JPH0250969B2 - - Google Patents
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- JPH0250969B2 JPH0250969B2 JP59191644A JP19164484A JPH0250969B2 JP H0250969 B2 JPH0250969 B2 JP H0250969B2 JP 59191644 A JP59191644 A JP 59191644A JP 19164484 A JP19164484 A JP 19164484A JP H0250969 B2 JPH0250969 B2 JP H0250969B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous
- hydrogen
- defects
- intermetallic compound
- lattice defects
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/002—Making metallic powder or suspensions thereof amorphous or microcrystalline
- B22F9/004—Making metallic powder or suspensions thereof amorphous or microcrystalline by diffusion, e.g. solid state reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S420/00—Alloys or metallic compositions
- Y10S420/90—Hydrogen storage
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は材料工学における金属のアモルフアス
化促進方法に関するものであり、特に格子欠陥を
用いた化学反応による金属間化合物のアモルフア
ス化促進方法に関するものである。
化促進方法に関するものであり、特に格子欠陥を
用いた化学反応による金属間化合物のアモルフア
ス化促進方法に関するものである。
（従来の技術）
アモルフアス金属は、その優れた物理的ならび
に化学的特性の故に、最近、工学の広範な分野で
機能性に富んだ新素材として注目されている。
に化学的特性の故に、最近、工学の広範な分野で
機能性に富んだ新素材として注目されている。
これらアモルフアス金属の製作法としては、こ
れまでに液体急冷法と蒸着法の２つの手法が確立
されているが、現在主流となつている前者は、対
象とする金属を融体から急速冷却してアモルフア
ス金属を得るものである。また、後者は、真空中
で加熱溶解して生じた金属蒸気を液体ヘリウムや
液体窒素の温度に保つた基板に蒸着させて得るも
のである。
れまでに液体急冷法と蒸着法の２つの手法が確立
されているが、現在主流となつている前者は、対
象とする金属を融体から急速冷却してアモルフア
ス金属を得るものである。また、後者は、真空中
で加熱溶解して生じた金属蒸気を液体ヘリウムや
液体窒素の温度に保つた基板に蒸着させて得るも
のである。
（発明が解決しようとする問題点）
これらの手法のうち液体急冷法は、一般に(1)製
品の形状がリボン状または線状のものに制約さ
れ、肉厚のものは勿論所要の部分だけをアモルフ
アス化することができない、(2)急冷速度を制御す
ることが困難であるために、得られる製品の実用
範囲が狭く限定されている。
品の形状がリボン状または線状のものに制約さ
れ、肉厚のものは勿論所要の部分だけをアモルフ
アス化することができない、(2)急冷速度を制御す
ることが困難であるために、得られる製品の実用
範囲が狭く限定されている。
また、蒸着法は、液体急冷法の場合よりも更に
極薄の製品しか製作できない上に、その価格も極
めて高いものとなる。
極薄の製品しか製作できない上に、その価格も極
めて高いものとなる。
（問題点を解決するための手段）
水素吸蔵能を有するZr3Al又はZr2Al或いはそ
の混合物よりなる金属間化合物を機械加工、熱処
理、粒子線照射の何れかの処理を施し、前記金属
間化合物の結晶中に、予め人為的に転位、結晶粒
界、異相界面等の線状ならびに面状格子欠陥又は
点状微小欠陥或いはリング状欠陥を形成し、これ
を水素を含むガス中で加熱処理して、前記金属間
化合物の前記格子欠陥を生じた部分に優先的に水
素を吸蔵およよび拡散させ、化学反応によつてア
モルフアス化することを特徴とする格子欠陥を用
いた化学反応による金属間化合物のアモルフアス
化促進方法にある。
の混合物よりなる金属間化合物を機械加工、熱処
理、粒子線照射の何れかの処理を施し、前記金属
間化合物の結晶中に、予め人為的に転位、結晶粒
界、異相界面等の線状ならびに面状格子欠陥又は
点状微小欠陥或いはリング状欠陥を形成し、これ
を水素を含むガス中で加熱処理して、前記金属間
化合物の前記格子欠陥を生じた部分に優先的に水
素を吸蔵およよび拡散させ、化学反応によつてア
モルフアス化することを特徴とする格子欠陥を用
いた化学反応による金属間化合物のアモルフアス
化促進方法にある。
（作用）
本発明は、通常強固な水素化物を形成する単一
金属に他の元素を加えて金属間化合物を形成さ
せ、それに格子欠陥を導入した後、水素を添加し
て化学反応によつてアモルフアス化させるもので
ある。その際、水素は格子欠陥に沿つて優先的
に、かつ急速に材料中に吸蔵および拡散するの
で、それを利用して予め種々の格子欠陥を所定の
条件で材料中に導入して、予定通りの形状とか量
のアモルフアスを材料中に作製したり、他の手法
では不能な十分厚いアモルフアス材を作製する。
金属に他の元素を加えて金属間化合物を形成さ
せ、それに格子欠陥を導入した後、水素を添加し
て化学反応によつてアモルフアス化させるもので
ある。その際、水素は格子欠陥に沿つて優先的
に、かつ急速に材料中に吸蔵および拡散するの
で、それを利用して予め種々の格子欠陥を所定の
条件で材料中に導入して、予定通りの形状とか量
のアモルフアスを材料中に作製したり、他の手法
では不能な十分厚いアモルフアス材を作製する。
すなわち、本発明は水素を吸蔵させ、化学反応
によつて金属間化合物をアモルフアス化させるも
ので、結晶中に形成されるアモルフアス領域にお
いて予め人為的に導入した転位、結晶粒界、異相
界面等の格子欠陥の密度と配列を規定することに
よつて、結晶中に任意の形状と密度のアモルフア
ス領域を直接形成すると同時に、十分厚いアモル
フアスを作製できる方法である。
によつて金属間化合物をアモルフアス化させるも
ので、結晶中に形成されるアモルフアス領域にお
いて予め人為的に導入した転位、結晶粒界、異相
界面等の格子欠陥の密度と配列を規定することに
よつて、結晶中に任意の形状と密度のアモルフア
ス領域を直接形成すると同時に、十分厚いアモル
フアスを作製できる方法である。
本発明において、水素を吸蔵させる前に金属間
化合物中に格子欠陥を生じさせる手段としては冷
間加工、熱間加工、圧延、鍛造等の機械加工を加
えることにより金属間化合物の全部に微小点欠陥
を均一分散させると、水素の吸蔵によりこの均一
分散した微小点欠陥部分がアモルフアス化し、こ
れにより金属間化合物全体の強度（降状強度等）
を向上させることができる。
化合物中に格子欠陥を生じさせる手段としては冷
間加工、熱間加工、圧延、鍛造等の機械加工を加
えることにより金属間化合物の全部に微小点欠陥
を均一分散させると、水素の吸蔵によりこの均一
分散した微小点欠陥部分がアモルフアス化し、こ
れにより金属間化合物全体の強度（降状強度等）
を向上させることができる。
また格子欠陥を生じさせる手段として熱処理例
えば加熱、急冷等の手段によつても転位、結晶粒
界、異相界面等の格子欠陥を生じさせることがで
き、これに水素を吸蔵させ、化学反応によりアモ
ルフアス化することにより金属間化合物の強度を
向上させることができる。
えば加熱、急冷等の手段によつても転位、結晶粒
界、異相界面等の格子欠陥を生じさせることがで
き、これに水素を吸蔵させ、化学反応によりアモ
ルフアス化することにより金属間化合物の強度を
向上させることができる。
以下本発明の構成を、さらに図面に基づき説明
する。
する。
第１図ａに示すように、まず、対象とする金属
間化合物の結晶１の所定の位置に粒界ａ―ｂ―
b′―a′、ｂ―ｃ―c′―b′およびｂ―ｄ―d′―b′、
転
位線ｅ―ｆ、微小欠陥ｇおよび転位ループｈ等の
格子欠陥を人為的に配置する。この格子欠陥の配
置には、例えば加工、熱処理、粒子線照射などの
手法を用いることができる。
間化合物の結晶１の所定の位置に粒界ａ―ｂ―
b′―a′、ｂ―ｃ―c′―b′およびｂ―ｄ―d′―b′、
転
位線ｅ―ｆ、微小欠陥ｇおよび転位ループｈ等の
格子欠陥を人為的に配置する。この格子欠陥の配
置には、例えば加工、熱処理、粒子線照射などの
手法を用いることができる。
次に、これらの結晶１を、第２図に示すよう
に、電気炉２において水素を含むガス中（純H2
ガス、不活性ガス＋H2ガス等）で、所定の温度
に加熱処理を施す。加熱温度および加熱時間は、
Zr―Al合金および予め形成した格子欠陥の種
類・性質等によつて変えることができる。例えば
水素圧１気圧で、Zr3Alを15分で77℃〜377℃
（350K〜650K）の温度にて、またZr2Alを30分で
127℃〜427℃（400K〜700K）の温度にて加熱処
理する。このような加熱処理により、予め導入し
た格子欠陥の近くでは優先して水素吸蔵が行わ
れ、アモルフアス相が形成される。
に、電気炉２において水素を含むガス中（純H2
ガス、不活性ガス＋H2ガス等）で、所定の温度
に加熱処理を施す。加熱温度および加熱時間は、
Zr―Al合金および予め形成した格子欠陥の種
類・性質等によつて変えることができる。例えば
水素圧１気圧で、Zr3Alを15分で77℃〜377℃
（350K〜650K）の温度にて、またZr2Alを30分で
127℃〜427℃（400K〜700K）の温度にて加熱処
理する。このような加熱処理により、予め導入し
た格子欠陥の近くでは優先して水素吸蔵が行わ
れ、アモルフアス相が形成される。
第１図ｂはこのようにして形成されたアモルフ
アス相を示すもので、上述の各格子欠陥にそれぞ
れ、板状ａ―ｂ―b′―a′、ｂ―ｃ―c′―b′および
ｂ―ｄ―d′―b′、棒状ｅ―ｆ、球状ｇおよびリン
グ状ｈのアモルフアス領域が形成された状態を示
す。この中で、板状とか曲面状のアモルフアス領
域は転位線を集団的に配列させたサブ・バウンダ
リーあるいはセル壁等と呼ばれるものからも形成
することができる。また、第１図ｂの各アモルフ
アス領域の厚さは、雰囲気ガスの水素圧とその吸
蔵温度、吸蔵時間を制御することによつて、自由
に制御することができる。
アス相を示すもので、上述の各格子欠陥にそれぞ
れ、板状ａ―ｂ―b′―a′、ｂ―ｃ―c′―b′および
ｂ―ｄ―d′―b′、棒状ｅ―ｆ、球状ｇおよびリン
グ状ｈのアモルフアス領域が形成された状態を示
す。この中で、板状とか曲面状のアモルフアス領
域は転位線を集団的に配列させたサブ・バウンダ
リーあるいはセル壁等と呼ばれるものからも形成
することができる。また、第１図ｂの各アモルフ
アス領域の厚さは、雰囲気ガスの水素圧とその吸
蔵温度、吸蔵時間を制御することによつて、自由
に制御することができる。
（実施例）
実施例 １
30at.％のアルミニウムをスポンジジルコンと
共にアーク溶接してZr―Al合金を作製した。こ
の合金の平衡状態図を第３図に示す。
共にアーク溶接してZr―Al合金を作製した。こ
の合金の平衡状態図を第３図に示す。
次いで放電加工機により0.2mm厚さに切り出す
ことによつて加工し、酢酸：過塩素酸＝９：１の
混合液によつて電解研摩し、電顕用試料とした。
得られた試料の組織写真が第４図ａであり、丸で
囲んだ領域に見られるような長く伸びた微細組織
がすでに所々観察される。このように予め人為的
に、格子欠陥を導入した試料を0.1MPaのAr＋10
％H2ガス雰囲気の電気炉中で温度および加熱時
間を順次560℃×15分（第４図ｂ）、600℃×15分
（第４図ｃ）、900℃×10分（第４図ｄ）の加熱処
理を施して、試料の水素吸蔵を行つた。試料は上
記の処理の都度、室温に炉冷して同一視野の電顕
観察を繰り返した。
ことによつて加工し、酢酸：過塩素酸＝９：１の
混合液によつて電解研摩し、電顕用試料とした。
得られた試料の組織写真が第４図ａであり、丸で
囲んだ領域に見られるような長く伸びた微細組織
がすでに所々観察される。このように予め人為的
に、格子欠陥を導入した試料を0.1MPaのAr＋10
％H2ガス雰囲気の電気炉中で温度および加熱時
間を順次560℃×15分（第４図ｂ）、600℃×15分
（第４図ｃ）、900℃×10分（第４図ｄ）の加熱処
理を施して、試料の水素吸蔵を行つた。試料は上
記の処理の都度、室温に炉冷して同一視野の電顕
観察を繰り返した。
第４図ｂでは前述の微細組織の生じた所にコン
トラストの鮮明な板状組織が生じ、同時に水素は
熱処理によつて生じた粒界および板状または転位
線と思われる線状欠陥に沿つて吸蔵されていく。
第４図ｃおよびｄと水素吸蔵が進むにつれて
Zr3Al（Ａ印以外の部分）全体がアモルフアス化
していることが判る。しかし、Zr3Alの結晶（Ａ
印）では、試料エツジ部の極めて薄い所（第４図
ｃ下部）はアモルフアス化が進行しているが、試
料がやや厚い所（右中央部）ではまだである。し
かし、第４図ｄではZr3Alも完全にアモルフアス
化している。
トラストの鮮明な板状組織が生じ、同時に水素は
熱処理によつて生じた粒界および板状または転位
線と思われる線状欠陥に沿つて吸蔵されていく。
第４図ｃおよびｄと水素吸蔵が進むにつれて
Zr3Al（Ａ印以外の部分）全体がアモルフアス化
していることが判る。しかし、Zr3Alの結晶（Ａ
印）では、試料エツジ部の極めて薄い所（第４図
ｃ下部）はアモルフアス化が進行しているが、試
料がやや厚い所（右中央部）ではまだである。し
かし、第４図ｄではZr3Alも完全にアモルフアス
化している。
実施例 ２
実施例１と同様の方法で格子欠陥を予め配置す
る処理を行い、次いで得られた試料を１気圧の
H2ガス雰囲気中で温度197℃〜600℃（470K〜
873K）、加熱時間15分〜30分の範囲で加熱処理
し、同一場所の電顕観察を繰り返し行い、水素吸
蔵による試料の変化を観察し、アモルフアス化を
確認した。
る処理を行い、次いで得られた試料を１気圧の
H2ガス雰囲気中で温度197℃〜600℃（470K〜
873K）、加熱時間15分〜30分の範囲で加熱処理
し、同一場所の電顕観察を繰り返し行い、水素吸
蔵による試料の変化を観察し、アモルフアス化を
確認した。
これら実施例の結果を要約すると次の通りであ
る。
る。
Zr―Al合金の結晶において、水素は急速に
板状組織や粒界など格子欠陥に沿つて優先して
吸蔵される。
板状組織や粒界など格子欠陥に沿つて優先して
吸蔵される。
水素の吸蔵速度はZr2AlよりもZr3Alの結晶
の方が速い。
の方が速い。
Zr―Al合金は、いずれも水素を吸蔵するこ
とにより安定な水素化物を形成せず、アモルフ
アス化する。
とにより安定な水素化物を形成せず、アモルフ
アス化する。
アモルフアス化はZr3Alの方がZr3Alよりも
容易である。
容易である。
アモルフアス化は試料エツジの薄い側から進
行し、また、粒界、転位などの格子欠陥に優先
的に進行する。
行し、また、粒界、転位などの格子欠陥に優先
的に進行する。
アモルフアス化したZr―Al合金は水素を吸
蔵した熱処理温度より高い温度で真空中単純焼
鈍では、何れも結晶化しなかつた。
蔵した熱処理温度より高い温度で真空中単純焼
鈍では、何れも結晶化しなかつた。
（発明の効果）
本発明は、水素吸蔵によつて形成されるアモル
フアス相が、吸蔵条件を適当に制御することによ
り結晶中の線状ならびに面状格子欠陥に沿つて優
先的に生成される現像を利用したものである。こ
の方法によれば、これらの格子欠陥の配列を制御
することによつて、結晶中の所定の位置に所定の
形状のアモルフアス領域を形成させることができ
るばかりか、格子欠陥に沿つた水素の拡散が容易
に、かつ迅速に起こることから、十分水素を吸蔵
させることによつて十分厚い（１cmまたはそれ以
上）アモルフアス材を作製することが可能とな
る。
フアス相が、吸蔵条件を適当に制御することによ
り結晶中の線状ならびに面状格子欠陥に沿つて優
先的に生成される現像を利用したものである。こ
の方法によれば、これらの格子欠陥の配列を制御
することによつて、結晶中の所定の位置に所定の
形状のアモルフアス領域を形成させることができ
るばかりか、格子欠陥に沿つた水素の拡散が容易
に、かつ迅速に起こることから、十分水素を吸蔵
させることによつて十分厚い（１cmまたはそれ以
上）アモルフアス材を作製することが可能とな
る。
これらのアモルフアスの核として働く格子欠陥
のうち、転位はこれを直径数nmのループにした
り、あるいは最小で数nm間隔に並べたりするこ
とが可能である。そこで、これを核として用いる
場合には、例えば、直径数nmの微小な球状のア
モルフアスを作つたり、あるいは同径程度の円柱
状アモルフアスを数nm単位あるいはそれ以上の
間隔で分布させたりすることができる。
のうち、転位はこれを直径数nmのループにした
り、あるいは最小で数nm間隔に並べたりするこ
とが可能である。そこで、これを核として用いる
場合には、例えば、直径数nmの微小な球状のア
モルフアスを作つたり、あるいは同径程度の円柱
状アモルフアスを数nm単位あるいはそれ以上の
間隔で分布させたりすることができる。
また、粒界や異相物体との界面は、これを最小
数10nmの間隔で配列させることができるので、
これらを核とする場合には、結晶中に板状あるい
は曲面状のアモルフアス領域を数10nm単位また
はそれ以上の間隔で形成することが可能である。
更にこれら各種の格子欠陥を組合わせて用いる場
合には、結晶中に所望の形状のアモルフアス領域
を作製することができる。この特長は従来のアモ
ルフアス作製法では望み得ない本法独特のもので
ある。
数10nmの間隔で配列させることができるので、
これらを核とする場合には、結晶中に板状あるい
は曲面状のアモルフアス領域を数10nm単位また
はそれ以上の間隔で形成することが可能である。
更にこれら各種の格子欠陥を組合わせて用いる場
合には、結晶中に所望の形状のアモルフアス領域
を作製することができる。この特長は従来のアモ
ルフアス作製法では望み得ない本法独特のもので
ある。
また本法では
各アモルフアス領域の厚さ（あるいは太さ）
は水素の吸蔵条件を制御することにより任意に
制御できること、 アモルフアス化が材料表面より進行するため
に、他の手法で予め製品化した極めて複雑な形
状も含めて如何なる形状の材料でもアモルフア
ス化が可能であること、 合金の組成変化がないためにアモルフアス領
域と母材とのつながりが極めて良好であるこ
と、 形成されたアモルフアスが広い温度範囲にわ
たつて安定であること等、特筆すべき長所が多
い。
は水素の吸蔵条件を制御することにより任意に
制御できること、 アモルフアス化が材料表面より進行するため
に、他の手法で予め製品化した極めて複雑な形
状も含めて如何なる形状の材料でもアモルフア
ス化が可能であること、 合金の組成変化がないためにアモルフアス領
域と母材とのつながりが極めて良好であるこ
と、 形成されたアモルフアスが広い温度範囲にわ
たつて安定であること等、特筆すべき長所が多
い。
さらにアモルフアス相が極めて脆性に富むこと
を利用すればこれらアモルフアス材を粉砕するこ
とによつて極めて微細なアモルフアス粉体を作製
できるばかりでなく、結晶化温度以上に加熱する
ことによつて水素を放出した微細な合金粉末を容
易に作製することができる。このアモルフアスの
結晶化温度が一定していることを用いれは、アモ
ルフアス材を一定温度で水素を放出させる水素吸
蔵材としても繰り返し利用できる。
を利用すればこれらアモルフアス材を粉砕するこ
とによつて極めて微細なアモルフアス粉体を作製
できるばかりでなく、結晶化温度以上に加熱する
ことによつて水素を放出した微細な合金粉末を容
易に作製することができる。このアモルフアスの
結晶化温度が一定していることを用いれは、アモ
ルフアス材を一定温度で水素を放出させる水素吸
蔵材としても繰り返し利用できる。
従つて本発明方法には次のような用途がある。
(1) 任意の大きさおよび形状のアモルフアスを直
接母材の中に形成させた複合材料の作製による
強度の向上 (2) 一度他の手法で製品となつた複雑形状なもの
の表面層または全体のアモルフアス化による表
面硬化、 (3) 十分厚いアモルフアス材の作製、 (4) 超微細粉末の製造、 (5) 一定温度で放出される固体による水素吸蔵。
接母材の中に形成させた複合材料の作製による
強度の向上 (2) 一度他の手法で製品となつた複雑形状なもの
の表面層または全体のアモルフアス化による表
面硬化、 (3) 十分厚いアモルフアス材の作製、 (4) 超微細粉末の製造、 (5) 一定温度で放出される固体による水素吸蔵。
本発明の方法は以上の通り各種強度（降伏強度
等）を向上するものでこの種工業上極めて有用で
ある。
等）を向上するものでこの種工業上極めて有用で
ある。
第１図ａは本発明に用いる金属間化合物結晶の
格子欠陥を示す説明図、第１図ｂは本発明により
形成されたアモルフアス相を示す説明図、第２図
はは本発明実施例に用いる電気炉の概略図、第３
図は本発明実施例に用いるZr―Al合金の平衡状
態図である。第４図は本発明実施例によるZr―
Al合金の水素吸蔵前後における電子顕微鏡写真
による結晶の組織図である。 １…金属間化合物の結晶、２…電気炉。
格子欠陥を示す説明図、第１図ｂは本発明により
形成されたアモルフアス相を示す説明図、第２図
はは本発明実施例に用いる電気炉の概略図、第３
図は本発明実施例に用いるZr―Al合金の平衡状
態図である。第４図は本発明実施例によるZr―
Al合金の水素吸蔵前後における電子顕微鏡写真
による結晶の組織図である。 １…金属間化合物の結晶、２…電気炉。
Claims (1)
- １ 水素吸蔵能を有するZr3Al又はZr2Al或いは
その混合物よりなる金属間化合物を機械加工、熱
処理、粒子線照射の何れかの処理を施し、前記金
属間化合物の結晶中に、予め人為的に転位、結晶
粒界、異相界面等の線状ならびに面状格子欠陥又
は点状微小欠陥或いはリング状欠陥を形成し、こ
れを水素を含むガス中で加熱処理して、前記金属
間化合物の前記格子欠陥を生じた部分に優先的に
水素を吸蔵および拡散させ、化学反応によつてア
モルフアス化することを特徴とする格子欠陥を用
いた化学反応による金属間化合物のアモルフアス
化促進方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59191644A JPS6169932A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 格子欠陥を用いた化学反応による金属間化合物のアモルフアス化促進方法 |
| US06/711,441 US4637927A (en) | 1984-09-14 | 1985-03-12 | Process for accelerating of amorphization of intermetallic compounds by a chemical reaction using lattice defects |
| EP85301795A EP0177110B1 (en) | 1984-09-14 | 1985-03-14 | Process for accelerating amorphization of intermetallic compounds by a chemical reaction using lattice defects |
| DE8585301795T DE3566273D1 (en) | 1984-09-14 | 1985-03-14 | Process for accelerating amorphization of intermetallic compounds by a chemical reaction using lattice defects |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59191644A JPS6169932A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 格子欠陥を用いた化学反応による金属間化合物のアモルフアス化促進方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6169932A JPS6169932A (ja) | 1986-04-10 |
| JPH0250969B2 true JPH0250969B2 (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=16278082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59191644A Granted JPS6169932A (ja) | 1984-09-14 | 1984-09-14 | 格子欠陥を用いた化学反応による金属間化合物のアモルフアス化促進方法 |
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Also Published As
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|---|---|---|---|
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