JPH0251142B2 - - Google Patents
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- JPH0251142B2 JPH0251142B2 JP58153177A JP15317783A JPH0251142B2 JP H0251142 B2 JPH0251142 B2 JP H0251142B2 JP 58153177 A JP58153177 A JP 58153177A JP 15317783 A JP15317783 A JP 15317783A JP H0251142 B2 JPH0251142 B2 JP H0251142B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- voltage
- changes
- humidity
- resistance
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/122—Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は湿度検出回路に係り、特にセラミツク
湿度センサを用いる検出回路に適用し得る湿度検
出回路に関する。
湿度センサを用いる検出回路に適用し得る湿度検
出回路に関する。
従来のセラミツク湿度センサは、その使用中に
ときどきクリーニングを必要とするものと、クリ
ーニングを行うことなく使用し得るものとに大別
され、例えばZnCr−LiZnV2O5系のセラミツク湿
度センサはクリーニングを必要とせずに高信頼性
を示すことが知られている。しかしながら上記何
れのセラミツク湿度センサでも長期間に亘る使用
やその他使用条件等により、その特性が次第に劣
化したりまたは損傷したりして、湿度検出回路が
誤作動することがあるので、しばしばセラミツク
湿度センサを交換する必要がある。このようにセ
ラミツク湿度センサを交換する場合には同一特性
を有するものと交換しなければならないことは明
らかであるが、現在のところ、この種センサには
バラツキがあり、このセンサのバラツキによる誤
差を回避することが困難であるので、従来はセン
サの互換性に問題があり、そのためこれの実用化
に当り大きな障害となつていた。
ときどきクリーニングを必要とするものと、クリ
ーニングを行うことなく使用し得るものとに大別
され、例えばZnCr−LiZnV2O5系のセラミツク湿
度センサはクリーニングを必要とせずに高信頼性
を示すことが知られている。しかしながら上記何
れのセラミツク湿度センサでも長期間に亘る使用
やその他使用条件等により、その特性が次第に劣
化したりまたは損傷したりして、湿度検出回路が
誤作動することがあるので、しばしばセラミツク
湿度センサを交換する必要がある。このようにセ
ラミツク湿度センサを交換する場合には同一特性
を有するものと交換しなければならないことは明
らかであるが、現在のところ、この種センサには
バラツキがあり、このセンサのバラツキによる誤
差を回避することが困難であるので、従来はセン
サの互換性に問題があり、そのためこれの実用化
に当り大きな障害となつていた。
またこの種セラミツク湿度センサを用いる湿度
検出回路は、例えば、公開実用新案公報昭55−
38234号に示される回路のように、オペアンプ
（前記公報ではインピーダンス変換回路と呼んで
いる）とダイオードを組み合わせた整流回路を用
いて構成していた（なおオペアンプの出力端は反
転入力端とダイオードのアノードに接続されてい
る）。
検出回路は、例えば、公開実用新案公報昭55−
38234号に示される回路のように、オペアンプ
（前記公報ではインピーダンス変換回路と呼んで
いる）とダイオードを組み合わせた整流回路を用
いて構成していた（なおオペアンプの出力端は反
転入力端とダイオードのアノードに接続されてい
る）。
また、例えば、公開特許公報昭56−36046号に
示される回路のように、整流回路としてはダイオ
ードとコンデンサその余の部品を組み合わせた整
流回路を用いて構成していた。
示される回路のように、整流回路としてはダイオ
ードとコンデンサその余の部品を組み合わせた整
流回路を用いて構成していた。
さらに、例えば公開実用新案公報昭58−14147
号に示されるようにオペアンプ（該公報ではバツ
フア回路と呼んでいる）とダイオードを組み合わ
せた整流回路を用いて構成していた。
号に示されるようにオペアンプ（該公報ではバツ
フア回路と呼んでいる）とダイオードを組み合わ
せた整流回路を用いて構成していた。
従来の湿度検出回路においては、次のような欠
点があつた。
点があつた。
一般に、ダイオードに順方向電流が流れると
きのダイオードのアノード、カソード間の電圧
（順方向電圧または単に順電圧と呼ばれている）
は温度によつて変化する。そのために、ダイオ
ードのカソードと接続された平滑コンデンサの
電圧は、温度の変化によつても変化することに
なる。これは、湿度センサ回路は湿度の変化だ
けによつてその出力電圧が変化するのが望まし
いのに対し、湿度が同一でも温度が異なればそ
の出力電圧も変化してしまうという、好ましく
ない結果をもたらす。このために、正確な湿度
の検出ができなくなつてしまう欠点があつた。
きのダイオードのアノード、カソード間の電圧
（順方向電圧または単に順電圧と呼ばれている）
は温度によつて変化する。そのために、ダイオ
ードのカソードと接続された平滑コンデンサの
電圧は、温度の変化によつても変化することに
なる。これは、湿度センサ回路は湿度の変化だ
けによつてその出力電圧が変化するのが望まし
いのに対し、湿度が同一でも温度が異なればそ
の出力電圧も変化してしまうという、好ましく
ない結果をもたらす。このために、正確な湿度
の検出ができなくなつてしまう欠点があつた。
また、従来の回路において、ダイオードのア
ノード側の電圧の振幅の大小に応じて平滑コン
デンサの電圧の大小も変化するのが望ましいの
であるが、従来の回路の整流回路では、ダイオ
ードのアノード側の電圧の振幅がダイオードの
順方向電圧と比べて無視できない程小さくなる
と、ダイオードのアノード側の電圧の振幅が変
化しても平滑コンデンサの電圧はそれに追従し
て変化しなくなつてしまう欠点があつた。
ノード側の電圧の振幅の大小に応じて平滑コン
デンサの電圧の大小も変化するのが望ましいの
であるが、従来の回路の整流回路では、ダイオ
ードのアノード側の電圧の振幅がダイオードの
順方向電圧と比べて無視できない程小さくなる
と、ダイオードのアノード側の電圧の振幅が変
化しても平滑コンデンサの電圧はそれに追従し
て変化しなくなつてしまう欠点があつた。
基本的に、上記、の欠点を有していたた
めに、低電圧電源で動作させるのがむずかし
い。また、湿度センサの特性によつては誤差が
大きくなり、湿度センサの互換性に乏しい等の
欠点があつた。
めに、低電圧電源で動作させるのがむずかし
い。また、湿度センサの特性によつては誤差が
大きくなり、湿度センサの互換性に乏しい等の
欠点があつた。
従来の湿度検出回路において用いられている整
流回路は一般に第１図に示されたような半導体ダ
イオードを使用する整流回路または第２図に示さ
れたようにオペアンプとダイオードとを組合せた
整流回路であり、この種整流回路ではダイオード
の順方向電圧降下があり、且つそれが温度によつ
て変化する（例えば温度係数が約−２ｍＶ／℃〜
−３ｍＶ／℃）ので、例えば高精度の計測回路を
作る場合または低電源電圧で作動する計測回路を
作る場合等においては実用上障害となることが多
かつた。なお第１図および第２図においてＤはダ
イオード、OPはオペアンプ、Ｃはコンデンサで
ある。
流回路は一般に第１図に示されたような半導体ダ
イオードを使用する整流回路または第２図に示さ
れたようにオペアンプとダイオードとを組合せた
整流回路であり、この種整流回路ではダイオード
の順方向電圧降下があり、且つそれが温度によつ
て変化する（例えば温度係数が約−２ｍＶ／℃〜
−３ｍＶ／℃）ので、例えば高精度の計測回路を
作る場合または低電源電圧で作動する計測回路を
作る場合等においては実用上障害となることが多
かつた。なお第１図および第２図においてＤはダ
イオード、OPはオペアンプ、Ｃはコンデンサで
ある。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、ダイオードの順方向電
圧降下の影響を受けないような整流・平滑回路を
使用して、セラミツク湿度センサのバラツキによ
る誤差を簡単に調整してセンサの互換性の問題を
解消し、且つ低電源電圧でも良好に作動し得ると
ともに温度変化に伴う実用上の障害を除去し得る
湿度検出回路を提供するにある。
その目的とするところは、ダイオードの順方向電
圧降下の影響を受けないような整流・平滑回路を
使用して、セラミツク湿度センサのバラツキによ
る誤差を簡単に調整してセンサの互換性の問題を
解消し、且つ低電源電圧でも良好に作動し得ると
ともに温度変化に伴う実用上の障害を除去し得る
湿度検出回路を提供するにある。
本発明による湿度検出回路は湿度変化に応じて
抵抗値が変化するセラミツク湿度センサと、この
セラミツク湿度センサの抵抗値の変化を交流電圧
の変化に変換する抵抗−電圧変換回路と、この抵
抗−電圧変換回路から出力される交流電圧の変化
を直流電圧の変化に変換する整流回路と、この整
流回路から出力される直流電圧の変化を入力して
湿度検出信号を出力する基準点調整および傾斜調
整のための調整回路とを具備し、前記整流回路を
高入力インピーダンス形の絶対値回路と平滑回路
とにより構成してなることを特徴とし、従来のセ
ラミツク湿度センサの互換性の問題を解消し、低
電源電圧や温度変化に対しても良好に作動し得る
ようにしたものである。
抵抗値が変化するセラミツク湿度センサと、この
セラミツク湿度センサの抵抗値の変化を交流電圧
の変化に変換する抵抗−電圧変換回路と、この抵
抗−電圧変換回路から出力される交流電圧の変化
を直流電圧の変化に変換する整流回路と、この整
流回路から出力される直流電圧の変化を入力して
湿度検出信号を出力する基準点調整および傾斜調
整のための調整回路とを具備し、前記整流回路を
高入力インピーダンス形の絶対値回路と平滑回路
とにより構成してなることを特徴とし、従来のセ
ラミツク湿度センサの互換性の問題を解消し、低
電源電圧や温度変化に対しても良好に作動し得る
ようにしたものである。
本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に
説明する。
説明する。
第３図は本発明の一実施例の構成を示すブロツ
ク線図、第４図は第３図に示す一実施例のセンサ
の相対湿度と抵抗との関係を示す特性図、第５図
は第３図に示す各部の詳細構成を示す図、第６図
は第３図に示す一実施例と従来例との相対湿度と
出力電圧との関係の比較を示す図である。
ク線図、第４図は第３図に示す一実施例のセンサ
の相対湿度と抵抗との関係を示す特性図、第５図
は第３図に示す各部の詳細構成を示す図、第６図
は第３図に示す一実施例と従来例との相対湿度と
出力電圧との関係の比較を示す図である。
第３図および第５図において、１は発振回路、
２は抵抗−電圧変換回路、３は整流回路、４は基
準点調整、傾斜調整のための調整回路、５はセラ
ミツク湿度センサである。発振回路１は例えば
ZnCr−LiZnV2O5系のセラミツク湿度センサ５の
素子に直流を印加すると分極が起るので、この分
極を避けるために用いられる発振回路であり、例
えばウイーンブリツジ発振回路の１種で構成され
て、セラミツク湿度センサ５に交流発振電圧を印
加するようになされている。発振回路１から出力
された発振電圧はコンデンサ６を介してセンサ５
の抵抗の変化を交流電圧の変化に変える抵抗−電
圧変換回路２に入力される。この抵抗−電圧変換
回路２にはセンサ５が挿入されており、例えば第
４図に示す如くこのセンサ５により相対湿度の変
化を抵抗の変化に変えるようになされている。抵
抗−電圧変換回路２から出力される相対湿度の変
化に応じた交流電圧の変化は整流回路３に入力さ
れ、交流電圧の変化を直流電圧の変化に変えるよ
うになされている。この整流回路３は第５図に示
す如く高入力インピーダンス形の絶対値回路３１
と平滑回路３２とにより構成されている。整流回
路３から出力される直流電圧の変化は基準点調
整、傾斜調整のための調整回路４に入力され、零
位調整とフルスケール調整が行なわれて、湿度検
出信号を出力するようになされている。なお第５
図においてOP1〜OP5はそれぞれオペアンプ、R1
〜R4はそれぞれ抵抗、D1，D2はそれぞれダイオ
ードである。
２は抵抗−電圧変換回路、３は整流回路、４は基
準点調整、傾斜調整のための調整回路、５はセラ
ミツク湿度センサである。発振回路１は例えば
ZnCr−LiZnV2O5系のセラミツク湿度センサ５の
素子に直流を印加すると分極が起るので、この分
極を避けるために用いられる発振回路であり、例
えばウイーンブリツジ発振回路の１種で構成され
て、セラミツク湿度センサ５に交流発振電圧を印
加するようになされている。発振回路１から出力
された発振電圧はコンデンサ６を介してセンサ５
の抵抗の変化を交流電圧の変化に変える抵抗−電
圧変換回路２に入力される。この抵抗−電圧変換
回路２にはセンサ５が挿入されており、例えば第
４図に示す如くこのセンサ５により相対湿度の変
化を抵抗の変化に変えるようになされている。抵
抗−電圧変換回路２から出力される相対湿度の変
化に応じた交流電圧の変化は整流回路３に入力さ
れ、交流電圧の変化を直流電圧の変化に変えるよ
うになされている。この整流回路３は第５図に示
す如く高入力インピーダンス形の絶対値回路３１
と平滑回路３２とにより構成されている。整流回
路３から出力される直流電圧の変化は基準点調
整、傾斜調整のための調整回路４に入力され、零
位調整とフルスケール調整が行なわれて、湿度検
出信号を出力するようになされている。なお第５
図においてOP1〜OP5はそれぞれオペアンプ、R1
〜R4はそれぞれ抵抗、D1，D2はそれぞれダイオ
ードである。
上記本発明の一実施例の作用について説明す
る。
る。
第３図および第５図において、発振回路１、抵
抗−電圧変換回路２および基準点調整、傾斜調整
のための調整回路４の各構成および作用は従来の
各種計測器等の分野で使用されているものと略同
一であるからその説明を省略し、整流回路３の作
用について説明する。
抗−電圧変換回路２および基準点調整、傾斜調整
のための調整回路４の各構成および作用は従来の
各種計測器等の分野で使用されているものと略同
一であるからその説明を省略し、整流回路３の作
用について説明する。
第５図において前記の如く整流回路３は絶対値
回路３１と平滑回路３２とにより構成されてい
る。この絶対値回路３１は高入力インピーダンス
形であるために抵抗−電圧変換回路２内の抵抗
（センサ５とアース間の抵抗）の値を大きくする
ことができることとなる。ここで抵抗−電圧変換
回路２の出力端の電圧eiとすれば、絶対値回路３
１はei＜０のとき（１＋R2／R1）の利得を有し、ei＞ ０のときはダイオードD2がオフ状態となる。ま
たei＜０のとき絶対値回路３１の出力端の電圧ep
はep＝ei（１−R2R4／R1R3）であるから、R2R4／R1R3＝
２に 選ぶとep＝−eiとなり、ei＞０ときは当然ep＝eiで
あるからep＝｜ei｜の特性が得られる。従つて本
発明による湿度検出回路は低い電源電圧でも良好
に作動することとなる。これに対し例えば第１図
および第２図に示されたような整流回路を用いる
ものでは、ダイオードの順方向電圧降下（近似的
に折れ点電圧に略等しく、Geダイオードでは0.1
〜0.2V、Siダイオードでは0.6〜0.7V）を無視で
きる程度の大きな振巾の交流信号を整流するとき
でも、その電源電圧が低くなると、例えば第５図
に示す発振回路１で発振される出力振巾も小さく
なり、これによりeiも小さくなる。このeiが順方
向電圧降下と比較して無視できない程小さくなる
と、前記の従来の整流回路では、このeiにリニア
な直流電圧を出力し得なくなる。しかしながら本
発明の上記一実施例によれば、前記の如く電源電
圧が低くなつてeiが順方向電圧降下と比較して無
視できない程小さくなつても、ep＝｜ei｜の特性
が得られるので、常にeiにリニアな直流電圧を出
力することができることとなる。
回路３１と平滑回路３２とにより構成されてい
る。この絶対値回路３１は高入力インピーダンス
形であるために抵抗−電圧変換回路２内の抵抗
（センサ５とアース間の抵抗）の値を大きくする
ことができることとなる。ここで抵抗−電圧変換
回路２の出力端の電圧eiとすれば、絶対値回路３
１はei＜０のとき（１＋R2／R1）の利得を有し、ei＞ ０のときはダイオードD2がオフ状態となる。ま
たei＜０のとき絶対値回路３１の出力端の電圧ep
はep＝ei（１−R2R4／R1R3）であるから、R2R4／R1R3＝
２に 選ぶとep＝−eiとなり、ei＞０ときは当然ep＝eiで
あるからep＝｜ei｜の特性が得られる。従つて本
発明による湿度検出回路は低い電源電圧でも良好
に作動することとなる。これに対し例えば第１図
および第２図に示されたような整流回路を用いる
ものでは、ダイオードの順方向電圧降下（近似的
に折れ点電圧に略等しく、Geダイオードでは0.1
〜0.2V、Siダイオードでは0.6〜0.7V）を無視で
きる程度の大きな振巾の交流信号を整流するとき
でも、その電源電圧が低くなると、例えば第５図
に示す発振回路１で発振される出力振巾も小さく
なり、これによりeiも小さくなる。このeiが順方
向電圧降下と比較して無視できない程小さくなる
と、前記の従来の整流回路では、このeiにリニア
な直流電圧を出力し得なくなる。しかしながら本
発明の上記一実施例によれば、前記の如く電源電
圧が低くなつてeiが順方向電圧降下と比較して無
視できない程小さくなつても、ep＝｜ei｜の特性
が得られるので、常にeiにリニアな直流電圧を出
力することができることとなる。
さらにまた上記の如く電源電圧が低くならない
場合でも、例えば抵抗−電圧変換回路２内に挿入
されるセンサ５が、その取換え等によりその特性
がバラツキにより変化して、その抵抗が大きくな
つてeiが順方向電圧降下に比較して無視できない
程小さくなる場合でも、本発明によれば整流回路
３から前記の如くeiにリニアな直流電圧が出力さ
れるので、センサ５にバラツキがあつてもそれに
応じた調整を行なうことができるので、従来のセ
ラミツク湿度センサの互換性が得られない欠点を
実用上解消できることとなる。
場合でも、例えば抵抗−電圧変換回路２内に挿入
されるセンサ５が、その取換え等によりその特性
がバラツキにより変化して、その抵抗が大きくな
つてeiが順方向電圧降下に比較して無視できない
程小さくなる場合でも、本発明によれば整流回路
３から前記の如くeiにリニアな直流電圧が出力さ
れるので、センサ５にバラツキがあつてもそれに
応じた調整を行なうことができるので、従来のセ
ラミツク湿度センサの互換性が得られない欠点を
実用上解消できることとなる。
第６図は第３図に示す本発明の一実施例と従来
例との相対湿度−出力電圧特性の比較を示すもの
で、温度25℃でセンサ雰囲気の相対湿度を30％
RH→50％RHおよび70％RH→90％RHに変化さ
せたときの出力電圧特性を示すものである。第６
図において直線イは理想的な出力電圧特性、曲線
ロは第３図の整流回路３を第２図に示す従来の整
流回路に置換した場合の出力電圧特性、曲線ハは
第３図に示す本発明の一実施例による出力電圧特
性をそれぞれ示し、本発明によれば理想的な出力
電圧特性に近い出力電圧特性が得られることがわ
かる。
例との相対湿度−出力電圧特性の比較を示すもの
で、温度25℃でセンサ雰囲気の相対湿度を30％
RH→50％RHおよび70％RH→90％RHに変化さ
せたときの出力電圧特性を示すものである。第６
図において直線イは理想的な出力電圧特性、曲線
ロは第３図の整流回路３を第２図に示す従来の整
流回路に置換した場合の出力電圧特性、曲線ハは
第３図に示す本発明の一実施例による出力電圧特
性をそれぞれ示し、本発明によれば理想的な出力
電圧特性に近い出力電圧特性が得られることがわ
かる。
以上により本発明によればセラミツク湿度セン
サによる湿度検出回路に用いられる整流回路を高
入力インピーダンス形の絶対値回路と平滑回路と
により構成することにより、セラミツク湿度セン
サのバラツキによる誤差を簡単に調整できるよう
にしてセンサの互換性の従来の欠点を解消し、さ
らに低い電源電圧でも良好に作動させることがで
きるとともに、温度変化に伴う従来の実用上の障
害を確実に除去することができる等の優れた効果
が奏せられるものである。
サによる湿度検出回路に用いられる整流回路を高
入力インピーダンス形の絶対値回路と平滑回路と
により構成することにより、セラミツク湿度セン
サのバラツキによる誤差を簡単に調整できるよう
にしてセンサの互換性の従来の欠点を解消し、さ
らに低い電源電圧でも良好に作動させることがで
きるとともに、温度変化に伴う従来の実用上の障
害を確実に除去することができる等の優れた効果
が奏せられるものである。
第１図および第２図はそれぞれ従来例の整流回
路の構成を示す図、第３図は本発明の一実施例の
構成を示すブロツク線図、第４図は第３図に示す
一実施例のセンサの相対湿度と抵抗との関係を示
す特性図、第５図は第３図に示す各部の詳細構成
を示す図、第６図は第３図に示す一実施例と従来
例との相対湿度と出力電圧との関係の比較を示す
図である。 １……発振回路、２……抵抗−電圧変換回路、
３……整流回路、４……基準点調整、傾斜調整の
ための調整回路、５……セラミツク湿度センサ、
６……コンデンサ、３１……絶対値回路、３２…
…平滑回路、OP1〜OP5……オペアンプ、R1〜R4
……抵抗、D1，D2……ダイオード。
路の構成を示す図、第３図は本発明の一実施例の
構成を示すブロツク線図、第４図は第３図に示す
一実施例のセンサの相対湿度と抵抗との関係を示
す特性図、第５図は第３図に示す各部の詳細構成
を示す図、第６図は第３図に示す一実施例と従来
例との相対湿度と出力電圧との関係の比較を示す
図である。 １……発振回路、２……抵抗−電圧変換回路、
３……整流回路、４……基準点調整、傾斜調整の
ための調整回路、５……セラミツク湿度センサ、
６……コンデンサ、３１……絶対値回路、３２…
…平滑回路、OP1〜OP5……オペアンプ、R1〜R4
……抵抗、D1，D2……ダイオード。
Claims (1)
- １ 湿度変化に応じて抵抗値が変化するセラミツ
ク湿度センサと、このセラミツク湿度センサの抵
抗値の変化を交流電圧の変化に変換する抵抗−電
圧変換回路と、この抵抗−電圧変換回路から出力
される交流電圧の変化を直流電圧の変化に変換す
る整流回路と、この整流回路から出力される直流
電圧の変化を入力して湿度検出信号を出力する基
準点調整および傾斜調整のための調整回路とを具
備し、前記整流回路を高入力インピーダンス形の
絶対値回路と平滑回路とにより構成してなること
を特徴とする湿度検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15317783A JPS6046451A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 湿度検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15317783A JPS6046451A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 湿度検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046451A JPS6046451A (ja) | 1985-03-13 |
| JPH0251142B2 true JPH0251142B2 (ja) | 1990-11-06 |
Family
ID=15556731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15317783A Granted JPS6046451A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 湿度検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046451A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538234U (ja) * | 1978-09-01 | 1980-03-12 |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP15317783A patent/JPS6046451A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6046451A (ja) | 1985-03-13 |
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