JPH0251852B2 - - Google Patents
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- JPH0251852B2 JPH0251852B2 JP60044676A JP4467685A JPH0251852B2 JP H0251852 B2 JPH0251852 B2 JP H0251852B2 JP 60044676 A JP60044676 A JP 60044676A JP 4467685 A JP4467685 A JP 4467685A JP H0251852 B2 JPH0251852 B2 JP H0251852B2
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- Japan
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- tank
- material tank
- supply device
- auxiliary container
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4485—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
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- Metallurgy (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は、光フアイバ母材あるいは半導体等の
製造に用いられるSiCl4、GeCl4などの液体原料を
精密に流量制御しつつ大量にかつ安定して反応容
器に導くことができる原料供給装置に関する。
製造に用いられるSiCl4、GeCl4などの液体原料を
精密に流量制御しつつ大量にかつ安定して反応容
器に導くことができる原料供給装置に関する。
＜従来の技術＞
原料供給装置を光フアイバ用母材の製造装置の
場合について説明する。光フアイバ用母材の製造
方法としては、いわゆるVAD法、外付け法、内
付け法等が知られている。このうち、とくに長時
間連続して原料ガスの供給を必要とするVAD法
においては、液体ガラス原料を気化した原料ガス
を大気圧以上で反応容器に送り酸水素バーナある
いはプラズマバーナで燃焼させてガラス媒体を生
成し、回転する出発部材に軸方向に堆積させて棒
状の多孔質母材を作り、更にこの多孔質母材を光
フアイバに紡糸するものである。このために、連
続して大量にかつ安定して原料ガスが反応容器へ
供給する原料供給装置が必要であつた。このよう
な原料供給装置の一例を第７図に示す。第７図に
示す原料供給装置によれば、気密な原料タンク１
には大気中の酸素または水分と反応する原料液２
が収容されていて、原料タンク１の外周には原料
液２を気化するためのヒータ３が取付けられてい
る。原料タンク１の上部空間４には原料液が気化
した原料ガスが原料タンク１の温度における蒸気
圧で満されており、原料タンク１の上部空間４と
反応容器（図示せず）との間には原料ガスを送給
する配管５が配置されている。配管５には開閉弁
６、自動弁７、流量制御装置８が介装されてい
る。流量制御装置８には質量流量計（マスフロー
コントローラ）が広く用いられている。流量制御
装置８の一次側には自動弁１０を介在した配管９
が接続されていて、配管９を通じて窒素ガスが供
給されるようになつている。自動弁１０は自動弁
７と連動し、原料供給中は自動弁７が開き自動弁
１０が閉じて原料を反応容器に流し、原料の供給
をしていないときは自動弁７が閉じ自動弁１０が
開いて配管中に窒素ガスを流して配管保護のパー
ジを行なう。
場合について説明する。光フアイバ用母材の製造
方法としては、いわゆるVAD法、外付け法、内
付け法等が知られている。このうち、とくに長時
間連続して原料ガスの供給を必要とするVAD法
においては、液体ガラス原料を気化した原料ガス
を大気圧以上で反応容器に送り酸水素バーナある
いはプラズマバーナで燃焼させてガラス媒体を生
成し、回転する出発部材に軸方向に堆積させて棒
状の多孔質母材を作り、更にこの多孔質母材を光
フアイバに紡糸するものである。このために、連
続して大量にかつ安定して原料ガスが反応容器へ
供給する原料供給装置が必要であつた。このよう
な原料供給装置の一例を第７図に示す。第７図に
示す原料供給装置によれば、気密な原料タンク１
には大気中の酸素または水分と反応する原料液２
が収容されていて、原料タンク１の外周には原料
液２を気化するためのヒータ３が取付けられてい
る。原料タンク１の上部空間４には原料液が気化
した原料ガスが原料タンク１の温度における蒸気
圧で満されており、原料タンク１の上部空間４と
反応容器（図示せず）との間には原料ガスを送給
する配管５が配置されている。配管５には開閉弁
６、自動弁７、流量制御装置８が介装されてい
る。流量制御装置８には質量流量計（マスフロー
コントローラ）が広く用いられている。流量制御
装置８の一次側には自動弁１０を介在した配管９
が接続されていて、配管９を通じて窒素ガスが供
給されるようになつている。自動弁１０は自動弁
７と連動し、原料供給中は自動弁７が開き自動弁
１０が閉じて原料を反応容器に流し、原料の供給
をしていないときは自動弁７が閉じ自動弁１０が
開いて配管中に窒素ガスを流して配管保護のパー
ジを行なう。
第７図に示した原料供給装置を用いて原料ガス
を反応容器へ導く手順は次の如くである。原料を
供給していない状態では自動弁７は閉じ、自動弁
１０が開いて配管５の反応容器側は窒素ガスによ
りパージされている。このような状態から原料供
給を開始するためには、まず、ヒータ３を加熱し
原料タンク内の原料液を加熱し、原料タンクの上
部空間４の原料ガス圧力を大気圧以上の所定の値
にする。例えば、原料液がSiCl4で原料ガスの圧
力を１Kg／cm2Ｇにするためには、原料タンクの温
度を80℃まで加熱する。次に自動弁１０を閉じ、
自動弁７を開けて、原料ガスを反応容器へ送る。
この際流量制御装置８は原料ガスの送給量を必要
な流量に制御する。原料ガス供給の終了時には、
自動弁７を閉じ、自動弁１０を開いて配管５内を
窒素ガスでパージする。さらに、短時間で原料ガ
スの供給を再開しない場合は、ヒータ３を切り原
料タンクを冷却する。また、再開が比較的早く予
定されるときには、ヒータ３を入れたまま保温に
している。
を反応容器へ導く手順は次の如くである。原料を
供給していない状態では自動弁７は閉じ、自動弁
１０が開いて配管５の反応容器側は窒素ガスによ
りパージされている。このような状態から原料供
給を開始するためには、まず、ヒータ３を加熱し
原料タンク内の原料液を加熱し、原料タンクの上
部空間４の原料ガス圧力を大気圧以上の所定の値
にする。例えば、原料液がSiCl4で原料ガスの圧
力を１Kg／cm2Ｇにするためには、原料タンクの温
度を80℃まで加熱する。次に自動弁１０を閉じ、
自動弁７を開けて、原料ガスを反応容器へ送る。
この際流量制御装置８は原料ガスの送給量を必要
な流量に制御する。原料ガス供給の終了時には、
自動弁７を閉じ、自動弁１０を開いて配管５内を
窒素ガスでパージする。さらに、短時間で原料ガ
スの供給を再開しない場合は、ヒータ３を切り原
料タンクを冷却する。また、再開が比較的早く予
定されるときには、ヒータ３を入れたまま保温に
している。
＜発明が解決しようとする問題点＞
上述した第７図に示す構成で原料ガスの送給を
止めてもなお、ヒータ３を入れており、原料タン
クが一定温度、例えば80℃で保たれているとき、
原料タンク内は完全な均一温度になる。この状態
では原料タンク内では温度分布による熱対流や沸
騰が生じなくなり平衡状態で液面での気液相変化
のみが生じている。このような状態で急激に自動
弁７を開いて大流量の原料ガスを反応容器へ送ろ
うとする場合、気相原料ガスが流出して原料タン
ク内圧が低下しても、沸騰が安定して開始しない
欠点を有し、また場合によつては原料タンク内圧
が原料ガス飽和蒸気圧より一時的に小さくなるた
め突沸が生じ流量制御された原料供給を安定して
行なうことができず、しかも、突沸の場合には配
管部品の破損が最悪の事態として生ずる欠点があ
る。
止めてもなお、ヒータ３を入れており、原料タン
クが一定温度、例えば80℃で保たれているとき、
原料タンク内は完全な均一温度になる。この状態
では原料タンク内では温度分布による熱対流や沸
騰が生じなくなり平衡状態で液面での気液相変化
のみが生じている。このような状態で急激に自動
弁７を開いて大流量の原料ガスを反応容器へ送ろ
うとする場合、気相原料ガスが流出して原料タン
ク内圧が低下しても、沸騰が安定して開始しない
欠点を有し、また場合によつては原料タンク内圧
が原料ガス飽和蒸気圧より一時的に小さくなるた
め突沸が生じ流量制御された原料供給を安定して
行なうことができず、しかも、突沸の場合には配
管部品の破損が最悪の事態として生ずる欠点があ
る。
また、沸騰開始後原料タンクは完全に定常状態
にあつて、タンクの壁温と原料の液温と気温とが
略同じであるので、急に原料ガスを流出すること
による潜熱の流出量が非常に多くなつても壁すな
わちヒータからの熱伝達が充分期待できず、液温
が一定時間下がりつづけ、この結果飽和蒸気圧と
略等しい流量制御装置の一次側ガス圧が減少し、
一定の一次二次圧力差を必要とする流量制御装置
による安定した流量制御ができなくなる。
にあつて、タンクの壁温と原料の液温と気温とが
略同じであるので、急に原料ガスを流出すること
による潜熱の流出量が非常に多くなつても壁すな
わちヒータからの熱伝達が充分期待できず、液温
が一定時間下がりつづけ、この結果飽和蒸気圧と
略等しい流量制御装置の一次側ガス圧が減少し、
一定の一次二次圧力差を必要とする流量制御装置
による安定した流量制御ができなくなる。
そこで、本発明は上述の欠点に鑑み、ヒータに
て原料タンクを保温しているときでも原料タンク
内に温度分布を作ることにより、気液相の交換を
活発にして沸騰を常に行なわせて安定した沸騰を
行なうと共に突沸を防止し、しかも急激な原料供
給量の増加に対してもヒータからの熱伝達を充分
に行ない原料供給不足を防ぎ安定した流量制御を
行なう原料供給装置の提供を目的とする。
て原料タンクを保温しているときでも原料タンク
内に温度分布を作ることにより、気液相の交換を
活発にして沸騰を常に行なわせて安定した沸騰を
行なうと共に突沸を防止し、しかも急激な原料供
給量の増加に対してもヒータからの熱伝達を充分
に行ない原料供給不足を防ぎ安定した流量制御を
行なう原料供給装置の提供を目的とする。
＜問題を解決するための手段＞
上述の目的を達成する本発明は、大気中の酸素
または水分と反応する原料液を下部に有し上部に
この原料液が気下した原料ガスを収容する原料タ
ンクと、この原料液の蒸気圧が大気圧以上になる
までこの原料液を加熱する手段と、上記原料タン
ク内で気化された原料ガスを反応容器へ導く配管
と、この配管に介装された開閉及び流量制御を行
なう装置とを備える原料供給装置において、上記
原料タンク内で気化された原料ガスを冷却して上
記タンクにて熱対流を生じる機構を上記原料タン
クに備えたことを特徴とする。
または水分と反応する原料液を下部に有し上部に
この原料液が気下した原料ガスを収容する原料タ
ンクと、この原料液の蒸気圧が大気圧以上になる
までこの原料液を加熱する手段と、上記原料タン
ク内で気化された原料ガスを反応容器へ導く配管
と、この配管に介装された開閉及び流量制御を行
なう装置とを備える原料供給装置において、上記
原料タンク内で気化された原料ガスを冷却して上
記タンクにて熱対流を生じる機構を上記原料タン
クに備えたことを特徴とする。
＜作用＞
原料ガスを冷却する機構を備えたことにより、
原料タンク内に温度分布を連続して作ることがで
き、気液相の相変化を活発化でき沸騰が安定して
行なわれる。
原料タンク内に温度分布を連続して作ることがで
き、気液相の相変化を活発化でき沸騰が安定して
行なわれる。
＜実施例＞
ここで、第１図ないし第６図を参照して本発明
の実施例を説明する。なお、第７図と同一部分に
は同符号を付す。第１図ないし第６図において、
１は原料タンク、２は原料液、３はヒータ、４は
上部空間、５は配管、６は開閉弁、７，１０は自
動弁、８は流量制御装置、９は配管であり、この
機能は従来と同じである。
の実施例を説明する。なお、第７図と同一部分に
は同符号を付す。第１図ないし第６図において、
１は原料タンク、２は原料液、３はヒータ、４は
上部空間、５は配管、６は開閉弁、７，１０は自
動弁、８は流量制御装置、９は配管であり、この
機能は従来と同じである。
第１図において、原料タンク１の上蓋には補助
容器１１が取付けられるが、この補助容器１１
は、くびれた開口部を連続部分１２として原料タ
ンク１の上部空間４に連通されている。しかも、
この補助容器１１はそれ自体外部から冷却するも
のであり、水冷又は空冷手段（公知のものが多種
あるので図示省略する）が備えられている。第１
図に示す補助容器１１はくびれた開口部を有する
が、くびれていなくともすなわち筒状の補助容器
でも何ら差支えない。
容器１１が取付けられるが、この補助容器１１
は、くびれた開口部を連続部分１２として原料タ
ンク１の上部空間４に連通されている。しかも、
この補助容器１１はそれ自体外部から冷却するも
のであり、水冷又は空冷手段（公知のものが多種
あるので図示省略する）が備えられている。第１
図に示す補助容器１１はくびれた開口部を有する
が、くびれていなくともすなわち筒状の補助容器
でも何ら差支えない。
このように補助容器１１は原料タンク１の上部
空間４と連通させた場合、上部空間４の原料ガス
は、補助容器１１内で凝縮するので、自動弁７が
閉じていて原料ガスが送られなくとも、その凝縮
による分だけ開口部から原料ガスが入り、凝縮液
は開口部を伝つて原料タンク１内に戻ることにな
る。すなわち、補助容器１１の冷却量をある程度
多めにしておき、熱対流を起こし気液相変化を活
発にして沸騰が生じている状態にしておけばよ
い。
空間４と連通させた場合、上部空間４の原料ガス
は、補助容器１１内で凝縮するので、自動弁７が
閉じていて原料ガスが送られなくとも、その凝縮
による分だけ開口部から原料ガスが入り、凝縮液
は開口部を伝つて原料タンク１内に戻ることにな
る。すなわち、補助容器１１の冷却量をある程度
多めにしておき、熱対流を起こし気液相変化を活
発にして沸騰が生じている状態にしておけばよ
い。
かかる状態で自動弁７が開かれても、もともと
沸騰しているので沸騰開始による不安定現象は生
せず、また冷却により熱伝達も確保されているの
で原料タンクの内圧低下が極めて少なく流量制御
装置に悪影響を及ぼさない。
沸騰しているので沸騰開始による不安定現象は生
せず、また冷却により熱伝達も確保されているの
で原料タンクの内圧低下が極めて少なく流量制御
装置に悪影響を及ぼさない。
第２図に示す構成は、第１図に示すものとは異
なり、原料タンク１の上部に支持された補助容器
１１が、配管１３ａ，１３ｂを通じて原料タンク
１と連通されている構成である。より詳しくは、
補助容器１１の下部を配管１３ａを介して原料タ
ンク１内の原料液２中に通し、補助容器１１の下
部以外の部分（第２図では上部）を配管１３ｂを
介して原料タンク１の上部空間４に通している。
したがつて、気化された原料ガスは配管１３ｂを
通つて補助容器１１に入り、また、補助容器１１
にて液体に凝縮された原料は、配管１３ａを通つ
て原料タンク１の原料液２内に入ることになる。
かかる第２図の構造は、補助容器１１の冷却を増
大させ、例えば空冷から水冷にして循環量を多く
するときには重要になり、例えば10の原料タン
クから５／min程度の原料ガスを反応容器へ送
り出す場合はともかく、数十／min〜100／
min程度の原料ガスを送り出す場合は有用であ
る。
なり、原料タンク１の上部に支持された補助容器
１１が、配管１３ａ，１３ｂを通じて原料タンク
１と連通されている構成である。より詳しくは、
補助容器１１の下部を配管１３ａを介して原料タ
ンク１内の原料液２中に通し、補助容器１１の下
部以外の部分（第２図では上部）を配管１３ｂを
介して原料タンク１の上部空間４に通している。
したがつて、気化された原料ガスは配管１３ｂを
通つて補助容器１１に入り、また、補助容器１１
にて液体に凝縮された原料は、配管１３ａを通つ
て原料タンク１の原料液２内に入ることになる。
かかる第２図の構造は、補助容器１１の冷却を増
大させ、例えば空冷から水冷にして循環量を多く
するときには重要になり、例えば10の原料タン
クから５／min程度の原料ガスを反応容器へ送
り出す場合はともかく、数十／min〜100／
min程度の原料ガスを送り出す場合は有用であ
る。
更に、第３図は他の変形例である。原料タンク
１から反応容器に大流量の原料ガスを供給する場
合、補助容器１１による循環量が反応容器へ供給
する側にとり負担となつて熱伝達量が少なくなる
ため、結果として原料ガスを反応容器に充分送れ
ないおそれがある。このため、第３図のように補
助容器１１への配管１３ｂに開閉弁１４を介在さ
せ、反応容器への供給中はこの開閉弁１４を閉じ
るようにすることもできる。この場合、補助容器
１１と原料タンク１との間の開閉弁１４を第１自
動弁とし、かつ自動弁７を第２自動弁として、第
２自動弁７を開く前すなわち原料ガスを反応容器
に送出する前、第１自動弁１４が開かれており、
また、第２自動弁７を開いた後には直後に又は一
定時間後に第１自動弁１４を閉じるようにするの
がよい。この場合、第１自動弁１４の閉成を第２
自動弁７の開放直後又は一定時間後としたのは、
配管抵抗や原料タンク１の気相分の容積により弁
の開閉が液相から気相変化の状態に影響するまで
時間遅れがあるため、開閉のタイミングをずらし
て安定な流量制御を行なうことによる。
１から反応容器に大流量の原料ガスを供給する場
合、補助容器１１による循環量が反応容器へ供給
する側にとり負担となつて熱伝達量が少なくなる
ため、結果として原料ガスを反応容器に充分送れ
ないおそれがある。このため、第３図のように補
助容器１１への配管１３ｂに開閉弁１４を介在さ
せ、反応容器への供給中はこの開閉弁１４を閉じ
るようにすることもできる。この場合、補助容器
１１と原料タンク１との間の開閉弁１４を第１自
動弁とし、かつ自動弁７を第２自動弁として、第
２自動弁７を開く前すなわち原料ガスを反応容器
に送出する前、第１自動弁１４が開かれており、
また、第２自動弁７を開いた後には直後に又は一
定時間後に第１自動弁１４を閉じるようにするの
がよい。この場合、第１自動弁１４の閉成を第２
自動弁７の開放直後又は一定時間後としたのは、
配管抵抗や原料タンク１の気相分の容積により弁
の開閉が液相から気相変化の状態に影響するまで
時間遅れがあるため、開閉のタイミングをずらし
て安定な流量制御を行なうことによる。
更に、開閉弁１４を自動弁とし、この自動弁を
流量制御装置に連動させ、流量制御８から送出さ
れる流量が一定量より少ないとき自動弁１４を開
き、多いとき自動弁１４を閉じ、または上記流量
が一定量より少ないとき上記自動弁１４をあけ、
多くなつて一定時間後自動弁１４を閉じるように
してもよい。この流量制御装置８と自動弁１４と
の連動は、流量制量をワイドレンジで変化させる
とき、補助容器１１を含む循環ルートの使用の是
非を制御流量のしきい値を設けて管理した方が好
ましいことによる。
流量制御装置に連動させ、流量制御８から送出さ
れる流量が一定量より少ないとき自動弁１４を開
き、多いとき自動弁１４を閉じ、または上記流量
が一定量より少ないとき上記自動弁１４をあけ、
多くなつて一定時間後自動弁１４を閉じるように
してもよい。この流量制御装置８と自動弁１４と
の連動は、流量制量をワイドレンジで変化させる
とき、補助容器１１を含む循環ルートの使用の是
非を制御流量のしきい値を設けて管理した方が好
ましいことによる。
第４図ないし第６図は、今までの説明と異なり
補助容器を備えず原料タンク１に冷却部品を直接
備えた例を示す。すなわち、第４図は原料タンク
１の上蓋１ａ又は上部に冷却フイン１５を備えた
場合を示し、第５図は、原料タンク１の上蓋１ａ
に空冷又は液冷用の配管１６を備えた場合を示
し、更に第６図は原料タンク１の上部空間４に空
冷又は液冷用の配管１７を備えた場合を示したも
のである。これら直接冷却の構成としては他にも
種々の変形例がある。
補助容器を備えず原料タンク１に冷却部品を直接
備えた例を示す。すなわち、第４図は原料タンク
１の上蓋１ａ又は上部に冷却フイン１５を備えた
場合を示し、第５図は、原料タンク１の上蓋１ａ
に空冷又は液冷用の配管１６を備えた場合を示
し、更に第６図は原料タンク１の上部空間４に空
冷又は液冷用の配管１７を備えた場合を示したも
のである。これら直接冷却の構成としては他にも
種々の変形例がある。
＜発明の効果＞
以上説明したように本発明によれば、原料タン
ク自体、又は上部空間の冷却更には冷却循環ルー
トの形成により、温度分布を生じて気液相の交換
を活発にでき沸騰を常に生じさせたことにより、
安定した沸騰突沸の防止、安定した流量制御を行
なうことができる。
ク自体、又は上部空間の冷却更には冷却循環ルー
トの形成により、温度分布を生じて気液相の交換
を活発にでき沸騰を常に生じさせたことにより、
安定した沸騰突沸の防止、安定した流量制御を行
なうことができる。
第１図ないし第６図は本発明の実施例で、第１
図は一例の構成図、第２図は他の例の構成図、第
３図はその他の例の構成図、第４図は冷却フイン
を備えた構成図、第５図及び第６図は冷却配管を
備えた構成図、第７図は従来の構成図である。 図面中、１は原料タンク、３はヒータ、４は上
部空間、５は配管、６は開閉弁、７は自動弁、８
は流量制御装置、１１は補助容器、１３ａ，１３
ｂは配管、１４は開閉弁、１５は冷却フイン、１
６，１７は冷却配管である。
図は一例の構成図、第２図は他の例の構成図、第
３図はその他の例の構成図、第４図は冷却フイン
を備えた構成図、第５図及び第６図は冷却配管を
備えた構成図、第７図は従来の構成図である。 図面中、１は原料タンク、３はヒータ、４は上
部空間、５は配管、６は開閉弁、７は自動弁、８
は流量制御装置、１１は補助容器、１３ａ，１３
ｂは配管、１４は開閉弁、１５は冷却フイン、１
６，１７は冷却配管である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 大気中の酸素または水分と反応する原料液を
下部に有し上部にこの原料液が気化した原料ガス
を収容する原料タンクと、この原料液の蒸気圧が
大気以上になるまでこの原料液を加熱する手段
と、蒸気原料タンク内で気化された原料ガスを反
応容器へ導く配管と、この配管に介装された開閉
及び流量制御を行なう装置とを備える原料供給装
置において、上記原料タンク内で気化された原料
ガスを冷却して上記原料タンクにて熱対流を生じ
る機構を上記原料タンクに備えたことを特徴とす
る原料供給装置。 ２ 上記特許請求の範囲第１項記載の原料供給装
置において、上記機構は、原料タンクと連通しか
つ冷却される補助容器にて形成されることを特徴
とする原料供給装置。 ３ 上記特許請求の範囲第２項記載の原料供給装
置において、上記補助容器は上記原料供給装置に
おいて、上記補助容器は上記原料タンクの上部空
間と連通することを特徴とする原料供給装置。 ４ 上記特許請求の範囲第２項記載の原料供給装
置において、上記補助容器の下部と原料タンク内
の原料液中との間に配管が施され、かつ上記補助
容器の下部以外の部分と上記原料タンクの上部空
間とが連通されることを特徴とする原料供給装
置。 ５ 上記特許請求の範囲第３項又は第４項に記載
の原料供給装置において、上記補助容器と上記原
料タンクの上部空間とは開閉弁を介して連通され
ることを特徴とする原料供給装置。 ６ 上記特許請求の範囲第１項記載の原料供給装
置において、原料タンクの上蓋又は上部に冷却機
構を取付けたことを特徴とする原料供給装置。 ７ 上記特許請求の範囲第１項記載の原料供給装
置において原料タンク内部の上部空間に冷却機構
を備えたことを特徴とする原料供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4467685A JPS61205629A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 原料供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4467685A JPS61205629A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 原料供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61205629A JPS61205629A (ja) | 1986-09-11 |
| JPH0251852B2 true JPH0251852B2 (ja) | 1990-11-08 |
Family
ID=12698043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4467685A Granted JPS61205629A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 原料供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61205629A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7229792B2 (ja) | 2018-02-05 | 2023-02-28 | 株式会社フジクラ | 多孔質ガラス微粒子体の製造方法、多孔質ガラス微粒子体の製造装置、およびガラス母材の製造方法 |
| US11393703B2 (en) * | 2018-06-18 | 2022-07-19 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling a flow process material to a deposition chamber |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58135146A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-11 | Fujikura Ltd | 光フアイバ母材の製造方法 |
| JPS605029A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-11 | Agency Of Ind Science & Technol | 光学ガラス製造用気化原料供給方法 |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP4467685A patent/JPS61205629A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61205629A (ja) | 1986-09-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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