JPH0250427A - 半導体基板処理槽 - Google Patents
半導体基板処理槽Info
- Publication number
- JPH0250427A JPH0250427A JP20159488A JP20159488A JPH0250427A JP H0250427 A JPH0250427 A JP H0250427A JP 20159488 A JP20159488 A JP 20159488A JP 20159488 A JP20159488 A JP 20159488A JP H0250427 A JPH0250427 A JP H0250427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tank
- semiconductor substrate
- process tank
- wall
- processing tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板処理槽に関し、特に液体をオーバー
フローさせながら半導体基板を処理するオーバーフロー
槽に関する。
フローさせながら半導体基板を処理するオーバーフロー
槽に関する。
従来この種の半導体基板処理槽は、単槽でその上部開口
部の内壁は垂直であった。
部の内壁は垂直であった。
半導体基板処理槽の液体中の微粒子は半導体基板に付着
して半導体装置の電気的特性の劣化や信頼性１歩留りの
低下を引き起こす。一般に設計ルールの１／１０の大き
さの微粒子が問題になるといわれている。
して半導体装置の電気的特性の劣化や信頼性１歩留りの
低下を引き起こす。一般に設計ルールの１／１０の大き
さの微粒子が問題になるといわれている。
例えば、ゲート酸化膜に微粒子が付着するとゲート耐圧
が劣化したり信頼性が低下したりする。
が劣化したり信頼性が低下したりする。
また、半導体基板に微粒子が付着したままフォトリソグ
ラフィー工程に入ると正規のパターンが描けなくなり、
歩留りが低下したり信頼性が低下したりする。
ラフィー工程に入ると正規のパターンが描けなくなり、
歩留りが低下したり信頼性が低下したりする。
半導体基板処理槽の液体中の微粒子は元々の液体中に混
入していたり、微粒子が付着した半導体基板や半導体基
板を保持するためのキャリアから半導体基板処理槽内に
持ち込まれる。また、処理薬液によっては半導体基板と
処理薬液との反応によって生成される反応生成物も微粒
子となることがある。
入していたり、微粒子が付着した半導体基板や半導体基
板を保持するためのキャリアから半導体基板処理槽内に
持ち込まれる。また、処理薬液によっては半導体基板と
処理薬液との反応によって生成される反応生成物も微粒
子となることがある。
このように、液体中の微粒子は速やかに槽外へ排出する
必要がある。速やかに排出する方法として上述した従来
のオーバーフロー槽がある。しかし、従来のオーバーフ
ロー槽は処理槽内壁が垂直で単槽であるため、処理槽内
の液体中の微粒子が速やかに排出されないという問題点
があった。
必要がある。速やかに排出する方法として上述した従来
のオーバーフロー槽がある。しかし、従来のオーバーフ
ロー槽は処理槽内壁が垂直で単槽であるため、処理槽内
の液体中の微粒子が速やかに排出されないという問題点
があった。
第３図は従来の処理槽と液体中の微粒子の流れを示す模
式的断面図である。垂直の内壁を有した処理槽３０１内
の液体中の微粒子は、槽下部に設けられた液体導入口３
０４より導入された液体の流れに沿って移動し液体の表
面に浮遊してくる。
式的断面図である。垂直の内壁を有した処理槽３０１内
の液体中の微粒子は、槽下部に設けられた液体導入口３
０４より導入された液体の流れに沿って移動し液体の表
面に浮遊してくる。
微粒子が槽上部の開口面３０２まで到着した際、液体の
極表面を浮遊する微粒子３１１は槽上部の開口面３０２
からオーバーフローしてそのまま槽外へ排出されるが、
槽上部の開口面３０２に極近傍した微粒子３１２は槽上
部の内壁３０３が堰となり槽内壁３０３に付着、あるい
はそのまま槽中へ下降し完全には排出されず槽内へ滞留
する。
極表面を浮遊する微粒子３１１は槽上部の開口面３０２
からオーバーフローしてそのまま槽外へ排出されるが、
槽上部の開口面３０２に極近傍した微粒子３１２は槽上
部の内壁３０３が堰となり槽内壁３０３に付着、あるい
はそのまま槽中へ下降し完全には排出されず槽内へ滞留
する。
従って、液体中の微粒子を槽外へ排出するにはオーバー
フローの時間を長くするか、あるいは、槽内へ導入する
液体の量を増大させる必要があった。
フローの時間を長くするか、あるいは、槽内へ導入する
液体の量を増大させる必要があった。
また、薬液により処理された半導体基板を水洗するため
の処理槽は、微粒子のみならず薬液をも速やかに排出す
る必要があるが、従来の半導体基板処理槽では、微粒子
と同様の理由により、持ち込まれた薬液が速やかに排出
されないという問題点があった。半導体基板から充分に
薬液が除去できないないと、半導体基板に設けられた半
導体装置の電気的特性の劣化や歩留り、信頼性の低下を
引き起こす。
の処理槽は、微粒子のみならず薬液をも速やかに排出す
る必要があるが、従来の半導体基板処理槽では、微粒子
と同様の理由により、持ち込まれた薬液が速やかに排出
されないという問題点があった。半導体基板から充分に
薬液が除去できないないと、半導体基板に設けられた半
導体装置の電気的特性の劣化や歩留り、信頼性の低下を
引き起こす。
本発明は上記欠点を解消し、半導体素子の電気的特性の
向上、高歩留り、高信頼性の半導体装置を得ることがで
きる半導体基板処理槽を提供することを目的とする。
向上、高歩留り、高信頼性の半導体装置を得ることがで
きる半導体基板処理槽を提供することを目的とする。
本発明の半導体基板処理槽は、上部開口部が外側に傾斜
した内壁からなる処理槽と、処理槽の上部開口面より高
い位置に処理槽の内側に入らないよう配置されたオーバ
ーフロー堰とを有している。
した内壁からなる処理槽と、処理槽の上部開口面より高
い位置に処理槽の内側に入らないよう配置されたオーバ
ーフロー堰とを有している。
本発明は上部開口部が外側に傾斜した内壁からなる処理
槽と、処理槽の上部開口面より高い位置に処理槽の内側
に入らないよう配置されたオーバーフロー堰とからなる
ので、上部開口部が外側に傾斜した内側により垂直な内
壁に比べ液体の流れが乱れず、さらに従来の単槽のオー
バーフロー堰では処理槽に戻っていた流れも処理槽外側
のオーバーフロー槽により処理槽外へ排出される。
槽と、処理槽の上部開口面より高い位置に処理槽の内側
に入らないよう配置されたオーバーフロー堰とからなる
ので、上部開口部が外側に傾斜した内側により垂直な内
壁に比べ液体の流れが乱れず、さらに従来の単槽のオー
バーフロー堰では処理槽に戻っていた流れも処理槽外側
のオーバーフロー槽により処理槽外へ排出される。
次に、本発明について図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の模式的断面図である。１０
１は処理槽、１０２は外側に傾斜した処理槽内壁、１０
３は処理槽１０１の上部開口面より２１高い位置で処理
槽１０１より２園外側に設けたオーバーフロー堰である
。オーバーフロー堰１０３は処理槽１０１に数箇所で接
続固定されている。１０４は液体導入口である。
１は処理槽、１０２は外側に傾斜した処理槽内壁、１０
３は処理槽１０１の上部開口面より２１高い位置で処理
槽１０１より２園外側に設けたオーバーフロー堰である
。オーバーフロー堰１０３は処理槽１０１に数箇所で接
続固定されている。１０４は液体導入口である。
液体導入口１０４から導入された液体はオーバーフロー
堰１０３からオーバーフロースルよう流量を設定する。
堰１０３からオーバーフロースルよう流量を設定する。
処理槽１０１内の液体の極表面を流れる微粒子は外側に
傾斜した処理槽内壁１０２のため、はぼ全てが処理槽１
０１をオーバーフローし、オーバーフロー堰１０３によ
りオーバーフロー堰１０３をオーバーフローする微粒子
と、オーバーフロー堰１０３と処理槽１０１との間を流
れ落ちる微粒子とに分かれ槽外へ排出される。
傾斜した処理槽内壁１０２のため、はぼ全てが処理槽１
０１をオーバーフローし、オーバーフロー堰１０３によ
りオーバーフロー堰１０３をオーバーフローする微粒子
と、オーバーフロー堰１０３と処理槽１０１との間を流
れ落ちる微粒子とに分かれ槽外へ排出される。
２０ｉ７の容量の処理槽に当初４０ケ／ ｍｌの微粒子
を含む純水を従来の半導体基板処理槽を用いて流量１０
ｊ７／ｍｍでオーバーフローを行ったところ、純水中の
微粒子が１ケ／ ｍｌ以下に達する約１５分要したが、
本発明の半導体基板処理槽を用いることにより約２分で
達成することができた。また、フッ化水素酸で処理した
半導体基板を水洗処理するのに従来の半導体基板処理槽
を用いて流量１゜１２７１ｍでオーバーフロー水洗した
ところ１６ＭΩ・口の比抵抗までの回復時間は約６分で
あったが、本発明の半導体基板処理槽を用いることによ
り約４分で達成することができた。
を含む純水を従来の半導体基板処理槽を用いて流量１０
ｊ７／ｍｍでオーバーフローを行ったところ、純水中の
微粒子が１ケ／ ｍｌ以下に達する約１５分要したが、
本発明の半導体基板処理槽を用いることにより約２分で
達成することができた。また、フッ化水素酸で処理した
半導体基板を水洗処理するのに従来の半導体基板処理槽
を用いて流量１゜１２７１ｍでオーバーフロー水洗した
ところ１６ＭΩ・口の比抵抗までの回復時間は約６分で
あったが、本発明の半導体基板処理槽を用いることによ
り約４分で達成することができた。
第２図は本発明の実施例の模式的断面図である。
２０１は処理槽、２０２は外側に傾斜した処理槽内壁、
２０３は処理槽２０１の上部開口面より２門高い位置で
処理槽２０１より２−外側に設けたオーバーフロー堰で
ある。オーバーフロー堰２０３は処理槽２０１に数箇所
で接続固定されている。
２０３は処理槽２０１の上部開口面より２門高い位置で
処理槽２０１より２−外側に設けたオーバーフロー堰で
ある。オーバーフロー堰２０３は処理槽２０１に数箇所
で接続固定されている。
２０４は液体導入口である。
本実施例は処理槽２０１の厚さを利用して外側に傾斜し
た処理槽内壁２０２を構成しているため、効果は一実施
例と変らないにもかかわらず処理槽２０１の製造方法が
簡単になり製造費用が極めて低くなる利点がある。
た処理槽内壁２０２を構成しているため、効果は一実施
例と変らないにもかかわらず処理槽２０１の製造方法が
簡単になり製造費用が極めて低くなる利点がある。
以上説明したように本発明は、上部開口部が外側に傾斜
した内壁からなる処理槽と、処理槽の上部開口面より高
い位置に処理槽に内側に入らないように配置されたオー
バーフロー堰とを有することにより、従来の半導体基板
処理槽では速やかに排出できなかった槽上部の内壁に近
傍した微粒子を速やかに槽外へ排出することができ、半
導体基板は微粒子で汚染されることなく半導体装置の電
気的特性が向上し、歩留り、信頼性が向上する。
した内壁からなる処理槽と、処理槽の上部開口面より高
い位置に処理槽に内側に入らないように配置されたオー
バーフロー堰とを有することにより、従来の半導体基板
処理槽では速やかに排出できなかった槽上部の内壁に近
傍した微粒子を速やかに槽外へ排出することができ、半
導体基板は微粒子で汚染されることなく半導体装置の電
気的特性が向上し、歩留り、信頼性が向上する。
また、薬液で処理した後の水洗槽として用いることによ
り薬液の水置換が速くなり、純水使用量を極めて少なく
することができ、半導体装置の歩留り、信頼性が向上す
る。
り薬液の水置換が速くなり、純水使用量を極めて少なく
することができ、半導体装置の歩留り、信頼性が向上す
る。
第１図は本発明の一実施例の半導体基板処理槽の模式的
断面図、第２図は本発明の他の実施例の模式的断面図、
第３図は従来の半導体基板処理槽と液体中の微粒子の流
れを示す模式的断面図である。 １０１．２０１，３０１・・・・・・処理槽、１０２゜
２０２・・・・・・外側に傾斜した処理槽内壁、１０３
゜２０３・・・・・・オーバーフロー堰、１０４，２０
４゜３０４・・・・・・液体導入口、３０３・・・・・
・垂直な槽内壁、３１１・・・・・・液体の極表面を浮
遊する微粒子、３１２・・・・・・槽上部の開口面に極
く近傍した微粒子、３０２・・・・・・槽上部の開口面
。 代理人 弁理士 内 原 晋 ／ρＺ タ阿則ＬＪゆ針したメ匹Ｊ里槽内５邑／ 第１図 第３図 第Ｚ図
断面図、第２図は本発明の他の実施例の模式的断面図、
第３図は従来の半導体基板処理槽と液体中の微粒子の流
れを示す模式的断面図である。 １０１．２０１，３０１・・・・・・処理槽、１０２゜
２０２・・・・・・外側に傾斜した処理槽内壁、１０３
゜２０３・・・・・・オーバーフロー堰、１０４，２０
４゜３０４・・・・・・液体導入口、３０３・・・・・
・垂直な槽内壁、３１１・・・・・・液体の極表面を浮
遊する微粒子、３１２・・・・・・槽上部の開口面に極
く近傍した微粒子、３０２・・・・・・槽上部の開口面
。 代理人 弁理士 内 原 晋 ／ρＺ タ阿則ＬＪゆ針したメ匹Ｊ里槽内５邑／ 第１図 第３図 第Ｚ図
Claims (1)
- 液体をオーバーフローさせながら半導体基板を処理する
槽において、上部開口部が外側に傾斜した内壁からなる
処理槽と、該処理槽の外側で前記上部開口部より高い位
置に配置されたオーバーフロー堰とを有する半導体基板
処理槽
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20159488A JPH0250427A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 半導体基板処理槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20159488A JPH0250427A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 半導体基板処理槽 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250427A true JPH0250427A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16443644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20159488A Pending JPH0250427A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | 半導体基板処理槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0250427A (ja) |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP20159488A patent/JPH0250427A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3343033B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS6347137B2 (ja) | ||
| US5948173A (en) | System and method for cleaning a semiconductor wafer | |
| US11037805B2 (en) | Wafer cleaning apparatus and method of cleaning wafer | |
| US5282923A (en) | Liquid agitation and purification system | |
| JP2920165B2 (ja) | 枚葉洗浄用オーバーフロー槽 | |
| JPH0250427A (ja) | 半導体基板処理槽 | |
| JPS63110731A (ja) | 半導体基板処理装置 | |
| KR20260006082A (ko) | 웨이퍼를 세척하는 데 사용되는 장치 및 방법 | |
| JP3386892B2 (ja) | 洗浄槽 | |
| JPH01222449A (ja) | 半導体基板処理槽 | |
| US20020078978A1 (en) | Particle barrier drain | |
| JP2902757B2 (ja) | 半導体ウェハの洗浄方法 | |
| JPH11102888A (ja) | 基板処理槽 | |
| JP2840799B2 (ja) | 枚葉式洗浄方法及び装置 | |
| JPS6242372B2 (ja) | ||
| JP3208809B2 (ja) | オーバーフロー洗浄槽 | |
| JPH0736399B2 (ja) | 半導体ウエハ用洗浄リンス槽 | |
| JPS62279640A (ja) | ウエハ洗浄装置 | |
| JPH06124934A (ja) | ウエット洗浄装置 | |
| JPH06333907A (ja) | 洗浄処理装置 | |
| KR0125681Y1 (ko) | 웨이퍼 세정조 | |
| JPH06164112A (ja) | 洗浄装置 | |
| JPH10189524A (ja) | 洗浄処理装置および洗浄処理方法 | |
| KR100344942B1 (ko) | 스핀 에처 및 식각 방법 |