JPH02501593A - フローティングダイヤフラム装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は圧力測定ｉｔに係わり、更に詳しくは流体圧測定のためにダイヤフラム を使用した圧力測定装置に関する。

２・　及Ｈａと１！ ダイヤフラムはセンサーの成る面積部分から他の面積部分へ流体圧を伝達するの に使用される。センサーのプロセス面積部分は腐食性であったり、或いはその逆 に測定するエレメントに対して損害となる影響を与えるものである場合がある。

或いは又、測定のために計測圧力を目盛表示することが必要とされる場合がある 。

ダイヤフラム組立体は一般に、ブロック材にキャビティ空間を機械加工し、入口 に対向するのキャビテイ壁に回旋（ｃｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎ　）を形成して残す ように作成される。

このキャピテイに於る回旋に対応する回旋を有する簿い可撓性の金属シートがブ ロック材に対してキャビティ入口周囲にて溶接される。圧力付加により、ダイヤ フラムはキャピテイ内方へ押圧されて、キャピテイ外部の圧力をキャビティ内部 へ伝達するのである。ダイヤフラムの回旋は成る程度の範囲を延在され、ダイヤ フラムに対して一層大きな範囲の可撓性を付与している。ダイヤフラムが更に押 圧されるとダイヤフラムはキャビテイ壁に対して突き当たり、対応する両回旋が 組合ってダイヤフラムの一層の引き伸ばしに抗するようになされるのである。

キャビテイ壁がストッパーとして作用しなければ、過大圧力によってダイヤフラ ムは歪められ、引き伸ばされ、或いは永久的な変形を生じて、装置としての応答 特性を変化させてしまうことになる。

実際的な保守に於て、ダイヤフラムの精度を維持する上で問題が生じている。典 型的には、キャビティブロックはそのシール面にプロセスガスケットが圧着され るように所定位置にボトル締めされて取り付けられる。それぞれのボトルが異な る力によって締め付けられる場合が起こり得るのであり、或いは又、ボトル締め により取り付けられるエレメントが変位し得るのである。同様に、キャピテイブ ロックを横断する圧力は温度、静圧、ボトルの弛み或いはその他の要因によって 変化し得るのである。このようにして得られたキャピテイブロックを横断する圧 力がダイヤフラムに伝達される。ダイヤフラムは元々の状態に対してドラムのよ うに緊張され、捩じられ、或いは弛みを生じることになる。この結果として応答 特性が変化してしまうのである。

従来のダイヤフラム装置を製造するには高い経費がかかる。特に、キャピテイブ ロックに回旋を形成することはコストを高めているのである。ダイヤフラムに溶 接不具合があったり、漏れがあったり、故障があったり、或いはその他の欠陥が あれば、回旋やボート或いはその他の特徴の形成に高いコストのかかったキャビ ティブロックを欠陥のあるダイヤフラムと一緒に犠牲にしなければならない。

ブＯセス環境は極めて腐食性の高い場合があり得るのであり、ダイヤフラム材料 とプロセス流体との間の化学反応がダイヤフラムの性能を劣化させ、或いはダイ ヤフラムの故障を引き起こし得るのである。従ってプロセス流体によって濡らさ れるプロセスダイヤフラムは極端な化学的状態に対して耐えることができるもの でなければならない。不運にも、あらゆるプロセス流体に対して耐えることので きる使用可能な安価な材料は知られていないのである。この結果、多少エキシチ ックな一般に高価な材料がダイヤフラムの製造に於て使用されている。ハウジン グ材料がダイヤフラム材料と同じでない場合には、ハウジングに対してダイヤフ ラムを確りと結合することは困難である。この結果として、小さい薄いダイヤフ ラム用に選定された高価な材料が重いハウジング構造にも使用されることになる 。従ってハウジングが不必要に高価なものとなってしまうのである。

それ故に、本発明の目的は圧力応答ダイヤフラム装置を提供することである。本 発明の他の目的は、取り付け、温度、或いはＨ置の組合わされたハウジングに生 じるその他の力、によって受ける影響を最小限に抑えることのできるダイヤフラ ム装置を提供することである。本発明の更に他の目的は、少なくとも製造の間は 組合わされる装置と分離されるダイヤフラム装置を提供することとである。本発 明の更に他の目的は、ハウジング構造が任意の材料によって作成できるようにな されたダイヤフラム装置を提供することである。

ｌ艶夏員１ ダイヤフラム装置は、実質的に流体内に浮遊即ちフローティング状態とされ、こ れによって組合わされる装置に生じる外部応力からダイヤフラムを隔離するよう になすことができる。１つの形態に於ては、ダイヤフラムユニットは剛性的なバ ックアッププレートを横断して形成され、内部ダイヤフラムキャビティを取り囲 むユニットを形成するようになされるのである。これにより、少なくともダイヤ フラムの取り付は縁部は殆ど全ての直接的或いは間接的な外力から自由状態とな される。ダイヤフラムキャビティは、ハウジングボートを挿通されているチュー ブに対してバックアッププレートを介して結合される。ハウジングからバックア ッププレートを離隔している容積は、ダイヤプラムに圧力を付加する流体と同一 流体によって充満されるのである。第２の形態に於ては、２枚の可撓性のダイヤ フラムが周囲の剛性サポートに対して結合される。一方のダイヤフラムはハウジ ングに対してボートを形成するチューブのための支持部を含んでいる。何れの形 態に於ても、ハウジングをダイヤフラムユニットに対して結合するチューブのみ が望ましくない橘道上の作用力をダイヤフラムに導ひくことになる。ダイヤフラ ムに到達する外力の経路は、これにより格段に減少されることになるのである。

図面の簡単な説明 第１図は部分的に破断したハウジング内部の部分的に隔離されたダイヤフラムの 横断面を示している。

第２図は部分的に破断したハウジング内部のフローティングプロセスダイヤフラ ムの好ましい実施例の横断面を示している。

第３図はフローティングセンシングダイヤフラムの横断面を示している。

本発明を遂行する最良の形態 第１図は部分的に隔離されたダイヤフラムを示している。ハウジング１０はダイ ヤフラムキャビティ１２を含むものとして示されている。このダイヤフラムキャ ビティ１２を横断して大体平たいダイヤフラム１４が延在されており、取り付は 縁部１６に沿ってハウジング１０に対してｅＮされている。プロセスガスケット １８がハウジング１０に隣接配備されていて、密着されたダイヤフラム１４を包 囲している。ダイヤフラム１４及びプロセスガスケット１８は、ハウジングキャ ビティ２２を取り囲むようにカバープレート２０によってカバーされている。こ のカバープレート２０はプロセス流体ボート２４を有しており、プロセス流体を ハウジングキャビティ２２内へ導びくようになっている。ハウジング１０には、 ダイヤフラム１４を取り囲むように且つ又ダイヤフラム１４の平面を横切る方向 に離隔チャンネル２６が形成されている。この離隔チャンネル２６は、取り付は 縁部１６と、ハウジング１０をカバープレート２０に結合するボトル２８との間 に位置することによって、ダイヤフラム１４を部分的に隔離しているのである。

特に、ダイヤフラムの平たい取り付は縁部１６は、ハウジング１０をカバープレ ート２０に対して結合する力受は機構から隔離されているのである。

この隔離は、ハウジング１０に作用する外力及びその他の構造的な力がダイヤフ ラム１４に対して与える影響を軽減するのである。特に、取り付は縁部１６の平 面に於るハウジング１０の表面と平行な力は、取り付は縁部１６から離れる方向 への経路に沿うようになされるのである。隔離範囲が拡大するにつれて、外力の 影響は次第に減少する。隔離の量は少しも見極められていないが、ハウジング１ ０の力支持部とダイヤフラム１４の取り付は縁部１６との間にチャンネル２６を 配置したことは、測定可能となる効果を有するように感じられる。ダイヤフラム １４の半径の半分の範囲内の深さを有するチャンネル２６がハウジング１ｏに生 じる外力及び構造力からダイヤフラム１４の取り付は縁部１６を適当に隔離する ものと考えられている。同様に、ダイヤフラム１４より下方のチャンネル２６か らのアンダーカットがダイヤフラム１４を更に一層隔離するのである。ハウジン グ１０の表面沿いの何れかの位置から伝達された構造力はカットオフされ、取り 付は縁部１６に影響を及ぼすことが避けられるのである。チャンネル２６が一層 深くなされ、又、ダイヤフラム１４のアンダーカットが一層大きくなされるなら ばなるほど、この隔離も次第により一層確実なものとなるのである。極端な場合 、ダイヤフラムキャビテイ１２内部の圧力流体は、例えばチューブとされる通路 を通してセンシングＩＩへ伝達されることが必要とされる。このチューブは゛圧 力及びそれに作用する機械的な力に耐えるように十分な強度を有していることが 必要であり、又、ダイヤフラムキャビティ１２に対して及びダイヤフラムキャビ ティ１２からの流れを抑制するような細さ及び長さとされてはならない。従って このチューブは外力及び構造力をダイヤフラムに伝達する唯一の経路となるので あり、それ故に小さく作られねばならない。

第２図は部分的に破断したハウジング内部のフローティングプロセスダイヤフラ ムの好ましい実施例の横断面を示している。ハウジング３０はダイヤフラムユニ ット３４を収容するためのハウジングキャビティ３２を有して形成されている。

カバープレート３６プロセス流体ボート３８を含み、ハウジング３０を横断して 配置されてハウジングキャビティ３２を取り囲むようになされる。

ハウジング３０はハウジングポート４４及びハウジングシート４６を含み、ダイ ヤフラムユニット３４のチューブ４８部分を受け止めるようになっている。

この７０−ティングダイヤフラムユニット３４は剛性バックアッププレート５０ を含み、このプレートに対してダイヤフラム５４がその取り付は縁部５２に沿っ て取り付けられる。このダイヤフラム５４はバックアッププレート５０の皿部分 ５６を横断して取り付けられ、バックアッププレート５０とダイヤフラム５４と の間にダイヤフラムキャビティ５８を形成している。ダイヤフラム５４は流体不 浸透性であるが、ハウジングキャビティ３２とダイヤフラムキャピテイ５８との 間の圧力変化によって撓むように十分な薄さとされている。好ましいダイヤフラ ム５４は従来技術として知られているように回旋（図示せず）を形成される。バ ックアッププレート５０は絶対的に剛性である必要はなく、ダイヤフラム５４よ りも十分な剛性とされ、圧力変化によってダイヤフラム５４の撓みの方が大きく なるようになされるだけでよい。

ダイヤフラム５４に対向して、皿部分５６の内面６０にはダイヤフラム側の回旋 と合致する回旋６２が形成されている。ダイヤフラム５４が過度に押圧されると 、ダイヤフラム５４はバックアッププレート５０に対してのみ押し付けられ、そ こに於てダイヤフラム５４がそれ以上引き伸ばされないようにストップされる。

バックアッププレート５０を製造する好ましい形態は予備整形の段階からスタン プ加工によって形成されることである。スタンプ加工はバックアッププレート５ ０に回旋６２を形成するようにできるのであり、これ以外の方法では回旋の形成 は困難である。特に、半径方向に対称の回旋を簡単に形成することができる。ス タンプ加工によって形成され得るその他の回旋形状としては、螺旋状、リブ状、 半径方向に非対称、円周方向に非対称、そしてそれらの様々な組合わせ、の形態 が含まれる。一般に、バックアッププレート５０は何れかの形状の回旋６２を有 してスタンプ加工されるのである。バックアッププレート５０は更に、ダイヤフ ラムキャビティ５８に対して開口する形成通路６４を含んでいる。

バックアッププレート５０に隣接して、ダイヤフラム５４と反対側にはプロセス シールド６６が配置されている。このプロセスシールドは対応する形成通路６８ を有している。出願人はプロセスガスケット４２及びプロセスシールド６６を、 ハウジングキャビティ３２の内部のプロセス流体をシールするための手段として 好んで使用している。このプロセスシールド６６は、ハウジング３０をプロセス 流体に対して露出させないようにするための高い腐食耐性のバリヤとされている 。好ましい形態に於ては、プロセスシールド６６はチューブ４８に対してシール された管状ディスクとされる。このシールド６６はキャピテイ壁７２に沿ってハ ウジング３０に順応する。

これによりハウジング３０がシールド６６に作用する流体圧力を受け止めるので あり、これによりシールド６６はより一層に薄く安価に作れるようにしているの である。

プロセスシールド６６はバックアッププレート５０、及びダイヤフラム５４、の 限界を越えて半径方向へ延在し、好ましい露出される周囲シール面積部分７４を 形成している。この面積部分に於て、プロセスガスケット４２はプロセスシール ド６６に接触する。ハウジング３０がカバープレート３６に対して結合される際 には、プロセスガスケット４２はカバープレート３６とシール面積部分７４との 間で圧縮され、又、このシール面積部分７４はハウジング３０に対して押し付け られるのである。

全体的にシャフトの形状をしたチューブ４８は、バックアッププレート５０及び プロセスシールド６６の厚さと等しい長さ範囲に於て、直径７８のシャフト入口 端部７６を有している。バックアッププレートの通路６４及びフロートシールド の通路６８はシャフト状人口端部７６と締り嵌めを形成する。ハウジングボート ４４の直径とマツチさせるために、チューブ４８の直径は第２の直径８０へと増 大されている。この大きな直径はチューブ４８の長さ部分に於て溶接リップ８２ を形成している。

組立の間、プロセスシールド６６、及びそれ故にバンクアッププレート５０は入 口チューブ端部７６に嵌合され、溶接リップ８２に対して保持される。バックア ッププレート５０及びプロセスシールド６６はしかる後に溶接リップ８２に対し て溶接８３され、バックアッププレート５０及びプロセスシールド６６をチュー ブ４８に対してシールドするようになされる。

更に、チューブ４８の長さ部分に沿って、チューブの直径が狭められてシートリ ップ８４を形成している。ハウジングボート４４は対応する狭められたポート直 径を有し、ハウジングシート４６を形成している。ハウジングシート４６を有す るハウジングボート４４がチューブ４８を受け止める。ハウジングシート４６は シートリップ８４と接触して、ハウジングキャビティ３２の内部に付加された圧 力に抗する。チューブ４８の長さ部分を通して、入口端部７６の位置から内部通 路８６が形成されている。この内部通路８°６は出口端部８８に迄延されて在形 成されており、この端部は好ましく選定された更に別の取り付は部分を形成して いる。

作動に於て、プロセス流体は例えばプロセス流体ポート３８からカバープレート ３６を通して流入し、カバープレート３６の内面及びプロセスガスケット４２を 濡らす。カバープレート３６は濡らされる内面に沿って適当に選定された材料に よる表面コーティングを施されて、製造コストを低減するようにされることがで きる。プロセスガスケット４２の材料は処理上の要求事項に合致するように選定 される。プロセス流体は又ダイヤフラムユニット３４の内面をも濡らす。この面 には、バックアッププレート５０．ダイヤフラム５４、そしてプロセスシ−ルド ６６が含まれる。プロセス流体によって濡らされる面積部分がダイヤフラムユニ ット３４、カバープレート３６、そしてプロセスガスケット４２に制限されるこ とから、効果な腐食耐性材料の要求される量が非常に少なくされるのである。ハ ウジング３０は通常は全く濡らされないのである。ハウジング３０はそれ故に任 意材料で作ることが可能となる。

ハウジング３０に対してダイヤフラムユニット３４をシールする様々な方法が利 用可能である。ダイヤフラム５４はハウジング３０に対してチューブ４８及びバ ックアッププレート５８の構造に沿う何れかの位置でシールされ、取り付は縁部 ５２との如何なる干渉も生じない。

例えば、チューブ４８がハウジング３０に螺入されたり、或いはプロセスシール ド６６がハウジング３０のねじ部に迄延在されることができる。プロセスシール ド６６はプロセス流体ポート３８へ延在される。このプロセスシールド６６は０ −リングに対して押し付けられたり、或いは、ハウジングに螺合又はその他のシ ール方法により取り付けられた上側ハウジングリングに対して溶接されることが できる。更に他の方法として、チューブ４８の長さ部分に沿って形成されるねじ 部を含む。このねじ部はしかる後に対応するハウジング３０．或いは２つのエレ メントをハウジング３ｏにシール取り付けする協働ねじエレメント、の部分に螺 合される。このシールは、ハウジングキャピテイ３０及びダイヤフラムキャビテ ィ５４に流体を収容し分離するためのものである。

与えられたそれぞれのシールの形態に於て、ダイヤフラムユニット３４はハウジ ング３０内で相互に交換できる。組立の際、標準的なハウジング３ｏは適当なプ ロセス耐性材料で作られたダイヤフラムユニット３４を組付けられる。ダイヤフ ラム３４が組付けの間或いは組立ての後に故障したならば、ダイヤフラムユニッ ト３４をハウジング３０から取外して交換することができるのである。ハウジン グ３０はそれ故に犠牲にされることはない。

出願人は、０．０５ａｗ（０，００２ｉｎ）の厚さのダイヤフラムを直径が３． ８１０（１，５０ｉｎ）で厚さが０．７６２ｎｍ（０，００２ｉｎ）のスタンプ 加工したバックアッププレートに対して溶接したフローティングダイヤフラムユ ニットを作成した。このダイヤフラムはスタンプ加工したバックアッププレート に対して流体圧成形されることでそのスタンプ加工したバックアッププレートの 回旋と正確に一致する回旋を形成された。プロセスシールドは厚さが０．３８１ ａｍ　（０，０１５ｉｎ）で直径が４．５５９１（１，７９５ｉｎ）のディスク とされた。

チューブは最大直径が６．６履（０，２６０ｉｎ）であり、内部通路の直径が０ ．７１１ａＩ＋（０，０２８ｉｎ）であり、全長は１．８８０ｎ　（０，７４０ ｉｎ）であった。バックアッププレート及びプロセスシールドは適当な雰囲気の 下で電子ビーム溶接によりチューブとして形成された。

全ての構成要素の１ｆＡ準的な材料はコバルト−ニッケルークロムのステンレス スチールであった。これらの構成要素はＡｌ５Ｉのタイプ３１６Ｌステンレスス チール、ハステロイＣ−２７６、モネル、及びタンタルによっても作られた。

第３図はフローティングダイヤフラムユニットの好ましい実施例を示している。

センシングダイヤフラムユニット９ｏは不活性充填流体に対して露出されており 、腐食性のプロセス流体には露出されていない。ワッシャー９２が第１の可撓性 ダイヤフラム９６の外面９４上の中央に取り付けられている。この第１の可撓性 ダイヤフラム９６は円形で、円周状の取り付は縁部９８を有している。シングル の回旋１００がワッシャー９２の半径方向の縁部と取り付は縁部９８との間を外 方へ向かって延長するように形成されている。好ましい回旋は半径方向に延在さ れたリブ（図示せず）を更に含むのである。第１のダイヤフラム９６の内面１０ ２の中央部分には、ワッシャー９２と半径方向に間延の第１の溶接リング１０４ が取り付けられている。組立ての間、ワッシャー９２及び第１の溶接リング１０ ４は第１のダイヤプラム９６の回りに配置される。これらの３つの部品がしかる 後に溶接１０５されてユニット化される。

第１のダイヤフラム９６の内面１０２は取り付は縁部９８に於てスペーサー１０ ６に溶接される。好ましいスペーサー１０６は環状形とされ、取り付は縁部９８ よりは小さいがワッシャー９２及び第１の溶接リングよりは多少大きな直径の内 径を有するものとされる。回旋１００の大部分に関して可撓性ダイヤフラム９６ はスペーサー１０６と重ねられる。スペーサーは部分的なバックアッププレート として作用する。スペーサー１０６は少なくとも半径方向に於て剛性的とされて 、ダイヤフラム９６の周縁位置を維持できるようになされる。

シートリップ１１２を有するチューブ１１０は第２の同様な可撓性ダイヤフラム １１６の外面１１４の中央に取り付けられる。チューブ１１０と半径方向に間延 の同様な形状の第２の溶接リング１１８が第２のダイヤフラム１１６の内面１２ ０の中央に沿って配置される。このチューブ１１０、第２のダイヤフラム１１６ 、第２の溶接リング１１８がしかる°後にグループとして溶接１２２されてチュ ーブ１１０を第２のダイヤフラム１１６に対してシールするようになされる。チ ューブ１１０の長さ部分に沿って第２のダイヤフラム１１６及び第２の溶接リン グ１１８を通して内部通路１２４が延在される。

第２のダイヤフラム１１６の内面１２０はしかる後に第１のダイヤフラム９６の ための取り付は部分と反対側でスペーサー１０６に対して取り付けられる。これ らの２つのダイヤフラム９６及び１１６は実質的に間延で平行とされ、２つの内 面１０２．１２０の間にダイヤフラムキャビティ１２６を形成する。このダイヤ フラムキャビティ１２６は内部チューブ通路１２４に対して開口される。

このフローティングセンシングダイヤフラムユニットはプロセスダイヤフラムユ ニットの取り付は方法と同様にしてハウジングキャビティ内に着座１１２される 。圧力変化により、第１及び第２の可撓性ダイヤフラム９６及び１１６は互いへ 向かって接近又は離反して、ダイヤフラムキャピテイ１２６の容積を変化させる 。ブレーダ−とは異なって、力付用面積部分はワッシャー９２、溶接リング１０ ４．１１８、スペーサー１０６及びチューブ１１０の剛性によってはっきりと境 界されるのである。

ダイヤフラムキャとティ１２６の流体は内部通路１２４を通して押されるのであ り、この圧力は呵る後に測定されるか、或いは他に適用されることになる。

更に加圧が進展すると、ダイヤフラムの内面１０２．１２０はスペーサー１０６ の重なり合った部分に対して当接され、このスペーサーがバックアッププレート として作用することになる。それ以上の加圧は従来技術によって知られているよ うなオーバーレンジ機構によって防止される。

センシングダイヤフラムに於る変形形態も可能である。

スペーサー１０６は円形又はその他の断面を有するリングを含むことができる。

或いは、回旋、穴、その他の特徴を有する環状形又はディスクとされてダイヤフ ラムとスペーサーとの間の接触及び解除を向上させることができる。スペーサー １０６は取り外され、或いは半径方向に可撓性のスペーサーと交換されて、高度 に可撓性のセンシングダイヤフラムユニットを形成することができるのである。

再び述べるがこの好ましい形態は、外力や構造力がダイヤフラムの応答性を混乱 させることになるダイヤフラムとハウジング即ち包囲構造体との間の接触を殆ど 生じないか全く生じないのである。

出願人は、０．４８ｍｍ　（０，０１９ｉｎ）の厚さで、外径が７．６２ｍｍ　 （０，３ｉｎ）　、内径が０．５３ｍｍ＋（０，０２１ｉｎ）のワッシャーを有 するフローティングセンシングダイ１７フラムを作成した。可撓性ダイヤフラム は直径が２．５４ｃｍ（ｌｉｎ）で厚さが０．０５ｍｍ（０，００２ｉｎ）であ った。この第２の可撓性ダイヤフラムは内径が５．１３層（０，２０２ｉｎ）で あった。スペーサー１０６は外径が２．５４ｃｍ　（１ｉｎ）　、内径が１０、 ６６ｍ　（０，４２ｉｎ）　、そして厚さが０．２５ｍｍ（０，０１ｉｎ）であ った。溶接リングは厚さが０．１２７層ｗ　（０，００５ｉｎ）であり、外径が ７．６２層ｍ　（０，３ｉｎ）　、内径が２．３６履（０，０９３ｉｎ）であっ た。チューブは最大外径が７．６２ｍｍ＋　（０，３ｉｎ）であり、着座直径が ４．０５ｍｍ　（０，１５９５ｉｎ）であり、内部通路の直径は１．３２履（０ ，０５２ｉｎ）であった。シートリップは出口ボートから４．３８履（０，１’ ７２５ｉｎ）であった。全長は８．１１ｍ（０，３１９５ｉｎ）　テアツタ。

現在好ましいと考えられている本発明の好ましい実施例を図示し、説明してきた が、当業者には請求の範囲の手続補正書（自発） １翫１年１月子Ｃ日

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. １．ａ）取り付け縁部、該取り付け縁部の周辺より内側の内面及び外面を有する ダイヤフラム、ｂ）ダイヤフラムと少なくとも同延であつて、ｉ）ダイヤフラム キヤビテイを形成するためにダイヤフラムの内面に対面する部分、 ｉｉ）ダイヤフラムの平面に隣接して取り付け縁部と周延とされ、該取り付け縁 部に取り付けられた部分であつて、ダイヤフラムの平面を少なくとも部分的に横 切つて位置され、取り付け縁部を包囲するとともに、該取り付け縁部及び力作用 を受けるサポート面に沿う何れかの位畳との中間に位置された前記部分、を有す るダイヤフラムサポート、 を包含するダイヤフラム装置。
2. ２．ａ）取り付け縁部、該取り付け縁部の周辺より内側の内面及び外面を有する ダイヤフラム、ｂ）第１のダイヤフラム内面と対向する内側サポート面を有し、 取り付け縁部に沿つて第１のダイヤフラムに結合され、これにより第１のダイヤ フラム内面と内側サポート面との間にダイヤフラムキヤビテイを形成するように なされた第１のダイヤフラムと少なくとも周延のダイヤフラムサポートであり、 取り付け縁部は構造力の伝達には実質的に関係しないで離隔されるようになされ ている前記ダイヤフラムサポート、ｃ）ダイヤフラムキヤビテイへ向けて及びダ イヤフラムキヤビテイから流体を尊びくためにダイヤフラムキャピティに密封状 態でリンクされた流体通路を有する実質的に不浸透性のチユーブ、を包含する第 １のフローテイングダイヤフラム装置。
3. ３．ダイヤフラムが回旋を形成されている請求の範囲第２項に記載の装置。
4. ４．取り付け面積部分が半径方向に非剛性とされている請求の範囲第２項に記載 の装置。
5. ５．ダイヤフラムサポートが剛性的なバックアツププレートである請求の範囲第 ４項に記載の装置。
6. ６．剛性的なバックアツププレートの第１の内面が凹面部分を有する請求の範囲 第５項に記載の装置。
7. ７．バックアツププレートに回旋が形成されている請求の範囲第６項に記載の装 置。
8. ８．回旋が非対称である請求の範囲第７項に記載の装置。
9. ９．ダイヤフラムが圧力付加によつてバックアツププレートに形成されている回 旋と合致する回旋を有する請求の範囲第７項に記載の装置。
10. １０．チユーブがバックァツププレートにシール取り付けされ、チユーブ内部通 路がバックアツププレートを通してダイヤフラムキヤビテイと連結されている請 求の範囲第２項に記載の装置。
11. １１．この装置をハウジングに対してシール取り付けするための手段を更に含ん でいる請求の範囲第１０項に記載の装置。
12. １２．ハウジングに対してチユーブをシール取り付けするための手段がプロセス シールドを含む請求の範囲第１１項に記載の装置。
13. １３．プロセスシールドがバックアツププレートの突出部を越えてハウジング上 へ延在される請求の範囲第１２項に記載の装置。
14. １４．ａ）取り付け縁部、該取り付け縁部の周辺より内側の内面及び外面を有す るダイヤフラム、ｂ）第１のダイヤフラム内面と少なくとも周延で、実質的な力 伝達構造から実質的に離隔された取り付け面積部分を有するとともに非可撓性の 周辺を有し、ダイヤフラム内面に対向する内側サポート面を有し、回旋を形成さ れた凹形部分を有するダイヤフラムサポートであつて、取り付け縁部に沿つてダ イヤフラムに結合され、これによりダイヤフラム内面と内側サポート面との間に ダイヤフラムキヤビテイを形成するようになされた前記ダイヤフラムサポート、 ｃ）この装置をハウジングに対してシール取り付けするためのプロセスシールド であつて、バックアツププレートの突出部を越えてハウジング上へ延在されてい る前記プロセスシールド、ｄ）ダイヤフラムキヤビテイへ向けて及びダイヤフラ ムキヤビテイから流体を導びくためにバツクアツププレートを通してダイヤフラ ムキヤビテイに連結された流体通路を有する実質的に不浸透性のチユーブ、 を包含するフローテイングダイヤフラム装置。
15. １５．ダイヤフラムサポートが第２の可撓性ダイヤフラムである請求の範囲第２ 項に記載の装置。
16. １６．第１及び第２の可撓性ダイヤフラムが第１及び第２の内面に沿つて平行で ある請求の範囲第１５項に記載の装置。
17. １７．第１のダイヤフラムの取り付け縁部に沿つて取り付け縁部を位置付けるた めの手段を含んでいる請求の範囲第１５項に記載の装置。
18. １８．位置付けのために半径方向に非圧縮性の手段が第１のダイヤフラムの取り 付け縁部に沿つて機成的に連結されたスペーサーを含んでいる請求の範囲第１７ 項に記載の装置。
19. １９．ダイヤフラムキヤビテイへ向けて及びダイヤフラムキヤビテイから流体を 導びくために第２のダイヤフラムに対してシール取り付けされた内部通路を含ん でなるチユーブを有する請求の範囲第１５項に記載の装置。
20. ２０．この装置をハウジングに対してシール取り付けするための手段を更に含ん でいる請求の範囲第１９項に記載の装置。
21. ２１．ａ）第１の内面、取り付け縁部、及び取り付け縁部に沿つて連結された半 径方向に非圧縮性の第１のダイヤフラム、 ｂ）第１のダイヤフラムと少なくとも同延で、第１の内面に沿つて平行な第２の 内面を有する第２の可撓性ダイヤフラムであつて、第２のダイヤフラムに対して シール取り付けされて第１の内面と第２の内面との間にダイヤフラムキヤビテイ を形成するようになされており、取り付け縁部が実質的な力伝達構造から実質的 に離隔されている前記第２のダイヤフラム、 ｃ）この装置をハウジングに対してシール取り付けするための手段、 ｄ）第２のダイヤフラムを通してダイヤフラムキヤピテイへ密封状態でリンクさ れている内部通路を有するチユーブ、 を包含するフローテイングダイヤフラム装置。
22. ２２．ａ）ｉ）外側部分を有するダイヤフラムサポート、ｉｉ）ダイヤフラムキ ヤビテイを形成するように取り付け縁部に沿つてダイヤフラムサポートにシール 取り付けされた可撓性ダイヤフラム、 ｉｉｉ）ダイヤフラムサポートを通してダイヤフラムキヤビテイへ密閉状態でリ ンクされた内部通路を有するチユーブ、 を含むダイヤフラムユニツト、 ｂ）ハウジングキャビティとダイヤフラムキヤビテイとの間を、取り付け縁部に 近い部分からダイヤフラムサポートの外面に沿つてチユーブ沿いの部分へ至る面 積部分にてシールするための着脱可能のシール装置、 を包含するハウジングキャビテイ内に使用される交換可能なダイヤフラム装置。
23. ２３．ａ）ｉ）外側部分を有するダイヤフラムサポート、ｉｉ）ダイヤフラムキ ヤビテイを形成するように取り付け縁部に沿つてダイヤフラムサポートにシール 取り付けされた可撓性ダイヤフラム、 ｉｉｉ）ダイヤフラムサポートを通してダイヤフラムキヤビテイへ密閉状態でリ ンクされた内部通路を有するチユーブ、 を包含する、プロセス流体ポートを含む部分を有するハウジング内に使用するた めのダイヤフラムユニット、 ｂ）ダイヤフラムユニツトとプロセス流体ポートを含むハウジング部分との間を 、取り付け縁部に近い部分からダイヤフラムサポートの外側部分に沿つてチユー ブ沿いの部分へ至る面積部分に於てシールするためのシール手段、 を包含するプロセス流体との接触を制限されたダイヤフラム装置。