JPH0254175A - 磁束発生源 - Google Patents
磁束発生源Info
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- JPH0254175A JPH0254175A JP63204816A JP20481688A JPH0254175A JP H0254175 A JPH0254175 A JP H0254175A JP 63204816 A JP63204816 A JP 63204816A JP 20481688 A JP20481688 A JP 20481688A JP H0254175 A JPH0254175 A JP H0254175A
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- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims abstract description 89
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 17
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001035 Soft ferrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Measuring Instrument Details And Bridges, And Automatic Balancing Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は電流センサ特にリードスイッチを用いた電流セ
ンサに係る。
ンサに係る。
〈従来の技術〉
永久磁石の残留磁束密度はある温度係数(例えば、フェ
ライト磁石−0,19%/’C)を持ち、可逆的に変化
することはよく知られている。
ライト磁石−0,19%/’C)を持ち、可逆的に変化
することはよく知られている。
よっである使用温度範囲において、残留磁束密度は温度
係数により変化しうる磁束密度のまま。
係数により変化しうる磁束密度のまま。
永久磁石からなる磁気回路が構成されていた。
〈発明が解決しようとする課題〉
従来の永久磁石、又は永久磁石を用いた磁気回路では、
ある温度変化に対しである係数により永久磁石の磁束密
度が変化するために磁気回路の特性、又は機能の劣下(
変化)が生ずる。例えば第9図に示すように永久磁石に
おいである任意の地点Pでは第10図に示すように温度
上昇とともに磁束密度Φ3oが減少する。仮シに永久磁
石がフェライト磁石であれば−0,19%/℃の温度係
数(Δβd/βd)により使用温度範囲一10℃〜90
’Cであれば19%の磁束密度の変化がある。
ある温度変化に対しである係数により永久磁石の磁束密
度が変化するために磁気回路の特性、又は機能の劣下(
変化)が生ずる。例えば第9図に示すように永久磁石に
おいである任意の地点Pでは第10図に示すように温度
上昇とともに磁束密度Φ3oが減少する。仮シに永久磁
石がフェライト磁石であれば−0,19%/℃の温度係
数(Δβd/βd)により使用温度範囲一10℃〜90
’Cであれば19%の磁束密度の変化がある。
よって通常は、ある使用温度範囲に対して磁束密度の変
化を考慮(あるいは無視)して設計マージンを大きくす
るか、あるいは、温度測定を行い。
化を考慮(あるいは無視)して設計マージンを大きくす
るか、あるいは、温度測定を行い。
磁気回路特性の変化を補正する。ようにフィードバック
回路等を設けた信号処理が必要となる。
回路等を設けた信号処理が必要となる。
よって以上述べたように、温度変化に対する磁気回路特
性の変化を、そのままにして温度特性の悪い磁気回路の
まま設計を行うか、フィードバック回路等の信号処理を
付加しなければならず、精度、コスト上が問題となって
いる。
性の変化を、そのままにして温度特性の悪い磁気回路の
まま設計を行うか、フィードバック回路等の信号処理を
付加しなければならず、精度、コスト上が問題となって
いる。
く課題を解決するための手段〉
本発明の目的は、上述の欠点を除去するために。
永久磁石の磁極もしくは磁極の近傍に、ある特性の飽和
磁束密度温度係数をもつ軟磁性体あるいは。
磁束密度温度係数をもつ軟磁性体あるいは。
ある特定の磁束密度係数をもつ永久磁石を配置すること
により、永久磁石から発せられる磁束(磁束密度)をあ
る任意の温度係数例え−ば一定値、負特性、正特性をも
つ永久磁石もしくは永久磁石からなる磁束発生源を提供
するものである。
により、永久磁石から発せられる磁束(磁束密度)をあ
る任意の温度係数例え−ば一定値、負特性、正特性をも
つ永久磁石もしくは永久磁石からなる磁束発生源を提供
するものである。
く作用〉
上記のように構成された永久磁石、または永久磁石から
なる磁束発生源においては、ある磁気回路のある任意地
点あるいは、地域においてあらかじめ期待されるべき磁
束(磁束密度)より大きい磁束密度を有する永久磁石を
設置する。
なる磁束発生源においては、ある磁気回路のある任意地
点あるいは、地域においてあらかじめ期待されるべき磁
束(磁束密度)より大きい磁束密度を有する永久磁石を
設置する。
永久磁石の磁束密度は2通常温度に対して負特性を示す
が永久磁石の磁極、あるいは磁極近傍に配置されたある
特定の飽和磁束密度温度係数をもつ軟磁性体により永久
磁石より発せられる磁束の一部を吸収し、その吸収量が
温度に対して変化(飽和磁束密度が温度て対し2通常負
特性を示す。
が永久磁石の磁極、あるいは磁極近傍に配置されたある
特定の飽和磁束密度温度係数をもつ軟磁性体により永久
磁石より発せられる磁束の一部を吸収し、その吸収量が
温度に対して変化(飽和磁束密度が温度て対し2通常負
特性を示す。
例えば、 Mn −Zn系ソフトフェライトでは一01
係〜−0,6%/℃ 0℃−100℃間)するだめに。
係〜−0,6%/℃ 0℃−100℃間)するだめに。
永久磁石からの軟磁性体の磁束の室温レベルでの吸収量
、および吸収量の温度変化量をある特定の値にすること
により、磁気回路でのある磁束密度(特性値)を温度変
化に対して任意の係数(例えば、一定値、負特性、正特
性)にすることが可能となる。
、および吸収量の温度変化量をある特定の値にすること
により、磁気回路でのある磁束密度(特性値)を温度変
化に対して任意の係数(例えば、一定値、負特性、正特
性)にすることが可能となる。
また、永久磁石の磁極、又は、近傍に、別のある特定の
温度係数をもつ永久磁石を配置することにより、永久磁
石からの磁束は、ある温度変化に対して、負特性を示す
が、ある特定の磁束密度係数をもつ別の永久磁石を永久
磁束の磁束と逆向きに配向すると、磁気回路において、
ある任意の地点における磁束密度は、2つの永久磁石か
らの差で表わされ、たがいに温度係数が異なるため、見
かけ上、ある地点の磁束密度は温度に対して正特性、負
特性、一定値となることが可能である。
温度係数をもつ永久磁石を配置することにより、永久磁
石からの磁束は、ある温度変化に対して、負特性を示す
が、ある特定の磁束密度係数をもつ別の永久磁石を永久
磁束の磁束と逆向きに配向すると、磁気回路において、
ある任意の地点における磁束密度は、2つの永久磁石か
らの差で表わされ、たがいに温度係数が異なるため、見
かけ上、ある地点の磁束密度は温度に対して正特性、負
特性、一定値となることが可能である。
〈実施例〉
以下に本発明による実施例を図面により説明する。
第1図aには、長方体からなシ長さ方向に着磁されてい
る永久磁石1.この永久磁石1の磁極面を覆うようにコ
の字型の軟磁性体2が配置されている。この永久磁石1
より流出する磁束Φ1は、第1図(b)に示すように軟
磁性体2によって吸収される磁束をΦ2.A点に流れる
磁束をΦ3.その他を流れる磁束をΦ4とする。ここで
Φ1は、軟磁性体2が飽和されるように充分な磁束(密
度)とすると、軟磁性体2のΦ2は、飽和磁束密度迄吸
収されているものとする。従って Φ1=Φ2+Φ3+Φ4・・・(1)の関係が成シたつ
。
る永久磁石1.この永久磁石1の磁極面を覆うようにコ
の字型の軟磁性体2が配置されている。この永久磁石1
より流出する磁束Φ1は、第1図(b)に示すように軟
磁性体2によって吸収される磁束をΦ2.A点に流れる
磁束をΦ3.その他を流れる磁束をΦ4とする。ここで
Φ1は、軟磁性体2が飽和されるように充分な磁束(密
度)とすると、軟磁性体2のΦ2は、飽和磁束密度迄吸
収されているものとする。従って Φ1=Φ2+Φ3+Φ4・・・(1)の関係が成シたつ
。
ここで、温度に対するA点を流れる磁束Φ3の変化を第
2図により説明すると、温度が上昇するとΦ1は、永久
磁石1の温度係数αの関数となシその温度変化に相当し
た分だけ減少しくΦ1×α×tとする)、又、軟磁性体
における飽和磁束密度は、ある温度係数により温度変化
することは知られており例えばMn −Zn系フェライ
トでは−0,1チ〜−0,6%/’C程度であシ、軟磁
性体2に流入する磁束Φ2は、温度上昇とともに飽和磁
束密度は減少し、従って、Φ2も減少する。ここで、軟
磁性体の飽和磁束密度源゛度係数をβとすると、温度変
化に対応する変化分をΦ2×β×tとする。又、α、β
ともに係数は、負の値である。
2図により説明すると、温度が上昇するとΦ1は、永久
磁石1の温度係数αの関数となシその温度変化に相当し
た分だけ減少しくΦ1×α×tとする)、又、軟磁性体
における飽和磁束密度は、ある温度係数により温度変化
することは知られており例えばMn −Zn系フェライ
トでは−0,1チ〜−0,6%/’C程度であシ、軟磁
性体2に流入する磁束Φ2は、温度上昇とともに飽和磁
束密度は減少し、従って、Φ2も減少する。ここで、軟
磁性体の飽和磁束密度源゛度係数をβとすると、温度変
化に対応する変化分をΦ2×β×tとする。又、α、β
ともに係数は、負の値である。
よって以上を、(1)に導入すると。
Φ、+αtΦ、=Φ2+βもΦ2+Φ3+Φ4Φ1+α
tΦ1−(Φ2+βtΦ2)=Φ、+Φ4 ・・
・(2)となる。ここでΦ3に流入する磁束とΦ4に流
入する磁束の比は温度によって影響は受けない。よって
左辺部のみ温度の影響がある。つぎにαΦ1=βΦ2と
なる様にα、β、Φ1 Φ2を選択すると温度に対して
A点における磁束Φ3は変化せず第2図(a)に示す如
く一定となシ、また。αΦ、〉βΦ2となる様に選択す
ると第2図(blのようにΦ3は正特性となり。
tΦ1−(Φ2+βtΦ2)=Φ、+Φ4 ・・
・(2)となる。ここでΦ3に流入する磁束とΦ4に流
入する磁束の比は温度によって影響は受けない。よって
左辺部のみ温度の影響がある。つぎにαΦ1=βΦ2と
なる様にα、β、Φ1 Φ2を選択すると温度に対して
A点における磁束Φ3は変化せず第2図(a)に示す如
く一定となシ、また。αΦ、〉βΦ2となる様に選択す
ると第2図(blのようにΦ3は正特性となり。
またαΦ、〈βΦ2となる様に選択すると第2図(c)
のように負特性となることは2式(2)より明らかであ
る。
のように負特性となることは2式(2)より明らかであ
る。
つぎに、第3図、第4図に他の形状の永久磁石。
あるいは2着磁された磁性材材と、軟磁性体の形状およ
び位置関係を示す。
び位置関係を示す。
つぎに上記で説明された軟磁性体と永久磁石からなる磁
束発生源を利用した電流センサを第5図について説明す
る。リードスイッチ10の外周には永久磁石11が配置
されリードスイッチ1の接点部13に永久8石11から
の磁束が流入し、接点が閉成されている。まだ永久磁石
11の磁極面にはコの字型からなるある特定の飽和磁束
密度温度係数をもつ軟磁性体12が固設され、その外周
にはコイル14が固設されている。
束発生源を利用した電流センサを第5図について説明す
る。リードスイッチ10の外周には永久磁石11が配置
されリードスイッチ1の接点部13に永久8石11から
の磁束が流入し、接点が閉成されている。まだ永久磁石
11の磁極面にはコの字型からなるある特定の飽和磁束
密度温度係数をもつ軟磁性体12が固設され、その外周
にはコイル14が固設されている。
ここで第6図に示すように、リードスイッチ10の開離
状態となυうる磁束をΦ。とし、又永久磁石11からの
接点13に流入する磁束をΦつ、Φ9と逆方向な磁界(
磁束)を発生させるコイル14に流す電流IKよる磁束
をΦ1とする。つぎに、リードスイッチ1の接点部13
に流れる磁束Φ□はΦ□=Φ□+Φ1で表わされ、電流
工が変化することによりΦ1は変化し、Φ8も同様に変
化する。つぎに。
状態となυうる磁束をΦ。とし、又永久磁石11からの
接点13に流入する磁束をΦつ、Φ9と逆方向な磁界(
磁束)を発生させるコイル14に流す電流IKよる磁束
をΦ1とする。つぎに、リードスイッチ1の接点部13
に流れる磁束Φ□はΦ□=Φ□+Φ1で表わされ、電流
工が変化することによりΦ1は変化し、Φ8も同様に変
化する。つぎに。
電流Iが増加するにつれてΦ□がΦ。より小になったと
きリードスイッチ10の接点は開離状態となり、ある任
意の電流値を検出する。
きリードスイッチ10の接点は開離状態となり、ある任
意の電流値を検出する。
しかしながら上記で述べた電流の検出においては、リー
ドスイッチ1の接点部13に流入する永久磁石からの磁
束Φ8が温度により変化すると、検出すべき電流値が変
化するが、上記では、Φ4が温度に対し一定となるよう
にある特定の飽和磁束密度温度係数をもつ軟磁性体12
を配置することにより、解消している。
ドスイッチ1の接点部13に流入する永久磁石からの磁
束Φ8が温度により変化すると、検出すべき電流値が変
化するが、上記では、Φ4が温度に対し一定となるよう
にある特定の飽和磁束密度温度係数をもつ軟磁性体12
を配置することにより、解消している。
つぎに第7図に示すように永久磁石21とある特定の磁
束密度温度係数をもつ永久磁石22を。
束密度温度係数をもつ永久磁石22を。
永久磁石21の磁束と逆向きとなるように隣接すると、
ある任意の地点A点における磁束(密度)Φ2oは、Φ
20”Φ21+Φ22・・・(3)と表わされる。ここ
で、永久磁石21よI)A点に流入する磁束をΦ21゜
永久磁石22よりA点に流入する磁束をΦ22とする。
ある任意の地点A点における磁束(密度)Φ2oは、Φ
20”Φ21+Φ22・・・(3)と表わされる。ここ
で、永久磁石21よI)A点に流入する磁束をΦ21゜
永久磁石22よりA点に流入する磁束をΦ22とする。
つぎにΦ21〉Φ22 と仮定し、永久磁石21の磁
束密度係数をα、永久磁石22のs束密度係数をβとす
ると、(3)式は温度に対してΦ20”Φ2.+α中Φ
21+Φ22+β・L・Φ2゜・・・(4ンと表わされ
る。ここで。
束密度係数をα、永久磁石22のs束密度係数をβとす
ると、(3)式は温度に対してΦ20”Φ2.+α中Φ
21+Φ22+β・L・Φ2゜・・・(4ンと表わされ
る。ここで。
Φ2□は、逆方向の磁束とする。
よって例えば。
αΦ21〉βΦ2□のとき、Φ2oは、温度に対し正特
性を示し。
性を示し。
(第8図a)に図示)
■21=βΦ2□ 一定とな
り(b)) CttD2.<βΦ22 負
特性と麦る(C)) ことは2式(4)より明らかである。
り(b)) CttD2.<βΦ22 負
特性と麦る(C)) ことは2式(4)より明らかである。
〈発明の効果〉
以上述べてきたように本発明によれば、永久磁石の磁極
、あるいは近傍に軟磁性体、あるいは永久磁石を配置す
ることにより従来の永久磁石の温度に対する負特性を、
任意の正特性値、一定値。
、あるいは近傍に軟磁性体、あるいは永久磁石を配置す
ることにより従来の永久磁石の温度に対する負特性を、
任意の正特性値、一定値。
負特性値となることが可能な永久磁石あるいは。
永久磁石からなる磁束発生源を提供できうるものである
。
。
第1図a)は2本発明による永久磁石と軟磁性体からな
る磁束発生源の料視図 第1図b)は2本発明による永久磁石と軟磁性体からな
る磁束発生源の構成図 第2図a)、b)、c)は2本発明による永久磁石と軟
磁性体からなる磁束発生源の磁束と温度の関係図第3図
、第4図は2本発明による永久磁石と軟磁性体からなる
磁束発生源の他の磁気回路の実施例 第5図は2本発明による永久磁石と軟磁性体からなる磁
束発生源からなる電流センサの構成図第6図は、電流セ
ンサの磁束の関係図 第7図は9本発明による2ケの永久磁石からなる磁束発
生源の構成図 第8図は9本発明による2ケの永久磁石からなる磁束発
生源の磁束と温度の関係図 第9図は、従来の永久磁石からなる磁束発生源の構成図 第10図は、従来の永久磁石からなる磁束発生源の磁束
と温度の関係図 第5図 第1図 第7図
る磁束発生源の料視図 第1図b)は2本発明による永久磁石と軟磁性体からな
る磁束発生源の構成図 第2図a)、b)、c)は2本発明による永久磁石と軟
磁性体からなる磁束発生源の磁束と温度の関係図第3図
、第4図は2本発明による永久磁石と軟磁性体からなる
磁束発生源の他の磁気回路の実施例 第5図は2本発明による永久磁石と軟磁性体からなる磁
束発生源からなる電流センサの構成図第6図は、電流セ
ンサの磁束の関係図 第7図は9本発明による2ケの永久磁石からなる磁束発
生源の構成図 第8図は9本発明による2ケの永久磁石からなる磁束発
生源の磁束と温度の関係図 第9図は、従来の永久磁石からなる磁束発生源の構成図 第10図は、従来の永久磁石からなる磁束発生源の磁束
と温度の関係図 第5図 第1図 第7図
Claims (1)
- 1)ある所定の機能特性を有する磁気回路を構成するた
めに用いられている、永久磁石あるいは永久磁石からな
る磁束発生源において、該永久磁石の磁極もしくは磁極
の近傍にある特定の飽和磁束密度温度係数をもつ軟磁性
体、あるいはある特定の磁束密度温度係数をもつ永久磁
石を配置することにより、永久磁石もしくは永久磁石か
らなる磁束発生源より流出する磁束量(磁束密度)が、
温度に対して任意の正特性値、負特性値、もしくは一定
値となりうる温度特性(係数)を持つことを特徴とする
永久磁石、あるいは永久磁石からなる磁束発生源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63204816A JPH0254175A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 磁束発生源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63204816A JPH0254175A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 磁束発生源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254175A true JPH0254175A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16496855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63204816A Pending JPH0254175A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 磁束発生源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254175A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313784A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Anelva Corp | マグネトロン型平行平板表面処理装置 |
| JP2011009551A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Tdk Corp | 混合器および周波数変換装置 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63204816A patent/JPH0254175A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313784A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Anelva Corp | マグネトロン型平行平板表面処理装置 |
| JP2011009551A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Tdk Corp | 混合器および周波数変換装置 |
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