JPH0253932B2 - - Google Patents
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- JPH0253932B2 JPH0253932B2 JP61236745A JP23674586A JPH0253932B2 JP H0253932 B2 JPH0253932 B2 JP H0253932B2 JP 61236745 A JP61236745 A JP 61236745A JP 23674586 A JP23674586 A JP 23674586A JP H0253932 B2 JPH0253932 B2 JP H0253932B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bismuth
- phase
- sintered body
- oxide
- varistor
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- Expired - Lifetime
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は熱履歴に対して優れた安定性をもつビ
スマスを含有する酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体
(以下バリスタと称す)に関する。
(従来の技術)
昨今、各種バリスタの開発はめざましいものが
あり、中でもビスマスを含有した酸化亜鉛系のバ
リスタはその優れた非直線性、サージ吸収性およ
び定電圧性などの安定性が認められ、雷サージお
よび異常電圧に対する防護用バリスタまたは定電
圧バリスタとして広く用いられている。しかして
この種バリスタは、主成分としての酸化亜鉛に添
加物としてビスマス,コバルト,マンガン,ニツ
ケル,クロムなどを数種から10数種添加混合し、
造粒成形焼結してなる焼結体両面に銀ペーストを
塗布−焼付けするか、または電極金属をメタリコ
ンするかなどの手段を経て電極を形成し実用に供
している。
しかして、このようにして用いられるバリスタ
は、実用上通常(正常)の電圧状態においてはア
イドリング電流(漏れ電流)が少なく、異常電
圧、雷サージ吸収時はその吸収能力が大きく、そ
の後の電気的特性の変化がきわめて少ないことが
要求されている。従来、このような要求に応える
技術として特公昭53−21509号公報、または特公
昭60−38841号公報に開示されたものがある。
特公昭53−21509号公報(以下前者と称す)に
開示された技術は、焼結体中に含まれるBi2O3の
うち10%以上をγ―Bi2O3として含ませることに
より直流負荷に対して安定で、さらにパルス電流
に対しても安定で優れたバリスタ特性を発揮する
ようにしたものである。
また特公昭60−38841号公報(以下後者と称す)
に開示された技術は、銀を含むホウケイ酸ビスマ
スガラスが添加され、焼結体中のBi2O3の90重量
%以上を体心立法晶系酸化ビスマス(γ―
Bi2O3)にすることによつて、きわめて苛酷な課
電条件下においても長時間経過後の漏れ電流の経
過変化がきわめて少なく、しかも時間とともに減
少するような特性をもつバリスタに関するもので
ある。
すなわち前者は添加物の種類や仮焼条件,焼成
条件などによつて焼結体にα―Bi2O3相,β―
Bi2O3相,γ―Bi2O3相の他にδ―Bi2O3相が生成
され、また焼成した時点ではγ―Bi2O3相を含ま
ない焼結体でも電極焼付、または使用中の再加熱
下などの熱履歴を経るとα―Bi2O3相,β―
Bi2O3相,δ―Bi2O3相がγ―Bi2O3相に変態する
場合のγ―Bi2O3相が10%以上のときに安定なバ
リスタが得られることを究明したものである。後
者は銀を含むホウケイ酸ビスマスガラスを添加し
て得られた酸化ビスマスを含む焼結体を構成する
酸化ビスマスは通常800〜900℃で反応を開始し、
いつたんはパイロクロア結晶相を形成し、ついで
分解してスピネル結晶相と酸化ビスマス()の
液相を生じ、酸化亜鉛の焼結が進化する過程で形
成されるβ―Bi2O3相,δ―Bi2O3相を含む焼結
体をジヤーナル・オブ・アプライズド・フイジツ
クス(日本国),15巻(1976年)1847頁に記載の
方法に準じて、大気中において700℃で再焼成す
ることによつて焼結体中の酸化ビスマス()の
90%以上をγ―Bi2O3相に相変化させることによ
つて安定なバリスタが得られることを究明したも
のである。
本発明者らは以上に述べた技術を前提に種々検
討を重ねた結果、上記従来技術として開示されて
いる前者,後者とも焼結体中に含まれるα,β,
δそれぞれのBi2O3相を呈する酸化ビスマスが製
造工程中の熱履歴、すなわち電極焼付時、または
電極形成として熱履歴をともなわないメツキ,メ
タリコンのものでも実用時の電気エネルギーの累
積熱履歴によつてγ―Bi2O3相に変態(相変化)
し低電流領域で電圧−電流(―)特性が低下
する点がわかつた。しかして本発明者らは焼結体
を構成する酸化亜鉛を主成分とした結晶粒子の粒
界偏析部に熱に安定なビスマス化合物を生成させ
ることによつて粒界偏析部を構成するBi2O3相の
熱による相変化を少なくすることができる点に着
目し種々開発を進め本発明にいたつた。
(発明が解決しようとする問題点)
以上のように安定なバリスタを得るため、添加
物の種類や仮焼条件,焼成条件などによつて焼結
体中の結晶粒子の粒界偏析部に形成されるBi2O3
相中所望の量のγ―Bi2O3相を得たとしても、残
りのα,β,δそれぞれのBi2O3相がその後の熱
履歴、つまり電極焼付および使用中の電気エネル
ギーによつて相変化を起こし、低電流領域での
―特性の低下を防止することができない。
本発明は焼結体中の粒界偏析部に存在する
Bi2O3相を減らすことによつて、非直線性に優れ
経時変化のないきわめて安定性の高いバリスタを
提供することを目的とするものである。
[発明の構成]
(問題点を解決するための手段)
本発明のバリスタは酸化亜鉛を主成分とし、添
加物として少なくとも鉛,ビスマス,スズ,アン
チモンを含み、該添加物中の鉛とビスマス,スズ
とビスマスの関係が
Pb/Bi=0.05〜0.5,
Sn/Bi=0.2〜2.0
の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜1.0
モル%,アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜3.0
モル%含有してなる焼結体における酸化亜鉛を主
成分とする結晶粒子の粒界偏析部に、前記焼結体
中の全ビスマスの50%以上をパイロクロア型化合
物であるように構成してなるものである。
(作用)
以上のような構成になるバリスタによれば、焼
結体中の結晶粒子の粒界偏析部に介在する偏析部
として全ビスマスの50%以上をパイロクロア型化
合物にすることによつて1000℃程度まで変態しな
い熱的に安定な物質として形成でき、熱履歴過程
でγ―Bi2O3相に相変化するBi2O3相が極力少な
くなり、低電流領域での―特性の低下はきわ
めて少なく、従来では得ることのできない優れた
非直線特性を得ることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例につき詳細に説明する。
主成分としての酸化亜鉛(ZnO)に添加物として
酸化ビスマス(Bi2O3),酸化鉛(PbO),酸化ス
ズ(SnO2),酸化アンチモン(Sb2O3),酸化コ
バルト(CoO),酸化クロム(Cr2O3),酸化ニツ
ケル(NiO),酸化マンガン(MnO)の酸化物の
中から少なくとも酸化鉛,酸化ビスマス,酸化ス
ズ,酸化アンチモンを含み、該添加物中の鉛とビ
スマス,スズとビスマスの関係が
Pb/Bi=0.05〜0.5,
Sn/Bi=0.2〜2.0の範囲で、
Bi2O3 0.05〜1.0モル%,
Sb2O3 0.05〜3.0モル%を含有するセラミツク
粉末を造粒成形し1000〜1300℃の温度で焼成し、
得た板状焼結体の両面に銀焼付,メツキまたはメ
タリコンなどを施し電極を形成してなるものであ
る。
表は添加物の種類および添加量(モル%)のち
がいによる銀焼付電極形成と同じ条件となる700
℃熱処理を施した焼結体のX線回折によるメイン
ピーク強度比から求めたZnO結晶粒子間を構成す
る粒界偏析部成分としてのパイロクロア型化合物
に含まれるビスマス量と、焼結体自体の電気的特
性を把握するために熱履歴をともなわせないアル
ミニウムメタリコン電極形成によつて測定した
V100μA―V1mAのα、熱履歴をともなう銀焼
付電極形成によつて測定したV100μA―V1mA
のα、さらにはV1mA/mmを示したものである。
なお、試料として用いた焼結体の大きさは直径
が14mm、厚さが1mmで、電極直径は13.4mmであ
る。
つぎに前記表に示した結果をわかりやすくす
[Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a zinc oxide-based voltage nonlinear resistor (hereinafter referred to as a varistor) containing bismuth that has excellent stability against thermal history. (Prior art) In recent years, there has been a remarkable development of various varistors, and among them, zinc oxide-based varistors containing bismuth have been recognized for their excellent stability in nonlinearity, surge absorption, and constant voltage performance. Widely used as a protective varistor or constant voltage varistor against lightning surges and abnormal voltages. However, this type of varistor is made by mixing zinc oxide as the main component with several to ten additives such as bismuth, cobalt, manganese, nickel, and chromium.
Electrodes are formed and put into practical use by coating and baking silver paste on both sides of the sintered body formed by granulating and sintering, or by metallizing the electrode metal. Therefore, the varistor used in this way has a small idling current (leakage current) under normal (normal) voltage conditions, and has a large absorption capacity when absorbing abnormal voltages and lightning surges, and the subsequent electrical It is required that the change in characteristics be extremely small. Conventionally, there is a technique disclosed in Japanese Patent Publication No. 53-21509 or Japanese Patent Publication No. 60-38841 as a technique to meet such demands. The technology disclosed in Japanese Patent Publication No. 53-21509 (hereinafter referred to as the former) is to contain 10% or more of the Bi 2 O 3 contained in the sintered body as γ-Bi 2 O 3 , thereby reducing the DC load. The varistor is stable against pulsed currents and exhibits excellent varistor characteristics. Also, Special Publication No. 60-38841 (hereinafter referred to as the latter)
In the technology disclosed in 2003, bismuth borosilicate glass containing silver is added, and more than 90% by weight of Bi 2 O 3 in the sintered body is converted into body-centered cubic bismuth oxide (γ-
This invention relates to a varistor that has characteristics such that, by using Bi 2 O 3 ), the change in leakage current over a long period of time is extremely small even under extremely severe energizing conditions, and furthermore, it decreases over time. . In other words, in the former case, α-Bi 2 O 3 phase, β-
In addition to the Bi 2 O 3 phase and the γ-Bi 2 O 3 phase, the δ-Bi 2 O 3 phase is generated, and even if the sintered body does not contain the γ-Bi 2 O 3 phase at the time of firing, electrode baking or After thermal history such as reheating during use, α-Bi 2 O 3 phase, β-
We found that a stable varistor can be obtained when the γ-Bi 2 O 3 phase is 10% or more when the Bi 2 O 3 phase and the δ -Bi 2 O 3 phase transform into the γ-Bi 2 O 3 phase. It is something. The latter is obtained by adding silver-containing bismuth borosilicate glass. Bismuth oxide, which constitutes a sintered body containing bismuth oxide, usually starts to react at 800 to 900°C.
The sinter forms a pyrochlore crystal phase, which then decomposes to produce a spinel crystal phase and a liquid phase of bismuth oxide (), followed by the β-Bi 2 O 3 phase, δ, which is formed during the evolution of sintering of zinc oxide. - Re-sintering the sintered body containing the Bi 2 O 3 phase at 700°C in the atmosphere according to the method described in Journal of Applied Physics (Japan), Vol. 15 (1976), p. 1847. of bismuth oxide () in the sintered body by
It was discovered that a stable varistor can be obtained by changing over 90% of the phase to the γ-Bi 2 O 3 phase. As a result of various studies based on the above-mentioned technology, the present inventors found that both α, β, and
Bismuth oxide, which exhibits the Bi 2 O 3 phase of each δ, has a thermal history during the manufacturing process, that is, the cumulative thermal history of electrical energy during practical use, even for plated and metallicon products that do not have a thermal history during electrode baking or electrode formation. Therefore, it transforms into γ-Bi 2 O 3 phase (phase change)
It was found that the voltage-current (-) characteristics deteriorate in the low current region. However, the inventors of the present invention have developed a bismuth compound that is stable to heat at the grain boundary segregation of crystal grains mainly composed of zinc oxide, which constitutes the sintered body . Focusing on the fact that the phase change due to heat in the O 3 phase can be reduced, various developments were carried out and the present invention was achieved. (Problems to be Solved by the Invention) As described above, in order to obtain a stable varistor, the formation of varistors at grain boundaries of crystal grains in a sintered body depends on the type of additives, calcination conditions, firing conditions, etc. Bi 2 O 3
Even if the desired amount of γ-Bi 2 O 3 phase is obtained in the phase, the remaining α, β, and δ Bi 2 O 3 phases will be affected by subsequent thermal history, that is, electrode baking and electrical energy during use. As a result, a phase change occurs, making it impossible to prevent the characteristics from deteriorating in the low current region. The present invention exists in grain boundary segregation areas in a sintered body.
The purpose of this invention is to provide an extremely stable varistor with excellent nonlinearity and no change over time by reducing the amount of the Bi 2 O 3 phase. [Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The varistor of the present invention has zinc oxide as a main component, and contains at least lead, bismuth, tin, and antimony as additives, and the lead, bismuth, and If the relationship between tin and bismuth is Pb/Bi=0.05~0.5, Sn/Bi=0.2~2.0, bismuth is converted to Bi 2 O 3 and is 0.05~1.0.
Mol%, antimony converted to Sb 2 O 3 0.05 to 3.0
50% or more of the total bismuth in the sintered body is composed of a pyrochlore type compound in the grain boundary segregation area of crystal grains containing zinc oxide as a main component in the sintered body containing mol%. It is something. (Function) According to the varistor having the above structure, 1000 It can be formed as a thermally stable substance that does not undergo transformation up to temperatures around ℃, and the amount of Bi 2 O 3 phase that changes to γ-Bi 2 O 3 phase during the thermal history process is minimized, and the deterioration of characteristics in the low current region is minimized. It is possible to obtain excellent nonlinear characteristics that cannot be obtained conventionally. (Example) Hereinafter, examples of the present invention will be described in detail.
Zinc oxide (ZnO) is the main component, and additives include bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), lead oxide (PbO), tin oxide (SnO 2 ), antimony oxide (Sb 2 O 3 ), cobalt oxide (CoO), Contains at least lead oxide, bismuth oxide, tin oxide, and antimony oxide from among the oxides of chromium oxide (Cr 2 O 3 ), nickel oxide (NiO), and manganese oxide (MnO), and contains lead and bismuth in the additives. Ceramic powder containing 0.05 to 1.0 mol% of Bi 2 O 3 and 0.05 to 3.0 mol% of Sb 2 O 3 with a relationship between tin and bismuth in the range of Pb/Bi = 0.05 to 0.5 and Sn/Bi = 0.2 to 2.0. Granule molded and fired at a temperature of 1000 to 1300℃,
Electrodes are formed by applying silver baking, plating, or metallic coating to both sides of the obtained plate-shaped sintered body. The table shows the same conditions as for forming silver baked electrodes depending on the type and amount (mol%) of additives.
The amount of bismuth contained in the pyrochlore-type compound as a component of the grain boundary segregation between ZnO crystal grains, which was determined from the main peak intensity ratio of the X-ray diffraction of the sintered body subjected to °C heat treatment, and the electricity of the sintered body itself. In order to understand the physical characteristics, measurements were made by forming aluminum metallicon electrodes without thermal history.
α of V100μA-V1mA, V100μA-V1mA measured by forming a silver baked electrode with thermal history
, and also V1mA/mm. The sintered body used as a sample had a diameter of 14 mm, a thickness of 1 mm, and an electrode diameter of 13.4 mm. Next, let us make the results shown in the table above easier to understand.
【表】【table】
【表】【table】
【表】【table】
【表】【table】
【表】
るため、第1図〜第9図を参照して説明する。第
1図および第3図はPb/BiまたはSn/Biと非直
線性α(V100μA―V1mA)の関係を示すもの
で、第2図および第4図はPb/BiまたはSn/Bi
とパイロクロア型化合物に含まれるビスマス量を
示すもので、第1図および第2図におけるSn/
Biは1.0、第3図および第4図におけるPb/Biは
0.25のときである。また第5図はパイロクロア型
化合物に含まれるビスマス量と700℃のアニール
によるLC変動との関係を示すもので、第6図は
パイロクロア型化合物に含まれるビスマス量と高
温課電(105℃,DC2mA,1000h)後によるLC
変動との関係を示すものである。なお、この試料
はアルミニウムメタリコン電極によるものであ
る。さらに第7図は前記表に示す実施例9と従来
例73のV100μA−V1mAの電圧−電流特性を示
すものであり、第8図および第9図は第7図で用
いたものと同一試料のX線回折グラフを示すもの
で、第8図は熱処理前、第9図は焼結体の熱処理
(700℃)後である。
前記表および第1図〜第4図から明らかなよう
に、Pb/BiおよびSn/Biが大きくなるほどパイ
ロクロア型化合物に含まれるビスマスの割合が増
加する傾向を示す中で、非直線性αが極大となる
Pb/BiおよびSn/Biの範囲はPb/Bi=0.05〜
0.5,Sn/Bi=0.2〜2.0であることがわかる。す
なわち焼結体の粒界偏析部にパイロクロア型化合
物に含まれるビスマス量の増加によつてBi2O3が
減少しすぐれた非直線性を示すが、Pb/Bi,
Sn/Biが上限を越して大きくなりすぎるとパイ
ロクロア化する反応ステージが早くなりすぎ、焼
結性を損うことによるものと推量される。また前
記表はもとより第5図および第6図から明らかな
ように、パイロクロア型化合物に含まれるビスマ
ス量が50%以上となるものは熱履歴による非直線
性α特性の変化がきわめて少なくすぐれたバリス
タ特性を示している。さらに第7図から明らかな
ようにパイロクロア型化合物が存在しない従来例
のものは低電流領域での電圧低下が著しいのに対
し、本発明のものは電流が1μAという低電流領域
でも電圧降下はわずかで漏れ電流がきわめて小さ
い結果を示した。しかして、本発明によるものが
以上のようなすぐれた効果を発揮する根拠につい
ては第8図および第9図によつて明らかなよう
に、焼結体の結晶粒子間の粒界偏析部にパイロク
ロア型化合物を含み、該パイロクロア型化合物に
焼結体中に含まれる全ビスマスの50%以上を含有
させ熱履歴により相変化するBi2O3相を少なく抑
制できることによるものである。
なお、ビスマスの一部は相変化しないガラス化
ビスマスとして存在するものと推量される。
[発明の効果]
以上述べたように本発明によれば、非直線性に
すぐれ、かつ熱履歴に対して特性劣化のないきわ
めて安定した実用的価値の高いバリスタを得るこ
とができる。[Table] The following description will be made with reference to FIGS. 1 to 9. Figures 1 and 3 show the relationship between Pb/Bi or Sn/Bi and nonlinearity α (V100μA - V1mA), and Figures 2 and 4 show the relationship between Pb/Bi or Sn/Bi.
This shows the amount of bismuth contained in pyrochlore type compounds, and the Sn/
Bi is 1.0, Pb/Bi in Figures 3 and 4 is
When it is 0.25. In addition, Figure 5 shows the relationship between the amount of bismuth contained in the pyrochlore type compound and the LC fluctuation due to annealing at 700°C. ,1000h) after LC
This shows the relationship with fluctuations. Note that this sample uses an aluminum metallicon electrode. Furthermore, Fig. 7 shows the voltage-current characteristics of V100μA - V1mA of Example 9 and Conventional Example 73 shown in the table above, and Figs. 8 and 9 show the voltage-current characteristics of the same sample used in Fig. 7. The X-ray diffraction graphs are shown in FIG. 8 before heat treatment and FIG. 9 after heat treatment (700° C.) of the sintered body. As is clear from the above table and Figures 1 to 4, the ratio of bismuth contained in the pyrochlore type compound tends to increase as Pb/Bi and Sn/Bi increase, and the nonlinearity α is at its maximum. becomes
The range of Pb/Bi and Sn/Bi is Pb/Bi=0.05~
0.5, Sn/Bi=0.2 to 2.0. In other words, as the amount of bismuth contained in the pyrochlore type compound increases in the grain boundary segregation area of the sintered body, Bi 2 O 3 decreases and exhibits excellent nonlinearity, but Pb/Bi,
It is presumed that if Sn/Bi becomes too large beyond the upper limit, the reaction stage of pyrochlorization becomes too rapid, impairing sinterability. Furthermore, as is clear from the above table as well as Figures 5 and 6, pyrochlore compounds containing 50% or more of bismuth are excellent varistors with very little change in nonlinear α characteristics due to thermal history. It shows the characteristics. Furthermore, as is clear from Fig. 7, the voltage drop of the conventional example without the presence of a pyrochlore type compound is significant in the low current range, whereas the voltage drop of the present invention is slight even in the low current range of 1 μA. The results showed that the leakage current was extremely small. However, the reason why the present invention exhibits the above-mentioned excellent effects is that pyrochlore is present in the grain boundary segregation between the crystal grains of the sintered body, as is clear from FIGS. 8 and 9. This is because the pyrochlore type compound contains 50% or more of the total bismuth contained in the sintered body, thereby suppressing the Bi 2 O 3 phase that changes in phase due to thermal history. It is assumed that a part of bismuth exists as vitrified bismuth that does not undergo phase change. [Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, it is possible to obtain an extremely stable varistor with excellent nonlinearity and no characteristic deterioration due to thermal history, and a high practical value.
第1図はPb/Bi―α特性曲線図、第2図は
Pb/Bi―パイロクロア型化合物に含まれるビス
マス量の相関図、第3図はSn/Bi−α特性曲線
図、第4図はSn/Bi―パイロクロア型化合物に
含まれるビスマス量の相関図、第5図はパイロク
ロア型化合物に含まれるビスマス量―アニールに
よる△LC/LC特性曲線図、第6図はパイロクロ
ア型化合物に含まれるビスマス量−高温課電によ
る△LC/LC特性曲線図、第7図は電流−電圧比
特性曲線図、第8図は熱処理前の焼結体のX線回
折グラフ、第9図は熱処理後の焼結体のX線回折
グラフである。
Figure 1 is a Pb/Bi-α characteristic curve diagram, Figure 2 is
Figure 3 is a correlation diagram of the amount of bismuth contained in Pb/Bi-pyrochlore type compounds. Figure 4 is a diagram of the Sn/Bi-α characteristic curve. Figure 4 is a correlation diagram of the amount of bismuth contained in Sn/Bi-pyrochlore type compounds. Figure 5 is a graph showing the amount of bismuth contained in a pyrochlore type compound - △LC/LC characteristic curve due to annealing, Figure 6 is a graph showing the amount of bismuth contained in a pyrochlore type compound - △LC/LC characteristic curve due to high temperature charging, Figure 7 8 is an X-ray diffraction graph of the sintered body before heat treatment, and FIG. 9 is an X-ray diffraction graph of the sintered body after heat treatment.
Claims (1)
マス,スズ,アンチモンの添加物を含み、該添加
物中の鉛とビスマス,スズとビスマスの関係が Pb/Bi=0.05〜0.5, Sn/Bi=0.2〜2.0 の範囲で、ビスマスをBi2O3に換算して0.05〜1.0
モル%,アンチモンをSb2O3に換算して0.05〜3.0
モル%含有してなる焼結体における結晶粒子の粒
界偏析部に、前記焼結体中の全ビスマスの50%以
上を化合したパイロクロア型化合物を含有したこ
とを特徴とする電圧非直線抵抗体。[Scope of Claims] 1 The main component is zinc oxide and contains at least additives of lead, bismuth, tin, and antimony, and the relationship between lead and bismuth and tin and bismuth in the additives is Pb/Bi=0.05 to 0.5. , Sn/Bi = 0.2 to 2.0, bismuth converted to Bi 2 O 3 is 0.05 to 1.0
Mol%, antimony converted to Sb 2 O 3 0.05 to 3.0
A voltage nonlinear resistor characterized in that a pyrochlore type compound containing 50% or more of the total bismuth in the sintered body is contained in the grain boundary segregation part of crystal grains in the sintered body containing mol%. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236745A JPS6390806A (en) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | Voltage nonlinear resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61236745A JPS6390806A (en) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | Voltage nonlinear resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6390806A JPS6390806A (en) | 1988-04-21 |
| JPH0253932B2 true JPH0253932B2 (en) | 1990-11-20 |
Family
ID=17005158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61236745A Granted JPS6390806A (en) | 1986-10-03 | 1986-10-03 | Voltage nonlinear resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6390806A (en) |
-
1986
- 1986-10-03 JP JP61236745A patent/JPS6390806A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6390806A (en) | 1988-04-21 |
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