JPH0252310A - 光アイソレータ付レーザモジュール - Google Patents
光アイソレータ付レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH0252310A JPH0252310A JP20288588A JP20288588A JPH0252310A JP H0252310 A JPH0252310 A JP H0252310A JP 20288588 A JP20288588 A JP 20288588A JP 20288588 A JP20288588 A JP 20288588A JP H0252310 A JPH0252310 A JP H0252310A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical isolator
- optical
- semiconductor laser
- laser module
- isolator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 69
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 9
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 4
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
- G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback
- G02B6/4208—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback using non-reciprocal elements or birefringent plates, i.e. quasi-isolators
- G02B6/4209—Optical features
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、高速長距離光通信システム等に適用する光ア
イソレータ付レーザモジュールに関わり、特に光アイソ
レータの入射端面に入射する光の方向を規定した光アイ
ソレータ付レーザモジュールに関する。
イソレータ付レーザモジュールに関わり、特に光アイソ
レータの入射端面に入射する光の方向を規定した光アイ
ソレータ付レーザモジュールに関する。
［従来の技術］
近年、光ファイバーの驚異的な進歩により光ファイバー
を用いた通信装置の高速化、大容量化の研究開発及び実
用化が真剣に検討されている。これらには発光源として
スペクトル線幅の狭い半導体レーザが多用されている。
を用いた通信装置の高速化、大容量化の研究開発及び実
用化が真剣に検討されている。これらには発光源として
スペクトル線幅の狭い半導体レーザが多用されている。
特に高速大容量光通信システム等に適用される高性能半
導体レーザは光ファイバー等からの反射光の帰還により
雑音特性が敏感に影響を受は劣化するので光アイソレー
タ付レーザモジュールが必須のものとなった。
導体レーザは光ファイバー等からの反射光の帰還により
雑音特性が敏感に影響を受は劣化するので光アイソレー
タ付レーザモジュールが必須のものとなった。
第５図は光アイソレータ付レーザモジュールの基本構成
を示した図であり、第５図において、１は半導体レーザ
、２は半導体レーザの内部に設けられた活性層と平行な
エピタキシャル層、３は偏光子、４はファラデー回転子
、５は検光子、６ａは半導体レーザからの出射光、６ｂ
は４５度偏波面が回転した光アイソレータからの出射光
、８は光アイソレータ全体である。
を示した図であり、第５図において、１は半導体レーザ
、２は半導体レーザの内部に設けられた活性層と平行な
エピタキシャル層、３は偏光子、４はファラデー回転子
、５は検光子、６ａは半導体レーザからの出射光、６ｂ
は４５度偏波面が回転した光アイソレータからの出射光
、８は光アイソレータ全体である。
活性層からの出射光６ａの電気ベクトルは活性層のエピ
タキシャル層と平行である。この光は偏光子３を通過し
、ファラデー回転子４で偏波面が４５度回転し、ちょう
ど４５度回転した状態で取り付けられている検光子５を
通過する。光アイソレータからの出射光６ｂはその他の
レンズ等により光ファイバーに結合される。
タキシャル層と平行である。この光は偏光子３を通過し
、ファラデー回転子４で偏波面が４５度回転し、ちょう
ど４５度回転した状態で取り付けられている検光子５を
通過する。光アイソレータからの出射光６ｂはその他の
レンズ等により光ファイバーに結合される。
ここでの問題はファイバー及びレンズ等からの反射光７
ａは光アイソレータ８により除去されるが、光アイソレ
ータの入射面即ち偏光子３の端面からの反射光７ｂは除
去されずにそのまま半導体レーザ１の活性層に戻ること
である。
ａは光アイソレータ８により除去されるが、光アイソレ
ータの入射面即ち偏光子３の端面からの反射光７ｂは除
去されずにそのまま半導体レーザ１の活性層に戻ること
である。
これを避けるために、従来の光アイソレータは第２図に
示すように、光アイソレータの入射端面の法線ｎ′を半
導体レーザの出射光６ａの電気ベクトルに関して垂直な
平面内でθ′だけ傾けていた。ここに示すＸ、Ｙ、Ｚ座
標は第５図に示したものと一致している。この方法によ
ればわずかな傾きで反射光７ｂは半導体レーザの活性層
に到達しなくなり、半導体レーザの劣化を防ぎ安定な出
射光を取り出すことができるという利点があった。
示すように、光アイソレータの入射端面の法線ｎ′を半
導体レーザの出射光６ａの電気ベクトルに関して垂直な
平面内でθ′だけ傾けていた。ここに示すＸ、Ｙ、Ｚ座
標は第５図に示したものと一致している。この方法によ
ればわずかな傾きで反射光７ｂは半導体レーザの活性層
に到達しなくなり、半導体レーザの劣化を防ぎ安定な出
射光を取り出すことができるという利点があった。
［本発明が解決しようとする課題］
上記従来技術の光アイソレータ付レーザモジュールにあ
っては、確かに光アイソレータの入射端面からの反射光
の半導体レーザへの帰還を低減できるという利点はある
が、入射光の光軸と光アイソレータの入射端面の法線ベ
クトルとの傾きにより光アイソレータの特性である逆方
向損失と挿入損失を大きく劣化してしまうという欠点が
あった。
っては、確かに光アイソレータの入射端面からの反射光
の半導体レーザへの帰還を低減できるという利点はある
が、入射光の光軸と光アイソレータの入射端面の法線ベ
クトルとの傾きにより光アイソレータの特性である逆方
向損失と挿入損失を大きく劣化してしまうという欠点が
あった。
即ち、このような構成では反射光７ｂの影響は低減でき
るが光アイソレータの本来持っている良好な特性を生か
せないという問題点があった。
るが光アイソレータの本来持っている良好な特性を生か
せないという問題点があった。
本発明の目的は光アイソレータから半導体レーザに帰還
する反射光を低減し、かつ光アイソレータの特性を劣化
しない高性能なレーザモジュールを提供することである
。
する反射光を低減し、かつ光アイソレータの特性を劣化
しない高性能なレーザモジュールを提供することである
。
［課題を解決するための手段］
本発明は半導体レーザからの出射光をアイソレータを透
過させた後、光ファイバーに入射せしめる光アイソレー
タ付レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザの出
射光の電気ベクトルと光軸を含む平面内で前記光アイソ
レータの入射端面の法線を光軸より１度以上１０度以下
の範囲で傾けたことを特徴とする光アイソレータ付レー
ザモジュールである。
過させた後、光ファイバーに入射せしめる光アイソレー
タ付レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザの出
射光の電気ベクトルと光軸を含む平面内で前記光アイソ
レータの入射端面の法線を光軸より１度以上１０度以下
の範囲で傾けたことを特徴とする光アイソレータ付レー
ザモジュールである。
本発明は半導体レーザの出射光の電気ベクトルと光軸を
含む平面内で前記光アイソレータの入射端面の法線を光
軸より１度以上１０度以下の範囲で傾けることによって
、従来の方法より極めて光アイソレータの特性の劣化が
少ないレーザモジュールが得られることを見出したこと
によるものである。ここで傾きを１度以上１０度以下と
規定したのは１度未満では反射光が半導体レーザに帰還
してしまい好ましくない為であり、１０度を越えると光
アイソレータの逆方向損失と挿入損失を大きく劣化する
ためである。
含む平面内で前記光アイソレータの入射端面の法線を光
軸より１度以上１０度以下の範囲で傾けることによって
、従来の方法より極めて光アイソレータの特性の劣化が
少ないレーザモジュールが得られることを見出したこと
によるものである。ここで傾きを１度以上１０度以下と
規定したのは１度未満では反射光が半導体レーザに帰還
してしまい好ましくない為であり、１０度を越えると光
アイソレータの逆方向損失と挿入損失を大きく劣化する
ためである。
［実施例］
以下本発明の実施例について詳しく説明するが本発明は
この実施例に限るものではない。
この実施例に限るものではない。
第１図は、本発明の一実施例を説明する構成図である。
ここに示すｘ、ｙ、ｚ座標は第５図に示したものと一致
している。第１図は半導体レーザ１からの出射光６ａを
光アイソレータ８を透過させた後、光ファイバーに入射
せしめる光アイツレ一タ付レーザモジュールである。こ
のレーザモジュールでは半導体レーザ１の出射光６ａの
電気ベクトルと光軸を含む平面内で前記光アイソレータ
の入射端面の法線ｎを光軸より０度傾けた構成となって
いる。ここで用いた光アイソレータ８は偏光ビームスプ
リッタよりなる偏光子３、ファラデー回転子４および偏
光ビームスプリッタよりなる検光子５で構成されている
。
している。第１図は半導体レーザ１からの出射光６ａを
光アイソレータ８を透過させた後、光ファイバーに入射
せしめる光アイツレ一タ付レーザモジュールである。こ
のレーザモジュールでは半導体レーザ１の出射光６ａの
電気ベクトルと光軸を含む平面内で前記光アイソレータ
の入射端面の法線ｎを光軸より０度傾けた構成となって
いる。ここで用いた光アイソレータ８は偏光ビームスプ
リッタよりなる偏光子３、ファラデー回転子４および偏
光ビームスプリッタよりなる検光子５で構成されている
。
第２図は、比較例として示したものであり、上記実施例
と異なる点は光アイソレータの入射端面の法線ｎ′を半
導体レーザの出射光６ａの電気ベクトルに関して垂直な
平面でθ′だけ傾けたことである。第４図は比較例の逆
方向損失と挿入損失の入射角θ′との関係を示したもの
である。ここに示すように入射角が１度以上になると、
急激に光アイソレータの特性である逆方向損失と挿入損
失が劣化することがわかった。この場合、４度光軸より
傾けた時、逆方向損失は８ｄｂも低下し。
と異なる点は光アイソレータの入射端面の法線ｎ′を半
導体レーザの出射光６ａの電気ベクトルに関して垂直な
平面でθ′だけ傾けたことである。第４図は比較例の逆
方向損失と挿入損失の入射角θ′との関係を示したもの
である。ここに示すように入射角が１度以上になると、
急激に光アイソレータの特性である逆方向損失と挿入損
失が劣化することがわかった。この場合、４度光軸より
傾けた時、逆方向損失は８ｄｂも低下し。
挿入損失は０．１５ｄｂ増加した。
第３図は、本発明の入射角θに対する逆方向損失及び挿
入損失の変化を測定したものである。第４図に示した比
較例と比べてみると判るように、本発明のレーザモジュ
ールでは入射角に対して逆方向損失が極めて大きい。ま
た、この逆方向損失は比較例と異なり入射角θが１０度
以下ではほとんど変化しない。このように入射角θを大
きく取ることが出来るので、半導体レーザへの反射光の
帰還を大きく減少することが可能であることがわかった
。しかし、この場合でも入射角θが１０度以北では挿入
損失が大きくなるという傾向がみられた。また、光アイ
ソレータの入射端面の傾きは１度以上でないと半導体レ
ーザへ反射光が帰還してしまい好ましくないことがわか
った。
入損失の変化を測定したものである。第４図に示した比
較例と比べてみると判るように、本発明のレーザモジュ
ールでは入射角に対して逆方向損失が極めて大きい。ま
た、この逆方向損失は比較例と異なり入射角θが１０度
以下ではほとんど変化しない。このように入射角θを大
きく取ることが出来るので、半導体レーザへの反射光の
帰還を大きく減少することが可能であることがわかった
。しかし、この場合でも入射角θが１０度以北では挿入
損失が大きくなるという傾向がみられた。また、光アイ
ソレータの入射端面の傾きは１度以上でないと半導体レ
ーザへ反射光が帰還してしまい好ましくないことがわか
った。
実施例では光アイソレータ全体を傾けたが偏光子を単独
で傾けても良い。
で傾けても良い。
［発明の効果］
本発明によれば、光アイソレータの逆方向損失及び挿入
損失の劣化を防ぎつつ、光アイソレータの入射端面から
半導体レーザへの反射光の帰還を著しく低減でき、高性
能なレーザモジュールを得ることか出来る。
損失の劣化を防ぎつつ、光アイソレータの入射端面から
半導体レーザへの反射光の帰還を著しく低減でき、高性
能なレーザモジュールを得ることか出来る。
第１図は本発明の一実施例を示した図、第２図は比較例
を示した図、第３図は第１図に示した光アイソレータの
特性を示した図、第４図は第２図に示した比較例の光ア
イソレータの特性を示した図、第５図は光アイソレータ
付レーザモジュールの基本構成を示した図である。 １：半導体レーザ、２：エピタキシャル層、３：偏光子
、４：ファラデー回転子、５：検光子、６ａ：レーザか
らの出射光、６ｂ＝光アイソレータからの出射光、７ａ
：光ファイバー及びレンズ等からの反射光、７ｂ＝光ア
イソレータの入射端面からの反射光、８：光アイソレー
タ ａ 乾べ奪米↓ 牡 ！・１２．清５ ２． ３、 昭和６８年特許願第２０２８８５ 発明の名称 光アイソレータ付レーザモジュール 補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号万 ４、補正命令の日付 昭和６３年１１月２９日（発
送日）Ｓ、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」及び「発明の詳細な説明」
６、補正の内容 の欄 １、明細書第１頁１２行目「３、発明の詳細な説明」を
削除する。 ２、同書同頁の１２行と１３行の間に［３、発明の詳細
な説明」と轄べ顆米
を示した図、第３図は第１図に示した光アイソレータの
特性を示した図、第４図は第２図に示した比較例の光ア
イソレータの特性を示した図、第５図は光アイソレータ
付レーザモジュールの基本構成を示した図である。 １：半導体レーザ、２：エピタキシャル層、３：偏光子
、４：ファラデー回転子、５：検光子、６ａ：レーザか
らの出射光、６ｂ＝光アイソレータからの出射光、７ａ
：光ファイバー及びレンズ等からの反射光、７ｂ＝光ア
イソレータの入射端面からの反射光、８：光アイソレー
タ ａ 乾べ奪米↓ 牡 ！・１２．清５ ２． ３、 昭和６８年特許願第２０２８８５ 発明の名称 光アイソレータ付レーザモジュール 補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目１番２号万 ４、補正命令の日付 昭和６３年１１月２９日（発
送日）Ｓ、補正の対象 明細書の「特許請求の範囲」及び「発明の詳細な説明」
６、補正の内容 の欄 １、明細書第１頁１２行目「３、発明の詳細な説明」を
削除する。 ２、同書同頁の１２行と１３行の間に［３、発明の詳細
な説明」と轄べ顆米
Claims (1)
- （１）半導体レーザからの出射光を光アイソレータを透
過させた後、光ファイバーに入射せしめる光アイソレー
タ付レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザの出
射光の電気ベクトルと光軸を含む平面内で前記光アイソ
レータの入射端面の法線を光軸より１度以上１０度以下
の範囲で傾けたことを特徴とする光アイソレータ付レー
ザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20288588A JPH0252310A (ja) | 1988-08-15 | 1988-08-15 | 光アイソレータ付レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20288588A JPH0252310A (ja) | 1988-08-15 | 1988-08-15 | 光アイソレータ付レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252310A true JPH0252310A (ja) | 1990-02-21 |
Family
ID=16464814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20288588A Pending JPH0252310A (ja) | 1988-08-15 | 1988-08-15 | 光アイソレータ付レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0252310A (ja) |
-
1988
- 1988-08-15 JP JP20288588A patent/JPH0252310A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4770505A (en) | Optical isolator | |
| JPH0527130A (ja) | 光導波路デバイス | |
| JPH05224154A (ja) | 光アイソレータ | |
| JPS62118315A (ja) | 光アイソレ−タ | |
| JPH0252310A (ja) | 光アイソレータ付レーザモジュール | |
| JPH01129483A (ja) | 光増幅装置 | |
| US7043101B1 (en) | Integrated optical pump module | |
| JP2835412B2 (ja) | 方向可変光アイソレータ | |
| JPH0331812A (ja) | 光アイソレータ付レーザモジュール | |
| JPS6347279B2 (ja) | ||
| JPH04180282A (ja) | レーザダイオードモジュール | |
| CN109642988B (zh) | 导光体、光模块、以及光路光轴调整方法 | |
| US20040252376A1 (en) | Beam converter for enhancing brightness of polarized light sources | |
| JP2610174B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH04221922A (ja) | 偏光無依存型光アイソレータ | |
| CN213423633U (zh) | 一种光隔离器及激光器 | |
| JPH02111917A (ja) | 光アイソレータ | |
| JPH03273208A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JPS59184584A (ja) | 半導体レ−ザモジユ−ル | |
| JPH01137228A (ja) | 光アイソレータ | |
| JP3006687B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| JP2686453B2 (ja) | 光アイソレータ | |
| JPS59119315A (ja) | 光アイソレ−タ | |
| JPH02272419A (ja) | 小型２段光アイソレータ | |
| JPH04150085A (ja) | 半導体レーザパッケージ |