JPH0252329B2 - - Google Patents
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- JPH0252329B2 JPH0252329B2 JP57226712A JP22671282A JPH0252329B2 JP H0252329 B2 JPH0252329 B2 JP H0252329B2 JP 57226712 A JP57226712 A JP 57226712A JP 22671282 A JP22671282 A JP 22671282A JP H0252329 B2 JPH0252329 B2 JP H0252329B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- information recording
- substrate
- film
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、レーザビームのようなエネルギー
ビームの照射により凸部を形成する情報記録用部
材、詳しくは情報記録媒体の製作のための原盤あ
るいは情報記録媒体そのものとして用いられる情
報記録用部材に関する。
ビームの照射により凸部を形成する情報記録用部
材、詳しくは情報記録媒体の製作のための原盤あ
るいは情報記録媒体そのものとして用いられる情
報記録用部材に関する。
書込み可能な光学的情報記録媒体、すなわちレ
ーザビームの照射により情報信号の記録および再
生が行なわれる光デイスクと称されるデイスク状
記録媒体においては、記録および再生時の安定な
トラツキングのためと、記録密度（トラツク密
度）を高める必要から、媒体の基板（デイスク基
板）上に、記録層上で光学的に識別可能な連続ス
パイラル状の凸部または凹部を形成したものが多
く用いられている。このような連続スパイラル状
の凸部または凹部が形成されたデイスク基板は、
従来、連続スパイラル状の凸部または凹部が形成
された原盤から電鋳などの方法で凸部または凹部
が転写されたスタンパを製作し、このスタンパを
用いて射出成型、圧縮成型、注型などの方法でデ
イスク基板上にその凸部または凹部を転写するこ
とによつて製作されている。
ーザビームの照射により情報信号の記録および再
生が行なわれる光デイスクと称されるデイスク状
記録媒体においては、記録および再生時の安定な
トラツキングのためと、記録密度（トラツク密
度）を高める必要から、媒体の基板（デイスク基
板）上に、記録層上で光学的に識別可能な連続ス
パイラル状の凸部または凹部を形成したものが多
く用いられている。このような連続スパイラル状
の凸部または凹部が形成されたデイスク基板は、
従来、連続スパイラル状の凸部または凹部が形成
された原盤から電鋳などの方法で凸部または凹部
が転写されたスタンパを製作し、このスタンパを
用いて射出成型、圧縮成型、注型などの方法でデ
イスク基板上にその凸部または凹部を転写するこ
とによつて製作されている。
一方、凹部または凸部が形成された原盤は、一
般に次の如き方法で製作される。即ちガラスなど
の平坦な基板上にCr膜を蒸着し、その上にスピ
ンナでフオトレジストを塗布する。次にこの基板
を回転させながら、1μｍφ程度に絞つたレーザ
ビームをフオトレジスト上に所定の送り速度で基
板半径方向に移動させつつ照射することによつ
て、連続スパイラル状に露光を行なう。そしてさ
らに現像、ベーキングを行なつて原盤を得る。
般に次の如き方法で製作される。即ちガラスなど
の平坦な基板上にCr膜を蒸着し、その上にスピ
ンナでフオトレジストを塗布する。次にこの基板
を回転させながら、1μｍφ程度に絞つたレーザ
ビームをフオトレジスト上に所定の送り速度で基
板半径方向に移動させつつ照射することによつ
て、連続スパイラル状に露光を行なう。そしてさ
らに現像、ベーキングを行なつて原盤を得る。
しかしながら、この原盤製作法では基板全面に
亘り均一な形状の凸部または凹部を形成すること
が困難であつた。基板上に形成すべき凸部または
凹部の形状は、凸部を例にとると、安定なトラツ
キングを可能にするため高さが通常用いられる半
導体レーザの波長約8000Åの1/8の1000Å程度、
幅が1μｍ程度であることが要請される。また、
基板のサイズは記録容量の点から30cmφ程度以上
のものが必要となる。ところがスピンナ塗布法
は、通常１〜2μｍ以上の膜厚の塗膜に用いられ
る技術であり、この方法で30cmφというような大
面積の基板全面に1000Åの均一な塗膜を形成する
ことは極めて困難であつて、部分的な剥離は避け
られない。しかも大気中の埃が基板表面にわずか
に付着しても、重大な塗布むらの原因となる。ま
た、このような薄いフオトレジストを全域に亘つ
て一様に現像することも極めて困難である。従つ
てスピンナ塗布によるフオトレジスト法で、トラ
ツキングのための連続スパイラル状の凸部または
凹部が良好に形成された原盤を製作することは、
ほとんど不可能な目標といえた。
亘り均一な形状の凸部または凹部を形成すること
が困難であつた。基板上に形成すべき凸部または
凹部の形状は、凸部を例にとると、安定なトラツ
キングを可能にするため高さが通常用いられる半
導体レーザの波長約8000Åの1/8の1000Å程度、
幅が1μｍ程度であることが要請される。また、
基板のサイズは記録容量の点から30cmφ程度以上
のものが必要となる。ところがスピンナ塗布法
は、通常１〜2μｍ以上の膜厚の塗膜に用いられ
る技術であり、この方法で30cmφというような大
面積の基板全面に1000Åの均一な塗膜を形成する
ことは極めて困難であつて、部分的な剥離は避け
られない。しかも大気中の埃が基板表面にわずか
に付着しても、重大な塗布むらの原因となる。ま
た、このような薄いフオトレジストを全域に亘つ
て一様に現像することも極めて困難である。従つ
てスピンナ塗布によるフオトレジスト法で、トラ
ツキングのための連続スパイラル状の凸部または
凹部が良好に形成された原盤を製作することは、
ほとんど不可能な目標といえた。
この発明の目的は、全面に亘り一様かつ形状の
よく制御された連続スパイラル状の凸部が形成さ
れた原盤を製作するのに原盤素材として適した情
報記録用部材を提供することにある。
よく制御された連続スパイラル状の凸部が形成さ
れた原盤を製作するのに原盤素材として適した情
報記録用部材を提供することにある。
この発明に係る情報記録用部材は、レーザビー
ムのようなエネルギービームの照射により凸部を
形成するものであつて、基板上にエネルギー吸収
性およびガス遊離性を有する第１層と、熱膨張率
が大きい金属からなる第２層および熱膨張率が小
さく延伸性に富む金属からなる第３層を順次形成
してなることを特徴としている。
ムのようなエネルギービームの照射により凸部を
形成するものであつて、基板上にエネルギー吸収
性およびガス遊離性を有する第１層と、熱膨張率
が大きい金属からなる第２層および熱膨張率が小
さく延伸性に富む金属からなる第３層を順次形成
してなることを特徴としている。
この構造の情報記録用部材においてはエネルギ
ービーム、例えばレーザビームが照射されると、
そのレーザビームは一部反射し、残りが第３層、
第２層、第１層で吸収され、これらの層を局部加
熱する。第１層はエネルギー吸収性と同時にガス
遊離性を有しているから、レーザビームが照射さ
れるとガスを遊離・放出する。この放出ガスの圧
力は第２層、第３層を押上げるように作用し、レ
ーザビーム照射部に凸部を形成する。
ービーム、例えばレーザビームが照射されると、
そのレーザビームは一部反射し、残りが第３層、
第２層、第１層で吸収され、これらの層を局部加
熱する。第１層はエネルギー吸収性と同時にガス
遊離性を有しているから、レーザビームが照射さ
れるとガスを遊離・放出する。この放出ガスの圧
力は第２層、第３層を押上げるように作用し、レ
ーザビーム照射部に凸部を形成する。
ここで、第２層は熱膨張率が大きいため、第１
層の放出ガス圧力と共にそれ自身の大きな熱膨張
によつて、第３層に大きな凸部状の変形を形成さ
せる。第３層は熱膨張率は小さいが延伸性に富ん
でいるから、形成された凸部は永久的なものとな
る。
層の放出ガス圧力と共にそれ自身の大きな熱膨張
によつて、第３層に大きな凸部状の変形を形成さ
せる。第３層は熱膨張率は小さいが延伸性に富ん
でいるから、形成された凸部は永久的なものとな
る。
この発明によれば、スピンナにより塗布される
フオトレジストと異なり、第１層、第２層および
第３層のいずれもスパツタリング、蒸着などの通
常の薄膜形成法で形成することが可能であるた
め、大気中の埃などの不純物が存在しないクリー
ンな状態で、また剥離部の発生を伴うことなく、
均一な膜厚に形成することができる。さらに、レ
ーザビーム等による加熱で第１層から放出される
ガスの圧力と、第２層と第３層の特性の違いを利
用して凸部を形成するので、所望形状（高さ、
幅）の凸部が容易に得られる。
フオトレジストと異なり、第１層、第２層および
第３層のいずれもスパツタリング、蒸着などの通
常の薄膜形成法で形成することが可能であるた
め、大気中の埃などの不純物が存在しないクリー
ンな状態で、また剥離部の発生を伴うことなく、
均一な膜厚に形成することができる。さらに、レ
ーザビーム等による加熱で第１層から放出される
ガスの圧力と、第２層と第３層の特性の違いを利
用して凸部を形成するので、所望形状（高さ、
幅）の凸部が容易に得られる。
即ち、第１層上に延伸性に富む金属膜を直接形
成すると、このような金属膜は一般に熱膨張率が
小さいため、凸部高さはほとんどガス圧力の大き
さにのみ依存するのに対し、この下に熱膨張率の
大きい金属からなる第２層があると、凸部高さの
大きい変形が得られる。また延伸性に富む金属か
らなる第３層を形成せず、第１層上に第２層のみ
を形成した場合、レーザビーム等の照射時一時的
に凸部高さの大きい変形が生じるが、レーザビー
ム等の照射を停止すると収縮してしまうのに対
し、この上に第３層を設けるとその延伸性のため
凸部高さの大きな変形が永久的に形成される。
成すると、このような金属膜は一般に熱膨張率が
小さいため、凸部高さはほとんどガス圧力の大き
さにのみ依存するのに対し、この下に熱膨張率の
大きい金属からなる第２層があると、凸部高さの
大きい変形が得られる。また延伸性に富む金属か
らなる第３層を形成せず、第１層上に第２層のみ
を形成した場合、レーザビーム等の照射時一時的
に凸部高さの大きい変形が生じるが、レーザビー
ム等の照射を停止すると収縮してしまうのに対
し、この上に第３層を設けるとその延伸性のため
凸部高さの大きな変形が永久的に形成される。
従つて、この発明によれば基板全面に亘り一様
かつ良好な形状の凸部形成が可能となる。
かつ良好な形状の凸部形成が可能となる。
第１図はこの発明に係る情報記録用部材の断面
図である。ガラス基板１１の上にエネルギー吸収
性とガス遊離性を有する第１層１２を形成し、そ
の上に熱膨張率が大きい金属からなる第２層１３
を形成し、さらにその上に熱膨張率が小さく延伸
性に富む金属からなる第３層１４を形成した構造
となつている。第１層１２はTe、Biなどの融点
が600℃以下のいわゆる低融点金属と、Ｃ、Ｎ、
Ｈ、Ｏのうちの少なくとも一種を含むものが適当
であり、これは上記低融点金属のターゲツトを真
空中でCH3、NH3、CO2、H2などのガスのプラ
ズマでスパツタリングすることによつて形成でき
る。例えばTeターゲツトをCH4ガスプラズマで
スパツタリングして形成した厚さ1000Åの
Te50C30H20なる成分比の薄膜は、波長8300Åの
光エネルギーを40％吸収し、空気中で150℃以上
に加熱されると30％の重量減を伴なうガス放出を
行なう。
図である。ガラス基板１１の上にエネルギー吸収
性とガス遊離性を有する第１層１２を形成し、そ
の上に熱膨張率が大きい金属からなる第２層１３
を形成し、さらにその上に熱膨張率が小さく延伸
性に富む金属からなる第３層１４を形成した構造
となつている。第１層１２はTe、Biなどの融点
が600℃以下のいわゆる低融点金属と、Ｃ、Ｎ、
Ｈ、Ｏのうちの少なくとも一種を含むものが適当
であり、これは上記低融点金属のターゲツトを真
空中でCH3、NH3、CO2、H2などのガスのプラ
ズマでスパツタリングすることによつて形成でき
る。例えばTeターゲツトをCH4ガスプラズマで
スパツタリングして形成した厚さ1000Åの
Te50C30H20なる成分比の薄膜は、波長8300Åの
光エネルギーを40％吸収し、空気中で150℃以上
に加熱されると30％の重量減を伴なうガス放出を
行なう。
第２層１３はZn、Sb、Cd、Tl、Mg、Al、
Mn、Agのうちの少なくとも一種を含んだ薄膜が
適当であり、これらの金属のターゲツトを真空中
でArガスプラズマによりスパツタリングするか、
真空蒸着によつて形成することができる。
Mn、Agのうちの少なくとも一種を含んだ薄膜が
適当であり、これらの金属のターゲツトを真空中
でArガスプラズマによりスパツタリングするか、
真空蒸着によつて形成することができる。
第３層１４はAu、Pd、Pt、Ti、Cr、Ta、
Mo、Zrのうちの少なくとも一種を含んだ薄膜が
適当であり、これも第２層と同様にスパツタリン
グあるいは真空蒸着などの通常の薄膜形成法によ
つて形成できる。
Mo、Zrのうちの少なくとも一種を含んだ薄膜が
適当であり、これも第２層と同様にスパツタリン
グあるいは真空蒸着などの通常の薄膜形成法によ
つて形成できる。
次に、第１図の構造の情報記録用部材による原
盤製作プロセスの一実施例を説明する。まず、35
cmφのガラス基板１１上に第１層１２として厚さ
4000ÅのTe50C30H20膜を形成した。次に第２層
１３として熱膨張率が40×10-6deg-1と大きいZn
膜を200Åの厚さ形成し、次に第３層１４として
熱膨張率は14×10-6deg-1と小さいが延伸性に富
むAu膜を200Åの厚さに形成した。Te50C30H20
膜はTeターゲツトをCH4ガスプラズマでスパツ
タリングして形成し、またZn膜、Au膜はZn、
AuターゲツトをArガスプラズマでスパツタリン
グして形成した。この場合、第１層１２の形成
後、第２層１３、第３層１４を直ちに同一真空容
器内で連続して形成することが、大気中の埃の影
響を受けないようにする上で望ましい。
盤製作プロセスの一実施例を説明する。まず、35
cmφのガラス基板１１上に第１層１２として厚さ
4000ÅのTe50C30H20膜を形成した。次に第２層
１３として熱膨張率が40×10-6deg-1と大きいZn
膜を200Åの厚さ形成し、次に第３層１４として
熱膨張率は14×10-6deg-1と小さいが延伸性に富
むAu膜を200Åの厚さに形成した。Te50C30H20
膜はTeターゲツトをCH4ガスプラズマでスパツ
タリングして形成し、またZn膜、Au膜はZn、
AuターゲツトをArガスプラズマでスパツタリン
グして形成した。この場合、第１層１２の形成
後、第２層１３、第３層１４を直ちに同一真空容
器内で連続して形成することが、大気中の埃の影
響を受けないようにする上で望ましい。
次に、第２図ａに示すように３種の層１２，１
３，１４が形成された基板１１を真空容器内より
取出し、回転支持台２１上に載置固定して線速６
ｍ／secで回転させ、レンズ２２で1μｍφに絞つ
た半導体レーザビーム２３を所定の速度で半径方
向に移動させながら、第３層１４上に照射した。
但し、レーザビーム２３は連続変調ビームで、パ
ワーは10ｍＷとした。
３，１４が形成された基板１１を真空容器内より
取出し、回転支持台２１上に載置固定して線速６
ｍ／secで回転させ、レンズ２２で1μｍφに絞つ
た半導体レーザビーム２３を所定の速度で半径方
向に移動させながら、第３層１４上に照射した。
但し、レーザビーム２３は連続変調ビームで、パ
ワーは10ｍＷとした。
このレーザビーム２３の照射により、第２図ｂ
に示すようにレーザビーム照射部分の第３層１４
表面上に、一様な高さ0.1μｍ、底部の幅1.1μｍの
連続スパイラル状の凸部２４が形成されているこ
とが走査型電子顕微鏡により観察された。
に示すようにレーザビーム照射部分の第３層１４
表面上に、一様な高さ0.1μｍ、底部の幅1.1μｍの
連続スパイラル状の凸部２４が形成されているこ
とが走査型電子顕微鏡により観察された。
なお、比較例として第１層の4000Åの
Te50C30H20膜の上に第２層として200ÅのZn膜の
みを形成したもの、および200ÅのAu膜のみを形
成したものを製作し、上記と同様の方法でレーザ
ビーム露光を行なつたところ、線速、レーザビー
ムのパワー等の条件をどのように変えても、凸部
高さを前者では0.05μｍ以上にすることができず、
後者では0.03μｍ以上にすることができなかつた。
Te50C30H20膜の上に第２層として200ÅのZn膜の
みを形成したもの、および200ÅのAu膜のみを形
成したものを製作し、上記と同様の方法でレーザ
ビーム露光を行なつたところ、線速、レーザビー
ムのパワー等の条件をどのように変えても、凸部
高さを前者では0.05μｍ以上にすることができず、
後者では0.03μｍ以上にすることができなかつた。
他の実施例として、30cmφのガラス基板１１上
に厚さ3500ÅのTe50C30N5H15膜を第１層１２と
して形成し、その上に第２層１３としてCd膜
（熱膨張率30×10-6deg-1）、さらに第３層１４と
してTi膜（熱膨張率９×10-6deg-1）を形成し
た。先の実施例と同一の方法でレーザビーム露光
を行なつたところ、高さ0.09μｍ、底部における
幅1.1μｍの連続スパイラル状の良好な形状の凸部
が形成された。
に厚さ3500ÅのTe50C30N5H15膜を第１層１２と
して形成し、その上に第２層１３としてCd膜
（熱膨張率30×10-6deg-1）、さらに第３層１４と
してTi膜（熱膨張率９×10-6deg-1）を形成し
た。先の実施例と同一の方法でレーザビーム露光
を行なつたところ、高さ0.09μｍ、底部における
幅1.1μｍの連続スパイラル状の良好な形状の凸部
が形成された。
なお、その他第２層１３としてはSb（熱膨張率
37×10-6deg-1）、Tl（同28×10-6deg-1）、Mg（同
26×10-6deg-1）、Al（同24×10-6deg-1）、Mn（同
22×10-6deg-1）、Ag（20×10-6deg-1）等が使用
できる。また第３層１４としてはPd（熱膨張率12
×10-6deg-1）、Pt（同９×10-6deg-1）、Ti（同９×
10-6deg-1）、Ta（同７×10-6deg-1）、Cr（同６×
10-6deg-1）、Mo（同５×10-6deg-1）、Zr（同５×
10-6deg-1）、等が使用できる。第２層１３、第３
層１４がこれらの金属膜のいずれの組合せの場合
でも、高さ0.07μｍ以上の良好な形状の凸部が形
成されることが確認された。
37×10-6deg-1）、Tl（同28×10-6deg-1）、Mg（同
26×10-6deg-1）、Al（同24×10-6deg-1）、Mn（同
22×10-6deg-1）、Ag（20×10-6deg-1）等が使用
できる。また第３層１４としてはPd（熱膨張率12
×10-6deg-1）、Pt（同９×10-6deg-1）、Ti（同９×
10-6deg-1）、Ta（同７×10-6deg-1）、Cr（同６×
10-6deg-1）、Mo（同５×10-6deg-1）、Zr（同５×
10-6deg-1）、等が使用できる。第２層１３、第３
層１４がこれらの金属膜のいずれの組合せの場合
でも、高さ0.07μｍ以上の良好な形状の凸部が形
成されることが確認された。
次に、第２図ｂの原盤を用いて連続スパイラル
状の凸部または凹部を有する情報記録媒体を製作
するプロセスを説明する。第２図ｂのように連続
スパイラル状の凸部２４が形成された第３層１４
の上に、第３図ａに示す如くまず剥離層３１とし
て膜厚100Å程度のポリテトラフロロエチレン膜
を形成し、さらにその上に電鋳用の電極３２とし
て膜厚300Å程度のAu膜を形成した後、電鋳法に
よりNi等の金属板３３を形成した。金属板３３
の厚さは300μｍ程度である。しかる後、金属板
３３を電極として電解洗浄法で電極３２と剥離層
３１とを分離させることによつて、第３図ｂに示
されるような、第３層１４上に形成されていた凸
部２４の形状が反転して転写された凹部３４を有
する電極３２と金属板３３とから構成されるスタ
ンパを製作した。このとき電極３２は極めて強固
に金属板３３に密着しており、その表面には剥離
層３１の膜材料の根跡も認められなかつた。ま
た、このスタンパ表面の凹部３４の高さは0.1μ
ｍ、幅は1μｍであつた。
状の凸部または凹部を有する情報記録媒体を製作
するプロセスを説明する。第２図ｂのように連続
スパイラル状の凸部２４が形成された第３層１４
の上に、第３図ａに示す如くまず剥離層３１とし
て膜厚100Å程度のポリテトラフロロエチレン膜
を形成し、さらにその上に電鋳用の電極３２とし
て膜厚300Å程度のAu膜を形成した後、電鋳法に
よりNi等の金属板３３を形成した。金属板３３
の厚さは300μｍ程度である。しかる後、金属板
３３を電極として電解洗浄法で電極３２と剥離層
３１とを分離させることによつて、第３図ｂに示
されるような、第３層１４上に形成されていた凸
部２４の形状が反転して転写された凹部３４を有
する電極３２と金属板３３とから構成されるスタ
ンパを製作した。このとき電極３２は極めて強固
に金属板３３に密着しており、その表面には剥離
層３１の膜材料の根跡も認められなかつた。ま
た、このスタンパ表面の凹部３４の高さは0.1μ
ｍ、幅は1μｍであつた。
次に、このスタンパを用いて射出成形法により
第３図ｃに示すようなアクリルからなるデイスク
基板３５を製作した。この基板３５上には全面に
亘り一様な高さ0.09μｍの連続スパイラル状の凸
部３６が形成されていた。このデイスク基板３５
上に記録層３７を形成することにより、光学的情
報記録媒体が得られる。
第３図ｃに示すようなアクリルからなるデイスク
基板３５を製作した。この基板３５上には全面に
亘り一様な高さ0.09μｍの連続スパイラル状の凸
部３６が形成されていた。このデイスク基板３５
上に記録層３７を形成することにより、光学的情
報記録媒体が得られる。
なお、以上の実施例では第２図ｂの原盤からス
タンパを経て情報記録媒体を製作したが、原盤を
そのままスタンパとして用いることも可能であ
る。その実施例を以下に説明する。
タンパを経て情報記録媒体を製作したが、原盤を
そのままスタンパとして用いることも可能であ
る。その実施例を以下に説明する。
即ち、第２図ｂの原盤上にまずアクリル系紫外
線硬化樹脂を塗布し、さらに予め成形した平坦な
アクリル基板およびガラス基板を積層し、上層の
ガラス板側から80W／cmの強度の紫外線を27sec
照射して紫外線硬化樹脂層を硬化させた。次に原
盤からアクリル基板を剥離したところ紫外線硬化
樹脂層は極めて強固にアクリル基板に付着してお
り、かつその表面には第３層１４のAu膜の根跡
も認められなかつた。アクリル基板上の紫外線硬
化樹脂層の厚さは100μｍであり、その表面に深
さ0.1μｍの一様な連続スパイラル状の凹部４２が
形成されていた。こうして得られた紫外線硬化樹
脂層が付着したアクリル基板からなるデイスク基
板４１上に記録層４３を形成することにより、第
４図に示す光学的情報記録媒体が得られる。
線硬化樹脂を塗布し、さらに予め成形した平坦な
アクリル基板およびガラス基板を積層し、上層の
ガラス板側から80W／cmの強度の紫外線を27sec
照射して紫外線硬化樹脂層を硬化させた。次に原
盤からアクリル基板を剥離したところ紫外線硬化
樹脂層は極めて強固にアクリル基板に付着してお
り、かつその表面には第３層１４のAu膜の根跡
も認められなかつた。アクリル基板上の紫外線硬
化樹脂層の厚さは100μｍであり、その表面に深
さ0.1μｍの一様な連続スパイラル状の凹部４２が
形成されていた。こうして得られた紫外線硬化樹
脂層が付着したアクリル基板からなるデイスク基
板４１上に記録層４３を形成することにより、第
４図に示す光学的情報記録媒体が得られる。
この発明に係る情報記録用部材は原盤としての
みでなく、光学的情報記録媒体そのものとしても
用いることが可能である。その一実施例を以下に
説明する。第１図の基板１１として12cmφのポリ
カーボネイト基板を用い、その上に第１層１２と
して厚さ3000ÅのTe50C30H20膜を形成し、第２
層１３として厚さ100ÅのAl膜を形成し、第３層
１４として厚さ200ÅのCr膜を形成して光学的情
報記録媒体とした。この媒体上に第２図の原盤製
作プロセスと同様にしてレーザビーム露光を行な
つた。但し、媒体の回転速度は1800rpm一定と
し、レーザビームの波長は8200Å、パワーは膜面
で15ｍＷとした。また、レーザビームは記録すべ
き情報信号に応じてパルス変調した。このレーザ
ビーム露光により、媒体表面には情報信号に応じ
た長さ変化を持つ不連続スパイラル状の凸部（ピ
ツト列）が形成されていた。凸部形状は高さが
0.2μｍ、底部の幅が1μｍであつた。
みでなく、光学的情報記録媒体そのものとしても
用いることが可能である。その一実施例を以下に
説明する。第１図の基板１１として12cmφのポリ
カーボネイト基板を用い、その上に第１層１２と
して厚さ3000ÅのTe50C30H20膜を形成し、第２
層１３として厚さ100ÅのAl膜を形成し、第３層
１４として厚さ200ÅのCr膜を形成して光学的情
報記録媒体とした。この媒体上に第２図の原盤製
作プロセスと同様にしてレーザビーム露光を行な
つた。但し、媒体の回転速度は1800rpm一定と
し、レーザビームの波長は8200Å、パワーは膜面
で15ｍＷとした。また、レーザビームは記録すべ
き情報信号に応じてパルス変調した。このレーザ
ビーム露光により、媒体表面には情報信号に応じ
た長さ変化を持つ不連続スパイラル状の凸部（ピ
ツト列）が形成されていた。凸部形状は高さが
0.2μｍ、底部の幅が1μｍであつた。
こうして情報がピツト列の形で記録された媒体
を記録時と同じ1800rpmで回転させ、１ｍＷの連
続レーザビームで凸部の有無を検出して再生を行
なつたところ、再生信号のＳ／Ｎは38dBと比較
的良好な値が得られた。
を記録時と同じ1800rpmで回転させ、１ｍＷの連
続レーザビームで凸部の有無を検出して再生を行
なつたところ、再生信号のＳ／Ｎは38dBと比較
的良好な値が得られた。
この発明はその他種々変形して実施が可能であ
り、例えば原盤に連続スパイラル状の凸部を形成
する代りに、情報信号によりパルス変調されたレ
ーザビームで露光を行なつて情報信号に応じたピ
ツト列を形成し、この原盤あるいはこれから製作
したスタンパを用いてデイスク基板を射出成形等
で成形し、その上にAl膜などの反射膜を形成す
ることで、再生専用の光学的情報記録媒体を得る
こともできる。
り、例えば原盤に連続スパイラル状の凸部を形成
する代りに、情報信号によりパルス変調されたレ
ーザビームで露光を行なつて情報信号に応じたピ
ツト列を形成し、この原盤あるいはこれから製作
したスタンパを用いてデイスク基板を射出成形等
で成形し、その上にAl膜などの反射膜を形成す
ることで、再生専用の光学的情報記録媒体を得る
こともできる。
第１図はこの発明の一実施例に係る情報記録用
部材の断面図、第２図ａ，ｂは第１図の情報記録
用部材から原盤を製作するプロセスを示す図、第
３図ａ，ｂ，ｃは第２図ｂの原盤からスタンパを
経て情報記録媒体を製作するプロセスを示す図、
第４図は第１図ｂの原盤をスタンパとして用いて
製作した情報記録媒体の断面図である。 １１……基板、１２……第１層、１３……第２
層、１４……第３層、２１……回転支持台、２２
……レンズ、２３……レーザビーム、２４……凸
部、３１……剥離層、３２……電鋳用電極、３３
……金属板、３４……凹部、３５……デイスク基
板、３６……凸部、３７……記録層、４１……デ
イスク基板、４２……凹部、４３……記録層。
部材の断面図、第２図ａ，ｂは第１図の情報記録
用部材から原盤を製作するプロセスを示す図、第
３図ａ，ｂ，ｃは第２図ｂの原盤からスタンパを
経て情報記録媒体を製作するプロセスを示す図、
第４図は第１図ｂの原盤をスタンパとして用いて
製作した情報記録媒体の断面図である。 １１……基板、１２……第１層、１３……第２
層、１４……第３層、２１……回転支持台、２２
……レンズ、２３……レーザビーム、２４……凸
部、３１……剥離層、３２……電鋳用電極、３３
……金属板、３４……凹部、３５……デイスク基
板、３６……凸部、３７……記録層、４１……デ
イスク基板、４２……凹部、４３……記録層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エネルギービームの照射により凸部を形成す
る情報記録用部材において、基板上にエネルギー
吸収性およびガス遊離性を有する第１層と、熱膨
張率が大きい金属からなる第２層および熱膨張率
が小さく延伸性に富む金属からなる第３層を順次
形成してなることを特徴とする情報記録用部材。 ２ 第１層は融点600℃以下の金属と、Ｃ、Ｎ、
Ｈ、Ｏのうちの一種以上とを含むものであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報記
録用部材。 ３ 第２層はZn、Sb、Cd、Tl、Mg、Al、Mn、
Agのうちの一種以上を含むものであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報記録用
部材。 ４ 第３層はAu、Pd、Pt、Ti、Cr、Ta、Mo、
Zrのうちの一種以上を含むものであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報記録用
部材。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57226712A JPS59119550A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 情報記録用部材 |
| DE8383305768T DE3377173D1 (en) | 1982-09-29 | 1983-09-27 | Radiation-sensitive carrier body utilized as stamper structure |
| EP83305768A EP0107913B1 (en) | 1982-09-29 | 1983-09-27 | Radiation-sensitive carrier body utilized as stamper structure |
| US06/630,232 US4565772A (en) | 1982-09-29 | 1984-07-12 | Process of using radiation-sensitive carrier body to form stamper structure and subsequent use as a stamper to make optical disks |
| US06/939,292 US4845000A (en) | 1982-09-29 | 1986-12-04 | Radiation sensitive carrier body utilized as stamper structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57226712A JPS59119550A (ja) | 1982-12-27 | 1982-12-27 | 情報記録用部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119550A JPS59119550A (ja) | 1984-07-10 |
| JPH0252329B2 true JPH0252329B2 (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=16849450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57226712A Granted JPS59119550A (ja) | 1982-09-29 | 1982-12-27 | 情報記録用部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119550A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100667771B1 (ko) | 2004-11-10 | 2007-01-11 | 삼성전자주식회사 | 정보 저장 매체 제작용 기록 마스터 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2475271A1 (fr) * | 1980-02-01 | 1981-08-07 | Thomson Csf | Structure de memoire permanente, a inscription thermo-optique et lecture optique, et procede d'inscription dans une telle structure |
| JPS57157790A (en) * | 1981-03-24 | 1982-09-29 | Toshiba Corp | Information recording member |
-
1982
- 1982-12-27 JP JP57226712A patent/JPS59119550A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59119550A (ja) | 1984-07-10 |
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