JPH0250613B2 - - Google Patents
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- JPH0250613B2 JPH0250613B2 JP55118536A JP11853680A JPH0250613B2 JP H0250613 B2 JPH0250613 B2 JP H0250613B2 JP 55118536 A JP55118536 A JP 55118536A JP 11853680 A JP11853680 A JP 11853680A JP H0250613 B2 JPH0250613 B2 JP H0250613B2
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- Japan
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- mask
- plane
- wave
- slits
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70583—Speckle reduction, e.g. coherence control or amplitude/wavefront splitting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2045—Exposure; Apparatus therefor using originals with apertures, e.g. stencil exposure masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70566—Polarisation control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S359/00—Optical: systems and elements
- Y10S359/90—Methods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、細かく周期的に分布した平行な複数
スリツトを穿つたマスクを電界ベクトルが該スリ
ツトと平行であるように入射面に垂直に偏光させ
られたフラツトすなわち平坦な単色光波により照
射して、前記マスクを忠実に再現する投影像を支
持体（support）上に得る方法に関する。
スリツトを穿つたマスクを電界ベクトルが該スリ
ツトと平行であるように入射面に垂直に偏光させ
られたフラツトすなわち平坦な単色光波により照
射して、前記マスクを忠実に再現する投影像を支
持体（support）上に得る方法に関する。
現在、非常に細かいスリツトを有するマスクを
支持体上に忠実に再現することは、非常に大きな
困難に直面している。この様なマスクを照射する
と、事実、無数の寄生回折を生じ、これがためマ
スクに忠実に一致し、かつ完全にコントラストの
とれた輪郭を有する投影像の支持体上への再現を
妨げる。
支持体上に忠実に再現することは、非常に大きな
困難に直面している。この様なマスクを照射する
と、事実、無数の寄生回折を生じ、これがためマ
スクに忠実に一致し、かつ完全にコントラストの
とれた輪郭を有する投影像の支持体上への再現を
妨げる。
本発明は、これらの不利益を取り除くことを提
案し、このために、マスクの中心平面（mean
plane）の両側に位置する二つの半空間のそれぞ
れについて二つの回折の次数（diffracted
order）のみが存在するように入射平坦波の波長
を選択することおよび正反射次数ではなく反射回
折次数が入射波の向きであつて逆の方向に伝播す
るように前記入射平坦波の入射角を調節してなる
ことを特徴とする方法を提共することを目的とす
る。
案し、このために、マスクの中心平面（mean
plane）の両側に位置する二つの半空間のそれぞ
れについて二つの回折の次数（diffracted
order）のみが存在するように入射平坦波の波長
を選択することおよび正反射次数ではなく反射回
折次数が入射波の向きであつて逆の方向に伝播す
るように前記入射平坦波の入射角を調節してなる
ことを特徴とする方法を提共することを目的とす
る。
これらの取合せのおかげで、寄生回折は取り除
かれ、そしてマスクの忠実かつ完全にコントラス
トのとれた再現である投影像が得られることとな
る。
かれ、そしてマスクの忠実かつ完全にコントラス
トのとれた再現である投影像が得られることとな
る。
更に、支持体をマスクから適度な距離に離して
置くことができるため、これら二つのエレメント
を接触させることに起因する制約および不利益か
ら解放される。
置くことができるため、これら二つのエレメント
を接触させることに起因する制約および不利益か
ら解放される。
更に、マスクの厚さが充分であるならば、マス
クを形成する材料はいかなる材料でもよいし、材
料の反射能は低い値に下げてもよいことは注目さ
れるべきである。
クを形成する材料はいかなる材料でもよいし、材
料の反射能は低い値に下げてもよいことは注目さ
れるべきである。
本発明の方法の特徴に従つて、マスクのスリツ
トは任意の断面を有してもよい。実験室の実験
は、事実、スリツトの壁の形状は支持体上に得ら
れる投影像の質に影響を与えないことを示してい
る。故にスリツトの切抜きは、極端な正確さをも
つて行なわなければならないことはなく、このこ
とはマスクの製作を簡単にするとともにマスクを
より低廉にする。
トは任意の断面を有してもよい。実験室の実験
は、事実、スリツトの壁の形状は支持体上に得ら
れる投影像の質に影響を与えないことを示してい
る。故にスリツトの切抜きは、極端な正確さをも
つて行なわなければならないことはなく、このこ
とはマスクの製作を簡単にするとともにマスクを
より低廉にする。
マスクが間隔ｄで周期的に分布するスリツトを
含むとき、本発明の方法は、波長が約2d／３から約 2dの間の平坦単色光波の使用を提案している。
含むとき、本発明の方法は、波長が約2d／３から約 2dの間の平坦単色光波の使用を提案している。
本発明の方法は非常に様々な産業上の応用を受
入れることができる。本発明の方法の用途を例示
すれば、写真平版の分野、電子工学における集積
回路および集積オプチツクス（integrated
optics）の製造技術、特にデイレイラインを組み
立てるための電荷結合回路、入射用としてばかり
でなく伝達用としても使用される回折ネツトワー
クの複製、集積オプチツク用のネツトワークカプ
ラーの複製などがある。
入れることができる。本発明の方法の用途を例示
すれば、写真平版の分野、電子工学における集積
回路および集積オプチツクス（integrated
optics）の製造技術、特にデイレイラインを組み
立てるための電荷結合回路、入射用としてばかり
でなく伝達用としても使用される回折ネツトワー
クの複製、集積オプチツク用のネツトワークカプ
ラーの複製などがある。
以下、本発明の実施例を添付図を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は、本発明の方法を用いて忠実に再現さ
れ得るマスクの平面図、 第２図は、マスクのスリツトの一つを本発明の
方法の教示に従つて照射したところを示す、第１
図の−線における拡大部分断面図、および 第３図は、第２図と同じ部分拡大図で感光剤層
で被覆された支持体上に投影されたマスクの影を
表わしたところである。
れ得るマスクの平面図、 第２図は、マスクのスリツトの一つを本発明の
方法の教示に従つて照射したところを示す、第１
図の−線における拡大部分断面図、および 第３図は、第２図と同じ部分拡大図で感光剤層
で被覆された支持体上に投影されたマスクの影を
表わしたところである。
本発明による方法は、例えば感光剤層２で被覆
された支持体１および細かな平行スリツト４を有
するマスク３を忠実に再現する投影像を得るた
め、いわゆるリツトロウ（LITTROW）又はブ
ラツグ（BRAGG）アセンブリイからインスピー
シヨンを得ることにより完成されたものである。
添付図に示された実施例において、各スリツト４
は直線で囲まれ、一定間隔ｄで形成されている。
特に第２図を参照して、これらのスリツトは、例
えば参考例５および６で示される壁の形状と同様
のものならばいかなる形状を有してもよい。
された支持体１および細かな平行スリツト４を有
するマスク３を忠実に再現する投影像を得るた
め、いわゆるリツトロウ（LITTROW）又はブ
ラツグ（BRAGG）アセンブリイからインスピー
シヨンを得ることにより完成されたものである。
添付図に示された実施例において、各スリツト４
は直線で囲まれ、一定間隔ｄで形成されている。
特に第２図を参照して、これらのスリツトは、例
えば参考例５および６で示される壁の形状と同様
のものならばいかなる形状を有してもよい。
本発明による方法を実施するために、先ず、マ
スク３は、入射面（入射面は図面の面と一致して
いるが）がスリツト４の向きと垂直な平坦単色光
波で照射される。この単色光波は、その電界ベク
トルがスリツトと平行になるように入射面と垂直
に偏光させられている。単色光波の波長をλとす
ると、波長は、それぞれのスリツトで限定され、
かつ、マスクの中心平面Ｐの両側に置かれた二つ
の半空間のそれぞれについて二つの回折次数が存
在するのみであるように、スリツトの間隔の関数
として選択される。この条件を満足している第２
図を参照すると、実際上、二つの反射回折次数と
二つの伝達回折次数とのみが存在することに気が
つく。ここに二つの反射次数はマスクの上側に置
かれた光線R1およびR2によつて表わされ、それ
に対し二つの伝達次数はマスクの下側に置かれた
光線R3およびR4で表わされる。
スク３は、入射面（入射面は図面の面と一致して
いるが）がスリツト４の向きと垂直な平坦単色光
波で照射される。この単色光波は、その電界ベク
トルがスリツトと平行になるように入射面と垂直
に偏光させられている。単色光波の波長をλとす
ると、波長は、それぞれのスリツトで限定され、
かつ、マスクの中心平面Ｐの両側に置かれた二つ
の半空間のそれぞれについて二つの回折次数が存
在するのみであるように、スリツトの間隔の関数
として選択される。この条件を満足している第２
図を参照すると、実際上、二つの反射回折次数と
二つの伝達回折次数とのみが存在することに気が
つく。ここに二つの反射次数はマスクの上側に置
かれた光線R1およびR2によつて表わされ、それ
に対し二つの伝達次数はマスクの下側に置かれた
光線R3およびR4で表わされる。
平坦単色光波の波長を選択した後、入射角ｉ
は、反射次数“−１”（光線R1によつて表わされ
た正反射次数“０”ではなく、光線R2によつて
表わされている）は入射波の向きで反対の方向へ
伝播されるように調節される。この調節によつ
て、“０”（光線R3で表わされる）と“−１”（光
線R4で表わされる）二つの平坦波が伝達され得
る。これらの二つの波は、同じ大きさで同じ位相
ではあるが、中心平面Ｐに垂直に広がる面Ｔに関
し対称の向きに伝播される。
は、反射次数“−１”（光線R1によつて表わされ
た正反射次数“０”ではなく、光線R2によつて
表わされている）は入射波の向きで反対の方向へ
伝播されるように調節される。この調節によつ
て、“０”（光線R3で表わされる）と“−１”（光
線R4で表わされる）二つの平坦波が伝達され得
る。これらの二つの波は、同じ大きさで同じ位相
ではあるが、中心平面Ｐに垂直に広がる面Ｔに関
し対称の向きに伝播される。
各スリツトの出口に伝達された平坦波は、そこ
で相互に干渉し、一方支持体１の上にマスクを忠
実に再現し、かつ最大のコントラストを表わして
いる暗部７および明部８を生じる。マスクの影
は、マスクと支持体が互に分離されている場合で
あつても、支持体上に完全な指向性をもつて投影
されることは注目すべきである。
で相互に干渉し、一方支持体１の上にマスクを忠
実に再現し、かつ最大のコントラストを表わして
いる暗部７および明部８を生じる。マスクの影
は、マスクと支持体が互に分離されている場合で
あつても、支持体上に完全な指向性をもつて投影
されることは注目すべきである。
リツトロウ（LITTROW）アセンブリイにお
いて、空気中に反射される次数“−１”は、2sin
ｉ＝λ／ｄすなわち、 sin ｉ＝λ／2d (1) により得られる。
いて、空気中に反射される次数“−１”は、2sin
ｉ＝λ／ｄすなわち、 sin ｉ＝λ／2d (1) により得られる。
更に、空気中に反射される二つの次数は
3sin ｉ＞１
すなわち、
sin ｉ＞１／３ (2)
よつてｉ＞19゜28′
として得られる。
式(2)は次のようにして導出される。
まず、回折格子について、回折角をi′、入射光
の角度をｉ、波長をλ、回折格子のスリツトのピ
ツチをｄ、そして回折格子の次数をｋとすれば、
回折格子の式 sin i′＝sin ｉ＋Ｋλ／ｄ が成り立ち、sin i′は −１sin i′１ なる、いかなる値をもとることができることが知
られている。
の角度をｉ、波長をλ、回折格子のスリツトのピ
ツチをｄ、そして回折格子の次数をｋとすれば、
回折格子の式 sin i′＝sin ｉ＋Ｋλ／ｄ が成り立ち、sin i′は −１sin i′１ なる、いかなる値をもとることができることが知
られている。
ここで、本発明の要求するところに従つて、ｋ
＝０でかつsin i′＝sin ｉなる特別な場合を第４
図を参照して考える。
＝０でかつsin i′＝sin ｉなる特別な場合を第４
図を参照して考える。
同図中には半径が１、中心がｏの半円が示され
ており、軸oxは格子面を示し、軸oyと軸oxとは
垂直である。（線分）Moは、軸oyと角度ｉをな
す入射光を示し、点Ｎは点Ｍから軸oxへ下した
垂線のあしである。したがつて、 oN＝sin ｉ が成り立つ。そして、軸oyに関して点Ｍと対称
な点をMoとし、点Moから軸oxに下した垂線の
あしをN0とすればoN0はｋ＝０の場合場合の伝
播方向を示しており、 oN0＝sin i′（ｋ＝０） が成り立つ。
ており、軸oxは格子面を示し、軸oyと軸oxとは
垂直である。（線分）Moは、軸oyと角度ｉをな
す入射光を示し、点Ｎは点Ｍから軸oxへ下した
垂線のあしである。したがつて、 oN＝sin ｉ が成り立つ。そして、軸oyに関して点Ｍと対称
な点をMoとし、点Moから軸oxに下した垂線の
あしをN0とすればoN0はｋ＝０の場合場合の伝
播方向を示しており、 oN0＝sin i′（ｋ＝０） が成り立つ。
さらに、λ／ｄに他のｋを乗じた値の点を軸
ox上にプロツトした点は、N1（ｋ＝１のとき）、
N-1（ｋ＝−１）、N-2（ｋ＝−２）、……で示さ
れ、 oN1＝sin i′（ｋ＝１）、 oN-1＝sin i′（ｋ＝−１）、 oN-2＝sin i′（ｋ＝−２）、 〓 が成り立つ。そして、点N1、N-1、N-2、……を
通り、軸oxに垂直な線と半円とは点M1、M-1、
M-2、……で交叉し、これらの点は各次数におけ
る伝播方向を示している。もちろん点Nkの数は −１oNk１ によつて限定される。
ox上にプロツトした点は、N1（ｋ＝１のとき）、
N-1（ｋ＝−１）、N-2（ｋ＝−２）、……で示さ
れ、 oN1＝sin i′（ｋ＝１）、 oN-1＝sin i′（ｋ＝−１）、 oN-2＝sin i′（ｋ＝−２）、 〓 が成り立つ。そして、点N1、N-1、N-2、……を
通り、軸oxに垂直な線と半円とは点M1、M-1、
M-2、……で交叉し、これらの点は各次数におけ
る伝播方向を示している。もちろん点Nkの数は −１oNk１ によつて限定される。
さらに、ブラツグ条件に適合する特別な場合を
考える。
考える。
ブラツグ条件は、点Nkが点Ｎに一致する場合、
すなわち光oMkが入射光oMの方向に伝播する場
合に次数ｋで満足される。
すなわち光oMkが入射光oMの方向に伝播する場
合に次数ｋで満足される。
ｋ＝−１の場合、第５図に示すように、光
oM-1は光oMに一致し、回折格子の式は sin i′（ｋ＝−１）＝sin ｉ−λ／ｄ となる。
oM-1は光oMに一致し、回折格子の式は sin i′（ｋ＝−１）＝sin ｉ−λ／ｄ となる。
oN0＝oNであり、かつ角度ｉとi′とは符号が逆
とすれば、上式は、上述したように、 2sin ｉ＝λ／ｄ すなわち前記式(1) sin ｉ＝λ／2d となる。
とすれば、上式は、上述したように、 2sin ｉ＝λ／ｄ すなわち前記式(1) sin ｉ＝λ／2d となる。
このようにブラツク条件が次数ｋ＝−１で満足
される一方、本発明ではさらに、次数ｋ＝０およ
びｋ＝−１のみが存在すること、すなわち、
N0N＝N0N-1であることを要求している。
される一方、本発明ではさらに、次数ｋ＝０およ
びｋ＝−１のみが存在すること、すなわち、
N0N＝N0N-1であることを要求している。
そこで、第３図を参照し、角度ｉは点N1およ
びN-2（次数ｋ＝１およびｋ＝−２）が存在しな
いように選択されるとすれば、3N0Nは２に等し
い、半円の直径以上でなければならない。したが
つて、3N0N＞２すなわちN0N＞２／３でなけれ
ばならない。
びN-2（次数ｋ＝１およびｋ＝−２）が存在しな
いように選択されるとすれば、3N0Nは２に等し
い、半円の直径以上でなければならない。したが
つて、3N0N＞２すなわちN0N＞２／３でなけれ
ばならない。
よつて、N0N＝2sin ｉ＝λ／ｄであれば、
2sin ｉ＞２／３
すなわち、前記式(2)
sin ｉ＞１／３
となる。
マスクのスリツトの間隔の関数としての波長λ
の決定は式(1)と(2)とから得られる。第１の式は、
事実、λ／2dが１より小さいかまたは１に等しいか ら、 λ＜2d 式(2)のsin ｉに式(1)で与えられる値を代入する
と、 λ＞2d／３ でなければならないことがわかる。
の決定は式(1)と(2)とから得られる。第１の式は、
事実、λ／2dが１より小さいかまたは１に等しいか ら、 λ＜2d 式(2)のsin ｉに式(1)で与えられる値を代入する
と、 λ＞2d／３ でなければならないことがわかる。
結局、平坦単色光波の波長は、
2d／３＜λ2d
の関係を満足する必要がある。
本発明による方法は非常に多数の産業上の応用
を受け入れることができる。例えば第３図に見ら
れる層２のような感光剤層を印刷するために使用
される。また、集積回路を製造するため、デイレ
イラインおよび電荷結合回路（C.C.D.）を組立て
るためまたは回折ネツトワークおよびネツトワー
クカプラーを複製するために使用される。
を受け入れることができる。例えば第３図に見ら
れる層２のような感光剤層を印刷するために使用
される。また、集積回路を製造するため、デイレ
イラインおよび電荷結合回路（C.C.D.）を組立て
るためまたは回折ネツトワークおよびネツトワー
クカプラーを複製するために使用される。
本発明のこれらの応用にあたつては従来の技術
を利用することができるが、しかし従来技術によ
つては、現在までの適度のコストで１又は２ミク
ロン以下に下げることができなかつたのに対し、
本発明を応用すればピツチすなわち間隔を0.2ミ
クロンまで下げることができる。
を利用することができるが、しかし従来技術によ
つては、現在までの適度のコストで１又は２ミク
ロン以下に下げることができなかつたのに対し、
本発明を応用すればピツチすなわち間隔を0.2ミ
クロンまで下げることができる。
第１図は、本発明の方法を用いて忠実に再現さ
れ得るマスクの平面図、第２図は、マスクのスリ
ツトの一つを本発明の方法の教示に従つて照射し
たところを示す、第１図の−線における拡大
部分断面図、および第３図は、第２図と同じ部分
拡大図で感光剤層で被覆された支持体上に投影さ
れたマスクの影を表わした図、そして第４図およ
び第５図は、式(2)を導出するための説明図であ
る。
れ得るマスクの平面図、第２図は、マスクのスリ
ツトの一つを本発明の方法の教示に従つて照射し
たところを示す、第１図の−線における拡大
部分断面図、および第３図は、第２図と同じ部分
拡大図で感光剤層で被覆された支持体上に投影さ
れたマスクの影を表わした図、そして第４図およ
び第５図は、式(2)を導出するための説明図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 細かく周期的に分布した平行な複数スリツト
を穿つたマスクを電界ベクトルが該スリツトと平
行になるように入射面に垂直に偏光させられた平
坦単色光波によつて照射し、支持体上に該マスク
を忠実に再現する投影像を得る方法であつて、マ
スクの中心平面の両側に位置する二つの半空間に
ついてそれぞれ二つの回折の次数のみが存在する
ように前記入射平坦波の波長を選択することおよ
び正反射の次数ではない方の反射回折の次数を入
射波と同じ方向だがしかしそれと逆方向に伝播さ
れるように前記入射平坦波の入射角を調節するこ
とを特徴とする投影法。 ２ 前記のマスクがｄで示されるピツチで周期的
に分布したスリツトを含む方法において、波長が
約2/3ｄ〜約2dの前記平坦単色光波を使用するこ
とを特徴とする、前記特許請求の範囲第１項記載
の方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7922554A FR2465255B1 (fr) | 1979-09-10 | 1979-09-10 | Procede pour reporter sur un support l'ombre fidele d'un masque perce de fentes distribuees periodiquement, et application de ce procede notamment en photolithogravure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5640831A JPS5640831A (en) | 1981-04-17 |
| JPH0250613B2 true JPH0250613B2 (ja) | 1990-11-02 |
Family
ID=9229507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11853680A Granted JPS5640831A (en) | 1979-09-10 | 1980-08-29 | Projecting image of mask having periodically distributed plural slits onto support and its application to lithographic photography |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4389094A (ja) |
| EP (1) | EP0025380B1 (ja) |
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