JPH0251836A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0251836A JPH0251836A JP63201251A JP20125188A JPH0251836A JP H0251836 A JPH0251836 A JP H0251836A JP 63201251 A JP63201251 A JP 63201251A JP 20125188 A JP20125188 A JP 20125188A JP H0251836 A JPH0251836 A JP H0251836A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- faraday
- ion beam
- side wall
- ion
- flag
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造に用いられるイオン注入装置
に関し、特にフラッグファラデーの構造に関する。
に関し、特にフラッグファラデーの構造に関する。
従来、この種のイオン注入装置は第３図に示すように、
牛運体ウェハー等にイオン注入を行う時はフラッグファ
ラデー１を矢印１０のように回転させ、イオンビーム４
を通し、イオン注入を行なわない時は分解アパーチャー
３の近傍においてフラッグファラデー１でイオンビーム
４をさえぎり、イオンビーム４を開口部２内に導入して
ビーム電流を測定する了うに構成されていた。
牛運体ウェハー等にイオン注入を行う時はフラッグファ
ラデー１を矢印１０のように回転させ、イオンビーム４
を通し、イオン注入を行なわない時は分解アパーチャー
３の近傍においてフラッグファラデー１でイオンビーム
４をさえぎり、イオンビーム４を開口部２内に導入して
ビーム電流を測定する了うに構成されていた。
そしてフラッグファラデー１は第４図（ａ）。
（ｂ）に示すように、開口部２が設けられたファラデー
５とその上下面に固定されたマグネット６とから主に構
成されていた。
５とその上下面に固定されたマグネット６とから主に構
成されていた。
上述した従来のイオン注入装置において、ビームをさえ
ぎってビーム電流を測定する機能を持つたフラッグファ
ラデーは、ビーム電流を測定する機能しか持っていない
のでビームのしぼり具合を測定することができなかった
。その為、ビームの径のしぼりすぎによってウェハー上
が正に帯電してしまうチャージアップ等により、ウェハ
ー上の静電破壊やイオン注入の面内不均一が起こるとい
う欠点があった。
ぎってビーム電流を測定する機能を持つたフラッグファ
ラデーは、ビーム電流を測定する機能しか持っていない
のでビームのしぼり具合を測定することができなかった
。その為、ビームの径のしぼりすぎによってウェハー上
が正に帯電してしまうチャージアップ等により、ウェハ
ー上の静電破壊やイオン注入の面内不均一が起こるとい
う欠点があった。
本発明のイオン注入装置は、イオン注入をしていない時
にイオンビームをさえぎってビーム電流を測定するフラ
ッグファラデーを有するイオン注入装置であって、前記
フラッグファラデーは、第１の側壁に設けられイオンビ
ームを入射させる為の第１の開口部と前記第１の側壁に
対向する第２の０すｊ壁に設けられ第１の開口部より小
さい第２の開口部を有する箱状のメインファラデーと、
前記第２の側壁の外側面に絶縁体を介して設けられ第２
の開口部より入射するイオンビームのビーム電流を測定
するセンターファラデーとから構成されているものであ
る。
にイオンビームをさえぎってビーム電流を測定するフラ
ッグファラデーを有するイオン注入装置であって、前記
フラッグファラデーは、第１の側壁に設けられイオンビ
ームを入射させる為の第１の開口部と前記第１の側壁に
対向する第２の０すｊ壁に設けられ第１の開口部より小
さい第２の開口部を有する箱状のメインファラデーと、
前記第２の側壁の外側面に絶縁体を介して設けられ第２
の開口部より入射するイオンビームのビーム電流を測定
するセンターファラデーとから構成されているものであ
る。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例のフラッ
グファラデーの正面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
グファラデーの正面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
第１図（ａ）、（ｂ）において、フラッグファラデー１
は、第１の側壁９Ａに設けられイオンビームを入射させ
るための第１の開口部２Ａと第１の側壁９Ａに対向する
第２の側壁９Ｂに設けられ、第１の開口部より小さい第
２の開口部２ Ｂとを有する箱状のメインファラデ〜Ｌ
Ａと、第２の側壁９Ｂの外側面に絶縁体７を介して設け
られ、第２の開口部２Ｂより入射するイオンビームのビ
ーム電流を測定するセンターファラデーＩＢとから構成
されている。尚６はマグネットである。
は、第１の側壁９Ａに設けられイオンビームを入射させ
るための第１の開口部２Ａと第１の側壁９Ａに対向する
第２の側壁９Ｂに設けられ、第１の開口部より小さい第
２の開口部２ Ｂとを有する箱状のメインファラデ〜Ｌ
Ａと、第２の側壁９Ｂの外側面に絶縁体７を介して設け
られ、第２の開口部２Ｂより入射するイオンビームのビ
ーム電流を測定するセンターファラデーＩＢとから構成
されている。尚６はマグネットである。
このように構成された第１の実施例においては、単にイ
オンビーム電流を測定する場合はフラッグファラデー１
でイオンビームをさえぎり、メインファラデーＩＡとセ
ンターファラデーＩＢとに入射するイオンビーム３測定
する。そして、イオンビームのしぼり具合をみるために
は、センターファラデーＩＢで測定されるイオンビーム
電流が全イオンビーム電流の何パーセントを占めている
かをモニターすればよい。
オンビーム電流を測定する場合はフラッグファラデー１
でイオンビームをさえぎり、メインファラデーＩＡとセ
ンターファラデーＩＢとに入射するイオンビーム３測定
する。そして、イオンビームのしぼり具合をみるために
は、センターファラデーＩＢで測定されるイオンビーム
電流が全イオンビーム電流の何パーセントを占めている
かをモニターすればよい。
このように本第１の実施例によれば、イオンビムのしぼ
り具合を知ることができるため、ウェハー上の静電破壊
等を防止できる。
り具合を知ることができるため、ウェハー上の静電破壊
等を防止できる。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例のフラッ
グファラデーの正面図及びＢ−Ｂ′線断面図である。
グファラデーの正面図及びＢ−Ｂ′線断面図である。
第１の実施例におけるフラッグファラデーは、メインフ
ァラデーＩＡ、センターフアラチー Ｉ Ｂともに、イ
オンビームがファラデーに当たった時に発生する２次電
子によるイオンビーム電流の誤差を防ぐなめにマグネッ
ト６を使用しているが、この第２の実施例では、センタ
ーファラデーＩＢではマグネットのかわりにバイアス電
極８を使用している。このバイアスＫｆｉ８を用いるこ
とにより構造が簡単になり、フラッグファラデー１をよ
り小型化できる利点がある。
ァラデーＩＡ、センターフアラチー Ｉ Ｂともに、イ
オンビームがファラデーに当たった時に発生する２次電
子によるイオンビーム電流の誤差を防ぐなめにマグネッ
ト６を使用しているが、この第２の実施例では、センタ
ーファラデーＩＢではマグネットのかわりにバイアス電
極８を使用している。このバイアスＫｆｉ８を用いるこ
とにより構造が簡単になり、フラッグファラデー１をよ
り小型化できる利点がある。
以上説明したように本発明は、フラッグファラデーをメ
インファラデーとセンターファラデーとで構成すること
により、イオンビームのしぼり具合を知ることができる
。そのなめ、チャーシアツブによるウェハー上の静電破
壊やイオン注入の面内不均一を防止することができると
いう効果がある。
インファラデーとセンターファラデーとで構成すること
により、イオンビームのしぼり具合を知ることができる
。そのなめ、チャーシアツブによるウェハー上の静電破
壊やイオン注入の面内不均一を防止することができると
いう効果がある。
第１図＜ａ）、（ｂ）及び第２図（ａ）、（ｂ）は本発
明の第１及び第２の実施例のフラッグファラデーの正面
図及ゾ断面図、第３図は従来のイオン注入装置のフラッ
グファラデーの斜視図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来の
フラッグファラデーの正面図及び断面図である。 １・・・フラッグファラデー、ＩＡ・・・メインファラ
デー、ＩＢ・・・センターファラデー、２・・・開口部
、２Ａ・・・第１の開口部、２Ｂ・・・第２の開口部、
３・・・分解アパーチャー、４・・・イオンビーム、５
・・ファファー、 ６・・マグネット、 ７・・・絶縁体、 ・、バイ アス電極、 Ａ・・・第 １の側壁、 Ｂ・・・第２の側 壁、 ０・・・矢印。
明の第１及び第２の実施例のフラッグファラデーの正面
図及ゾ断面図、第３図は従来のイオン注入装置のフラッ
グファラデーの斜視図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来の
フラッグファラデーの正面図及び断面図である。 １・・・フラッグファラデー、ＩＡ・・・メインファラ
デー、ＩＢ・・・センターファラデー、２・・・開口部
、２Ａ・・・第１の開口部、２Ｂ・・・第２の開口部、
３・・・分解アパーチャー、４・・・イオンビーム、５
・・ファファー、 ６・・マグネット、 ７・・・絶縁体、 ・、バイ アス電極、 Ａ・・・第 １の側壁、 Ｂ・・・第２の側 壁、 ０・・・矢印。
Claims (1)
- イオン注入をしていない時にイオンビームをさえぎって
ビーム電流を測定するフラッグファラデーを有するイオ
ン注入装置において、前記フラッグファラデーは、第１
の側壁に設けられイオンビームを入射させる為の第１の
開口部と前記第１の側壁に対向する第２の側壁に設けら
れ第１の開口部より小さい第２の開口部を有する箱状の
メインファラデーと、前記第２の側壁の外側面に絶縁体
を介して設けられ第２の開口部より入射するイオンビー
ムのビーム電流を測定するセンターファラデーとから構
成されていることを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201251A JPH0251836A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201251A JPH0251836A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0251836A true JPH0251836A (ja) | 1990-02-21 |
Family
ID=16437842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63201251A Pending JPH0251836A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0251836A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990016569A (ko) * | 1997-08-18 | 1999-03-15 | 윤종용 | 디스크 패러디 |
| US7026628B2 (en) | 2003-06-30 | 2006-04-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Advanced ion beam detector for ion implantation tools |
| CN111105984A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-05 | 清华大学 | 一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪 |
| JP2024544026A (ja) * | 2021-12-09 | 2024-11-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ピクセル化されたファラデーセンサを使用したシステム |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63201251A patent/JPH0251836A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990016569A (ko) * | 1997-08-18 | 1999-03-15 | 윤종용 | 디스크 패러디 |
| US7026628B2 (en) | 2003-06-30 | 2006-04-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Advanced ion beam detector for ion implantation tools |
| DE10329383B4 (de) * | 2003-06-30 | 2006-07-27 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Ionenstrahldetektor für Ionenimplantationsanlagen, Faraday-Behälter dafür und Verfahren zur Steuerung der Eigenschaften eines Ionenstrahls mittels des Ionenstrahldetektors |
| CN111105984A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-05-05 | 清华大学 | 一种基于嵌套式法拉第筒的高场非对称波形离子迁移谱仪 |
| JP2024544026A (ja) * | 2021-12-09 | 2024-11-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ピクセル化されたファラデーセンサを使用したシステム |
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