JPH0251215A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
- Publication number
- JPH0251215A JPH0251215A JP63202450A JP20245088A JPH0251215A JP H0251215 A JPH0251215 A JP H0251215A JP 63202450 A JP63202450 A JP 63202450A JP 20245088 A JP20245088 A JP 20245088A JP H0251215 A JPH0251215 A JP H0251215A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- substrate
- film
- pattern
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、超微細加工技術として注目されているＸ線リ
ソグラフィーに用いられるＸ線露光用マスクおよびその
製造方法に関するものである。
ソグラフィーに用いられるＸ線露光用マスクおよびその
製造方法に関するものである。
［従来の技術］
Ｘ線露光用マスクに要求される性質として、■Ｘ線マス
ク基板のＸ線透過率が高いこと、■基板材料の剛性が大
きいこと、■熱膨張係数が小さく、熱伝導率が大きいこ
と、■耐薬品性、耐湿性に優れていること、■アライメ
ント光としての近赤外光または、可視光に耐する透過率
が高いこと、■丈夫でかつ作成容易であること等が挙げ
られる。
ク基板のＸ線透過率が高いこと、■基板材料の剛性が大
きいこと、■熱膨張係数が小さく、熱伝導率が大きいこ
と、■耐薬品性、耐湿性に優れていること、■アライメ
ント光としての近赤外光または、可視光に耐する透過率
が高いこと、■丈夫でかつ作成容易であること等が挙げ
られる。
従来、Ｘ線リングラフィ用のマスク基板材粁とシテ、例
えばＳ ｉ、Ｓ ｊ３Ｎ４、Ａ １２０３、ＢＮ、Ｓ
ｉ Ｃ，Ｓ ｉ Ｎｘ等の無機薄膜、ポリイミド、カプ
トン、パリレン等の有機高分子薄膜が検討されてきた。
えばＳ ｉ、Ｓ ｊ３Ｎ４、Ａ １２０３、ＢＮ、Ｓ
ｉ Ｃ，Ｓ ｉ Ｎｘ等の無機薄膜、ポリイミド、カプ
トン、パリレン等の有機高分子薄膜が検討されてきた。
［発明が解決しようとしている問題点］しかしながら、
上述の材料のうち、例えばＳｉは近赤外光または可視光
に対する透過率が低く、光を用いたアライメント方式が
困難になる欠点がある。Ａ１２ｏ３及び有機高分子薄膜
は熱膨張係数が大きく熱膨張によるマスクパターンの位
置すれという問題がある。また、Ｓｉ３Ｎ４は内部応力
が大きいため実用上必要な寸法の薄膜基板を形成するこ
とが困難である。この問題を解決するためｓｉとＮの化
学量論的組成を制御したＳｉＮｘ膜は、適度な引張り応
力が有し、Ｘ線マスク基板に要求される特性を比較的良
く満足するものの熱伝導率が小さいため、Ｘ線露光に伴
うマスフ基板の熱膨張による転写パターンの位置ずれが
大きいという問題がある。この他、５ｉＣ１ＢＮも比較
的良くＸ線マスク基板に要求される性質を満足するもの
の、そのすべてを同時に満足するものではない。このよ
うに、マスク基板材料がＸ線リングラフィの大きな問題
となっている。
上述の材料のうち、例えばＳｉは近赤外光または可視光
に対する透過率が低く、光を用いたアライメント方式が
困難になる欠点がある。Ａ１２ｏ３及び有機高分子薄膜
は熱膨張係数が大きく熱膨張によるマスクパターンの位
置すれという問題がある。また、Ｓｉ３Ｎ４は内部応力
が大きいため実用上必要な寸法の薄膜基板を形成するこ
とが困難である。この問題を解決するためｓｉとＮの化
学量論的組成を制御したＳｉＮｘ膜は、適度な引張り応
力が有し、Ｘ線マスク基板に要求される特性を比較的良
く満足するものの熱伝導率が小さいため、Ｘ線露光に伴
うマスフ基板の熱膨張による転写パターンの位置ずれが
大きいという問題がある。この他、５ｉＣ１ＢＮも比較
的良くＸ線マスク基板に要求される性質を満足するもの
の、そのすべてを同時に満足するものではない。このよ
うに、マスク基板材料がＸ線リングラフィの大きな問題
となっている。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、従来のＸ線露光用マスクの欠点を解消すべく
なされたものであり、その目的はサブミ、クロン・レベ
ルの超微細パターンの高精度転写を可能にするＸ線露光
用マスクを提供することにある。
なされたものであり、その目的はサブミ、クロン・レベ
ルの超微細パターンの高精度転写を可能にするＸ線露光
用マスクを提供することにある。
本発明のＸ線露光用マスクは、重金属からなるＸ線吸収
体パターンの支持基板が単結合炭素膜であることを特徴
とする。
体パターンの支持基板が単結合炭素膜であることを特徴
とする。
前述したＸ線露光用マスク基板に要求される性質を最も
良く満足する材料として、ダイヤモンドが挙げられる。
良く満足する材料として、ダイヤモンドが挙げられる。
ダイヤモンドは、軟Ｘ線の透過率が高く、Ｙｏｕｎｇ率
が大きいことからマスク基板としたとき、大きな剛性を
持つ。また、耐薬品性に優れ、可視光または近赤外光に
対しても透明である。特に、熱膨張係数が小さい一方、
熱伝導率が物質中最大であることから、Ｘ線露光に際し
、吸収体で吸収された熱を速やかに系外に放出すること
により、マスクの温度上昇を低く抑えることができる。
が大きいことからマスク基板としたとき、大きな剛性を
持つ。また、耐薬品性に優れ、可視光または近赤外光に
対しても透明である。特に、熱膨張係数が小さい一方、
熱伝導率が物質中最大であることから、Ｘ線露光に際し
、吸収体で吸収された熱を速やかに系外に放出すること
により、マスクの温度上昇を低く抑えることができる。
この結果、熱膨張によるパターン転写置ずれを最小に抑
えることができ高精度なパターン転写を実現することが
可能である。近年、気相合成法によりダイヤモンド薄膜
が合成されるようになった。こうした気相合成法として
は熱フイラメントＣＶＤ法やマイクロ被プラズマＣＶＤ
法系（特開昭５８−９１１００号、 ５８−１１０４９
４号６１−２６３２号）が知られている。しかしながら
、これらの方法により得られる膜は、多結晶のダイヤモ
ンド膜であるため、膜表面は数千人〜数μｍの凹凸を有
する。こうした凹凸が存在すると、吸収体パターンの寸
法精度が得られない。膜厚ムラに伴う、露光ムラ、マス
ターウェハー間距離のバラマスク蜘４、高精度な平面度
と平行度が要求される。
えることができ高精度なパターン転写を実現することが
可能である。近年、気相合成法によりダイヤモンド薄膜
が合成されるようになった。こうした気相合成法として
は熱フイラメントＣＶＤ法やマイクロ被プラズマＣＶＤ
法系（特開昭５８−９１１００号、 ５８−１１０４９
４号６１−２６３２号）が知られている。しかしながら
、これらの方法により得られる膜は、多結晶のダイヤモ
ンド膜であるため、膜表面は数千人〜数μｍの凹凸を有
する。こうした凹凸が存在すると、吸収体パターンの寸
法精度が得られない。膜厚ムラに伴う、露光ムラ、マス
ターウェハー間距離のバラマスク蜘４、高精度な平面度
と平行度が要求される。
本発明か特徴とする単結合炭素膜は、炭素元素を母体と
し、炭素原子は主として単結合状態で結合されており、
かつ全体として並進対称性がやぶれていることを特徴と
する炭素膜である。すなわち、単結合炭素膜とは、炭素
原子がｓｐ３混成となっており、ダイヤモンド結晶の並
進対称性を持たず、各炭素原子の近傍でのみ秩序が存在
するものである。単結合炭素膜は、このような短距離秩
序の単位が少しずつ正常なｓｐ’混成状態からずれた炭
素原子により縦横に連なった巨大分子であり、粒界は存
在しない。
し、炭素原子は主として単結合状態で結合されており、
かつ全体として並進対称性がやぶれていることを特徴と
する炭素膜である。すなわち、単結合炭素膜とは、炭素
原子がｓｐ３混成となっており、ダイヤモンド結晶の並
進対称性を持たず、各炭素原子の近傍でのみ秩序が存在
するものである。単結合炭素膜は、このような短距離秩
序の単位が少しずつ正常なｓｐ’混成状態からずれた炭
素原子により縦横に連なった巨大分子であり、粒界は存
在しない。
しかし、この構造は、アモルファスカーボンと異なり多
重結合を含まないので、３００ｎｍより長波長の可視光
に対する吸収はほとんどなく、光学バンドギャップは４
．ＯｅＶ以上となり、室温での電気抵抗は１０１０Ωｃ
ｍ以上となる。又、この単結合炭素膜の基本構造は、Ｘ
線回折の鋭利なピークがないことから、アモルファスで
あるためにその表面は平坦になり、アスデボ（ａｓ−ｄ
ｅｐｏ）の状態で膜表面の凹凸をＲＭ５３００Å以下に
する事が可能である。
重結合を含まないので、３００ｎｍより長波長の可視光
に対する吸収はほとんどなく、光学バンドギャップは４
．ＯｅＶ以上となり、室温での電気抵抗は１０１０Ωｃ
ｍ以上となる。又、この単結合炭素膜の基本構造は、Ｘ
線回折の鋭利なピークがないことから、アモルファスで
あるためにその表面は平坦になり、アスデボ（ａｓ−ｄ
ｅｐｏ）の状態で膜表面の凹凸をＲＭ５３００Å以下に
する事が可能である。
こうした単結合炭素膜は、ダイヤモンド膜やＤ Ｌ Ｃ
（Ｄｉａｍｏｎｄ １．ｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）膜と基
本的に以下の点において区別される。
（Ｄｉａｍｏｎｄ １．ｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）膜と基
本的に以下の点において区別される。
１）Ｘ線回折で回折ピークが観測されない。
（ダイヤモンド結晶と区別）
２）可視・紫外吸収スペクトルには３００ｎｍより長波
長の吸収はほとんど観測されず、光学バンドギャップは
４．ＯｅＶ以上である。
長の吸収はほとんど観測されず、光学バンドギャップは
４．ＯｅＶ以上である。
（ＤＬＣと区別）
３）ラマンスペクトルは、１３５０ｃｍ’−’前後にピ
ークをもつ幅広いラインが観測されるが、１６００ｃｍ
−’付近にはピークは観測されない。（ダイヤモンド、
ＤＬＣと区別）ダイヤモンド結晶、ＤＣＬ膜（アモルフ
ァス）、単結合炭素膜のラマンスペクトルを第１図、２
図、３図に示す。
ークをもつ幅広いラインが観測されるが、１６００ｃｍ
−’付近にはピークは観測されない。（ダイヤモンド、
ＤＬＣと区別）ダイヤモンド結晶、ＤＣＬ膜（アモルフ
ァス）、単結合炭素膜のラマンスペクトルを第１図、２
図、３図に示す。
ダイヤモンド結晶では、１３３３ｃｍ−’に鋭いピーク
があり、ＤＬＣ膜では、１６００ｃｍ−’付近に二重結
合に起因すると言われる幅広いピークがみられる。これ
に対し単結合炭素膜においては、１３００ｃｍ””付近
の幅広いピークのみが認められる。
があり、ＤＬＣ膜では、１６００ｃｍ−’付近に二重結
合に起因すると言われる幅広いピークがみられる。これ
に対し単結合炭素膜においては、１３００ｃｍ””付近
の幅広いピークのみが認められる。
ただし、１６００ｃｍ−’付近の二重結合に起因するピ
ーク、１３３３ｃｍ−’のダイヤモンドに起因するピー
クが現われても、ある程度までは可視光に対する透明さ
、ＲＳＭ３００Å以下の平坦性が保持される。その条件
は０１３５０ｃｍ６’と１５８０ｃｍ−’のラマンスペ
クトルの強度比（ｒ １３５０／ Ｉ ＋５ａｏ）が９
．７以上であルコと、０１３３３ｃｍりにおける半値幅
１０ｃｍ−’以下の鋭いピーク強度と幅広の強度比Ｉ
ｄｉａ ／ Ｉ ａｍｏｒ）が１／３以下であること■
１３５０ｃｍ−’付近のラマンピークの一ピーク位置は
１３３０〜１３７０ｃｍ−’の範囲にあり、その半値巾
が３０ｃｍ−’以上１１０ｃｍ−’以下であることの３
つである。これらの３条件を満たすものも単結合炭素膜
に含まれる。
ーク、１３３３ｃｍ−’のダイヤモンドに起因するピー
クが現われても、ある程度までは可視光に対する透明さ
、ＲＳＭ３００Å以下の平坦性が保持される。その条件
は０１３５０ｃｍ６’と１５８０ｃｍ−’のラマンスペ
クトルの強度比（ｒ １３５０／ Ｉ ＋５ａｏ）が９
．７以上であルコと、０１３３３ｃｍりにおける半値幅
１０ｃｍ−’以下の鋭いピーク強度と幅広の強度比Ｉ
ｄｉａ ／ Ｉ ａｍｏｒ）が１／３以下であること■
１３５０ｃｍ−’付近のラマンピークの一ピーク位置は
１３３０〜１３７０ｃｍ−’の範囲にあり、その半値巾
が３０ｃｍ−’以上１１０ｃｍ−’以下であることの３
つである。これらの３条件を満たすものも単結合炭素膜
に含まれる。
単結合炭素膜は、膜表面が平坦であり、かつ熱伝導率、
熱膨張係数がダイヤモンド結晶に比較し劣るものの、他
のマスク材料に比べ優れている。
熱膨張係数がダイヤモンド結晶に比較し劣るものの、他
のマスク材料に比べ優れている。
また可視光に対する透過率も高く、成膜条件を調整する
ことにより、膜の内部応力も制御できる。
ことにより、膜の内部応力も制御できる。
本発明のＸ線露光用マスクは、Ｓｉ単結晶基板上に、単
結合炭素膜を２〜３μｍ形成した上に、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ
、Ｍｏ等のＸ線を吸収する重金属を蒸着、電着、スパッ
タ等により、１μｍ程度形成し、これをＥＢリソグラフ
ィとドライあるいはウェット・エツチング・プロセスに
より、所望のＸ線吸収パターンを形成したものである。
結合炭素膜を２〜３μｍ形成した上に、Ａｕ、Ｔａ、Ｗ
、Ｍｏ等のＸ線を吸収する重金属を蒸着、電着、スパッ
タ等により、１μｍ程度形成し、これをＥＢリソグラフ
ィとドライあるいはウェット・エツチング・プロセスに
より、所望のＸ線吸収パターンを形成したものである。
［実施例］
実施例１
第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明の製造工程を示す断面模
式図である。まず第４図（ａ）に示すように（１００）
Ｓｉ単結晶基板１の片面に、ＣＶＤ法等により数百人な
いし数千八属の窒化シリコン膜を形成し、通常のフォト
リソグラフィ及びドライエツチング法を用いて、前記窒
化シリコン膜を所望の形状２にバターニングする。
式図である。まず第４図（ａ）に示すように（１００）
Ｓｉ単結晶基板１の片面に、ＣＶＤ法等により数百人な
いし数千八属の窒化シリコン膜を形成し、通常のフォト
リソグラフィ及びドライエツチング法を用いて、前記窒
化シリコン膜を所望の形状２にバターニングする。
次にＳｉｉ結晶基板１の他方の面に単結合炭素膜３を形
成する（第４図（ｂ））。この単結合炭素Ｉ＋！ ３は
第５図に示すＥＣＲ−ＰＣＶＤ装置により形成した。ま
ず、真空槽を１０ ”−６Ｔｏｒｒまで排気した後、Ｃ
Ｈ４濃度２０％のＣＨ４−Ｈ２混合ガスを導入し、真空
槽の圧力が０．２Ｔｏｒｒになるまで待って、２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を投入した。
成する（第４図（ｂ））。この単結合炭素Ｉ＋！ ３は
第５図に示すＥＣＲ−ＰＣＶＤ装置により形成した。ま
ず、真空槽を１０ ”−６Ｔｏｒｒまで排気した後、Ｃ
Ｈ４濃度２０％のＣＨ４−Ｈ２混合ガスを導入し、真空
槽の圧力が０．２Ｔｏｒｒになるまで待って、２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を投入した。
このと舘、マイクロ波パワーは６００Ｗ、磁場の大きさ
は基板位置で１２００ガウスであフた。基板温度は、４
５０℃で１，５時間成膜し約２μｍの単結合炭素膜を形
成した。得られた膜の表面粗さはＲＭＳで１００Å以下
であった。
は基板位置で１２００ガウスであフた。基板温度は、４
５０℃で１，５時間成膜し約２μｍの単結合炭素膜を形
成した。得られた膜の表面粗さはＲＭＳで１００Å以下
であった。
次に前記単結合炭素膜３上に、ＴａのＸ線吸収体パター
ン４を反応性イオンエツチング等の方法により、形成し
た（第４図（Ｃ））。
ン４を反応性イオンエツチング等の方法により、形成し
た（第４図（Ｃ））。
最後に、前記Ｓｉ単結晶基板１の部を窒化シリコンパタ
ーン２を保護膜として、水酸化カリウム水溶液を用いて
バックエツチングすることにより、Ｘ線吸収体パターン
４を支持する単結合炭素ｌｌＵ３がＳｔ単結晶のフレー
ムに固定された、本発明のＸ線露光用マスクが得られた
（第４図（ｄ））。
ーン２を保護膜として、水酸化カリウム水溶液を用いて
バックエツチングすることにより、Ｘ線吸収体パターン
４を支持する単結合炭素ｌｌＵ３がＳｔ単結晶のフレー
ムに固定された、本発明のＸ線露光用マスクが得られた
（第４図（ｄ））。
実施例２
第６図に示す装置を用いて、マスク基板となる単結合炭
素膜を形成した以外、実施例１と同じ構造を持つＸ線露
光用マスク。まずガス供給系により、ＣＨ，、Ｈ２、Ｈ
，の混合ガスを２：１：１の比で導入し、成膜室の圧力
を１０ ’−’Ｔｏｒｒとした。次にマイクロ波導波管
５より２．４５ＧＨｚのマイクロ波（電カフ００Ｗ）を
導入し、原料ガスの分解イオン化を行なった。更に１３
．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ電力３００Ｗ）を電極６に
印加し、外部磁場７の大きざを炭素イオンのサイクロト
ロン共鳴磁場に相当するハテスラに設定した。すなわち
、イオン・サイクロトロン共鳴法により、Ｓｉ基板８上
に３μｍの単結合炭素膜を形成した。以降のＸ線吸収体
パターンの形成プロセスは、実施例１と同様に行なった
。
素膜を形成した以外、実施例１と同じ構造を持つＸ線露
光用マスク。まずガス供給系により、ＣＨ，、Ｈ２、Ｈ
，の混合ガスを２：１：１の比で導入し、成膜室の圧力
を１０ ’−’Ｔｏｒｒとした。次にマイクロ波導波管
５より２．４５ＧＨｚのマイクロ波（電カフ００Ｗ）を
導入し、原料ガスの分解イオン化を行なった。更に１３
．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ電力３００Ｗ）を電極６に
印加し、外部磁場７の大きざを炭素イオンのサイクロト
ロン共鳴磁場に相当するハテスラに設定した。すなわち
、イオン・サイクロトロン共鳴法により、Ｓｉ基板８上
に３μｍの単結合炭素膜を形成した。以降のＸ線吸収体
パターンの形成プロセスは、実施例１と同様に行なった
。
実施例３
実施例１と同様に形成した単結合炭素膜の上に、ポリイ
ミド膜を０．５〜１．０μｍ゛プラズマ重合に形成した
後、以降のＸ線吸収体パターンの形成プロセスは、実施
例１と同様に行なったＸ線露光用マスク。第７図は、本
実施例の構成によるＸ線露光用マスクの断面図である。
ミド膜を０．５〜１．０μｍ゛プラズマ重合に形成した
後、以降のＸ線吸収体パターンの形成プロセスは、実施
例１と同様に行なったＸ線露光用マスク。第７図は、本
実施例の構成によるＸ線露光用マスクの断面図である。
ここで形成したポリイミド膜に代表されるポリマーは、
基板となる単結合炭素膜の内部応力を制御するとともに
、膜の強度を向上させマスクの耐久性を高める効果を持
つ。
基板となる単結合炭素膜の内部応力を制御するとともに
、膜の強度を向上させマスクの耐久性を高める効果を持
つ。
本発明による前記単結合炭素膜は、Ｘ線フレネムゾーン
プレート、Ｘ線回折格子等のＸ線光学素子の支持基体と
しても有用である。
プレート、Ｘ線回折格子等のＸ線光学素子の支持基体と
しても有用である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のＸ線露光用マスクは放熱
性及び機械的強度に優れているため、従来では困難とさ
れたＳＯＲ光や、プラズマ励起Ｘ線等の高エネルギー、
高輝度Ｘ線源を用いたＸ線露光装置においてもマスク基
板の熱膨張が軽減され、高精度なパターン転写が実現さ
れる。また、該マスク基板は、軟Ｘ線に対する透過率が
高いため露光時間が短縮されスルーブツトの向上も実現
される。
性及び機械的強度に優れているため、従来では困難とさ
れたＳＯＲ光や、プラズマ励起Ｘ線等の高エネルギー、
高輝度Ｘ線源を用いたＸ線露光装置においてもマスク基
板の熱膨張が軽減され、高精度なパターン転写が実現さ
れる。また、該マスク基板は、軟Ｘ線に対する透過率が
高いため露光時間が短縮されスルーブツトの向上も実現
される。
【図面の簡単な説明】
Ｖ
第１図は、ダイヤモンド結晶のラマン・スペクトルを示
す図。 第２図は、ＤＬＣ膜（アモルファス）のラマン・スペク
トルを示す図。 第３図は単結合炭素膜のラマン・スペクトルを示す図。 第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明によるＸ線露光用マスク
の実施例を示す断面模式図。 第５図は、実施例１において単結合炭素膜を形成するた
めに用いたＥＣＲ−ＰＣＶＤ装置の模式第６図は実施例
２において単結合炭素膜を形成するために用いたイオン
・サイクロトロン共鳴法による成膜装置の模式図。 第７図は、実施例３の構成によるＸ線露光用マスクの断
面模式図。 第４図中、 １・・・Ｓｉ単結晶基板、２・・・窒化シリコン膜、３
・・・単結合炭素膜、４・・・Ｘ線吸収体（Ｔａ）第６
図中、 ５・・・マイクロ波導波管、６・・・ＲＦ主電極７・・
・外部６１１石、８・・・Ｓｉ基板、 第７図中、 ９・・・Ｓｉ単結晶基板、１０・・・窒化シリコン膜、
１１・・・単結合炭素膜、１２・・・ポリイミド膜、Ｉ
３・・・Ｘ線吸収体（Ｔａ）
す図。 第２図は、ＤＬＣ膜（アモルファス）のラマン・スペク
トルを示す図。 第３図は単結合炭素膜のラマン・スペクトルを示す図。 第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明によるＸ線露光用マスク
の実施例を示す断面模式図。 第５図は、実施例１において単結合炭素膜を形成するた
めに用いたＥＣＲ−ＰＣＶＤ装置の模式第６図は実施例
２において単結合炭素膜を形成するために用いたイオン
・サイクロトロン共鳴法による成膜装置の模式図。 第７図は、実施例３の構成によるＸ線露光用マスクの断
面模式図。 第４図中、 １・・・Ｓｉ単結晶基板、２・・・窒化シリコン膜、３
・・・単結合炭素膜、４・・・Ｘ線吸収体（Ｔａ）第６
図中、 ５・・・マイクロ波導波管、６・・・ＲＦ主電極７・・
・外部６１１石、８・・・Ｓｉ基板、 第７図中、 ９・・・Ｓｉ単結晶基板、１０・・・窒化シリコン膜、
１１・・・単結合炭素膜、１２・・・ポリイミド膜、Ｉ
３・・・Ｘ線吸収体（Ｔａ）
Claims (1)
- １、Ｘ線透過性基板上に、所定のＸ線吸収体パターンが
形成されるＸ線露光用マスクにおいて、前記Ｘ線透過性
基板が単結合炭素膜からなることを特徴とするＸ線露光
用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63202450A JPH0251215A (ja) | 1988-08-13 | 1988-08-13 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63202450A JPH0251215A (ja) | 1988-08-13 | 1988-08-13 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0251215A true JPH0251215A (ja) | 1990-02-21 |
Family
ID=16457727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63202450A Pending JPH0251215A (ja) | 1988-08-13 | 1988-08-13 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0251215A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6063246A (en) * | 1997-05-23 | 2000-05-16 | University Of Houston | Method for depositing a carbon film on a membrane |
| KR100327336B1 (ko) * | 1999-08-03 | 2002-03-06 | 윤종용 | 미세 구조물 제조에 사용되는 물질층 식각 방법 및 이를 이용한 리소그래피 마스크 제조 방법 |
-
1988
- 1988-08-13 JP JP63202450A patent/JPH0251215A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6063246A (en) * | 1997-05-23 | 2000-05-16 | University Of Houston | Method for depositing a carbon film on a membrane |
| KR100327336B1 (ko) * | 1999-08-03 | 2002-03-06 | 윤종용 | 미세 구조물 제조에 사용되는 물질층 식각 방법 및 이를 이용한 리소그래피 마스크 제조 방법 |
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