JPH0255285A - 石英ルツボの製造方法 - Google Patents
石英ルツボの製造方法Info
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- JPH0255285A JPH0255285A JP20477888A JP20477888A JPH0255285A JP H0255285 A JPH0255285 A JP H0255285A JP 20477888 A JP20477888 A JP 20477888A JP 20477888 A JP20477888 A JP 20477888A JP H0255285 A JPH0255285 A JP H0255285A
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- JP
- Japan
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- quartz
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- crucible
- pressure
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体用シリコン単結晶を製造する際に用い
られる石英ルツボの製造方法と装置に関する。
られる石英ルツボの製造方法と装置に関する。
［従来技術と問題点コ
多結晶シリコンからシリコン単結晶を製造する際に、多
結晶シリコンを溶融するために石英ルツボが用いられる
。
結晶シリコンを溶融するために石英ルツボが用いられる
。
石英ルツボの製造に関し、従来幾つかの製造方法が知ら
れている。その−例によると、回転可能な中空のモール
ドに、原料の石英粉体が該モールドの内周面に沿って充
填され、モールドを回転しながら石英粉体を加熱溶融す
ることにより遠心力の作用により溶融又は半溶融の石英
充填層がモールド内周面に伸圧されルツボの形状に焼結
される。
れている。その−例によると、回転可能な中空のモール
ドに、原料の石英粉体が該モールドの内周面に沿って充
填され、モールドを回転しながら石英粉体を加熱溶融す
ることにより遠心力の作用により溶融又は半溶融の石英
充填層がモールド内周面に伸圧されルツボの形状に焼結
される。
この方法によって製造される石英ルツボはその壁体内部
に気泡が多数残留する欠点がある。壁体（周壁及び底壁
）に気泡が多いとルツボの強度が低下する。更にルツボ
の加熱時にルツボ内周面付近の気泡が熱膨張して該内周
面を部分的に剥離させ、剥離した石英小片が溶融シリコ
ンに混入して単結晶化率（シリコン多結晶が単結晶にな
る割合）が低下する。
に気泡が多数残留する欠点がある。壁体（周壁及び底壁
）に気泡が多いとルツボの強度が低下する。更にルツボ
の加熱時にルツボ内周面付近の気泡が熱膨張して該内周
面を部分的に剥離させ、剥離した石英小片が溶融シリコ
ンに混入して単結晶化率（シリコン多結晶が単結晶にな
る割合）が低下する。
其処で、内部気泡の少ないルツボが求められ、その製造
法として、モールドに充填した石英粉体を減圧下で加熱
溶融する方法が知られている（特公昭５９−３４５５９
号）、この方法によると、モールドに充填した石英層の
内部気泡が溶融時に吸引除去されるので、肉眼では壁体
内部に気泡が殆ど観察されないルツボが得られる。然し
乍ら、この製造方法においては、製造時に、回転するモ
ールドの内側で石英充填層が加熱溶融されるに伴い、石
英に比べて格段に比重の小さい気泡が次第に回転軸側つ
まり石英充填層の内周面側に移動し、肉眼では観察出来
ない微小な気泡（マイクロバブル）が壁体内周面の近傍
に偏在することになる。該微ｔ’ｓ気泡はルツボ加熱時
に熱膨張して前述と同様の問題を生じる。
法として、モールドに充填した石英粉体を減圧下で加熱
溶融する方法が知られている（特公昭５９−３４５５９
号）、この方法によると、モールドに充填した石英層の
内部気泡が溶融時に吸引除去されるので、肉眼では壁体
内部に気泡が殆ど観察されないルツボが得られる。然し
乍ら、この製造方法においては、製造時に、回転するモ
ールドの内側で石英充填層が加熱溶融されるに伴い、石
英に比べて格段に比重の小さい気泡が次第に回転軸側つ
まり石英充填層の内周面側に移動し、肉眼では観察出来
ない微小な気泡（マイクロバブル）が壁体内周面の近傍
に偏在することになる。該微ｔ’ｓ気泡はルツボ加熱時
に熱膨張して前述と同様の問題を生じる。
［発明の目的及び構成］
本発明は、ルツボ壁体外周側部分に気泡が残存する一方
壁体内周面近傍に気泡が少ない石英ルツボの製造方法お
よびその装置を提供することを目的とする。
壁体内周面近傍に気泡が少ない石英ルツボの製造方法お
よびその装置を提供することを目的とする。
本発明によれば、回転するガス透過性モールドの内周面
に沿って石英粉体を充填し、該石英粉体充填層をその内
周面側から加熱溶融し、該溶融時にモールドの外周を減
圧して石英粉体の内部ガスをガス透過性モールドの壁を
通じて吸引排気しながらルツボの形状に焼結させる製造
方法において。
に沿って石英粉体を充填し、該石英粉体充填層をその内
周面側から加熱溶融し、該溶融時にモールドの外周を減
圧して石英粉体の内部ガスをガス透過性モールドの壁を
通じて吸引排気しながらルツボの形状に焼結させる製造
方法において。
上記加熱溶融の途中で減圧を停止することにより内周側
部分に比較して外周側部分の気泡含有率が大きい石英ル
ツボを製造する方法が提供される。
部分に比較して外周側部分の気泡含有率が大きい石英ル
ツボを製造する方法が提供される。
また、本発明によれば、回転自在なガス透過性モールド
と、該モールドの回転手段と、該モールドの外周を減圧
する手段と、該モールドの内側に装入される取外し自在
な中子及び取外し自在な加熱手段とを有する石英ルツボ
製造装置において、モールドがモールドホルダに脱着自
在に嵌着しており、該モールドホルダは該モールを支持
して回転し且つ該モールドの外周に減圧室を形成するこ
とを特徴とする装置が提供される。
と、該モールドの回転手段と、該モールドの外周を減圧
する手段と、該モールドの内側に装入される取外し自在
な中子及び取外し自在な加熱手段とを有する石英ルツボ
製造装置において、モールドがモールドホルダに脱着自
在に嵌着しており、該モールドホルダは該モールを支持
して回転し且つ該モールドの外周に減圧室を形成するこ
とを特徴とする装置が提供される。
本発明の製造方法において、ボウル（椀）状でありガス
透過性壁を有する回転可能なモールドが用いられる。該
モールドの中空な内側中央に中子を挿入し、モールドを
回転しながらモールドと中子の間に原料の石英粉体を供
給する。石英粉体は回転するモールドの遠心力の作用に
よりモールド内周面に押しつけられ、該内周面に沿って
堆積し石英充填層を形成する１次に中子を引き上げ、ア
ーク電極などの加熱源を設置し、石英充填層をその内周
面側から加熱溶融する。該加熱により先ず石英充填層の
内周面に薄い溶融乃至半溶融の被覆が形成される。一方
、該加熱の際にモールドを減圧し、ガス透過性内周面を
通じて石英充填層内部のガスを吸引排気する。加熱の進
行に伴い、石英充填層はその内周面から外表面付近まで
次第に溶融し焼結する。以上述べた石英粉体の充填から
減圧下での加熱溶融までの工程は、従来の製造方法と共
通する。
透過性壁を有する回転可能なモールドが用いられる。該
モールドの中空な内側中央に中子を挿入し、モールドを
回転しながらモールドと中子の間に原料の石英粉体を供
給する。石英粉体は回転するモールドの遠心力の作用に
よりモールド内周面に押しつけられ、該内周面に沿って
堆積し石英充填層を形成する１次に中子を引き上げ、ア
ーク電極などの加熱源を設置し、石英充填層をその内周
面側から加熱溶融する。該加熱により先ず石英充填層の
内周面に薄い溶融乃至半溶融の被覆が形成される。一方
、該加熱の際にモールドを減圧し、ガス透過性内周面を
通じて石英充填層内部のガスを吸引排気する。加熱の進
行に伴い、石英充填層はその内周面から外表面付近まで
次第に溶融し焼結する。以上述べた石英粉体の充填から
減圧下での加熱溶融までの工程は、従来の製造方法と共
通する。
本発明の製造方法は、上記減圧操作を加熱溶融、の途中
で停止し、減圧停止後、更に石英充填層をその内周面か
ら加熱する点において、従来の製造方法と根本的に異な
る。上記減圧操作によりルツボ壁体内部の気泡は外周側
部分に引き寄せられており、該減圧の停止により外周側
部分は気泡が残留したまま焼結する。一方向周面側部分
は、微小気泡が残留するものの比較的大きな気泡は列理
側部分に引き寄せられて内周側部分には存在しないため
気泡の少ない状態で焼結する。この結果、ルツボ外周側
部分の気泡含有率が内周側部分より大きいルツボが得ら
れる。
で停止し、減圧停止後、更に石英充填層をその内周面か
ら加熱する点において、従来の製造方法と根本的に異な
る。上記減圧操作によりルツボ壁体内部の気泡は外周側
部分に引き寄せられており、該減圧の停止により外周側
部分は気泡が残留したまま焼結する。一方向周面側部分
は、微小気泡が残留するものの比較的大きな気泡は列理
側部分に引き寄せられて内周側部分には存在しないため
気泡の少ない状態で焼結する。この結果、ルツボ外周側
部分の気泡含有率が内周側部分より大きいルツボが得ら
れる。
減圧停止時間については、加熱溶融をｔ分間行なう場合
、加熱開始から０．２を分径〜０．９ｔ分前に上記吸引
排気を停止するのが良い。０．２を分より前に減圧を停
止すると、単結晶シリコンの引上げに必要な溶融厚みを
有する透明層が形成されない。
、加熱開始から０．２を分径〜０．９ｔ分前に上記吸引
排気を停止するのが良い。０．２を分より前に減圧を停
止すると、単結晶シリコンの引上げに必要な溶融厚みを
有する透明層が形成されない。
０．９ｔ分よりあとに減圧を停止すると真空引き孔の孔
に溶融層が吸込まれて外周面に凸部が生じるので好まし
くない。石英充填層の外表面に薄い未溶融状態の剥離層
を残して上記加熱を終了し、冷却同化後、モールドから
取り出す。
に溶融層が吸込まれて外周面に凸部が生じるので好まし
くない。石英充填層の外表面に薄い未溶融状態の剥離層
を残して上記加熱を終了し、冷却同化後、モールドから
取り出す。
上記製造方法を実施するための装置として、回転自在な
ガス透過性モールドと、該モールドの回転手段と、該モ
ールドの外周を減圧する手段と。
ガス透過性モールドと、該モールドの回転手段と、該モ
ールドの外周を減圧する手段と。
該モールドの内側に装入さ九る取外し自在な中子及び取
外し自在な加熱手段とを有する石英ルツボ製造装置であ
って、モールドがモールドホルダに脱着自在に嵌着して
おり、該モールドホルダは該モールを支持して回転し且
つ該モールドの外周に減圧室を形成することを特徴とす
る装置を用いることが出来る。
外し自在な加熱手段とを有する石英ルツボ製造装置であ
って、モールドがモールドホルダに脱着自在に嵌着して
おり、該モールドホルダは該モールを支持して回転し且
つ該モールドの外周に減圧室を形成することを特徴とす
る装置を用いることが出来る。
本発明に係る製造装置の一例を第１図に示す。
該製造装置１０は１回転自在なモールド形成部分２０と
、該モールド形成部分２０を回転する回転手段（図示省
略）と、該モールド形成部分２０に接続する減圧手段３
０とを有する。モールド形成部分２０は石英粉体が装入
されるモールド２１と該モールド２１を支持するモール
ドホルダ２２とから形成される。モールド２１及びモー
ルドホルダ２２は何れも中空であり、筒状の周壁２１ａ
、２２ａと底壁２１ｂ、２２ｂとを有し、此れ等は気密
な減圧室２３を形成して脱着自在に嵌合している。モー
ルド２１及びモールドホルダ２２は回転手段により一体
に回転される。モールド２１には複数本の通気孔２４が
穿設されており、該通気孔２４はモールド２１の壁２１
ｃを通じて上記減圧室２３に連通している。モールド２
１の下端外周にモールドホルダ２２の上端２２ｃが挿入
する嵌合溝を設け、且つ該外周縁部にモールドホルダ２
２の上部内周面に密着する凸部２１ｄを形成すると良い
。モールドホルダ２２の底壁２２ｂには減圧機構３０に
通じる孔２５が設けられている。減圧機構３０は真空ポ
ンプ３１、フィルター３２及び電磁バルブ３３を含む配
管系により構成されている。
、該モールド形成部分２０を回転する回転手段（図示省
略）と、該モールド形成部分２０に接続する減圧手段３
０とを有する。モールド形成部分２０は石英粉体が装入
されるモールド２１と該モールド２１を支持するモール
ドホルダ２２とから形成される。モールド２１及びモー
ルドホルダ２２は何れも中空であり、筒状の周壁２１ａ
、２２ａと底壁２１ｂ、２２ｂとを有し、此れ等は気密
な減圧室２３を形成して脱着自在に嵌合している。モー
ルド２１及びモールドホルダ２２は回転手段により一体
に回転される。モールド２１には複数本の通気孔２４が
穿設されており、該通気孔２４はモールド２１の壁２１
ｃを通じて上記減圧室２３に連通している。モールド２
１の下端外周にモールドホルダ２２の上端２２ｃが挿入
する嵌合溝を設け、且つ該外周縁部にモールドホルダ２
２の上部内周面に密着する凸部２１ｄを形成すると良い
。モールドホルダ２２の底壁２２ｂには減圧機構３０に
通じる孔２５が設けられている。減圧機構３０は真空ポ
ンプ３１、フィルター３２及び電磁バルブ３３を含む配
管系により構成されている。
モールド２１の上方には上下動自在な中子４０とア一り
放電を行なう上下動自在な電極５０が配設さ九でいる。
放電を行なう上下動自在な電極５０が配設さ九でいる。
これら中子４０及び電極５０は従来のものを用いること
ができる。
ができる。
［発明の効果コ
本発明の製造方法によれば、壁体内周面付近の気泡含有
率が小さく且つ外周側部分の気泡含有率の大きなルツボ
が得られる。本発明の製造方法に係るルツボは、ルツボ
の使用時に加熱されても、内周側部分の微）」１気泡が
気泡含有率の大きな外周側部分に吸収され、此の結果、
内周側部分の気泡の熱膨張が抑制されるのでルツボ内周
面の部分的な剥離を生じる虞がない。従って、従来の方
法で製造されたルツボに比べ、単結晶他家が格段に良い
。
率が小さく且つ外周側部分の気泡含有率の大きなルツボ
が得られる。本発明の製造方法に係るルツボは、ルツボ
の使用時に加熱されても、内周側部分の微）」１気泡が
気泡含有率の大きな外周側部分に吸収され、此の結果、
内周側部分の気泡の熱膨張が抑制されるのでルツボ内周
面の部分的な剥離を生じる虞がない。従って、従来の方
法で製造されたルツボに比べ、単結晶他家が格段に良い
。
本発明に係る製造装置によれば、上記減圧停止後に、モ
ールドとモー・ルドホルダとの間の微小間隙から大気が
侵入して減圧室内部が直ちに大気圧に復帰するので石英
充填層の吸引が迅速に停止され、外周側部分に気泡を残
存させるのが容易である。また９本発明の装置において
は、モールドとモールドホルダとを分離できるので５０
径の異なるルツボを製造する際、モールドのみを取替え
て使用できる。減圧機構を有する製造装置においては、
該減圧機構に接続されている部分の交換が煩雑であり、
本発明装置のように減圧機構が接続されているモールド
ホルダを交換せずに使用できる実用上の利点は大きい。
ールドとモー・ルドホルダとの間の微小間隙から大気が
侵入して減圧室内部が直ちに大気圧に復帰するので石英
充填層の吸引が迅速に停止され、外周側部分に気泡を残
存させるのが容易である。また９本発明の装置において
は、モールドとモールドホルダとを分離できるので５０
径の異なるルツボを製造する際、モールドのみを取替え
て使用できる。減圧機構を有する製造装置においては、
該減圧機構に接続されている部分の交換が煩雑であり、
本発明装置のように減圧機構が接続されているモールド
ホルダを交換せずに使用できる実用上の利点は大きい。
［実施例］
ミロに示す装置を用い１回転するモールド２】に中子４
０を挿入し、これらの間に石英粉体を充填し、モールド
２１の内周面に沿って、石英充填層を形成した。引き続
き中子４０を引き上げて電極５０をモ、−ルド内側の中
央部に設置し、アーク放電を行なって５石英充填層をそ
の内周面側から加熱溶融した。加熱開始から４５秒後に
石英充填層の内周面に薄い溶融層が形成され、この時点
で減圧機構３０の真空ポンプ３１を作動させ、石英充填
層内部のガスをモールド１０の通気孔２４を通じ、 ６
００ ＋ｉ ｍ Ｈｇの圧力で吸引排気した。減圧開始
から１２０秒後に減圧を停止し、アーク放電を継続した
。減圧停止後、モールド２１とモールドホルダ２２との
隙間からエアーが漏入して減圧室２３が大気圧に復帰し
、減圧停止後の加熱は大気圧下で継続された。アーク溶
融開始から１５分後にアーク放電を終了し冷却後、上記
石英充填層が溶融焼結した石英ルツボを得た。
０を挿入し、これらの間に石英粉体を充填し、モールド
２１の内周面に沿って、石英充填層を形成した。引き続
き中子４０を引き上げて電極５０をモ、−ルド内側の中
央部に設置し、アーク放電を行なって５石英充填層をそ
の内周面側から加熱溶融した。加熱開始から４５秒後に
石英充填層の内周面に薄い溶融層が形成され、この時点
で減圧機構３０の真空ポンプ３１を作動させ、石英充填
層内部のガスをモールド１０の通気孔２４を通じ、 ６
００ ＋ｉ ｍ Ｈｇの圧力で吸引排気した。減圧開始
から１２０秒後に減圧を停止し、アーク放電を継続した
。減圧停止後、モールド２１とモールドホルダ２２との
隙間からエアーが漏入して減圧室２３が大気圧に復帰し
、減圧停止後の加熱は大気圧下で継続された。アーク溶
融開始から１５分後にアーク放電を終了し冷却後、上記
石英充填層が溶融焼結した石英ルツボを得た。
本発明の製造方法に係る上記石英ルツボを用いて多結晶
シリコンを溶融し、単結晶シリコンを引き上げた。この
場合の単結晶化率を次表に示す（Ｎｏ、１．２）。また
同一の条件下で、従来の石英ルツボを用いた場合の単結
晶化率を比較例（Ｎｏ３．４）として併せて次表に示す
。
シリコンを溶融し、単結晶シリコンを引き上げた。この
場合の単結晶化率を次表に示す（Ｎｏ、１．２）。また
同一の条件下で、従来の石英ルツボを用いた場合の単結
晶化率を比較例（Ｎｏ３．４）として併せて次表に示す
。
３ｏ−減圧機構、
４〇−中子、
５０−電極
Claims (3)
- （１）回転するガス透過性モールドの内周面に沿って石
英粉体を充填し、該石英粉体充填層をその内周面側から
加熱溶融し、該溶融時にモールドの外周を減圧して石英
粉体の内部ガスをガス透過性モールドの壁を通じて吸引
排気しながらルツボの形状に焼結させる製造方法におい
て、上記加熱溶融の途中で減圧を停止することにより内
周側部分に比較して外周側部分の気泡含有率が大きい石
英ルツボを製造する方法。 - （２）加熱溶融をｔ分間行なう際に、加熱開始から０．
２ｔ分後〜０．９ｔ分前に吸引排気を停止して、外周側
部分の気泡含有率を内周側部分より大きくする第１請求
項の方法。 - （３）回転自在なガス透過性モールドと、該モールドの
回転手段と、該モールドの外周を減圧する手段と、該モ
ールドの内側に装入される取外し自在な中子及び取外し
自在な加熱手段とを有する石英ルツボ製造装置において
、モールドがモールドホルダに脱着自在に嵌着しており
、該モールドホルダは該モールを支持して回転し且つ該
モールドの外周に減圧室を形成することを特徴とする装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20477888A JPH0255285A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 石英ルツボの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20477888A JPH0255285A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 石英ルツボの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9067778A Division JP2736969B2 (ja) | 1997-03-21 | 1997-03-21 | 石英ルツボ製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0255285A true JPH0255285A (ja) | 1990-02-23 |
| JPH0585515B2 JPH0585515B2 (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=16496192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20477888A Granted JPH0255285A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 石英ルツボの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0255285A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0715342A3 (en) * | 1994-11-30 | 1996-10-16 | Heraeus Quarzglas | Device for the heat treatment of single disks and method for producing a reactor vessel therefor |
| US5651827A (en) * | 1996-01-11 | 1997-07-29 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Single-wafer heat-treatment apparatus and method of manufacturing reactor vessel used for same |
| WO2009054529A1 (ja) | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Japan Super Quartz Corporation | 石英ガラスルツボとその製造方法およびその用途 |
| WO2009122936A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-08 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボとその製造方法 |
| US8394198B2 (en) | 2008-11-28 | 2013-03-12 | Japan Super Quartz Corporation | Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for manufacturing thereof |
| JP2013212992A (ja) * | 2008-12-19 | 2013-10-17 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 純粋且つ無気泡のるつぼ内層を有するシリカるつぼの製造方法 |
| US8562739B2 (en) | 2008-12-29 | 2013-10-22 | Japan Super Quartz Corporation | Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for manufacturing thereof |
| US8951346B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-02-10 | Japan Super Quartz Corporation | Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for manufacturing thereof |
| KR20220041649A (ko) * | 2020-09-25 | 2022-04-01 | 주식회사 솔레드 | 반도체 링 제조장치 및 그를 이용한 반도체 링 제조방법 |
| KR20220059639A (ko) * | 2020-11-03 | 2022-05-10 | 주식회사 솔레드 | 반도체 링 제조장치 및 그를 이용한 반도체 링 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850955A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-25 | 株式会社フオ−ブレイン | レジン床義歯やクラウンの成形用レジンカプセル |
| JPS5934659A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-25 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH01157426A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラスルツボ製造装置 |
| JPH01160836A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-23 | Tokyo Ceramics Kk | 石英ガラスルツボの製造方法 |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP20477888A patent/JPH0255285A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850955A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-25 | 株式会社フオ−ブレイン | レジン床義歯やクラウンの成形用レジンカプセル |
| JPS5934659A (ja) * | 1982-08-20 | 1984-02-25 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH01157426A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 石英ガラスルツボ製造装置 |
| JPH01160836A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-23 | Tokyo Ceramics Kk | 石英ガラスルツボの製造方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0715342A3 (en) * | 1994-11-30 | 1996-10-16 | Heraeus Quarzglas | Device for the heat treatment of single disks and method for producing a reactor vessel therefor |
| US5651827A (en) * | 1996-01-11 | 1997-07-29 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Single-wafer heat-treatment apparatus and method of manufacturing reactor vessel used for same |
| WO2009054529A1 (ja) | 2007-10-25 | 2009-04-30 | Japan Super Quartz Corporation | 石英ガラスルツボとその製造方法およびその用途 |
| WO2009122936A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-08 | ジャパンスーパークォーツ株式会社 | 石英ガラスルツボとその製造方法 |
| US8394198B2 (en) | 2008-11-28 | 2013-03-12 | Japan Super Quartz Corporation | Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for manufacturing thereof |
| US8951346B2 (en) | 2008-12-09 | 2015-02-10 | Japan Super Quartz Corporation | Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for manufacturing thereof |
| JP2013212992A (ja) * | 2008-12-19 | 2013-10-17 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | 純粋且つ無気泡のるつぼ内層を有するシリカるつぼの製造方法 |
| US8562739B2 (en) | 2008-12-29 | 2013-10-22 | Japan Super Quartz Corporation | Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal and method for manufacturing thereof |
| KR20220041649A (ko) * | 2020-09-25 | 2022-04-01 | 주식회사 솔레드 | 반도체 링 제조장치 및 그를 이용한 반도체 링 제조방법 |
| KR20220059639A (ko) * | 2020-11-03 | 2022-05-10 | 주식회사 솔레드 | 반도체 링 제조장치 및 그를 이용한 반도체 링 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0585515B2 (ja) | 1993-12-07 |
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