　）５１、ニー ・ケー・クリステ／セン、第７７２〜８０４頁参照〕。

このような冷却室に関しては、タンク装置がＬＮ２により充填されるかまたは補 給される方法に極めて重要ＩＣ結び付けられる。一般に、ＬＮ２タンクは貯蔵タ ンク（例えば、５０リツトルのデユア−タンク）ｐらパイプを通って充填される 。連続的なＬＮ２の補給は非常に変化する加工条件のために達成することが非常 に無難しいので１．補給は間欠的でありかつＬＮ２による補給が二重タンク内に 予め選択される最小レベルのＬＮ２があるとき開始しかつ同様に予め選択された 最大レベルが達成されるとき再び停止されるようにプローブ（例えば感熱ダイオ ード）を測定することにより制御される。ＬＮ２１Ｃよる補給が停止された後、 ＧＮｇが最小ＬＮ２レベルが再び達成されかつ他の補給過程が始まるような時間 まで冷却室のタンク装置内に存するＬＮ２から煮詰められるポーズがある。２つ の補給過程間で経過する時間において、デユア−貯蔵タンクと冷却室との間のホ ース接続はＬＮ２による新鮮な補給に関して、最初に一１９６℃に再び冷却する ことが必要である。これは、多量のＧＮｇが切断室に通るとき、切断過程に妨害 作用を及ぼす多量のＧＮｇが放出される激しい沸騰過程を発生する。それゆえ、 補給過程の間中最初に形成されるこのＧＮｇの切断室を通っての出現は下水処理 装置に関しての密封として衛生設備に通常使用されるサイフオンと同一型式のＬ Ｎ２液体バリヤによって阻止される（補給の間中ＬＮ２からＧＮｇに分離するた めの「相分離器」）。このような「分離器」に現在設けられる冷却室は補給の間 中であるが非常に弱い方法においてのみＧＮｇの初期サージに反応する。

最小に達し得る物体およびカッタ温度が多くの場合に部片の獲得のための最適温 度を示さないことはすぐＩＣ明らかとなる。例えば、現在組織化学に使用されて いるトンヤス法（１９８４年のシー−グリフイス等のジェイ・超構造研究８９、 第６５〜７８頁参照〕によるアルデヒドおよび砂糖溶液により、凍結される前に 、処理される生物医学的標本からの０．５〜１μｍの厚さの部片を得るために、 低温で、凍結材料がこの厚さの部片を得るのにもろくなり過ぎかつ砕は易いので 、約−８０℃の温度が最適である。電子顕微鏡検査に関して、＜０．１μｍの厚 さの超薄片を同一標本から得たいならば、その場合にこれは温度を約−１００℃ に減じることによってのみ可能である。もしも急速低温凝固により非晶質にガラ ス化される生物医学的標本を切断することが望まれるならば、この非晶質状態に おいて、その場合にこれらの部片のプレパラートは、非晶質にガラス化された水 が一１５５℃囲において実施されねばならない。最後に、多くのビスコプラスチ ック〔粘塑性〕および／または反粘性ポリマ（例えば、天然または合成ゴム、テ ア０ン、ポリエチレン〕は、それらが切断に必要とされる硬い密度を達成すると いうことのみであるので、それらのガラス点以下で単に切断されることができる 。多くの物質（例えば、シリコンゴム、テフロン）はＬＮ２の沸点のすぐ近く、 すなわち約−１９０℃において単にこの密ｆｋ達成する。

実際に、記載された構造の室は何等の問題もなく、−１９０℃に近い超低温を達 成しかっそ九ゆえ非晶質にガラス化された生物医学的物体を切断するのにかつ非 常に低いガラス点を有するポリマを切断するのに著しく適する。しかしながら、 それらは、ｌ＞−１００’Ｃの温度範囲＋ｃおけるトンヤス法による砂糖含没後 生物医学的標本を切断するのに条件付きでのみ適する。実際には金属物体および ナイフ支持体は加熱カートリッジによって＞−１００℃の値１ｃ非常に急速に加 熱されることができるが、冷たいＧＮｇによる物体およびナイフの激しい除去の 理由により、物体の先端およびナイフのエツジはそｈｌｃも拘らず加熱された支 持体の温度に：ｔ）冷たい掃気ガス（ナイフェツジのレベルで約−１７０℃）＆ Ｃはるかに近い温度にとどまることが示される。それゆえ、このような装置によ れば、−ＧＮ２掃気ガスを加熱することが実質上同様に強制される。現在の技術 水準によれば、これは室の底部に取り付けられかつそれＫＧＮ２の冷たい流れが 向けられる加熱金属板によって実Ｍされる。かくして実際には、−１７０℃から 一１００℃への掃気ガスの所望の加熱を達成することができ、そして工程が継続 するとき、−８０℃までの温度範囲における作動条件を使用し得るが・まずこの ような装置のポテンシャルの限界と争い一方第２Ｋ　ＬＮ２消費のかなりの増加 により便宜が払われる。暗示される可能性の限界は「悪循環」の一種であり、室 内の加熱要素、と（ｌｃＧＮ２掃気ガスを加熱するために室の底部に取り付けら れた加熱板ｆｌ−！ＬＮａタンクからのＧＮ２のより激しい沸騰を生じ、そこで ＧＮ２掃気ガスによる冷起を増大しかつ最後に室内１ｃより顕著な熱出力を発生 する。

この作動サイクルは約−１００℃のＧＮ２温度に対する逆加熱を制限する。それ にエリ装置のＬＮ２消費は逆加熱〔（ＧＮ２温度−１７０℃〕なしに約１リツト ルの容量の切断室に関して約五５リットルＬＮ２／ｈｒから同一装置において約 −１００℃のＧＮ２温度を発生する逆加熱を有する約７リツトルＬＮ３／ｈ　ｒ 　Ｖｃ増大する。この増７７０１．Ｎ２消費は内生的に、すなわち切断室内のガ ス加熱板からの熱出力によって発生されるので、タンク装置のまわりの発泡絶縁 を増加することにより外見上減じられることができない。かかる冷却室内で光顕 微鏡組織化学および微ＭＢｍ造の従来のクリオスタット装置に通常使用される０ 〜−５０℃の間の温度範囲における部片調製を加えて不可能にするこの妨害現象 を除けば、部片ｍＭは、挿入された分離装置にも拘らず、これらが衝撃波により トリガされる二重タンク内のＬＮ２の波動を阻止することができないためデユア −貯蔵タンクと室タンクとの間の接続管内のＧＮ２の初期解散によって作用さ九 る。し之がって、二重タンク内のＬＮ２はその温度が沸騰温度より幾らか上であ る室壁の区域を簡単に湿らす。必らず追随するのは、またＬＮ２の沸騰の開始が おるということである。解散されるＧＮ２はバッフル板によって約１〜３℃まで 温度が降下する切断室に偏向されかつ工程が継続するとき同様に部片帯片中の微 小部分の幾つかが不首尾になるかも迫れない。

最後に、ミクロトームまたは超ミクロトームの支持のための精密クロススライド 上への重くかつすべて大容量の広い室（４リットル以上の容積合計、寸法：高さ ｘ幅×深さ、約１５Ｘ２５ｘ１５ｃｃ）の組立てが十分に安定しないが、あらゆ る保護手段の方法にも拘らず、部片の調製の間中事実上避けられない結果におい て、手が室壁に置かれ、プレパラートとナイフとの間の相対的な位置の変化を許 容する傾向があり、ナイフは事実上直ぐにかつ危険なしにこのような遮断１ｃ続 いている一連の部片の継続る不可能ＶＣする。

したがって、本発明の目的は、従来技術にしたがって記載された室構造の前記欠 点を除去することにあり、室温と一１９０℃との間合計範囲にわたる減じられた 温度において部片の調製が物体とナイフ支持体のかつＧＮ２掃気ガスの逆加熱に よる装置によるＬＮ２消費の実質的な増加（例えば、約Ａ５Ｊ／ｈｒ以上）なし に保証される方法において室を改良することを意味する。本発明によれば、この 目的は、タンク装置において、ＬＮ２容器の内部の切断室の左右に、好ましくは 底部に近接している別個のＬＮ２接続によって互いに接続さ九る２つの挿入タン クがあり、該２つの挿入タンクの互いに対向する横壁面が切断室の金属壁の部分 であり、各々の場合に２つの挿入されたタンクの少なくとも１つの外方横壁のま たは前壁または後壁の少なくとも１部分が切断室の垂直金属壁の部分の最小高さ より低い最小高さを有し、切断室の底部上に金属バックル板によって完全に偏向 されるタンク装置からのＧＮ２は多分（かつ必要ならば）、ガス加熱板からなり かつこれらのバッフル板に単に固着されるガス加熱装置によって好ましくは加熱 され、このガス加熱装置Ｉｌ：ｔＩｌ１次切断室の壁の金属部分との固体面接触 を持たないことにより達成される。２つの挿入夕／りはこの場合に切断室の左右 上に「二重タンク装置」の２つのＬＮ２タンク内部に配置され、その結果挿入タ ンクのＬＮ２は切断室の壁を少しも湿らせないかまたは選択的に切断室に面する 挿入タンクの垂直側壁がそれぞ九の二重タンクの垂直側壁の一部を示し一方２つ の挿入タンクの他の側壁および底部は別個の壁要素を形成し、挿入タンクは最後 にそれらの頂部で完全に開口されるかまｆｃは少なくとも１つの開口からなり、 該開口は、過充填の場合に、ＬＮ２が二重タンク装置内にオーバーフローするの 全許容し、その後−１２０℃〜−１９０℃の範囲における低温調製のために最初 に記＠！された宮の作動に対応する型の作動を許容する。

分離装置を改良することにより、本発明の他の目的はＬＮ２添加の開始の間中同 様にクリオミクロ部片の絶え間のない製造を許容することができる。本発明によ れば、これはタンク装置を補給するためＩＣ１冷却室にＬＮ２供給ラインおよび ＧＮ２排出ラインを有する別個の分離タンクが統合され、それにより挿入タンク またはＬＮ２容器は通常の作動条件下でＬＮ２によって一定に流されかつ冷却さ れる略水平に延在する狭い口径の分離管を介してＬＮ２で供給されることによっ て達成される。分離室またはタンクはこれにより二重タンク装置内部の２つのＬ Ｎ２容ｉの別個の仕切り室であり、それは、従来技術と異なって切断準備装置の 通常の作動条件の間中、ＧＮ２領域中にあり、他のタンク装置〔挿入タンク全台 んでいる二重タンク〕のＧＮ２領域から完全に絶縁され、分離タンクのＬＮ２領 域と他のタンク装置のＬＮ２領域との間でかつ２つの挿入タンクの一方を介して 、ＬＮ２によって一定に流されかつしたがってＬＮ２沸騰温度に冷却される十分 な長さく例えば）８（１＋ｍ）のパイプによる接続のみが通常の作動条件の間中 ＬＮ２領域内にあり、パイプは十分に小さな内径（例えば＜　４　ｔａｘ　）　 ＠有し、これを通して分離室からのＬＮ２がタンク装置の残部を補給するように 添加され、この補給はＬＮ２レベルセンサ（例えば感熱ダイオードまたは測定抵 抗器〕によって電気的に制御される。

言及された方法で過充填されないならば、挿入°タンクの作用は切断室の壁がＬ Ｎ２によって少しも湿らされないかまたは切断室の壁の限定された部分のみが直 接ＬＮ２によって冷却されるということでちり、このＭ接冷却壁面の表面積は多 分ＬＮ２含有量のレベルを制御することによって追加的に変化される。反対に、 ＬＮ２はタンク装置の他の外面と直接接触しない。加熱された室の壁力為らの発 泡絶縁を介して通常行なわれる熱の流入によるＬＮ２損失はしたがって実質上減 じられる。同じ範囲で沸騰しているＧＮ２の量の減少があり、その結果逆加熱と ＧＮ２掃気ガス形成との間に記載された作動サイクルは有効に遮断される。分離 タンクは波動がもはや切断工程を妨害しない。

言い換えれば部片の現在の連続の間中ＬＮ２による補給が開始するとき微小部片 の失敗がないようにタンク装置の残部における起寒剤の波動を最小にする効果を 有する。

例えば、ガス加熱板からなりかつ順次単に偏向板上に固着されるガス加熱装置は 、ＬＮｇタンク装置を有する従来技術と異なって、最小長さの金属中間部材を介 して切断室の壁ともはや直接熱接触せず、その結果作動中それゆえ比較的小さな 範囲のみＬＮ２消費の増加かりしたがってＧＮ２掃気ガスの流れの強化に影響を 及ぼす。

本発明のさらに他の展開は２つの挿入タンクが好ましくは室の対称面と平行であ りかつそれに関連して対称に挿入タンクに取り付けられた略垂直仕切り壁によっ て２つの仕切り室に分割されるということに存することができ、各場合！ｃ２つ の仕切り室の切断室の側壁に直接隣接しない外方仕切室はすでに述べた接続管に よって他の挿入タンクの対称的に対応する仕切り室に接続され、仕切り壁の高さ は、ＬＮ２が挿入タンクからタンク装置の残部にオーバフローする前に、外方仕 切り室力為らのＬＮ２が切断室に向っている内方仕切り壁に流れるように選ばれ ている。したがって、タンク装置のＬＮ２充填の区別は最初にＬＮ２が分離タン クから外方仕切り室の１つに流れかつ接続管を介して、他の挿入タンクの対応す る外方仕切り室のどれかを充填するような方法において達成される。

これが発生している間に、切断室の壁は壁部分とＬＮ、２でまだ充填されていな い２つの挿入タンクの内方仕切り室の底部との間の金属シート接続によって単に 冷却される。この冷却効果は必要ならば最小厚さでかつ低熱伝導能力の防錆ステ ンレス鋼によりタンク全構成することにより最小にされることができるかまたは より大きい厚さのアルミニウムシートの選択により要求されるように高められる ことができる。同様に内方仕切り室の幅を選ぶことにより区別を達成することが できる。外方仕切り室が過充填されるならば、そこでまず２つの挿入タンクの内 方仕切り室はＬＮ２で充填され、このＬＮ２はかくして最初だけ、記載された方 法において、切断室の左右側壁の部分区域と接触する。冷却作用はそれにより著 しく高められる。タンク装置のさらに他の充填時、最大冷却作用は二重タンク構 造全体がＬＮ２で充填されることにより達成されそして極端な場合［は、底部に 加えて、切断室のすべてのｇｌＪ壁がＬＮ２により直接冷却され、レペルセ／す による制御はＬＮ２充填を制限しかつしたがってＬＮ２は一定の高さのＬＮ２に または一定の冷却区域に直接冷却する。

本発明のさらに他の展開は、分割されない挿入タンクの内部にまたは適宜な仕切 り壁によって２つの仕切り室に分割される挿入タンクの外方仕切り室内に加熱要 素があり、該加熱要素がＧＮ２の沸騰量の制御された増加を導きかつ切断室の霜 からの自由をもはや保証しないＧＮ２掃気ガスの不適切な流量の所望の増加を発 生するということに存することができる。とくに室内の高いガス温度お工び／ま たは極端に減じられ：ｌ’ｃＧＮ２流量の場合において、この手段はＧＮ２掃気 ガス温度が室温に近くなる場合に掃気ガスと室雰囲気との間の密度差が減じるの で必要でありかつそれゆえこの状況が継続するならば（とくに切断室を通るＧＮ ２の最小処理量により〕、低い妨害または空気の流れがその上に冷たい面を形成 する霜まｆｃは凝縮物の危険を持って切断室内に持ち来たされている湿った室内 空気となる。

本発明のさらに他の展開は、２つの挿入タンクが１分離タンクの壁から離れて、 一方の挿入タンクから他方の挿入タンクへのＬＮ２の排出を保証する接続管を単 に介して、切断室の壁に接続されるということに存することができる。これらの 接触点を介して非常に減じられた熱転移のみが可能であるから、このように簡単 化される装置は最小のＬＮ２消費で作動しかつ作動温度が約Ｏ℃であることを許 容するとくに簡単な方法を示す。

さらに他の展開は、室壁と二重タンクの外壁との間の増加された熱交換によるよ り高いＬＮ２消費に一般に関連づけられる冷却室を充填するＬＮ２のより高いレ ベルに関して、第２の角間付き分離管が分離夕／りから挿入タンクの１つへのＬ Ｎ２の追加の排出全結果として生じるということに存することができる。

さらに他の論理的展開は、２つの挿入タンク間の接続管上に非常に熱伝導性の金 属外観が固定され、該外観は順次同様に容易ＩＣ熱伝導性の金属板に接続され、 該金属板はガス充填された中間の空間によってまたは熱絶縁によって熱的に分離 されるガス加熱板を被覆し、その結果冷たい板が切断室内の予備作業用のカウン タまたは区域として利用できるということに存することができる。

本発明の他の展開は、冷却室がその金属室壁を介してこれまでの通常の方法にお いてミクロトームまたは超ミクロトームのクロススライド上に取り付けられない が、そし自体ミクロトームまたは超ミクロトームベースニ取り付けられそしてナ イフホルダのみがクロススライドに堅固に屯り付けられ、密封部材がＧＮ２が切 断室ヵ為ら出るのを阻止しかりまた切断室が加熱されるのを阻止するということ に存することができる。

本発明のさらに他の展開は、プログラム選択スイッチが、回転スイッチまたはボ タンの使用により、特別な作動条件のために充填する最適なＬＮ２り／りの予備 ゛選択を可能し、この予備選択は、特別な方向または回転運動の前進運動時、冷 却作用は連続的に増加され、作動図が照明区域ま九はＬＥＤディスプレイによっ て現存または予備選択充填レベル？示すように行なわれるかまたはタンク装置の 充填レベルが、マイクロプロセッサ制御ユニットを介して、物体支持体、ナイフ 支持体および室内ガスの温度のために予備選択された値に自動的に適合させられ 、手動で予備選択されるかまたは自動的に予備選択される作動条件は順次記載さ れた方法において作動図に示されるということに存することができる。

本発明が基礎とする前提として従来技術による装置および本発明による装置の幾 つかの実施例全以下に添付図面を参照してより詳細に説明する。

図面の簡単な説明 第１図および第２図はクロススライド上の固定ナイフおよびプレパラートキャリ ヤ上の上下に往復動する物体金偏えた、室温で使用のための連続部片を略示する 正面図および側面図； 第３図は減じられた温度で部片を調製する丸めに第１図（また第４図ないし第６ 図参照〕によるミクロトームのナイフクロススライドに取り付けられた従来技術 による冷却室を略示する部分断面正面図； 第４図、第５図および第６図は第３図に示した従来技術による冷却室を略示する 断面正面図（第４図は第５図および第６図による断面８□〕、側面図（第５図は 第４図および第６図による断面Ｓ２）および平面図（第６図は第４図および第５ 図による断面Ｓ３〕；第７図、第８図、第９図および第１０図は分割されない挿 入タンク、分離室およびガス加熱板を有する本発明による冷却室の第１実施例の （本発明の基本的な）構造を、カッタまたは物体支持体および分離接続なしで異 なるＬＮ２充填レベルに関して簡略化され友方法で略示する断面正面図（第７図 はレベルＨ（Ｈ工でのＬＮ２充填および第８図はＨユ〈ＨくＨ２でのレベルＨで のＬＮ２充填全備え、両国とも第１０図の断面Ｓ工）、断面側面図（、第９図は 第７図および第８図による断面Ｓ２で、第７図と同様なＬＮ２充填レベル〕、お よび断面平面図（第１０図は第７図および第８図による断面Ｓ３で、第７図と同 様なＬＮ２充項レベル）； 第１１図、第１２図および第１３図は異なるＬＮ２充填レベルに関して分割され た挿入タンクを有する本発明のさらに他の展開を略示する断面正面図（第１１図 および第１２図）および第１０図に対応する断面平面図（第１３図）； 第１４図および第１５図はＬＮ２接続管および分離タンクの壁のみにより切断室 の壁に接続される挿入タンクを有する本発明のさらに他の展開を略示する第１１ 図と同様な断面正面図（第１４図；第１５図による断面Ｓａ）および第１０図と 同様な断面平面図（第１５図；第１４図による断面８．）； 第１６図は追加の角度付き分離管を備えた本発明のさらに他の展開を略示する第 ９図と同様な断面側面図；第１７図は凍結された標本または冷却されることがで きるプレパラート補助器具を堆積することができるガス加熱板の上方のＬＮ２冷 却被覆を有する本発明のさらに他の展開を略示する第５図と同様な断面側面図； 第１８図は変更されたナイフ支持体および室の組体含有する本発明のさらに他の 展開を略示する第３図および第４図と同様な断面正面図；および 第１９図、第２０図および第２１図は作動条件の表示および／または予備選択に 関して本発明のさらに他の展開を略示するブロック図である。

発明を実施するための好適な形態 冷却室はもっばら回転ミクロトームまたは超ミクロトーム（また、ＭＩＮＯＴま たは連続部片〕上に取り付けられる。第１図および第２図に略示される従来技術 ＶＣよるこれらの切断器具すべてに共通するのは、例えばカムによってかつ締付 はレバー５を介してクロススライド２（送り伝動装置３、横方向移動伝動装置４ ）ＶＣより器具ベース１に取り付けられるナイフ支持体６がキャリヤに取り付は タミクロトームと異なって支持体の運動（両方向矢印参照〕を除いて堅固である ように配置されるということである。ナイフ（例えばガラスカッタ７〕は枢動可 能な部分９１Ｃ締付はネジ８によって固定され、該部分９は最適な刃角のオイセ ントリック調整を許容しかつ順次締付はネジ１０によりてナイフキャリヤ６に固 着される。固定ナイフ７と異なって、＜１μｍの厚さ範囲において微小部片を製 造するための超ミクロトームまたはやや薄い部片切断装置（ウムシャウ・フエア ラーク、１９８５年ｍｔａ−ジャーナルーエキストラ第１０号、ニッチφジツテ のウルトラミクロトーム参照〕の場合において、第２図による物体１１はベアリ ング１２のまわりの円形路上で上下動させられるかまたは光顕微鏡用の回転ミク ロトームの場合には図示してない方法において垂直直線路上で上下動させられる 。部片の調製の之めに、物体１１は締付はネジ１５によって枢動部分１４に順次 固定されるその長手方向軸線のまわりに回転可能なホルダ１３円に締め付けられ そして第２図によれば、オイセントリック円形路上の弓形円弧１６上で両方向矢 印の方向に枢動される。弓形円弧１６は締付はネジ１９によってプレパラート支 持アーム２０上にそのホルダ１８によって順次固定され、アーム２０は、例えば 第２図には図示されてないがミクロトームのカバー２２の下に配置されるカム制 御手段を介して手動輪２１によって上下動させられる。第２図は部片２３がナイ フ７の切断刃によって物体１１から切り取られている水平位置において軸線ｐｐ によりプレパラート支持アームを示す。第１図に示したナイフェツジの延長線Ｍ Ｍはこの位置においてプレパラート支持アーム２０の軸線ＰＰと交差する。冷却 室２４の取付けのために、室温での通常の部片の調製の之めに設けられるナイフ 支持体６〜１０は締付はレバー５が一旦弱められかつまた締付はネジ１９が一旦 弱められるとナイフ支持体６から除去され、物体支持体１２〜１８はプレパラー ト支持アーム２０力為ら除去されることができかつクロススライド２上の第３図 によるこれらの要素に代えて、ナイフＺ用の異なる種類のナイフ支持体２５およ び物体１１用の異なる種類のプレノくラードホルダ２６／２６／２８に有する冷 却室２４がプレパラート支持アーム２０上に固定されることができる。大型でか つ重い冷却富用に不適切な支持体のみを設ける比較的小さなナイフ支持体６のた めに設けられる締付は装置５は、微小部片の調製が完了されるとき、この室２４ の外壁上に手が乗るのをほとんど回避できないことを経験が示した。

発生するレパーカはしたがって通常の作動のために設けられる締付は装置５１Ｃ よって抵抗されることができない。

それゆえ、より堅固な組体要素が冷却室２４をミクロトーム、とくに超ミクロト ームのクロススライド２上に取り付けるために開発されている。例えばこれは第 ３図に略示さ゛れかり現在の技術状態に対応し、そして基板３０および別個の締 付はネジ３１を有するあり継ぎ受容要素２９／２９’からなりかつネジ３２によ ってクロススライド２Ｖｃ堅固に接続される装置である。組立てのために、金属 室壁２４の下側には柔軟な内方ライニング３３（例えば軟かいゴム）があり、こ のライニング３３上１ｃは受容要素２９／２９’／３０／３１　／３２に整合す る挿入尾片３４があり、要素２４／３３と３３／３４との間の接続は接着による か、取付は具３３がゴムからなるならば加硫による永久接続を呈する。尾片３４ と冷却室２４との間のこの柔軟な接続に比べて、尾片３４とナイフ支持体２５と の間ＶＣは、第４図ないし第６図に関連して後述されるような、弾力性の中間部 材を持たない堅固な金属接続がある。現在の技術状態に対応するこの組体の目的 は、例えば手が室壁２４上に置かれるとき生起するような取扱い力が減じられた 強さにおいてクロススライド２に伝達されるかも知れないということでらつ之。

　。

第４図ないし第６図は本発明が基礎とする前提である従来技術による冷却室の構 造を詳細にする概略図である。

それらが通常低温媒体として使用されるＬＮ２の沸点によって与えられる最小値 としての一１９０℃と室温に出来るだけ近い最大値との間の合計温度範囲におい て微小部片を調製するのに使用されるならば、一般に容易に熱伝導する金属室壁 ２４（例えば、アルミニウム鋳造品からなる〕によって封入され、その温度は公 知の方法において温度センサ３６および電子ユニット〔図示せず〕を介して接続 される複数の加熱要素３７によって室温（例えば、２０上５℃）にサーモスタッ トによる工うに維持される。この室同には発泡プラスチック絶縁６９によって加 熱室壁２４に関連して熱的に絶縁されるＬＮ２３５を保持するような開放頂部の 金属シートタンク３８がある。

この金属シートタンク３８内には、その壁が切断室４１を画成するさらに他の頂 部で開口した金属シート容器４０がある。ミクロトーム、とくに超ミクロトーム の物体−ナイフ区域に利用し得る限定された空間を考慮して、容器４０の深さお よび高さは該容器４０の前後壁とタンク３８の対応壁との間にならびに容器４０ の底部とタンク３８の底部との間に、単に狭い中間空間が残されるようになって いる。冷却に過度の要求がなされないがまたはナイフ刃のレベルで）−１７０℃ でかつ多くの作業に不適切な最小温度が許容されるならば、その場合には前後壁 との間のかり容器４０およびタンク３８の底部との間の空間は不必要である。こ の場合に切断室４１の左右に残っているＬＮ′２容器４２および４３（二重タン ク）は両容器内のＬＮｇ内の連通があるように図示してないパイプによって接続 される。第４図ないし第６図に示される冷却室の場合において、ＬＮ２が充填パ イプを介してＬＮ２容器４２に通されるならば、その場合にＬＮ２は容器４０お よびタンク３８の底部間のギャップを通って左方のＬＮ２容器４２〃為ら右方の ＬＮ２容器４３に流れる。最小のＬＮ２レベルが達成されるとき、「相分離器」 ４４〜４７の分離器パイプ４５は充填パイプ４４から容器４２へのＧＮ２の侵入 を遮断しそして工程が継続するとき、丁度逆に、切断室４１において、容器４２ から分離器のＧＮ２排出パイプ４７へのＧＮ２の出現を阻止する。ＬＮ２５５か りに、第４図（矢印）において示されるように、冷たい乾燥ガスの上方に向けら れた流れによって掃引される容器４０の底部（切断室４１）上に偏向要素４Ｂ／ ４Ｂ’によって偏向される。頂部開口室信造に拘らず、切断室４１は常に霜のな い方法においてＧＮ２によるこの掃引全受容する。約−１９０℃で室底部から出 るＧＮ２の流れはこれが切断室４１を通って上方に動くとき確実に加熱されそし て頂部開口において、ＬＮ２のレベルおよび室構造にしたがって、頂部開口によ り約−１３０℃〜−１７０℃の間の温度を達成する。低いＧＮ２温度のために、 第４図により、室の開口において冷たいＧＮ２と相間の境界と同じである家門空 気との間に中間面４９がおり、この比較的℃の温度急増を観察する。約１６／秒 の強さで一定に現われるＧＮ２はサーモスタットによるように加熱される室壁２ ４を覆って流れ、工程中にミクロトーム、とくに超ミクロトームへの妨害作用を もはや持たない温度に加熱される。補給はそれ自体公知の方法において充填レベ ルセンサを経由して電子装置〔図示せず〕によって制＠され、センサは相分離器 ４４〜４７１Ｃよって引き起されるＬＮ２レベルにおける妨害および変動によっ て直接影響を及ぼされないより平静なＬＮ２容器Ｐ３ＶＣ配置される。第４図に よれば、感熱ダイオード５０〜５４または抵抗温度計５５は充填レベルセンサと して使用される。例えば、ダイオード５１はＬＮ２による補給、全開始しかつダ イオード５４は再びそれを停止する。ダイオード５０〜゛５４からの信号は付加 的に制御ユニットでの充填レベルの目視表示（例えばＬＥＤによる）を許容する 。

第４図ないし第６図による冷却室は、第３図に関連してすでに記載された方法に おいて、一般に、締付はネジ３１および組立て要素３４によって、ミクロトーム 、とくに超ミクロトームのナイフ支持体に取り付けられる。

し之がって、支持体２の送りまたは横方向運動時、室全体がこの運動に追随する 。ナイフ７ｔ−有するナイフ支持体２５用の基板５６は堅固に熱伝導が容易でな い合金（例えば３５．５％のＮ１および０．５％のＣを含有する特殊鋼）からな る薄い壁を有する管５７によって組立て要素３４に接続され、一方室壁２４と組 立て要素３４との間には、一般に取扱い力の作用を減じる上述した弾力性のイン サート３３が挿入される。管５７はＬＮ２密封方法において所定位置ＶＣ溶接さ れた管５８を介して箱４０およびタンク３８の底部全横断しかつ容器４０または 切断室４１の底部を越えて１５Ｍ突出し、その結果ナイフ支持体および物体支持 体の基板５６のより急速な冷却のために、″底部は約１０ｉ＋ｍの深さのＬＮ２ によって被覆されることができる。これは、例えば、停止機能を越えて測定ダイ オード５９（第４図参照）に切り換えることにより達成される。ナイフ支持体２ ５は２本の締付はレバー６０／６０’および締付はネジ６１／６１’によって引 離し可能な力係止方法において基板５６に接続される。

現在では、回転可能な物体ホルダ２７内に固定された物体１１は、クリステンセ ン（Ｚ、Ｃ，）　装置を使用して、締付はネジ２８によって、はとんど「ブリッ ジ」２６に取り付けられる。ブリッジ２６は順次、第５図に示されるように、ネ ジ６２によって、ミクロトーム、とくに超ミクロトームのプレパラート支持アー ム２０に取り付けられる。それゆえ、微小部片調製の間中、物体１１はプレパラ ート支持アーム２０の上下動に追随する。機械的要素に加えて、記載された型の 各冷却室はナイフ支持体２５１５６、物体支持体２６１５７およびＧＮ２掃気ガ スを加熱するための加熱要素（例えば加熱カートリッジ〕からなる。例えば、支 持要素５６および２６内には、ナイフおよび物体温度を熱吸収（例えば管５７ま たはブリッジ２６を介して〕および安定した状態においてＧＮ２掃気ガスに放出 される熱を結果として生じるレベルを越えて上昇させるための加熱カートリッジ ６３お工び６４がある。加えて、温度センサ６５および６６は結果として生じる 温度を測定するのにまたは図示してない電子ユニットによって予め選択されたレ ベルにこれらの温度を調整するのに使用される。切断温度以上であるＧＮ２の流 れの温度を増加する之めに、記載さ九た型の冷却室の場合には、「ガス加熱板」 ６７が従来技術において使用されかつ容器４０の底部に組立て要素６８を介して 固定されかつ加熱カートリッジ６９によって加熱されることができる。このガス 加熱板６７の作用はナイフェツジのレベルでＧＮ２掃気ガスの温度を測定する温 度センサ７０によってチェックされそして第４図または第６図によればナイフ（ 組立て要素は図示されなめ〕に沿って直接切断室４１円に配置される。

既述のごとく、従来技術による装置は、第４図ないし第６図に関連して説明され るように、多数の重大な欠点を有している。これらの欠点はとくに、物体−ナイ フ領域内のＧＮ２掃気ガスの温度を一８０℃以上に上昇することができないとい う事実を含んでいる。さらに、主として使用される一１００℃の温度範囲におい て、ＬＮ２の消費は＜−１６０℃のめったに要求されない低い温度範囲において 消費されるＬＮ２の実質上２倍である。約五５１Ｊ、Ｎ２／ｈｒでのＩ、Ｎ２消 費のこの差は非常に大きい。すなわち、現在通常のＬＮ２の価格はＬＮ２のリッ トル当り約７オースリアシリングでありかつしばしば必要な連続稼働率は８時間 ／稼働日また約１６００時間／稼働年であるので、必要とされる追加のコストは このような冷却室装置の投資コストのすでに１０％以上である。最後に、沸騰過 程により、補給開始において生じる圧力波はタンク装置Ｐ３１ｃ　ＬＮ２の波動 を生じ、これは、第２沸騰過程により、二重タンク内のＧＮ２の急増解放および 工程が継続するとき、幾つかの微小部片の失敗に至る。結論において、ナイフク ロススライド上への重くかつかさばる室の取付けは、例えば微小部片を除去する ときの手の圧力により生じる取扱い一力必；ナイフクロススライドの位置に影響 を及ぼしかつしばしば物体−切断面およびナイフェツジの相対的な位置の再調整 を、高精度のクロススライドによる頻繁な欠点に言及しないように必要とするの で、不都合であることが判った。

先行のパラグラに記載されたすべての欠点は、第７図ないし第１８図に示される 本発明による装置によって、満足のいくようＫかつ無視し得る余分なコストにお いて克服されることができる。後述される図面において、同一または同等部分は 、第１図ないし第６図におけると同一参照符号（もちろん、アボストロフが付さ れるけれども）によって同一視される。第７図ないし第１０図によれば、現在の 技術水準による装置の最初に述べた欠点は２つの対称的に配置された挿入タンク ７２．７２’ｔ−使用することによって実質上克服され、これらの挿入タンクは タンク装置３８’／４０’／７２／７２’によって、別個の管接続７１により連 通し、タンク装置はＧＮ２の範囲において完全に絶縁されかつＬＮ２の範囲にお いて狭い口径の、好ましくは少なくとも８０ｘｒｘの長さの比較的小さな直径の 接続管７３（分離管：例えば３１１ｍの正味内径）Ｋよって分離室７４（仕切り 壁７５つとして構成される分離タンクに接続され、そしてバッフル４８／４８’ 上のガス加熱板６７′の変更された取付は具によって克服される。

この場合に、第９図による左方ＬＮａタンク４２′は仕切り壁７５によって実質 上比率（１：４において２つの仕切り室に分割され、より小さい仕切り室は通常 の作動条件下でＬＮ２レベル以下で一定でありかつそれゆえＬＮ２で充填される 比較的長くかつ狭い口径の水平に配置された分離管７３Ｖｃｊすｊ’７り装置３ ８’／　４０’／　７２　／　７１／７２’の残部ＶＣ接続される分離タンク７ ４として役立つ。２つの挿入タンク７２／７２’とは別に、分離室７４に隣接す る左方のＬＮ２容器４２′かつまた右方のＬＮ２容器４３′に第４図におけるＬ Ｎ２タンク４２および４３に対応する。再び、ＬＮ２による補給は１例えば、第 ９図にエリはねよけ７６の後ろで分離室７４内に配置されることができるレベル センサ（例えば、感熱ダイオード５０′〜５４′）によって制御される。この装 置の作動は、ＬＮ２３５による分離室７４の最初の充填時、ＬＮ２のレベルがま ず最小高さＨ□！ｌｌ＆Ｃ達しねばならないようになっており、これは分離管７ ３がＬＮ２により完全に流されかつそれゆえ、ＬＮ２が直ち１１？：開始する沸 騰工程の理由により小径のより暖かい管を通って流れることができないのでＬＮ ２温度に冷却されるようにする。これを保証するために、それゆえ、分離管７３ はより大きな直径（例えば１０ｍの正味直径ンの管７７によって封入され、肢管 の自由端は分離管７３が固定されかつ端部で開口される薄いゲージカバー７８に よって閉止される。ＬＮ２の高さＨが達成されると　ｌ　ｎ き、管７７はＬＮ２ｒｃよりて完全に充填されかつ分離管はそれゆえＬＮ２によ って冷却され、その結果ＬＮ２は今や分離管７３を通りて挿入タンク７２１Ｃか りしたがって接続管７１ｔ−通って対応する右方挿入タンク７２′に流れること ができる。記載されたように、本発明による分離装置は、一時的なＧＮ２圧力変 動が比較的狭い口径のかつ長い分離管７３円の液柱によってほとんど伝播されな いために、仕切り壁７５によって完全に分離されるタンク装置４２’／　４３’ 内の波動を阻止し、タンク装置４２’／　４３’における条件はこの管内のＬＮ ２波動の簡単でかつ無視し得る加速により変化するようにほとんど開放されない 。さらに他の充填は公知の方法において、例えばダイオード５０′〜５４′によ って制御されることができる。この制御は、例えば、挿入タンク７２／７２’内 のＬＮ２レベルが常に挿入タンクの壁の高さＨ０以下にとどまることを保証する ことができる。挿入タンク壁の上縁を越えてのＬＮ２の放出は不可能であるので 、第７図および第９図に図示された状態は、ＬＮ２の充填が、分離タンク７４に 加えて７１１Ｃ制限されるという結果を生じる。分離タンク７４円のＬＮ２のレ ベルはそれにより常に挿入タンク７２／７２’のレベルの幾らか上方に、例えば 第９図にょる量ΔＨだけ上方にある。この例において、補給はダイオード５１′ によって開始されかり挿入タンク７２／７２’の側壁の頂縁の高さＨユに配置さ れるダイオード５３′によって停止させられることができる。反対に、ダイオー ド５２′への開始作動およびダイオード５４′への停止作動の切換え時、ＬＮ２ レベルは高さＨ□を越えかりそこでＬＮ２が挿入タンク７２／７２’から金属シ ート容器３８′および４０’の壁によって形成される二重タンク内に流れる。第 ８図に図示されるような結果として生じる状態は、挿入タンク７２７７２′の壁 が非作動になっているので、第４図ないし第６図における状態と同様である。同 じことはダイオード５４′（開始；第９図参照）および５９（停止；第４図参照 〕への論理の切換えから結果として生じかつ物体およびナイフ支持体の急速冷却 に使用される第４図ないし第６図によるタンク装置の過充填に対応する状態に適 用される。この可能性は現在の技術水準に対応しかつそれゆえ第７図ないし第１ ０図においては再び図示されない。

ＬＮ２レベルは次いで＞Ｈ２の高さに達し、Ｈ２は金員シート容器４０′の横方 向境界壁の高さに対応する。したがって、ＬＮ２はこれがダイオード４９を湿ら すまで切断室４１′に流出する。逆に、補給制御をダイオード５０′（開始〕お よび５１′（停止）Ｉｃ切り換えることにより、金属シート容器４０′の壁区域 のより小さい部分がＬＮ２によって直接冷却される。この条件下で、冷却作用お よびＧＮ２掃気ガスの流れはかなり減じられることができ、その結果高価な付属 手段なしに、比較的高い温度での微小部片の調製を可能にする安定した状態が引 き起されることができる。

切断室４１′円のＧＮ２掃気ガスの温度を制御するかまたは調整するための追加 の装置として、第７図、第８図および第１０図によれば、ガス加熱板６７’／　 ６９’が設けられ、このガス加熱板は従来技術（第４図ないし第６図参照）と異 なって、容器４０′の壁に組立て部材６８によってではあるがネジ７９／７９’ および外観部片８０／８０’によって偏向バッフル４８／４８’によりて熱的に 接続されない。第５図による従来技術において発生するような直接のソリッドス テート熱流量の結果としてのＬＮ２消費の妨害の増加に至ることができる直接的 な熱接触はかくして回避されることができる。反対に、最適熱交換は部材４８／ ４８’／８０／８０’および６７′の表面とガス流量の等しい強さおよび速度に 関してかなりの減じられた熱出力により所望の温度に加熱されるＧＮ２掃気ガス との間で行なわれる。記載された特性は２つのインサート１１８／１１８’によ って有効に補助され、これらのインサートは熱絶縁材料（例えば、発泡ポリスチ レンまたはポリウレタン〕からなりそしてタンク装置３８’／４０’／７２／７ ２′から漏出するＧＮ２掃気ガスの合計量が外観部片８゜／８０′およびガス加 熱板６７′ヲ通って通過させられる（第８図かつまた第１０図ないし第１２図か 照）ような方法において金属シート容器４０の壁と偏向バッフル４８７４８′と の間のブリッジ２６の両側に配置される。

室温と約−４０℃との間の範囲における冷却室を作動するための本発明のさらに 他の展開は中間および超低温における作動の利点を無視することなくかつ第１１ 図ないし第１３図によりタンク装置が構成されるならば顕著な余分なコストなし に、挿入タンク７２／７２’が室の対称面に関連して平行かつ対称的に配置され る追加の主として垂直に向けられた仕切り壁８１／８１’により°て各々の場合 に２つの仕切り室［らり、２つの外方仕切り室が仕切り室８１／８１’と同じ位 離れて延在する接続管７１′によって互いに接続されるために可能にされる。そ のスリーブ７７／７８を有する分離管７３は仕切り壁（例えば仕切り壁８１）に よって形成される仕切り室の１つに突出しかつＬＮ２でまずこの仕切り室をかつ 第１１図にかつ次いで第１３図に示されるように、接続管７１′によりそれに結 合される他側の仕切り室を次いで充填する。管７７を収容するために、仕切り壁 ８１は、例えば、はぼ同一容量の左右の２つの仕切り室に関して、管７７が左方 外方タンク７２／８１の底半分に収容されることができるように角度が付けられ ている。ＬＮ２のレベルが仕切り壁８１／８１’の高さによって付与される高さ Ｈ６以下に維持される限りでは、ＬＮ２は分離タンク７４の壁から離れて金属シ ート容器４０′の壁のどの部分とも直接接触しない。それゆえ、冷却は第７図な いし第１０図による装置に比して再び〃為なり減じられる冷却作用で行なわれか つ金属シートからなりかつ挿入タンク７２／７２’の外方仕切り室と容器４０′ との間ｉＣ配置される底および側方部分を単に介して行なわれる。この冷却は、 すでに上述された方法において、制御下で挿入タンク７２／７２’に使用される 金属シートおよび合金の厚さの選択にエリ作動条件に適合させられる。ＬＮ２レ ベルが制御手段全弁して切り換えることにより限界Ｈ□＞Ｈ）Ｈ０内で高さＨに 変えられるならば、その場合１ｃＬＮ２は挿入タンク７２／７２′の外方仕切り 室から内方仕切り室に流れかつ第２図に示した状態が確立される。この場合に分 離室８１／８１′が作用を停止するので、作動条件は、第７図ないし第１０図に 関連して記載されたように、不発明による装置のより簡単ｆｘ溝構造対応する。

同じことは限界Ｈ２〉Ｈ＞ＨｌおｊびＨ）Ｈ２１ｃよる高さＨへのＬＮ２レベル のさらに他の上昇から生じる作動条件に適用される。

仕切り壁８１／８１’によって形成される第１１図および第１３図による挿入タ ンク７２／７２’の外方仕切り室へのＬＮ２の充填を制限することにより、冷却 作用が減じられるだけでなく、広範１ｃＬＮ２消費がまた実質上減じられる。力 為〈シて、事態が進行すると、また、ＧＮ２掃気ガスの流れが減じられるかまた はＧＮ２の平均速度が制限される。極端な状態において、これは不適切なＧＮ２ 掃引の理由によりまたはＧＮ２温度が極変に高いならば、開放頂部付き切断室４ １′が霜からの自由を享受することをもはや保証しないことを意味する。本発明 のさらに他の展開は、挿入タンク７２／７２’の外方仕切り室内に加熱要素８２ ／８２’（例えば加熱カートリッジ〕があるために、この欠点に対するより簡単 な救済を提供する。加熱要素は、これらが熱を放出するとき、追加のＧＮ２掃気 ガス全放出し、このガスは、必要とされるとき、ガス加熱装置６７’／　６９’ によってすでに上述された方法において所望の温度に加熱されることができる。

本発明のとくに好都合な実施例は、第１４図および第１５図によれば、挿入タン ク７２　ａ　／　７２　ａ’が使用されることに存し、これらの挿入タンクは分 離タンク７４の壁にかつこれらの挿入タンクを接続する接続管７１ａに単に堅固 に接続され、さらに金属シート容器４０′の側壁への金属の直接接続がない。そ れゆえ、分離タンク７４の壁から離れて、ＬＮ２のレベルＨがＨ□以下にある限 り、直接接触は、金属シート容器４０′がＬＮ２３５と熱的に接触する管７１ａ の組立て点〔例えば溶接継ぎ目〕においてのみである。ＬＮ２消費はとくに簡単 でかつこの発明のコスト的に良好な実施例はしたがってＨ。、。＜Ｈ＜Ｈｌであ るこの型の作動により、　ＬＮ２レベルが、先行の第７図ないし第１６図に関連 してすでに説明されたように、高さＨに上昇するならば条件Ｈｌ（Ｈ（Ｈ２１ｃ よる低温度作動の利点を犠牲にする必要なくとくに低い。この実施例によれば、 ＬＮ２消費のざらに他の減少が約−２０℃と室温との間の領域において、とくに 高温での作動において要求されるならば、そこで挿入タンク７２　ａ　／　７２ 　ａ’はそれらの外面に熱絶縁７２ｂ／７２ｂ”ｉｉ＝備えることができ、熱絶 縁（−を発泡合成プラスチック材料（例えば、発泡ポリスチレンまたはポリウレ タン）からなっても良い。

第７図、第９図および第１０図による挿入タンク７２／７２′、または仕切り室 ８１／８１’によって分割された第１１図ないし第１５図による挿入タンク、ま ７？＋は第１４図および第１５図による金属シート容器４０′によって分離され た挿入タンク７２　ａ　／　７２　ａ’による中間温度範囲における作動からの 遷移に際して、室が低温範囲（第８図参照〕において作動されるとき、常に冷却 出力かつまた室のＬＮ２消費の実質的な増加がある。一定の設計条件下で、細く かつ長い分離管７３を通るＬＮ２の処理量は完全に充填された二重タンク装置５ ８’／　４０’のＬＮ２消費にもはや対応しないことが発生するかも知ｈｆｘい 。第１６図によれば、本発明のさらに他の展開の枠内で、この問題は第２の屈曲 分離管８３を設けることにより実質的に余分なコストなしに、とくに複雑または 結果として高価になる室の製造なしに克服されることができる。分離管７３と同 様な、第２の分離管８３は大口径管７７′内に配置されかつ薄壁カバー７８′に 固着される。分離管８３は分離管７３と平行な管７７′内に延びるが、しかしな がら分離タンク７４内で上方に向って屈曲されかつ限界ＨｌくＨｌくＨ２内で高 さＩ（ｘＩＣおいて開放して終端する。

これはこの屈曲分離管８６のために、ＬＮ２は次いでまず分離タンク７４から挿 入タンク７２を通ってタンク装装置３８’／　４０’の残部に流れるがＬＮ２レ ベルが高さＨを越えるまでではないことを意味する。低温範囲のＬＮ２のより高 い消費に対応して、それゆえ、また、分離タンク７４からタンク装置へのＬＮ２ の放出Ｃ１、出来るだけ連続しかつ遅いＬＮ２の放出を有する中間および高温範 囲の室の作動に望ましい分離管７３の寸法付けを変更する必要なしに増加される 。

ガス加熱配置６７’／　６９’によるＧＮ２掃気ガスの゛加熱のために、次いで また従来技術に関連して本発明により変更される組体７９／８０／８０’／７９ ’の場合には、極端な作動条件下で、とくに加熱要素８２／８２’によるＧＮ２ 掃気ガスの追加の解放により、多量の熱が第７図によるバッフル板４８／４８’ において板６７′がａ′Ｃをかなり超過する温度に達する加熱要素７９′により 放出される。低温調製の場合には、しばしば凍結した生物医学的物体１１全配置 する空間を必要とするが、第１０図によるガス加熱板６７′は事実上利用し得る すべての容器区域を占有するので、実際の作動においてかなり問題がある。これ らの問題は第１７図に示されるような本発明のさらに他の展開によって容易に解 決されることができる。第１７図においては熱伝導が容易な金属（例えばアルミ ニウム〕からなる外観８４が、第７図に示し７′２：ような本発明による冷却室 の指示したすべての作動条件下でＬＮ２３５により一定に充填される接続管７１ 　、７１’または７１ａｌＣ熱的にかつ機械的に結合され、外観８４には順次熱 伝導が容易な板８５（例えば同様にアルミニウム）が例えば螺合接続８６によっ て固着され、この接続は板８５がガス加熱板６７′と固定接触しないように後者 の上面の上に間隔Ａ〔例えば約３趨〕を置いている。板８５は固定接触７１’／ ８４ならびに８４／８６／８５ｔ−介してＬＮ２３５によって冷却されるので、 そこで追加の手段なしに、多くの機能に適する＜−１００℃の範囲の温度をどん な場合でも達成する。より低い措置は金属シートの厚さＢを増加するかまたは発 泡絶縁８７を設けることにより達成されることができる。最後に、ＬＮ２の損失 は発泡絶縁８８を有する外観要素８４乏設けることにより制限されることができ る。

第１８図によれば、本発明のさらに他の展開は、ナイフ支持体５６１５７が第１ 図および第２図のナイフ支持１　体６および同様に、例えば偏心締付はレバー５ によってクロススライド２０カバープレートに取り付けられるす支持体２に堅固 に接続され、その結果伝動装置３および４によって発生される運動を実施すると いうことに存することができる。しかしながら、これと反対に、室壁２４は、横 方向リプ２４′ヲ介して、ミクロトーム、とくに超ミクロトームのベース１上に 載置し、ベースＩＫ対する室壁２４／２４’の相対的な位置は予め定められヵ為 つ２つの要素１および２４／２４’の堅固な力係止接続、例えばボルト９０およ び第１８図に示されない締付けまたは螺合ユニットによって維持される。本発明 による展開は、組立て要素８９が支持体、例えば冷却室がミクロトーム之くに超 ミクロトームから除去されるときと同様にネジ９１／９１’により室壁２４／２ ４’に固着される屈曲部材９２／９２’により冷却室と永久力係止接続にとどま り、その結果複雑な取付けおよび取外し作業は室２４／２４’がミクロトームに 取り付けられるときまたは２つのユニットが互いに分離されるときに必要とさｈ ない。本発明により達成される冷却室の組立ておよび取外しを簡単化３　するこ とに加えて、この事実はとくにナイフ温度および冷却室内の温度センサ（第４図 および第５図参照〕の温Ｉｆを設定または調整するのに必要とされる加熱カート リッジ６３の電気的接続を許容する。さらに、組立て要素８９に接続されるイン サート９３および９４は２つの金属タンク３８′と４０′の壁間の拡大通路５８ ′ヲ通るＧＮ２の如何なる放出も阻止する。この観点において、組立て要素８９ の上方平面は金属板９４に同一方法において順次接続される発泡体（例えば柔か いゴム発泡体まｆＣは発泡モルトブレン（商標））からなる高弾性層９３に緊密 にＷ続される。板９４の頂部および室壁（平らなフライス加工而９７〕の下側の 整合面は、精密な平面平行性質のためにかつそれらの最小表面粗さにより、事実 上摩擦のない方法で互いに摺動しながら切断室の底部での適切なＧＮ２密封を保 証するように機械加工される。室壁２４／２４′の表面９７との緊密な接触のた めに、板９４はサーモスタットによるように加熱された室壁２４／２４’の温度 に近い措置を呈する。整合平面９７および９４（頂部〕との間の永続的な力係止 接触を達成するために、屈曲部材９２／９２’間の間隔Ｄ２は弾性インサート９ ３が冷却室２４／２４’が切断手段から除去され友後も同様に圧縮されたままで あるかｔたはばね要素（例えばスリーブ５７のまわりに配置されたコイルばね９ ３′）が表面９７と板９４の上方平面との間の力係止接触を維持するように寸法 付けされる。表面９４／９７の最小摩擦に関して例えば、室が取り付けられると き約１　ｔｎｍだけ圧縮されるインサート９３を考えることができ、その結果屈 曲部材９２／９２’間に保持される層８．９’／９３／９４の厚さはＤ２からＤ 工に減じられる（ｏ２−ｏ工〜１１１ｍ　）。発泡インサート９３の熱抵抗は別 として、より大きな熱転移は室壁２４とタンク絶縁との間の発泡絶縁９６１Ｃよ ってならびに通路５８′上にゆるく載着する発泡絶縁９８１Ｃよって阻止され、 絶縁パネル９６７９８はクロススライド２の運動時クランクガイドの方法におい て管５７によって引っ張られる。クロススライド２の運動時の金属板９４の引り 張！！７ｆｆ同様な方法において、例えば２本のボルト９５／９５’によって引 き起される。組立て要素８９のインサート外観をナイフ支持体２０カバープレー ト上の受容外観に配置することは挿入部分８９の長手方向底縁（矢印参照）上の 面取りされた表面と関連して部分８９および９２／９２’上の適亘なマーキング によって実質上簡単化されることができる。マーキングを使用することにより予 め選択されることができる室壁２４／２４’または支持体９２／９２’に関連す る組立て部材８９の位置はこれが、クロススライド２が「中立」位置にある。言 い換えれば伝動装置３または４Ｖｃよっていずれの方向にも動かされないときク ロススライド２のカバープレートの受容外観の位置に対応するように選ばれるこ とができる。

この位置は第１図ないし第３図および第１８図に°示された位置に対応する。

最後に、本発明のさらに他の展開は使用者が詳細な知識を有することなく非常に 好都合な条件全制御するのを助けかつ／または装置が作動している特別な条件に 関していつでも使用者が情報を保持するのに役立つことがでキル。この情報保持 （・１作動図においてＬＮ２で充填される力為またに選択されたプログラムによ り充填されるべきであるタンクの部分がＬＥＤディスプレイによってまたは照明 されることにより示されるために第１９図Ｖｃ工って可能である。かくして、第 １９図の状態Ａにおいて、挿入タンク７２／７２’の外方仕切り室および腰硯管 ７１のみがＬＮ２で充填され、これは第１１図に示した作動条件ＩＣ対応する。

同図の状態Ｂは完全に充填された両挿入タンク７２／７２’を示し、一方状態Ｃ は充填された完全な二重タンク組体３８’／　４０”ｉ有しそして最後Ｃて、状 態りは測定ダイオード５９と同じ位置れて充填された切断室の一部を有し、充填 は各場合にＬＮ２であり、その結果ナイフホルダベース５６のおよび物体支持体 ２６／２７のＬＮ２による亘接冷却が達成される。第２０図によりヵ１つ本発明 の好適な特徴によれば、これらの作動条件？、現在一般に使用される調整要素、 例えば回転ノブ９９（ナイフ温度Ｔｋ）、１０１（物体温度Ｔａ）および１０３ （切断エツジのレベルでのＧＮ２温度Ｔ。）での温度の予備選択に拘らずプログ ラムノブ１０５により手動で予め選択することができ、プログラムノブの調整範 囲は各場合にタンク装置の作動条件に対応し、かぐして容易１７ｔ：かつ拘束的 に予め選択することができる。例えば要素１００゜１０２お一部び１０４＆てお いてデジタル表示にすることができるＴ　、Ｔ　およびＴ。用の温度表示とは別 に、この装置には急速冷却（ＲＣ・・急速冷却）用、急速加熱（ＲＨ・・急速加 熱〕用および低温作動の終了時の室全体の加熱（ＦＨ・・最終加熱）用の押しボ タン１０６／１０７／１０８を備えることができ、その論理はプログラム１０５ および設定位置９９／１０１／１０３を無視し、その結果、例えば、他のすべて の設定（・コ、作動瀘開始されるかまたは遮断されるとき、伴なわれる特別な機 能に必要とされる予備選択において残されることができる。第２０図による手動 制御の代替物として、第２１図の回路図による本発明のさらに他の展開ＩＣよれ ば、マイクロプロセンサー０９を介して制御することができ、調整要素９９’／ Ｉ　Ｄ　１’／１０３’の信号は温度Ｔｋ、Ｔ、の予備選択時、測定ダイオード ５０′〜５４′および５９（信号および制御ライン１１０〕およびセンサ６５／ ６６／７０（信号ライン１１１）からの関連の信号にエリ、要素９９’／１０１ ’／１０３’で予め選択された位置が霜からの室の自由を保証しながら出来るだ け早く引き起されるような方法において加熱要素６５／６４／６９　（制御ライ フ１１２）および８２／８２’（制御ライフ１１３）ｉｃ自動的に変換され、デ ィスプレイ１１５は、予め選択された値からの許容し得る最大偏差を考慮しなが ら、作動のための読取りを指示し、一方デイスプレイ１１４および１１６は温度 がさらに上昇（信号１１６）しているかまたは降下〔信号１１４〕しているとい う事実を示し、その結果使用者はしたがって平衝状態が達成されるまで待たねば ならない。目視および／または音響信号（例えば、間欠改滅および／またはブザ ー音）を有するさらに他のディスプレイ１１７により、使用者は実行することが できない値（例えば、ナイフ温度−１８０℃、物体温度−１８０℃、室内ガス温 度＋５℃〕の組合せ全予め選択したという事実に気付くことができる。所望のか つ実際の値（９９’／１０１’／１０３’または１００／１０２／１０４〕の表 示を超えるディスプレイはこの装置においては不要にされることができる。

もちろん、本発明は第７図ないし第２１図に示された実施例に制限されない。例 えば、挿入タンク７２ａ７７２′はまた、装置のＬＮ２消費が）−１２０℃の温 度範囲に低減されることができる限りにおいてかつＬＮ２による補給の開始が大 きな問題でないならば、他の相分離装置、例えば従来技術による相分離管４５と 組み合されても良い。逆に、本発明による分離器７４はまた、ＬＮ２容器内に挿 入タンクを持たない冷却室の場合にかつとくにＬＮ２による補給の開始の間中微 小部片の破損に主として関心があるならば狭い口径の分離管７３とともに好都合 に使用されることができる。同様に、冷却室がミクロトームベースに取り付けら れかつナイフホルダのみがクロススライドに堅固に接続される本発明による室の 組立て（第１８図〕はまた。挿入タンクを持たずかつ分離タンクおよび狭す口径 の分離管を介してＬＮ２による補給のための設備を持九ない冷却室の場合に好都 合に使用されることができる。このような室組体は、例えば、また、接続管７１ 　、７１’または７１＆に結合される容器面（第１７図）と組み合されることが できる。

第１９図ないし第２１図にぶる作動条件を監視しかつ制御するための本発明によ る手段は、各場合に冷却装置の選択された実施例に適合させられる種々の手段に よって達成されることができる。これはとくにディスプレイおよびスイッチング 素子およびこれらの素子に接続されるエレクトロニクスの選択に適用し得る。

０　−５０−８０−１２０−１５０−１９０　＠Ｃ国際調査報告 国際調査報告 εＰ　８７００５９６ ＳＡ　２００５８

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. １．切断のために動かされかつナイフ支持体（２／３／４）に堅固に接続される プレパラート（１１）、ナイフ（７）用のホルダ（２５／５６／５７）、液体チ ツ素（ＬＮ２３５）によつて冷却されかつ金属壁によつて横方向にかつ底部（４ ０）で境界付けられかつ物体（２６／２７／２８）およびナイフホルダ（２５／ ５６／６０／６１）を収容すべくなされた開放頂部付き切断室（４１）を備え、 前記液体チツ素が相互に連通しかつ切断室の左右に配置される２つのＬＮ２タン ク（４２′，４３′）からなるタンク装置によつて収容され、前記切断室（４１ ）は前記タンク装置内に存するＬＮ２から沸騰させられかつバツフル装置（４８ ／４８′）によつて前記切断室の底部に向けられ、頂部開口を通つて漏出する場 合に底部から上方に向つて流れるガス状チツ素（ＧＮ２）の少なくとも実質的な 部分によつて横断されまた、加熱装置（６７／６９）が切断空間（４１）内のＧ Ｎ２を加熱するために設けられ、そしてまた好ましくはＬＮ２センサ（５０ない し５４，５９）または（５５）によつて制御され、ＬＮ２による補給が実施され るときＬＮ２貯蔵容器と冷却室との間の接続において最初に作られるＧＮ２を絶 縁しかつ案内するための分離装置（４４〜４７）を介して熱絶縁タンク装置に付 加することによりＬＮ２による補給のための装置を設けている、ミクロトーム、 とくに超ミクロトーム上への取付けのために、顕微鏡、とくに電子顕微鏡検査用 の薄片を製造するための薄片製造用の冷却室において、前記タンク装置内で、Ｌ Ｎ２容器（４２′，４３′）内の切断室（４１′）の左右に、好ましくは底部に 近接している別個のＬＮ２接続（７１，７１′または７１ａ）により互いに接続 される２つの挿入タンク（７２／７２′または７２ａ／７２ａ′）があり、該２ つの挿入タンク（７２／７２′または７２ａ／７２ａ′）の互いに向い合つてい る横壁面は前記切断室（４１′）の金属壁の部分であり、２つの挿入タンク（７ ２／７２′または７２ａ／７２ａ′）の少なくとも一方の外方横壁または前壁ま たは後壁の少往くとも一部分は各場合において前記切断室（４１′）の垂直金属 壁の一部分の最小高さ（Ｈ２）以下である最小高さ（Ｈ１）を有し、前記切断室 （４１′）の底部上へ金属パツフル板（４８／４８′）により完全に偏向される タンク装置（４２′／４３′／７２／７２′）たは７２ａ，７２ａ′）からのＧ Ｎ２は多分（および必要ならば）好ましくはかス加熱板（６７′）からなりかつ 単に前記バツフル板（４８／４８′）に固着されるガス加熱装置（７９／８０／ ６７′／６９′／８０′／７９′）によつて加熱され、前記ガス加熱装置は順次 前記切断室の壁（４０′）の金属部分と固体表面接触を有しないことを特徴とす る薄片製造用冷却室。
2. ２．底部に近接している前記ＬＮ２接続は接続管（７１，７１′または７１ａ） からなることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の薄片製造用冷却室。
3. ３．前記２つの挿入タンク（７２／７２′）は前記室の対称平面と好ましくは平 行でかつそれに関連して対称であるほぼ垂直に延びる仕切り壁（８１／８１′） によつて２つの仕切り室に分割され、その２つの外方仕切り室が底部に近接して いるＬＮ２接続（７１′）により互いに接続されかつ前記分離管（７３）を介し てＬＮ２で充填されることができ、前記仕切り壁（８１，８１′）は各々の少女 くとも一部分に前記挿入タンク（７２／７２′）の周壁の最小高さ（Ｈ１）以下 である最小高さ（Ｈ０）を有する（第１１図ないし第１３図）ことを特徴とする 請求の範囲第１項または第２項に記載の薄片製造用冷却室。
4. ４．前記仕切り壁（８１，８１′）によつて形成される前記挿入タンク（７２， ７２′）の２つの外方仕切り室の底部に近接して追加のＧＮ２掃気ガスの解放用 の加熱要素（８２，８２′）がある（第１１図および第１２図）ことを特徴とす る請求の範囲第３項に記載の薄片製造用冷却室。
5. ５．前記２つの挿入タンク（７２ａ／７２ａ′）は底部にかつ多分前記分離タン ク（７４）の壁（７５）に近接している前記ＬＮ２接続管（７１ａ）にのみ取り 付けられかつ前記切断室（４１′）の壁との追加の接触を有しない（第１４図お よび第１５図）ことを特徴とする請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１項 に記載の薄片製造用冷却室。
6. ６．前記挿入タンク（７２ａ／７２ａ′）の外壁は熟絶縁材料、例えば発泡合成 プラスチツク材料からなる層（７２ｂ／７２ｂ′）によつて被覆される（第１４ 図および第１５図）ことを特徴とする請求の範囲第５項に記載の薄片製造用冷却 室。
7. ７．前記タンク装置（３８′，４０′，４２′，４３′）を補給するために、前 記冷却室内に統合されかつＬＮ２供給ライン（４４）およびＧＮ２放出ライン（ ４７）を有する別個の分離タンク（７４）が設けられ、該タンクから前記挿入タ ンク（４２′，４３′）またはＬＮ２容器が通常の作動条件（ＬＮ２レベルくＨ ｍｉｎ）下で一定に掃引されかつＬＮ２によつて冷却されるほぼ水平に延びる狭 い口径の分離管（７３）を介してＬＮ２が供給されることを特徴とする請求の範 囲第１項ないし第６項のいずれか１項に記載の薄片製造用冷却室。
8. ８．前記分離管（７３）の直径は４ｍｍ以下かまたはそれに等しく一方その長さ は少なくとも８０ｍｍであることを特徴とする請求の範囲第７項に記載の薄片製 造用冷却室。
9. ９．水平にかつ実質上直線的に配置される前記分離管（７３）に加えて、かなり の長さのかつ同一かまたはより大きい径のさらに他の屈曲分離管（８３）があり 、前記分離タンク（７４）のＬＮ２入口開口は前記挿入タンクの壁高さ（Ｈ１） より大きい高さ（Ｈ１）にありそして前記入口開口から下方に向けられる部分の 後に、ＬＮ２出口開口と同じ位離れてほぼ水平にかつ≦Ｈｍｉｎである高さＨに おいて前記第１の分離管（７３）と平行に延びる部分があり、通常の作動条件下 でのＬＮ２レベルは予め定めた値Ｈｍｉｎ以上であり、前記分離管（７３）と同 様ｕ追加の分離管（８３）の水平部分は前記通常の作動条件下でＬＮ２によつて 連続的に掃引されかつ冷却される（第１６図）ことを特徴とする請求の範囲第７ 項または第８項に記載の薄片製造用冷却室。
10. １０．前記分離タンク（７４）内で、はねよけ（７６）の後ろに、前記分離タン クヘのＬＮ２の供給を制御するＬＮ２センサ（５０′〜５４′）または（５５； 第４図参照）がある（第９図および第１６図）ことを特徴とする請求の範囲第７ 項ないし第９項のいずれか１項に記載の薄片製造用冷却室。
11. １１．前記タンク装置（３８′／４０′／４１′／７２／７２′または７２ａ／ ７２ａ′）の残部のＬＮ２のレベルおよび／またはＬＮ２の補給を制限するため に、ＬＮ２センサは前記分離タンク（３８′／４０′／７５／７５′／７８／７ ７）の外部に配置されることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第１０項のい ずれか１項に記載の薄片製造用冷却室。
12. １２．前記挿入タンク間のＬＮ２接続（７１′）にかつ熱伝導が容易な中間金属 部材（８４）を介して同様に熱伝導が容易文金属板（８５）が、頂部を被しかつ 接触しないガス加熱装置（６７′／６９′）から予め定めた間隔（Ａ）にあるに 接続されることを特徴とする請求の範囲第１項ないし第１０項のいずれか１項に 記載の薄片製造用冷却室。
13. １３．前記中間部付（８４）を介してＬＮ２と接続（７１′）に熱的に接続され る前記金属板（８５）と前記ガス加熱装置（６７′）の上面との間には熱絶縁（ ８７）がある（第１７図）ことを特徴とする請求の範囲第１２項に記載の薄片製 造用冷却室。
14. １４．前記外方金属室壁（２４／２４′）はミクロトーム、とくに超ミクロトー ムのベース（１／９０）に堅固に接続され、そして前記室壁に移動可能に接続さ れるナイフの支持体（５６／５７／２５）は組立て要素（８９）によつてナイフ 支持体（２〜５）に堅固に接続され、前記切断仕切り室（４１′）からの出口を 密封しかつその加熱を防止するための装置（９７／９４／９３／９６／９８）が 設けられる（第１８図）ことを特徴とする請求の範囲第１項ないし第１３項のい ずれか１項に記載の薄片製造用冷却室。
15. １５．室底部（９７）およびその上で摺動しかつ前記組立て要素（８９）に弾力 性のかつ熱絶縁インサート（９３）によつて接続される熱伝導が容易な金属板（ ９４）は力係止接触（９３／９３′）に維持され、それらの表面が機械加工され 、それらの最小深さの粗さおょび精密かつ平らな仕上げが最小の摩擦による摺動 運動を保証しかつ前記切断室（４１′）からの冷たいＧＮ２の出現を阻止する（ 第１８図）ことを特徴とする請求の範囲第１４項に記載の薄片製造用冷却室。
16. １６．切断ユニツト（１〜２２）からの前記冷却室（２４〜２４′）の除去後、 前記金属板（９４）は前記室壁（２４）の下側の表面（９７）へのその力係止接 続に前記室壁（２４）の下側に固着される少なくとも１つの支持体（９１／９２ ／９２′／９１′）によつて維持される（第１８図）ことを特徴とする請求の範 囲第１４項または第１５項に記載の薄片製造用冷却室。
17. １７．前記切断室（４１′）と前記ナイフ支持体（５６／５７／８９／２）に接 続される前記板（９４）との間の熱転移は、前記冷却室から下方に向つて開口し かつ通路（５８′）の頂部および／または底部のナイフベース（５６）用の組立 てスリーブ（５７）の通路に向けられる前記通路（５８′）の開口が前記組立て スリーブ（５７）によつて前記クロススライド（２〜４）が運動を行なうときク ランクガイドのように移動される熱絶縁発泡パネル（９６／９８）によつて追加 的に絶縁される（第１８図）ことを特徴とする請求の範囲第１４項または第１５ 項に記載の薄片製造用冷却室。
18. １８．マーキングが前記組立て要素（８９）と偏向されないクロススライド上の 整合ハウジングとの間の力係止接続（第１図および第２図に示される２：「中立 位置」）用インサートが自動的に係合される前記室壁（２４／２４′／９２／９ ２′）に関連する移動可能なナイフ支持体（８９／５７／５６）の相対的位置を 示す（第１８図）ことを特徴とする請求の範囲第１４項ないし第１７項のいずれ か１項に記載の薄片製造用冷却室。
19. １９．表示手段が設けられ、該表示手段は図式表示において前記室のタンク装置 の特定の予め選択されたおよび／または達成されたＬＮ２充填およびかくして確 立された作動条件を示す（第１９図）ことを特徴とする請求の範囲第１項ないし 第１８項のいずれか１項に記載の薄片製造用冷却室。
20. ２０．前記タンク装置の種々のＬＮ２充填は好ましくはその目盛りまたはマーキ ング上に個々の作動条件下で達成し得る最小温度が示されるプログラムセレクタ （１０５または１０５′）によつて調整されることができる（第２０図）ことを 特徴とする請求の範囲第１項ないし第１９項のいずれか１項に記載の薄片製造用 冷却室。
21. ２１．マイクロプロセツサ（１０９）が設けられ、該マイクロプロセツサは前記 タンク装置（３８′／４０′／７２／７２′または７２ａ／７２ａ′）の変化す ＬＮ２充填を制御し、そして前記マイクロプロセツサにはナイフ温度Ｔｋ（９９ ′）、物体温度Ｔｓ（１０１′）および室内ガス温度（１０３′）を予め選択す るための設定要素ならびに制御要素およびセンサ、例えば、測定ダイオード（１ １０）温度センサ（１１１）および加熱要素（１１２／１１３）に接続される（ 第２１図）ことを特徴とする請求の範囲第１項ないし第１９項のいずれか１項に 記載の薄片製造用冷却室。
22. ２２．前記マイクロプロセツサは目視および／または音響表示装置を作動し、該 表示装置は切断用作動条件を得るとき（１１５）、平衛状態がまだ達成されてな いとき（１１４／１１６）または種々の温度を予め選択する要素（９９′／１０ １′／１０３′）が装置によつて実行されることがてきない値の組合せを予め選 択したとき対応する表示を供給する（１１７；第２１図）ことを特徴とする請求 の範囲第２１項に記載の薄片製造用冷却室。