JPH0251832A - リソグラフイ装置用ビーム形成絞りの製造方法 - Google Patents

リソグラフイ装置用ビーム形成絞りの製造方法

Info

Publication number
JPH0251832A
JPH0251832A JP1137320A JP13732089A JPH0251832A JP H0251832 A JPH0251832 A JP H0251832A JP 1137320 A JP1137320 A JP 1137320A JP 13732089 A JP13732089 A JP 13732089A JP H0251832 A JPH0251832 A JP H0251832A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
semiconductor substrate
dielectric layer
semiconductor
forming aperture
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1137320A
Other languages
English (en)
Inventor
Wolfgang Benecke
ウオルフガング、ベネケ
Uwe Schnakenberg
ウベ、シユナーケンベルク
Burkhard Lischke
ブルクハルト、リシユケ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of JPH0251832A publication Critical patent/JPH0251832A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、一次粒子ビームで付勢されたビーム形成絞り
が、多数の粒子プローブを得るための切欠部を備えた半
導体層（ダイアフラム）を存する形式の、リングラフィ
装置用のビーム形成絞りを製造する方法に関する。
〔従来の技術〕
米国特許第４７２４３２８号明細書からリソグラフィ装
置（１ｆｔ子ビーム記録器）が公知であり、この場合そ
の電子光学柱状体は多数の個々に偏向可能の電子プロー
ブを得るための開口絞りを有する。欧州特許出願公開第
１９１４３９号明細書に詳述されている開口絞りは列状
の多穿孔構造を有するシリコンのダイアダラムからなり
、その表面には偏向単位として作用する′ｒ！１極系が
配置されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明の課題は、一次粒子ビームで付勢された絞りが多
数の粒子プローブを得るための切欠部を備えた半導体層
を存する形式の、リソグラフィ装置用のビーム形成絞り
を製造する方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
この課題は本発明によれば、特許請求の範囲の請求項１
．２及び３に記載した方法によってそれぞれ解決される
。請求項４及び５は本発明方法のを利な実施態様を示す
ものである。
〔発明の効果〕
本発明により得ることのできる利点は特に、粒子プロー
ブのビーム横断面を特定する切欠部が高精度で作られる
ことである。
〔実施例〕
次に本発明を図面に基づき詳述する。
電子又はイオンビーム記録器用の第１図に略示したビー
ム形成絞りは主として、その表面にシリコン層２がエピ
タキシャル析出された半導体基板１からなる。中央部が
自立ダイアフラムとして形成されたエピタキシャル層２
には有利には、垂直方向の境界面を有する正方形の切欠
部１４が列状に配置されている。このダイアフラムを一
次粒子ビーム１５で付勢した場合、粒子源とは逆の面に
、そのビーム横断面が切欠部１４の寸法により予め定め
られている粒子プローブ１６が多数得られる。
粒子プローブ１６は公知の開口絞りを使用して偏向又は
走査され、また粒子光学ユニットを用いて構造化すべき
対象に結像させることができる。
このビーム形成絞りを製造する方法は、本発明において
は次の処理工程を含む（第２図参照）。
第１伝導型の半導体基板１例えば（１，０゜０）又は（
１，１，０）配向を有するｐドープされたシリコン上へ
の、半導体層２例えばシリコン層のエピタキシャル析出
（第２図ａ、ｂ）、硼素（後のエツチング処理過程での
エピタキシャル層２の保護）及びゲルマニウム（機械的
応力の減少）でのエピタキシャル層２のドーピング、こ
の場合硼素濃度は硼素原子ｌＸｌ０”／ｃｄを上回るこ
とが必要である（ドーピングは有利にはエピタキシャル
析出中実施する）、誘電層３又は４、例えば窒化珪素又
は酸化珪素でのウェハ表面（エピタキシャル層２）及び
ウェハ背面（半導体基板１）の被覆（第２図ｇ）、ウェ
ハ表面又はウェハ背面に遠心塗布されたフォトレジスト
層５又は６への、切欠部１４及び半導体基板ｌに製造す
べきスルーホール１７の寸法及び形状のリソグラフィ転
写（第２図ｄ）ｍ１１層３及び４の反応性ドライエツチ
ング（層３又は４の構造化）（第２図ｇ）、 エピタキシャル層２の反応性ドライエツチング、特に反
応性イオンビームエツチング（エピタキシャル層２の突
き抜き処理）（第２図ｆ）、ウェハ背面での半導体基板
１の湿式化学的異方性エツチング（第２図ｇ）、 誘電層３及び４の除去（第２図ｈ）、 金属層７例えば金層でのエピタキシャル層２及び半導体
基板１の被覆（第２図ｉ）。
第１図に略示したビーム形成絞りは、本発明の別の方法
によれば、電気化学的エツチング法を使用して低ドープ
化エピタキシャル層又は拡散層に得ることができる。こ
の製造方法は次の処理工程を含む（第３図参照）。
半導体基板１例えば（１，０，０）又は（１１，０）配
向を有するｐドープされたシリコン上への、ｎドープさ
れたシリコン層２のエピタキシャル析出（第３図ａ、ｂ
）、 誘電層３又は４例えば窒化珪素又は酸化珪素での、ウェ
ハ表面（エピタキシャル層２）及びウェハ背面（半導体
基板１）の被覆（第３図ｇ）、誘電層３上に遠心塗布さ
れたフォトレジスト層５への、切欠部１４の寸法及び形
状のリソグラフィ転写（第３図ｄ）、 誘電層３の反応性ドライエツチング（誘電層３の構造化
）（第３図ｇ）、 エピタキシャル層２の異方性ドライエツチング（エピタ
キシャル層２の突き抜き処理）（第３図ｆ）、 フォトレジスト層５の除去及びエツチングにより露出さ
れた面のエッチビット又は酸化箇所内での不活性化層９
の析出（第３図ｇ）、誘電層３内での接点窓１０のリソ
グラフィによる製造（第３図ｈ）、 ＶＡ誘電層４上遠心塗布されたフォトレジスト層への、
基板スルーホール１７の寸法のリソグラフィ転写及び層
４の構造化、（第３図ｈ）、例えばクロム又はチタンか
らなる接着層及び金属層１１でのウェハ表面の金属化（
第３図１）電気接点１２を得るための金属層１１のリソ
グラフィ構造化（第３図ｊ）、 電気化学的エッチストップを使用しての、例えばＫＯＨ
中での半導体基Ｗ、ｌの異方性エツチング、この場合エ
ピタキシャル層２は接点１２を介して電圧源の正極に接
続される（第３図ｋ）接点１２及び誘電層３．４及び９
の除去（第３図２）、 金属層７例えば金層での基板ｌ及びエピタキシャル層２
の被覆（第３図１）、 もう１つの本発明方法によればビーム形成絞りは、リソ
グラフィ法及び電鋳法を使用することによって製造する
こともできる。この製造方法は次の処理工程を含む（第
４図参照）。
誘電層３又は４例えば酸化珪素又は窒化珪素での、半導
体基板１例えば（１，０，０）又は（１，１，０）配向
を有するシリコンの両面被覆（第４図ａ、　ｂ）、 ウェハ表面への、電気めっき出発層８例えばクロム／金
層又はチタン／金層の塗布（第４図ｇ）、 電気めっき出発Ｎ８に遠心塗布されたフォトレジスト層
５への、切欠部１４の寸法及び形状のリソグラフィ転写
（第４図ｄ）、 ウェハ表面への金属層７特に金層の電気析出（第４図ｇ
）、 フォトレジスト層５の除去（第４図ｆ）、半導体基板】
内に製造すべきスルーホール１７の寸法に相応する、不
活性化層４のリソグラフィ構造化（第４図ｇ）、 ウェハ費面での半導体基板１の異方性湿式化学エツチン
グ（第４図ｈ）、 基板スルーホール１７の範囲内での不活性化層３及び電
気めづき出発層８のエツチング（第４図１）。
【図面の簡単な説明】
第１図は製造すべきビーム形成絞りの略示図、第２図か
ら第４図まではビーム形成絞りを製造するための種々の
処理工程図である。 １・・・半導体基板 ２・・・半導体層 ３．４・・・誘電層 ５．６・・・フォトレジスト層 ７．８・・・金属層 ９・・・不活性化層 １０・・・窓 １１・・・金属層 １２・・・電気接点 Ｉ４・・・切欠部 １５・・・一次粒子ビーム １６・・・粒子プローブ １７・・・スルーホール ＧＩ Ｉ０２ ＩＧ　４

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）一次粒子ビーム（１５）で付勢されたビーム形成絞
    りが、多数の粒子プローブ（１６）を得るための切欠部
    （１４）を備えた半導体層（２）を有する形式のリソグ
    ラフィ装置用のビーム形成絞りを製造する方法において
    、第１伝導型の半導体層（２）を第２伝導型 の半導体基板（１）上に析出させ、 半導体層（２）に第１誘電層（３）を設け、また半導体
    基板（１）の背面に第２誘電層（４）を設け、 第１誘電層（３）を製造すべき切欠部（１ ４）の寸法及び形状に相応して構造化し、 第２誘電層（４）を半導体基板（１）に製 造すべきスルーホール（１７）の寸法に相応して構造化
    し、 半導体層（２）をエッチング処理で突き抜 スルーホール（１７）を半導体基板（１） の異方性エッチングにより構成し、 誘電層（３、４）を除去し、 半導体層（２）及び半導体基板（１）に金 属層（７）を設ける ことを特徴とするリソグラフィ装置用ビーム形成絞りの
    製造方法。 ２）一次粒子ビーム（１５）で付勢されたビーム形成絞
    りが、多数の粒子プローブ（１６）を得るための切欠部
    （１４）を備えた半導体層（２）を有する形式のリソグ
    ラフィ装置用のビーム形成絞りを製造する方法において
    、第１伝導型の半導体層（２）を第２伝導型の半導体基
    板（１）上に析出させ、 半導体層（２）に第１誘電層（３）を設け、また半導体
    基板（１）に第２誘電層（４）を設け、 第１誘電層（３）を製造すべき切欠部（１ ４）の寸法及び形状に相応して構造化し、 半導体層（２）をエッチング処理で突き抜 き、 不活性化層（９）をエッチビット内で析出 させ、 窓（１０）を第１誘電層（３）に構成し、 第２誘電層（４）を半導体基板（１）に製 造すべきスルーホール（１７）の寸法に相応して構造化
    し、 第１誘電層（３）に第１金属層（１１）を 設け、 電気接点（１２）を第１金属層（１１）の リソグラフィ構造化によって構成し、 スルーホール（１７）を電気化学的エッチ ストップの使用下に異方性エッチングにより構成し、そ
    の際半導体層（２）は電気接点（１２）を介して電圧源
    の極と接続されており、誘電層（３、４）及び電気接点
    （１２）を 除去し、 半導体層（２）及び、半導体基板（１）に第２金属層（
    ７）を設ける ことを特徴とするリソグラフィ装置用ビーム形成絞りの
    製造方法。 ３）一次粒子ビーム（１５）で付勢されたビーム形成絞
    りが、多量の粒子プローブ（１６）を得るための切欠部
    （１４）を備えた半導体層（２）を有する形式のリソグ
    ラフィ装置用のビーム形成絞りを製造する方法において
    、半導体基板（１）の前面に第１誘電層（３）を設け、
    またその背面に第２誘電層（４）を設け、 第１金属層（８）を第１誘電層（３）上に 施し、 製造すべき切欠部（１４）の寸法及び形状 を第１金属層（８）上に施したフォトレジスト層（５）
    に転送し、 第２金属層（７）を第１金属層（８）上に 電着させ、 フォトレジスト層（５）を除去し、 第２誘電層（４）を半導体基板（１）に構 成すべきスルーホール（１７）の寸法に応じて構造化し
    、 半導体基板（１）を異方性エッチング処理 し、 第１誘電層（３）及び第１金属層（８）を スルーホール（１７）の範囲で除去する ことを特徴とするリソグラフィ装置用ビーム形成絞りの
    製造方法。 ４）半導体基板（１）がシリコンからなり、このシリコ
    ンが（１、０、０）配向を有することを特徴とする請求
    項１ないし３の１つに記載の方法。 ５）半導体基板（１）がシリコンからなり、このシリコ
    ンが（１、１、０）配向を有することを特徴とする請求
    項１ないし３の１つに記載の方法。
JP1137320A 1988-05-31 1989-05-29 リソグラフイ装置用ビーム形成絞りの製造方法 Pending JPH0251832A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3818536 1988-05-31
DE3818536.9 1988-05-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0251832A true JPH0251832A (ja) 1990-02-21

Family

ID=6355538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1137320A Pending JPH0251832A (ja) 1988-05-31 1989-05-29 リソグラフイ装置用ビーム形成絞りの製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5049460A (ja)
EP (1) EP0344515A3 (ja)
JP (1) JPH0251832A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002063662A1 (en) * 2001-02-08 2002-08-15 Advantest Corporation Method for making slit, slit, and electron beam exposure system

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4212077A1 (de) * 1992-04-10 1993-10-14 Fraunhofer Ges Forschung Piezoelektrisch verstellbares Ventil und Verfahren zu ihrer Herstellung
ZA944488B (en) * 1993-06-23 1995-02-15 New York Blood Center Inc System for viral inactivation of blood
DE69712654T2 (de) * 1996-02-22 2002-09-05 Seiko Epson Corp., Tokio/Tokyo Tintenstrahlaufzeichnungskopf, Tintenstrahlaufzeichnungsgerät damit versehen und Herstellungsverfahren eines Tintenstrahlaufzeichnungskopfes
US6528340B2 (en) * 2001-01-03 2003-03-04 Honeywell International Inc. Pressure transducer with composite diaphragm
JP3951613B2 (ja) * 2001-02-09 2007-08-01 株式会社ケンウッド マイクロホン
US20040104454A1 (en) * 2002-10-10 2004-06-03 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method of producing the same
JP6211435B2 (ja) 2014-02-26 2017-10-11 株式会社アドバンテスト 半導体装置の製造方法
JP6212000B2 (ja) * 2014-07-02 2017-10-11 株式会社東芝 圧力センサ、並びに圧力センサを用いたマイクロフォン、血圧センサ、及びタッチパネル
CN104599927B (zh) * 2014-12-24 2016-11-30 西安理工大学 一种多孔光阑的制备方法
EP3642863A1 (en) * 2017-06-21 2020-04-29 King Abdullah University Of Science And Technology Membraneless platform for correlated analysis of nanomaterials
KR102634208B1 (ko) * 2018-12-26 2024-02-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 기판을 에칭하기 위한 시스템 및 방법
CN119566747B (zh) * 2025-02-08 2025-05-02 中国科学院地质与地球物理研究所 一种长寿型纳米离子探针光阑的制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2922416A1 (de) * 1979-06-01 1980-12-11 Ibm Deutschland Schattenwurfmaske zum strukturieren von oberflaechenbereichen und verfahren zu ihrer herstellung
DE3176643D1 (en) * 1981-10-30 1988-03-10 Ibm Deutschland Shadow projecting mask for ion implantation and lithography by ion beam radiation
DE3425063A1 (de) * 1984-07-07 1986-02-06 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Maske fuer die roentgenlithographie
DE3504705A1 (de) * 1985-02-12 1986-08-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Aperturblende mit zellenfoermiger mehrlochstruktur und austastelektroden zur erzeugung einer mehrzahl von individuell austastbaren korpuskularstrahlsonden fuer ein lithografiegeraet
DE3504714A1 (de) * 1985-02-12 1986-08-14 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lithografiegeraet zur erzeugung von mikrostrukturen
CN86105432A (zh) * 1985-09-27 1987-05-27 美国电话电报公司 带电粒子束曝光
EP0244496B1 (de) * 1986-05-06 1991-01-16 Ibm Deutschland Gmbh Maske für die Ionen-, Elektronen- oder Röntgenstrahllithographie und Verfahren zur ihrer Herstellung
US4932872A (en) * 1989-06-16 1990-06-12 Lepton Inc. Method for fabricating X-ray masks

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002063662A1 (en) * 2001-02-08 2002-08-15 Advantest Corporation Method for making slit, slit, and electron beam exposure system

Also Published As

Publication number Publication date
US5049460A (en) 1991-09-17
EP0344515A2 (de) 1989-12-06
EP0344515A3 (de) 1991-01-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4706374A (en) Method of manufacture for semiconductor accelerometer
US5883012A (en) Method of etching a trench into a semiconductor substrate
EP1765725B1 (en) Nanowire device with (111) vertical sidewalls and method of fabrication
JPH0251832A (ja) リソグラフイ装置用ビーム形成絞りの製造方法
US4456901A (en) Dielectrically isolated transducer employing single crystal strain gages
KR100264292B1 (ko) 구조체와 그 제조방법
US4978421A (en) Monolithic silicon membrane device fabrication process
JP2868491B2 (ja) 写真石版マスク及びその製造方法
WO1991002380A1 (en) Method of fabricating a binary optics microlens upon a detector array
DE69712128T2 (de) Optische Halbleiterkomponente sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
JPS6233758B2 (ja)
JP4469194B2 (ja) 電鋳用型、電鋳方法、及びその電鋳用型の製造方法
US4004955A (en) Positive selective nickel alignment system
JPH03129818A (ja) 半導体装置の製造方法
US6506621B1 (en) Method for producing a diaphragm sensor array and diaphragm sensor array
JP2000022168A (ja) 半導体加速度センサ及びその製造方法
US6673252B2 (en) Method of fabricating a refractive silicon microlens
KR100210848B1 (ko) 실리콘 미세 기계의 제조방법
JP4686914B2 (ja) ステンシルマスクの製造方法
JP4465090B2 (ja) マスク部材の製造方法
JP2004109432A (ja) シリコン構造体およびその製造方法
EP0987743A1 (en) Semiconductor device and method of anodization for the semiconductor device
KR100498140B1 (ko) 마이크로 컬럼 전자빔 장치의 실리콘 멤브레인 제작 방법
JPH09153626A (ja) ３軸半導体加速度センサの製造方法
JPH0612963A (ja) 静電型マイクロリレーの製造方法