JPH0255963B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0255963B2 JPH0255963B2 JP56151917A JP15191781A JPH0255963B2 JP H0255963 B2 JPH0255963 B2 JP H0255963B2 JP 56151917 A JP56151917 A JP 56151917A JP 15191781 A JP15191781 A JP 15191781A JP H0255963 B2 JPH0255963 B2 JP H0255963B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- current
- emitter
- final stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/347—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、終段トランジスタの可変負荷のため
のトランジスタ増幅器のエミツタ接地で駆動され
る単一型終段トランジスタの制御電流を負荷に比
例して調整するための回路装置であつて、終段ト
ランジスタには制御電流が電流源を介して導かれ
るような回路装置に関する。
のトランジスタ増幅器のエミツタ接地で駆動され
る単一型終段トランジスタの制御電流を負荷に比
例して調整するための回路装置であつて、終段ト
ランジスタには制御電流が電流源を介して導かれ
るような回路装置に関する。
その際、負荷に比例した調整とは、大きな負荷
電流を提供するために制御回路に対して所定の電
流が必要であり、負荷電流が小さくなるにしたが
つて制御回路に対して必要な電流も小さくなる、
ということを意味する。
電流を提供するために制御回路に対して所定の電
流が必要であり、負荷電流が小さくなるにしたが
つて制御回路に対して必要な電流も小さくなる、
ということを意味する。
エミツタ接地の単一の出力段もしくは終段の場
合には想定される最大負荷電流に対して相応する
制御電流が取扱い可能でなければならない。
合には想定される最大負荷電流に対して相応する
制御電流が取扱い可能でなければならない。
非常に高い負荷電流を計算に入れるならば、制
御電流は低い電流増幅度の場合に全消費電流に比
べて非常に高く、例えば全電流の50％、場合によ
つては75％以上もの範囲にある。これは、外部操
作なしに変更されないで種々の負荷電流で使用し
ようとする集積化された標準回路の場合にとくに
非常に障害である。なぜならばなるほど最大の負
荷電流に対して設計されなければならないが、し
かし供給電流がたいてい非常に小さい場合によう
な低い負荷電流の用途にもこの回路を使用すべき
であるからである。
御電流は低い電流増幅度の場合に全消費電流に比
べて非常に高く、例えば全電流の50％、場合によ
つては75％以上もの範囲にある。これは、外部操
作なしに変更されないで種々の負荷電流で使用し
ようとする集積化された標準回路の場合にとくに
非常に障害である。なぜならばなるほど最大の負
荷電流に対して設計されなければならないが、し
かし供給電流がたいてい非常に小さい場合によう
な低い負荷電流の用途にもこの回路を使用すべき
であるからである。
したがつて、小さな負荷電流を提供するために
も最大許容負荷電流に対して必要であろう電流が
制御回路に対して必要である。
も最大許容負荷電流に対して必要であろう電流が
制御回路に対して必要である。
従来、かかる場合たいてい制御電流に関する上
述の観点からダーリントン終段が使用されてい
た。ダーリントン段の電流増幅度はダーリントン
接続を構成する両トランジスタの電流増幅度の積
に等しいから、制御電流はダーリントン段なしの
純粋のエミツタ段に比べて約102だけ低い。
述の観点からダーリントン終段が使用されてい
た。ダーリントン段の電流増幅度はダーリントン
接続を構成する両トランジスタの電流増幅度の積
に等しいから、制御電流はダーリントン段なしの
純粋のエミツタ段に比べて約102だけ低い。
しかしながらダーリントン終段は欠点として、
単一型終段トランジスタの簡単なエミツタ接地に
比べて、ベース・エミツタ電圧だけ高い約0.9V
の残留電圧が生じる。この残留電圧、すなわちダ
ーリントン段で達成され得る最小の出力電圧は、
TTL回路を制御するには大きすぎる（TTL回路
を制御するには、約200mV、少なくとも400mV
より小さくなければならない）。したがつて、こ
の種のダーリントン終段によつては、TTL回路
を制御することはできない。
単一型終段トランジスタの簡単なエミツタ接地に
比べて、ベース・エミツタ電圧だけ高い約0.9V
の残留電圧が生じる。この残留電圧、すなわちダ
ーリントン段で達成され得る最小の出力電圧は、
TTL回路を制御するには大きすぎる（TTL回路
を制御するには、約200mV、少なくとも400mV
より小さくなければならない）。したがつて、こ
の種のダーリントン終段によつては、TTL回路
を制御することはできない。
本発明の目的は、大きな負荷電流の際所定の電
流消費を示し、より小さな負荷電流の際より小さ
な電流消費を示し（負荷に比例した制御）、達成
し得る最小の出力電圧ができるだけ小さいような
エミツタ接地で動作する終段トランジスタを有す
る回路装置を提供することにある。
流消費を示し、より小さな負荷電流の際より小さ
な電流消費を示し（負荷に比例した制御）、達成
し得る最小の出力電圧ができるだけ小さいような
エミツタ接地で動作する終段トランジスタを有す
る回路装置を提供することにある。
この目的は本発明によれば、冒頭に述べた如き
回路装置において、終段トランジスタのベース・
エミツタ電圧によつて制御され、そのベース・エ
ミツタ回路が終段トランジスタT2のベース・エ
ミツタ回路と並列に接続された検出用トランジス
タ段と、検出用トランジスタ段の出力回路におけ
る電流を終段トランジスタのための制御用トラン
ジスタとして役立ち、かつ電流源により制御され
るトランジスタのコレクタに導く電流ミラー回路
とを設けることによつて達成される。
回路装置において、終段トランジスタのベース・
エミツタ電圧によつて制御され、そのベース・エ
ミツタ回路が終段トランジスタT2のベース・エ
ミツタ回路と並列に接続された検出用トランジス
タ段と、検出用トランジスタ段の出力回路におけ
る電流を終段トランジスタのための制御用トラン
ジスタとして役立ち、かつ電流源により制御され
るトランジスタのコレクタに導く電流ミラー回路
とを設けることによつて達成される。
上記の本発明による解決策は、終段トランジス
タもしくは出力トランジスタのベース・エミツタ
電圧が出力電流の関数であり、出力電流とともに
対数的に上昇するという認識に基づくものであ
る。終段トランジスタもしくは出力トランジスタ
のベース・エミツタ回路では実際に流れる出力電
流を介する情報が意のままになり、その場合に負
荷回路に直接にかかわることはなく、負荷回路に
おけるインピーダンス比がエミツタ抵抗によつて
変化される必要もない。
タもしくは出力トランジスタのベース・エミツタ
電圧が出力電流の関数であり、出力電流とともに
対数的に上昇するという認識に基づくものであ
る。終段トランジスタもしくは出力トランジスタ
のベース・エミツタ回路では実際に流れる出力電
流を介する情報が意のままになり、その場合に負
荷回路に直接にかかわることはなく、負荷回路に
おけるインピーダンス比がエミツタ抵抗によつて
変化される必要もない。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施例に
ついて詳細に説明する。
ついて詳細に説明する。
図示の回路図ではエミツタ接地で駆動されるト
ランジスタT2がトランジスタ増幅器の単一型終
段を形成する。このトランジスタT2のコレクタ
路では負荷がバツテリ電圧＋UBにつながれてい
る。この負荷は本実施例では簡略化のために負荷
抵抗RLとして示されている。実際にはこの負荷
は、別の回路、例えば集積化されたTTL回路の
入力抵抗によつて形成される。
ランジスタT2がトランジスタ増幅器の単一型終
段を形成する。このトランジスタT2のコレクタ
路では負荷がバツテリ電圧＋UBにつながれてい
る。この負荷は本実施例では簡略化のために負荷
抵抗RLとして示されている。実際にはこの負荷
は、別の回路、例えば集積化されたTTL回路の
入力抵抗によつて形成される。
終段トランジスタT2のベース・エミツタ電圧
は検出用トランジスタT3によつて検出される。
集積回路では出力トランジスタT2のベース・エ
ミツタ電圧のこの検出もしくは評価はとくに簡単
である。検出用トランジスタT3が本発明の特別
な特徴にしたがつて同一の半導体結晶内で出力ト
ランジスタT2のすぐ近くに配置されるならば、
検出用トランジスタT3は同一構造を前提とする
と等しいベース・エミツタ電圧の場合に出力トラ
ンジスタT2と同一の電流を供給する。出力トラ
ンジスタT2に対する検出用トランジスタの寸法
が小さくなると電流は所定係数だけ小さくなる。
は検出用トランジスタT3によつて検出される。
集積回路では出力トランジスタT2のベース・エ
ミツタ電圧のこの検出もしくは評価はとくに簡単
である。検出用トランジスタT3が本発明の特別
な特徴にしたがつて同一の半導体結晶内で出力ト
ランジスタT2のすぐ近くに配置されるならば、
検出用トランジスタT3は同一構造を前提とする
と等しいベース・エミツタ電圧の場合に出力トラ
ンジスタT2と同一の電流を供給する。出力トラ
ンジスタT2に対する検出用トランジスタの寸法
が小さくなると電流は所定係数だけ小さくなる。
検出用トランジスタT3中に流れる電流は制御
電流として結合回路を介して帰還することができ
る。この結合回路は、本実施例ではトランジスタ
T4およびT5よりなる電流ミラー回路によつて供
給電圧＋UBで反射される。この電流ミラー回路
は定められた、とくに約１の電流増幅度を有す
る。
電流として結合回路を介して帰還することができ
る。この結合回路は、本実施例ではトランジスタ
T4およびT5よりなる電流ミラー回路によつて供
給電圧＋UBで反射される。この電流ミラー回路
は定められた、とくに約１の電流増幅度を有す
る。
電流ミラー回路T4，T5を介して制御トランジ
スタT1のコレクタは給電される。制御トランジ
スタT1のベースは定電流源１０により制御され、
そして場合によつてはトランジスタ増幅器の（図
示されていない）前段によつて制御されるトラン
ジスタT6によつて制御される。
スタT1のコレクタは給電される。制御トランジ
スタT1のベースは定電流源１０により制御され、
そして場合によつてはトランジスタ増幅器の（図
示されていない）前段によつて制御されるトラン
ジスタT6によつて制御される。
制御回路が場合によつて複合回路からなつてい
てもよいことを示すために、トランジスタT6は
破線で示されている。
てもよいことを示すために、トランジスタT6は
破線で示されている。
上述の図示の回路装置を実施するときには、本
発明の発展形態にしたがつて、若干高いベース・
エミツタ電圧を生ぜしめる終段トランジスタT2
の抵抗の補償として、小さなエミツタ抵抗Reを
設けるとよい。これは必ずしも必要でないため破
線で示されている。
発明の発展形態にしたがつて、若干高いベース・
エミツタ電圧を生ぜしめる終段トランジスタT2
の抵抗の補償として、小さなエミツタ抵抗Reを
設けるとよい。これは必ずしも必要でないため破
線で示されている。
負荷抵抗RLの定まつた現実にある値に対して
定まつた負荷電流が出力トランジスタT2の回路
を介して流れる。この実際の負荷電流に対して電
流源１０の回路には実際に流れている負荷電流と
トランジスタT1，T2の電流増幅度の積との商に
比例する制御電流が流れる。出力トランジスタ
T2のコレクタ・エミツタにおける残留電圧とし
てトランジスタの飽和電圧が生じるだけである。
これは負荷トランジスタT2および別の前段接続
されたトランジスタからなる最初に述べたダーリ
ントン構成のものに比べて残留電圧が小さくなる
という利点を有する。なぜならば、ダーリントン
構成の場合には残留電圧は終段トランジスタのベ
ース・エミツタ電圧とダーリントン段の入力側ト
ランジスタの飽和電圧との和に等しいからであ
る。
定まつた負荷電流が出力トランジスタT2の回路
を介して流れる。この実際の負荷電流に対して電
流源１０の回路には実際に流れている負荷電流と
トランジスタT1，T2の電流増幅度の積との商に
比例する制御電流が流れる。出力トランジスタ
T2のコレクタ・エミツタにおける残留電圧とし
てトランジスタの飽和電圧が生じるだけである。
これは負荷トランジスタT2および別の前段接続
されたトランジスタからなる最初に述べたダーリ
ントン構成のものに比べて残留電圧が小さくなる
という利点を有する。なぜならば、ダーリントン
構成の場合には残留電圧は終段トランジスタのベ
ース・エミツタ電圧とダーリントン段の入力側ト
ランジスタの飽和電圧との和に等しいからであ
る。
図は本発明実施例を示す回路図である。
T1…制御トランジスタ、T2…終段トランジス
タ、T3…検出用トランジスタ、T4，T5…結合回
路（電流ミラー回路）、RL…負荷。
タ、T3…検出用トランジスタ、T4，T5…結合回
路（電流ミラー回路）、RL…負荷。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ トランジスタ増幅器のエミツタ接地で駆動さ
れる単一型終段トランジスタT2の制御電流を終
段トランジスタの可変負荷RLに対して負荷に比
例して調整するための回路装置であつて、しかも
終段トランジスタT2には制御電流が電流源１０
を介して導かれるような回路装置において、終段
トランジスタT2のベース・エミツタ電圧によつ
て制御されそのベース・エミツタ回路が終段トラ
ンジスタT2のベース・エミツタ回路と並列に接
続された検出用トランジスタ段T3と、この検出
用トランジスタ段T3の出力回路における電流を、
終段トランジスタT2のための制御トランジスタ
として用いられかつ電流源１０によつて制御され
るトランジスタT1のコレクタ回路に供給するこ
とを可能にする電流ミラー回路T4，T5とを具備
することを特徴とするトランジスタ増幅器の終段
トランジスタの制御電流を調整するための回路装
置。 ２ 検出用トランジスタ段T3はエミツタ接地で
駆動されかつそのコレクタを介して電流ミラー回
路と直列になつているトランジスタからなること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路装
置。 ３ 集積回路として構成された場合に終段トラン
ジスタおよび検出用トランジスタが集積回路を含
む半導体結晶内に互いにすぐ隣接して配置されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の回路装置。 ４ 検出用トランジスタT3のエミツタ路中に抵
抗が挿入されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の回路
装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3036736A DE3036736C2 (de) | 1980-09-29 | 1980-09-29 | Schaltungsanordnung zur belastungsproportionalen Einstellung des Ansteuerstroms eines in Emitterschaltung betriebenen Eintakt-Endstufentransistors eines Transistorverstärkers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5787607A JPS5787607A (en) | 1982-06-01 |
| JPH0255963B2 true JPH0255963B2 (ja) | 1990-11-28 |
Family
ID=6113158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56151917A Granted JPS5787607A (en) | 1980-09-29 | 1981-09-25 | Circuit device for controlling control current for final stage transistor |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4442411A (ja) |
| EP (1) | EP0048838B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5787607A (ja) |
| DE (2) | DE3036736C2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1200915B (it) * | 1985-12-23 | 1989-01-27 | Sgs Microelettronica Spa | Stadio di amplificazione di corrente a bassa caduta di tensione |
| US4823070A (en) | 1986-11-18 | 1989-04-18 | Linear Technology Corporation | Switching voltage regulator circuit |
| US4758798A (en) * | 1987-04-10 | 1988-07-19 | Cross Technology, Inc. | Output amplifier |
| US4771228A (en) * | 1987-06-05 | 1988-09-13 | Vtc Incorporated | Output stage current limit circuit |
| JPH0313008A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-22 | Nec Kansai Ltd | スイッチング回路 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3531660A (en) * | 1967-11-21 | 1970-09-29 | Ampex | Digital coaxial line driver |
| US3577167A (en) * | 1968-02-29 | 1971-05-04 | Rca Corp | Integrated circuit biasing arrangements |
| US3582689A (en) * | 1968-10-23 | 1971-06-01 | Canadian Patents Dev | Current conveyor with virtual input reference potential |
| US3701032A (en) * | 1971-02-16 | 1972-10-24 | Rca Corp | Electronic signal amplifier |
| DE2508363A1 (de) * | 1975-02-26 | 1976-09-02 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung zur verbesserung der belastbarkeit von operationsverstaerkern |
| US4074181A (en) * | 1975-12-04 | 1978-02-14 | Rca Corporation | Voltage regulators of a type using a common-base transistor amplifier in the collector-to-base feedback of the regulator transistor |
| US4187472A (en) * | 1978-01-30 | 1980-02-05 | Beltone Electronics Corporation | Amplifier employing matched transistors to provide linear current feedback |
-
1980
- 1980-09-29 DE DE3036736A patent/DE3036736C2/de not_active Expired
-
1981
- 1981-09-02 US US06/298,775 patent/US4442411A/en not_active Expired - Fee Related
- 1981-09-03 EP EP81106914A patent/EP0048838B1/de not_active Expired
- 1981-09-03 DE DE8181106914T patent/DE3169264D1/de not_active Expired
- 1981-09-25 JP JP56151917A patent/JPS5787607A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3036736A1 (de) | 1982-07-22 |
| JPS5787607A (en) | 1982-06-01 |
| EP0048838B1 (de) | 1985-03-13 |
| DE3169264D1 (en) | 1985-04-18 |
| EP0048838A1 (de) | 1982-04-07 |
| DE3036736C2 (de) | 1982-10-21 |
| US4442411A (en) | 1984-04-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4567537A (en) | Transistor-controlled-load, short-circuit-protected current-supply circuit | |
| US3870965A (en) | Current mode operational amplifier | |
| JPS61230411A (ja) | 電気回路 | |
| JPS5810008B2 (ja) | ブツシユブルゾウフクキ | |
| KR920003627A (ko) | 복수개의 전원으로부터 동작하는 공통 에미터 증폭기 | |
| JPH04271607A (ja) | 差動増幅器のオフセット低減回路 | |
| JPH0516689B2 (ja) | ||
| KR920009548B1 (ko) | 전류원 장치 | |
| JPH0255963B2 (ja) | ||
| US4095126A (en) | Bi-polar amplifier with sharply defined amplitude limits | |
| US6734720B2 (en) | Operational amplifier in which the idle current of its output push-pull transistors is substantially zero | |
| US3412306A (en) | Circuit arrangement for controlling the speed of battery-fed electric motors | |
| US5010303A (en) | Balanced integrated circuit differential amplifier | |
| US4409558A (en) | Gain compensated transistor amplifier | |
| US3262062A (en) | Direct current amplifier of the type comprising two cascaded transistors in series with a third transistor | |
| US3082380A (en) | Transistor amplifier stage with high input impedance | |
| EP0157447A1 (en) | Differential amplifier | |
| US3660774A (en) | Single stage differential amplifier | |
| JPS6218979Y2 (ja) | ||
| US3699466A (en) | Single ended push-pull amplifier | |
| JPS6223612A (ja) | 温度補償型カレントスイツチ回路 | |
| JP2623954B2 (ja) | 利得可変増幅器 | |
| EP0362217B1 (en) | Output amplifier | |
| KR890016751A (ko) | 증폭회로 | |
| JPH0816261A (ja) | レギュレータ回路 |