JPH0252993B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0252993B2
JPH0252993B2 JP58201853A JP20185383A JPH0252993B2 JP H0252993 B2 JPH0252993 B2 JP H0252993B2 JP 58201853 A JP58201853 A JP 58201853A JP 20185383 A JP20185383 A JP 20185383A JP H0252993 B2 JPH0252993 B2 JP H0252993B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
output
circuit
positive
logic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP58201853A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59107283A (ja
Inventor
Aaru Matsukukuratsuken Deibitsudo
Aaru Raason Robin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tektronix Inc
Original Assignee
Tektronix Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tektronix Inc filed Critical Tektronix Inc
Publication of JPS59107283A publication Critical patent/JPS59107283A/ja
Publication of JPH0252993B2 publication Critical patent/JPH0252993B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31917Stimuli generation or application of test patterns to the device under test [DUT]
    • G01R31/31924Voltage or current aspects, e.g. driver, receiver
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317Testing of digital circuits
    • G01R31/3181Functional testing
    • G01R31/319Tester hardware, i.e. output processing circuits
    • G01R31/31903Tester hardware, i.e. output processing circuits tester configuration
    • G01R31/31908Tester set-up, e.g. configuring the tester to the device under test [DUT], down loading test patterns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は集積回路等の試験、特に被試験集積回
路のロジツク・フアミリに適合する波形の駆動信
号を発生する装置に関する。
背景技術とその問題点 市場には種々のロジツク・フアミリ(例えば
ECL,TTL等)の複雑な集積回路(IC)素子が
出回つており、これら素子のあるものはロジツ
ク・フアミリが混在している。128ピン以上の複
雑なICを試験するには、試験中、これら総ての
ピンを適当にアドレス指定しなければならない。
この試験では、入力として特定のピンに加わる波
形、及び必要に応じて期待される出力波形の特性
を予め知つておかなければならない。多くの複雑
なICでは、それらの複雑さ、及び各素子が具え
ることができる外部ピンの数の物理的限界によ
り、各ピンには2つの機能がある。よつて、各
IC試験装置(ICテスタ)は、被測定ICの各ピン
が入力専用なのか、出力専用なのか、又は双方向
(入出力兼用)なのかを予め知る必要がある。更
に、各ICピンは2又は3ステート・ピンかもし
れない。
一般的に従来のICテスタではその試験能力が
単一のロジツク・フアミリ(例えばTTL又は
ECL)に限定された。例えばテクトロニツクス
製3280型ICテスタはこのようなECL・IC素子用
のテスタである。更に、ICを試験する最近の装
置のほとんどはコンピユータにより制御されてい
る。
IC試験にとつて必要なものは入力から出力ま
での伝搬遅延時間の短いIC駆動回路であり、こ
のIC駆動回路は最高速のICロジツク・フアミリ
(例えばECL)に適合するような高速の状態遷移
時間の信号を発生できる必要がある。また、この
信号は低速ICロジツク・フアミリに適合するよ
うに状態遷移時間を遅くプログラムできる必要が
あるし、この信号の論理レベル振幅は、各ICロ
ジツク・フアミリに必要な電圧レベルに適合する
ようにプログラムできる必要もある。更に、トラ
イ・ステート素子を実際に近づけて試験するため
に、禁止状態の出力容量が小さいことも必要であ
る。
発明の目的 したがつて本発明の目的は上述の如く種々のロ
ジツク・フアミリに適合できる駆動信号を発生す
るロジツク駆動信号変換装置の提供にある。
発明の概要 本発明の装置によれば、あるロジツク・フアミ
リに適合するあるデジタル信号を他のロジツク・
フアミリに適合する他のデジタル信号に変換する
機能が得られる。この機能は、デジタル信号の高
及び低ロジツク・レベル並びに正及び負(立上り
及び立下り)のスルー・レート(slew rate:遷
移時間)を調整し、他の手段により設定された他
のデジタル信号に変換することにより実現する。
更に、本発明は別の所定期間中、変換を禁止す
る手段を具えている。この禁止期間中、出力線は
フローテイングになる。即ち、トライ・ステート
信号にも適用できる。
実施例 種々のロジツク・フアミリ回路の各々は、ロジ
ツク信号レベル並びにロジツク状態遷移時間(立
上り及び立下り時間)により特徴付けられる信号
を発生したり、受信する。よつて万能ロジツク・
テスタは選択した被試験ICに最適適応するよう
に、これら信号成分を調整する機能がなければな
らない。被試験ICの各ピンには選択した一連の
2進信号が必要であるし、異なるロジツク・フア
ミリ特性の信号を供給してもよいので、被試験
ICの各ピンに専用のプログラム可能なピン・カ
ードを試験装置内に設ける必要がある。多くの
ICピンは出力ピン及び入力ピンであるので、こ
れらカードの各々は受信及び送信を行なわなけれ
ばならない。
更に、各ピン・カードの入力から出力までの信
号遅延は最小として、信号のエツジ(縁)部分の
測定精度を維持しなければならない。コンピユー
タ用ICにおいては、種々のピンに供給する信号
間の相互作用が生じるのとほとんど同時に、被試
験ICの各ピンが能動的になるので、上述の測定
精度の維持は測定結果の再現性にとつて特に重要
である。
本発明の好適な実施例の回路により、種々のロ
ジツク・フアミリを試験するには、この回路の動
作速度は少なくとも被試験ロジツク・フアミリの
最高速のものと同じ位に速く(即ち、立上り及び
立下り時間が短かく)なければならない。電流駆
動に基づくECLは最高速のロジツク・フアミリ
であり、各ピン・カードのほとんどの部品はこの
ECLロジツク・フアミリである。
第1図は本発明を用いたコンピユータ制御によ
る自動ICテスタのブロツク図である。試験シス
テム・コンピユータ14はピン・カードの1つ1
2と通信を行ない、このピン・カード12も被試
験IC(DUT)10のピンの1つと通信を行なう。
この試験システムにおいて、試験システム・コン
ピユータ14はDUT10のピン数と同じ数のピ
ン・カード12をアドレス指定する。
試験システム・コンピユータ14はCPU16、
パターン・プロセツサ18及びタイミング回路2
0を含んでいる。ピン・カード12は駆動フオー
マツト・ロジツク回路26、禁止フオーマツト・
ロジツク回路28、ドライバ30、バツフア3
2、比較器34及びサンプル・ホールド回路36
を具えている。
試験システム・コンピユータ14はDUT10
の各ピンに供給するパルスのタイミングとロジツ
ク・パターンを決定し、各ピン・カード12は通
信を行なうDUT10のピンに供給する適当な特
性のパルスを発生する。コンピユータ14におい
て、CPU16はこのコンピユータを制御する。
パターン・プロセツサ18(例えばテクトロニツ
クス製2952型)は、必要なロジツク・フアミリ・
フオーマツト及び予め記憶した多くのICの信号
条件を満たすために、アルゴリズム又は予め記憶
したパターンにより試験信号を発生する。タイミ
ング回路20(例えばテクトロニツクス2945型)
は、多くのICのピン・タイミング情報を予め記
憶したROM(図示せず)と共に、DUT10の各
ピンの必要なタイミング信号を発生する。
選択したDUT用のピン・パターン及びタイミ
ング情報をピン・カード12に供給し、このピ
ン・カードはDUT10のピンをアドレス指定す
る。駆動フオーマツト・ロジツク回路26及び禁
止フオーマツト・ロジツク回路28はこれらの信
号を受ける。これらの回路26及び28の各出力
を駆動回路30に供給する。駆動フオーマツト・
ロジツク回路26の機能は適当なタイミングのパ
ルスとパターン情報(試験信号)を合成して、駆
動回路30を介してDUT10のピンに供給する
ことである。同様に、禁止フオーマツト・ロジツ
ク回路28は試験信号及びタイミング・パルスを
合成して駆動回路30に供給し、適当な時点に駆
動回路の出力インピーダンスを無限大(即ち駆動
回路30からDUT10に供給する信号が存在し
ない)にする。これはDUT10の被試験ピンか
らピン・カード12に出力する場合に必要であ
る。駆動回路30は駆動モード又は禁止モードで
動作し、同時に2つのモードにはなれないことに
注意されたい。またアドレス指定されたDUT1
0のピンが入力及び出力ピンの両方を兼ねていな
ければ、駆動回路30が禁止モードになることは
ない。
DUT10がピン・カード12(駆動回路30
は禁止モード)に信号を出力すると、この信号は
バツフア32を介して比較器34に供給される。
次に比較器34はこの信号をDUT10の期待す
る出力と比較する。パターン・プロセツサ18及
びタイミング回路20は期待する出力信号に関す
る情報を比較器34に供給する。比較器34によ
りエラーを検出すると、このピンのエラー・フラ
ツグをセツトし、試験システム・コンピユータ1
4に転送する。DUT10のピンからの出力信号
が期待されない場合、試験システム・コンピユー
タ14に命令してピン・カード12からのエラ
ー・フラツグを無視する。
第2図は、コンピユータ14及びピン・カード
12の詳細なブロツク図である。コンピユータ1
4はラツチ回路を具えた1対の12ビツトのデジタ
ル・アナログ変換器(DAC)52及び16ビツト
DAC50を有し、これらDACをCPU16により
制御する。ピンカード12については、サンプ
ル・ホールド回路36及び比較器34の部分を詳
細に示している。サンプル・ホールド回路36
は、高レベル・サンプル・ホールド回路(S/
H)38及び低レベル・サンプル・ホールド回路
40を含んでいる。試験器34は、高レベル比較
器42、低レベル比較器44、比較器用高レベ
ル・サンプル・ホールド回路46、及び比較器用
低レベル・サンプル・ホールド回路48を含んで
いる。
16ビツトDAC50に応答して、サンプル・ホ
ールド回路38及び40は夫々高及び低レベル・
ロジツク電圧値を駆動回路30に供給し、DUT
10のロジツク・フアミリの振幅レベルに一致さ
せる。1対の12ビツトDAC52は正及び負のス
ルー・レート情報を駆動回路30に供給して、
DUT10のロジツク・フアミリ用信号の立上り
及び立下り時間に、又は選択したピン・カード1
2によりアドレス指定されたDUT10の特定の
ピンのロジツク・フアミリの特性に一致させる。
これらの値はCPU16からのストローブ信号に
より転送する。比較器用高及び低レベル・サンプ
ル・ホールド回路46及び48を用いて、DUT
10からの期待する出力信号の振幅又はロジツク
電圧を同時に設定する。
第3及び第4図は詳細に示したプログラム可能
な駆動回路30を開示している。第3図は駆動回
路30の詳細なブロツク図であり、制御手段であ
る電圧・電流変換器62及び64、電圧変換器5
4,56,58及び60、充放電手段スルーイン
グ(slewing)段66及び72、禁止駆動回路6
8及び70、バイアス及び切断回路74、クラン
プ手段であるクランプ回路76,78,80及び
82、出力手段である出力段84及び94、逆終
端回路86及び92、禁止ダイオード88及び9
0を具えている。
駆動回路30には駆動及び禁止信号の各々とし
て標準ECLロジツク・レベルの差動デジタル入
力信号が必要である。また、DUT10のロジツ
ク・フアミリの正及び負のスルー・レートを表わ
すアナログ信号と、DUT10のロジツク・フア
ミリのロジツク・レベル電圧を設定する1対のア
ナログ電圧も必要である。差動駆動信号を電圧変
換器54及び56の各々に供給し、これら変換器
は差動的に切替えられた電流を正及び負のスルー
イング段66及び72の各々に供給する。
駆動信号が「低」レベル状態であり、かつ禁止
信号も「低」レベル状態であると仮定すると、出
力信号はVLにほぼ等しい電圧の「低」レベルで
ある。このVLは負クランプ回路82及び94を
介して供給されるプログラムされた低ロジツク出
力レベルである。この場合、正スルーイング段6
6の出力電流は低レベル状態であり、負スルーイ
ング段72の出力電流は高レベル状態である。正
スルーイング段66の出力電流のほとんど接続点
Iからバイアス及び切断回路74を介して接続点
に流れる。この出力電流の残りが、正出力段8
4のトランジスタのベースを駆動する。負クラン
プ回路82からのVLにより供給された負スルー
イング段72の高レベル電流と平衡を保つて、こ
の負スルーイング段72は正スルーイング段66
からの電流及び負出力段94のトランジスタのベ
ース電流を受ける。よつて、出力信号を低レベル
電圧とする。
次に、駆動信号が高レベルに変化したと仮定す
る。負スルーイング段72の出力電流は低レベル
に切替わり、正スルーイング段66の出力電流は
高レベルに切替わる。接続点及びにおける全
素子及び基板の寄生容量(容量手段)及び正スル
ーイング段66からの超過電流値により決まる割
合で、接続点及びの電圧は一致して正方向に
変化し始める。この電圧変化は接続点の電圧が
VHを超すときまで続き、このときに正クランプ
回路76は接続点をクランプし、接続点及び
の電圧変動を停止させる。よつて、出力信号が
高レベルの電圧になる。
スルーイング段66又は72からの超過電流及
び寄生容量は、接続点電圧の遷移又はスルーイン
グの割合を決定する。スルーイング段66又は7
2内の手段は電圧・電流変換器62又は64と共
にこの電流を減らすことができる。よつて、正及
び負の遷移割合をプログラムできる。
次に禁止信号が高ロジツク・レベルに変化した
と仮定する。この高レベル禁止信号に応じて駆動
電圧変換器54及び56は正及び負スルーイング
段66及び72を制御してそれらの出力電流を低
レベルにする。同時に、禁止電圧変換器58及び
60は負及び正禁止駆動回路68及び70の出力
電流を高レベル状態に切替える。負禁止クランプ
回路78は接続点の電圧VLにクランプする。
同様に、正禁止クランプ回路80が接続点の電
圧をVHにクランプするまで、正禁止駆動回路7
0は接続点を正に駆動する。この場合、禁止ダ
イオード88及び90は逆バイアスとなつて非導
通となるか、又は駆動回路30の出力を禁止す
る。
第4図は第3図の駆動回路30の回路図であ
り、第3図と同じプログラムには同じ参照番号を
付す。この回路は2つの信号路、即ち駆動信号路
及び禁止信号路を具えており、駆動信号路が主信
号路である。
駆動機能 差動デジタル駆動信号を電圧変換器54及び5
6に供給する。電圧変換器54及び56の各々を
差動増幅器により構成し、駆動信号を各変換器内
のトランジスタQ2及びQ12のベースに供給し、駆
動信号を他方のトランジスタQ1及びQ11のベース
に供給する。これら電圧変換器の機能により正及
び負スルーイング段66及び72を介してECL
レベル(−0.8V〜−1.6V)の駆動入力ロジツ
ク・レベルをDUT10のICフアミリの所望のロ
ジツク・レベルに変換する。差動駆動信号の各々
は、電圧変換器54及び56を差動的に駆動す
る。電圧変換器54において、トランジスタQ1
及びQ2のエミツタ間に逆極性でダイオードCR1
びCR2を接続する。これらのダイオードの機能に
より、トランジスタQ1のコレクタ電流を約1mA
から約7mAに切替える。駆動信号が正になると、
例えばトランジスタQ2は1mA状態から7mA状態
に切替わる。トランジスタQ2が切替わると、正
スルーイング段66内のトランジスタQ5のベー
ス電流を引込む。正スルーイング段66はトラン
ジスタQ4及びQ5から成る差動対を含んでいる。
トランジスタQ5のベース電流が引込まれるとト
ランジスタQ4及びQ5は回路の最終出力振幅に適
合する高電圧状態にある。トランジスタQ5がわ
ずかに順バイアスされると、トランジスタQ4
非導通となり、トランジスタQ4及びQ5間で大電
流を切替える。この電流切替により、トランジス
タQ5が導通するコレクタ電流が約25mAの最大ス
ルー・レートになる。トランジスタQ5のコレク
タ電流はその休止状態における5mAからその高
レベル状態における30mAまで変化する。トラン
ジスタQ5がその高レベル状態の場合、接続点
の電圧がVHとダイオードCR8の電圧降下との和
になるまで、接続点の電圧は1ナノ秒当り約
1Vの割合で上昇する。このダイオードCR8はシ
ヨツトキー・ダイオードであり、正禁止クランプ
回路76となる。同時に、接続点の電圧も、バ
イアス及び切断回路74を介して上昇する。この
回路74は直列接続した5個のダイオードCR4
0〜CR44により構成する。
差動デジタル駆動信号は第2電圧変換器56を
駆動するが、この電圧変換器はトランジスタQ11
及びQ12から成る差動対を含んでいる。この差動
対は電圧変換器54の差動対と全く逆に動作す
る。例えば、駆動信号が正に変化すると、トラン
ジスタQ12のコレクタ電流を1mAに切替え、トラ
ンジスタQ11のコレクタ電流を7mAに切替える。
この切替えを行なうと、負スルーイング段72の
トランジスタQ15はそのコレクタ電流を5mAに切
替える。負スルーイング段72もまた差動対Q14
及びQ15を含んでいる。よつて、トランジスタ
Q15のコレクタ電流が低レベルになると、トラン
ジスタQ14のコレクタ電流が高レベルになる。電
圧変換器54及び56の切替え動作の結果、トラ
ンジスタQ5のコレクタ電流は高レベル(30mA)
となり、トランジスタQ15のコレクタ電流は低レ
ベル(5mA)となる。トランジスタQ5及びQ15
コレクタの作用により、接続点及びの電圧は
夫々負電圧クランプ回路82によりVLにクラン
プされた状態から正クランプ回路76によりVH
にクランプされた状態に変化する。バイアス及び
切断回路74に約5mAの電流を常に流している
ので、正及び負スルーイング段66及び72の切
替え動作により接続点及びの電圧を互いに追
従させる。バイアス及び切断回路74は直列接続
したダイオードを含んでいるので、接続点及び
の電圧差は約3.1Vに維持される。
トランジスタQ5のコレクタ電流が高レベルに
切替わると、接続点の電圧は正クランプ回路7
6のVHとダイオードCR8の電圧降下との和にな
る。この状態において、負クランプ回路82のダ
イオードCR18は逆バイアスになる。駆動信号
及び駆動信号の状態が切替われば、トランジスタ
Q5及びQ15の状態は切替わり、導通したダイオー
ドCR18を介して接続点の電圧はほぼVLに下
がり、接続点の電圧をVLより3.1V高い電圧に
維持する。
駆動回路30の動作サイクルにわたつて、出力
段84及び94を能動領域に維持するため、接続
点及びの電圧差を3.1Vにする必要がある。
よつて、逆終端回路86及び92内の抵抗器R6
a,R6b,R6c,R16a,R16b及びR
16cの各々の電圧降下を維持する。したがつ
て、正出力段84内のトランジスタQ6A,Q6B
びQ6C並びに負出力段94内のトランジスタQ16A
Q16B及びQ16Cの各コレクタ電流を約10mAに維持
する。
上述し、第2図に示したサンプル・ホールド回
路38及び40により、駆動回路30は高及び低
ロジツク・レベルの電圧信号を出力する。よつ
て、駆動回路30は出力信号のレベルを前もつて
選択されたレベルに設定する。
出力信号の立上り及び立下り時間、又は正及び
負のスルー・レートを前もつて選択した値に設定
するための容量を駆動回路30に具えている。こ
れは、正及び負スルーイング段66及び72によ
り行なう。正スルーイング段66のトランジスタ
Q4及びQ5のエミツタ間に逆極性に接続したダイ
オードCR4及びCR5の共通接続点から流れる電
流を制御して、正スルーイング・レートを変化さ
せる。定電圧ダイオードZ1の電圧降下、トラン
ジスタQ5のベース・エミツタ間の電圧差、及び
ダイオードCR5の電圧降下により決まる電圧値
において、抵抗器R5A及びR5Bが電流を制御
して最高の正スルー・レートを決定する。定電圧
ダイオードの定電圧が5.6Vの場合、ダイオード
CR4及びCR5の共通接続点の電圧は+Vcより
約4.5V低い。また接続点及びにおける回路
の寄生容量に発生する電圧を変化させるのに電流
が必要である。回路配置、トランジスタ、ダイオ
ード等により確実に寄生容量が存在し、25mAの
不平衡な電流が1ナノ秒につき1Vのスルー・レ
ートを発生した場合、寄生容量の総計は約25PF
である。
ダイオードCR4及びCR5の共通接続点から流
れる電流を減らすようにプログラムして、スル
ー・レートを調整できる。小電流により同じ電圧
まで寄生容量を充電することにより遅いスルー・
レート(即ち遅い立上り時間)が得られる。増幅
器U1及びFETQ101を含んだ電圧・電流変換器
62により、ダイオードCR4及びCR5からの電
流を変化させる。第2図に示した試験システム・
コンピユータ14の12ビツトDAC52が供給す
るアナログ信号により、増幅器U1の動作を制御
する。増幅器U1に供給される電圧範囲は0Vか
ら−10Vであり、FETQ101に0から25mAまでの
電流を発生させる。換言すれば、FETQ101に流
れる電流が増加すればする程、ダイオードCR4
及びCR5の共通接続点から引出す電流が増える。
よつて、トランジスタQ5により接続点及び
へ切替えられる電流が減少し、正スルー・レート
を制御する。
同様に、負スルー・レートも負スルーイング段
72及び電圧・電流変換器64により調整可能で
ある。正及び負のスルー・レートは互いに独立し
て調整可能であり、非常に遅い正のスルー・レー
トと非常に速い負のスルー・レートとを組合せる
のも可能であるし、DUT10の特性に適合する
のに必要な組合せも可能である。
禁止機能 駆動回路30に供給する第2の差動デジタル入
力信号対は禁止信号である。これらの信号を電圧
変換器58及び60と共に駆動信号電圧変換器5
4及び56に供給する。禁止信号はECLレベル
の信号である。電圧変換器58及び60の各々は
トランジスタQ21及びQ22の差動対、並びにトラ
ンジスタQ31及びQ32の差動対を含んでいる。電
圧変換器58の出力を負禁止駆動回路68に供給
し、電圧変換器60の出力を正禁止駆動回路70
に供給する。禁止駆動回路68及び70は差動ト
ランジスタ対Q24及びQ25と差動トランジスタ対
Q34及びQ35とを夫々含んでいる。禁止信号が高
レベルになると、電圧変換器58の出力に応答し
て、負禁止駆動回路68のトランジスタQ25のコ
レクタ電流を高レベルに切替える。これに応答し
て、ダイオードCR9を含んだ負禁止クランプ回
路78が導通するまで、接続点の電圧は下が
る。この結果、接続点の電圧はVLになる。同
様に、電圧変換器60は正禁止駆動回路70のト
ランジスタQ35のコレクタ電流を高レベルに切替
えるので、ダイオードCR19を含む正禁止クラ
ンプ回路80を順バイアスとし、接続点の電圧
をVHに上昇させる。この結果、バイアス及び切
断回路74は非導通状態となり、接続点及び
の電圧は逆になる。この状態において、接続点
の電圧は接続点の電圧よりも高いので、これら
接続点間の電圧差はもはや3.1Vではない。これ
ら接続点の電圧が逆になることにより、正出力段
84及び負出力段94のトランジスタQ6及びQ16
は夫々カツト・オフになる。換言すれば、接続点
の電圧が増加すれば、トランジスタQ16が非導
通になり、接続点の電圧が減少すれば、トラン
ジスタQ6が非導通になる。その結果、禁止モー
ドにおいて駆動回路30の出力はフローテイング
になる。駆動回路30の出力端に接続した禁止ダ
イオード88及び90のシヨツトキー・ダイオー
ドの容量は小さいので、禁止モードにおける出力
線の容量は非常に小さくなる。
駆動電圧変換器54及び56並びに関連した回
路が禁止モードのトランジスタと干渉するのを防
止するため、トランジスタQ3及びQ13を電圧変換
器54及び56に夫々設ける。トランジスタQ3
及びQ13は供給された禁止信号に応答する。禁止
状態になつたとき、これらトランジスタQ3及び
Q13の各々は能動状態になり、正及び負スルーイ
ング段66及び72のトランジスタQ5及びQ15
出力コレクタ電流を共に5mA状態にして、接続
点及びの電圧を反転する。トランジスタQ3
及びQ13を設けないと、トランジスタQ5又はQ15
の一方のコレクタ電流が高レベルとなり、他方の
コレクタ電流が低レベルとなり、駆動及び禁止信
号が互いに反対となり、大量の熱を回路内に発生
する。よつて、トランジスタQ25及びQ35が導通
のとき同時にトランジスタQ5及びQ15は導通とは
ならず、その逆も同様である。
発明の効果 したがつて、本発明によれば、DUTのロジツ
ク・フアミリに最適のスルー・レート(遷移時
間)及びロジツク・レベルの駆動信号をDUTに
供給できる。またこの正及び負のスルー・レート
を独立に制御できるので、応用範囲が広がる。更
に禁止状態においては出力端をフローテイングに
できるので、トライステート素子にも適用でき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を適用したICテスタの簡略化
したブロツク図、第2図は第1図の一部を詳細に
示したブロツク図、第3図は本発明を適用した駆
動回路のブロツク図、第4図は第3図の回路図で
ある。 図において、62及び64は制御手段、66及
び72は充放電手段、76及び82はクランプ手
段、84及び94は出力手段である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 入力ロジツク駆動信号のロジツク・レベルに
    応じて容量手段の充放電を行なう充放電手段と、
    該充放電手段の充放電電流の値を制御する制御手
    段と、上記充放電手段の電圧を所定の高及び低ロ
    ジツク・レベル電圧にクランプするクランプ手段
    と、上記容量手段の電圧により出力ロジツク駆動
    信号を発生する出力手段とを具え、上記入力ロジ
    ツク駆動信号を所定の遷移時間及びロジツク・レ
    ベル電圧の上記出力ロジツク駆動信号に変換する
    ことを特徴とするロジツク駆動信号変換装置。
JP58201853A 1982-10-28 1983-10-27 ロジツク駆動信号変換装置 Granted JPS59107283A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US437248 1982-10-28
US06/437,248 US4507576A (en) 1982-10-28 1982-10-28 Method and apparatus for synthesizing a drive signal for active IC testing including slew rate adjustment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59107283A JPS59107283A (ja) 1984-06-21
JPH0252993B2 true JPH0252993B2 (ja) 1990-11-15

Family

ID=23735672

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58201853A Granted JPS59107283A (ja) 1982-10-28 1983-10-27 ロジツク駆動信号変換装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4507576A (ja)
JP (1) JPS59107283A (ja)
DE (1) DE3339264A1 (ja)
FR (1) FR2535552B1 (ja)
GB (1) GB2129571B (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4588945A (en) * 1983-06-13 1986-05-13 Hewlett-Packard Company High throughput circuit tester and test technique avoiding overdriving damage
US4639615A (en) * 1983-12-28 1987-01-27 At&T Bell Laboratories Trimmable loading elements to control clock skew
US4768195A (en) * 1985-07-03 1988-08-30 Stoner Donald W Chip tester
US4719369A (en) * 1985-08-14 1988-01-12 Hitachi, Ltd. Output circuit having transistor monitor for matching output impedance to load impedance
US4771428A (en) * 1986-04-10 1988-09-13 Cadic Inc. Circuit testing system
US4739193A (en) * 1986-10-30 1988-04-19 Rca Corporation Drive circuit with limited signal transition rate for RFI reduction
US4868425A (en) * 1987-12-07 1989-09-19 Vtc Incorporated Skew compensated RS422 buffer
US4967412A (en) * 1988-04-08 1990-10-30 Hewlett-Packard Company Serial data frame generator for testing telecommunications circuits
US4908526A (en) * 1988-06-03 1990-03-13 Harris Corporation Pulse generator output voltage calibration circuit
US4947113A (en) * 1989-03-31 1990-08-07 Hewlett-Packard Company Driver circuit for providing pulses having clean edges
US5262683A (en) * 1992-04-20 1993-11-16 Ford Motor Company Method for specifying operating characteristics of integrated circuits
US5243274A (en) * 1992-08-07 1993-09-07 Westinghouse Electric Corp. Asic tester
US6223147B1 (en) * 1993-03-31 2001-04-24 Intel Corporation Multiple use chip socket for integrated circuits and the like
US5657456A (en) * 1993-06-18 1997-08-12 Digital Equipment Corporation Semiconductor process power supply voltage and temperature compensated integrated system bus driver rise and fall time
JP3469351B2 (ja) 1995-04-17 2003-11-25 三菱電機株式会社 リンギング防止回路、デバイスアンダーテストボード、ピンエレクトロニクスカード及び半導体装置
US6396256B1 (en) 1998-06-30 2002-05-28 Emc Corporation Power supply slew time testing of electronic circuits
KR100487535B1 (ko) * 2002-08-14 2005-05-03 삼성전자주식회사 다른 종류의 반도체 장치들을 동시에 테스트하는 시스템
KR102924687B1 (ko) * 2022-09-13 2026-02-06 삼성전자주식회사 송수신 회로 및 그를 포함하는 테스트 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3832535A (en) * 1972-10-25 1974-08-27 Instrumentation Engineering Digital word generating and receiving apparatus
US3914623A (en) * 1973-10-31 1975-10-21 Westinghouse Electric Corp Waveform generator including means for automatic slope calibration
US3982115A (en) * 1975-01-31 1976-09-21 Tektronix, Inc. Electronically programmable function generator
NL7714398A (nl) * 1977-12-27 1979-06-29 Philips Nv Schakeling voor het in hoofdzaak nabij een referentieniveau vergroten van een signaal- helling van een periodiek optredend signaal.
IN152012B (ja) * 1979-03-13 1983-09-24 Int Computers Ltd
DE2951930C2 (de) * 1979-12-21 1982-10-28 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Impulsformer
DE2951929C2 (de) * 1979-12-21 1985-09-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Prüfeinrichtung
US4339669A (en) * 1980-07-08 1982-07-13 Motorola, Inc. Current ramping controller circuit
US4439858A (en) * 1981-05-28 1984-03-27 Zehntel, Inc. Digital in-circuit tester

Also Published As

Publication number Publication date
FR2535552A1 (fr) 1984-05-04
GB8327367D0 (en) 1983-11-16
GB2129571B (en) 1986-01-08
GB2129571A (en) 1984-05-16
US4507576A (en) 1985-03-26
JPS59107283A (ja) 1984-06-21
DE3339264A1 (de) 1984-05-10
DE3339264C2 (ja) 1987-10-08
FR2535552B1 (fr) 1986-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0252993B2 (ja)
US6057716A (en) Inhibitable continuously-terminated differential drive circuit for an integrated circuit tester
US6275023B1 (en) Semiconductor device tester and method for testing semiconductor device
USRE31056E (en) Computer controlled high-speed circuit for testing electronic devices
US6677775B2 (en) Circuit testing device using a driver to perform electronics testing
JP3119335B2 (ja) Ic試験装置
US6166569A (en) Test interface circuits with waveform synthesizers having reduced spurious signals
US6292010B1 (en) Dynamic pin driver combining high voltage mode and high speed mode
JP2911038B2 (ja) 多値駆動回路
US7528637B2 (en) Driver circuit
US6294949B1 (en) Voltage drive circuit, voltage drive apparatus and semiconductor-device testing apparatus
US6737857B2 (en) Apparatus and method for driving circuit pins in a circuit testing system
US6211723B1 (en) Programmable load circuit for use in automatic test equipment
JP5314533B2 (ja) ドライバ回路およびそれを用いた試験装置
JP2002156422A (ja) 半導体試験装置
US8228108B2 (en) High speed fully differential resistor-based level formatter
JP3569099B2 (ja) 波形生成回路および半導体試験装置
US6172551B1 (en) Wide dynamic-range current switches and switching methods
US6137310A (en) Serial switch driver architecture for automatic test equipment
JP2691182B2 (ja) 集積回路のラッチアップ測定方法
WO2002099449A1 (en) Apparatus and method for driving circuit pins in a circuit testing system
KR20040025189A (ko) 고전압 집적 회로 장치를 테스트할 수 있는 로직 테스터장치
JP2004003961A (ja) コンパレータ回路
GB2045562A (en) Improvements in or relating to driver circuits for automatic digital testing apparatus
Harvey A high-voltage ATE pin driver