JPH0256915A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPH0256915A JPH0256915A JP20921388A JP20921388A JPH0256915A JP H0256915 A JPH0256915 A JP H0256915A JP 20921388 A JP20921388 A JP 20921388A JP 20921388 A JP20921388 A JP 20921388A JP H0256915 A JPH0256915 A JP H0256915A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- graphite
- silver
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 13
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 15
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241001235534 Graphis <ascomycete fungus> Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoboron Chemical compound [B]N(C)C YPTUAQWMBNZZRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体電解コンデンサに関し、特に陰極導電体層
の構造に関する。
の構造に関する。
従来の固体電解コンデンサは第2図に示すように弁作用
を有する金属の粉末が加圧成型されてなる陽極体11に
弁作用を有する金属線12が陽極リードとして予め植立
され、真空中で焼結され、陽極酸化の手法により陽極体
11の外周面に酸化膜層が形成され、この酸化膜層の外
周面に対向電極として二酸化マンガン等の半導体層が形
成され、さらに接触抵抗を減らすためのグラファイト層
13を介して陰極(導電体)層が形成されコンデンサ素
子が構成される。
を有する金属の粉末が加圧成型されてなる陽極体11に
弁作用を有する金属線12が陽極リードとして予め植立
され、真空中で焼結され、陽極酸化の手法により陽極体
11の外周面に酸化膜層が形成され、この酸化膜層の外
周面に対向電極として二酸化マンガン等の半導体層が形
成され、さらに接触抵抗を減らすためのグラファイト層
13を介して陰極(導電体)層が形成されコンデンサ素
子が構成される。
上述した従来のコンデンサ素子は銀ペースト層を持つた
め湿気雰囲気中に放置すると銀のマイグレーションが起
き漏洩電流が増大する欠点がある。
め湿気雰囲気中に放置すると銀のマイグレーションが起
き漏洩電流が増大する欠点がある。
また、従来のコンデンサ素子は高価な銀ペーストを使用
するなめに製品コストが高くなる欠点がある。
するなめに製品コストが高くなる欠点がある。
これら2点の解決策としてパラジウム粉末を含むグラフ
ァイト層を形成した後に無電解めっきの手法により銅、
ニッケル等のめっき層を形成する方法が提案されている
。しかしながらこのような構造の固体電解コンデンサは
銀ペーストを使用しないかわりに少量ではあるがパラジ
ウム粉末を使用するのでそれほどコストが低減しないと
いう欠点がある。
ァイト層を形成した後に無電解めっきの手法により銅、
ニッケル等のめっき層を形成する方法が提案されている
。しかしながらこのような構造の固体電解コンデンサは
銀ペーストを使用しないかわりに少量ではあるがパラジ
ウム粉末を使用するのでそれほどコストが低減しないと
いう欠点がある。
本発明の目的は、高価でしかも湿気雰囲気中では銀のマ
イグレーションを発生する銀ベース層を使用することな
く、また第2のグラファイト層として高価なパラジウム
粉末のみを含有するグラファイト層を用いることなく品
質がすぐれ、しかも安価な固体電解コンデンサを提供す
ることにある。
イグレーションを発生する銀ベース層を使用することな
く、また第2のグラファイト層として高価なパラジウム
粉末のみを含有するグラファイト層を用いることなく品
質がすぐれ、しかも安価な固体電解コンデンサを提供す
ることにある。
本発明の固体電解コンデンサは、陽極リードが植立され
た弁作用金属からなる陽極体上に誘電体酸化膜層と半導
体酸化物層、第1のグラファイト層、第2のグラファイ
ト層、卑金属層を有する陰極層とを持つ固体電解コンデ
ンサにおいて、前記第2のグラファイト層がグラファイ
ト粉末、銀−パラジウム合金粉末、無機フィラー及び樹
脂を有する混合物から形成されることを特徴として構成
される。
た弁作用金属からなる陽極体上に誘電体酸化膜層と半導
体酸化物層、第1のグラファイト層、第2のグラファイ
ト層、卑金属層を有する陰極層とを持つ固体電解コンデ
ンサにおいて、前記第2のグラファイト層がグラファイ
ト粉末、銀−パラジウム合金粉末、無機フィラー及び樹
脂を有する混合物から形成されることを特徴として構成
される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第1図
は本発明の一実施例の樹脂モールド型固体電解コンデン
サの断面図である。
は本発明の一実施例の樹脂モールド型固体電解コンデン
サの断面図である。
第1図において、弁作用を有する金属の1つであるタン
タル粉末が加圧成型され立され真空焼結された陽極体1
にはタンタル材の陽極リード2が植立され、陽極体1の
外周面には図には示していないが酸化膜層及び二酸化マ
ンガン層が形成され、その外側に陽極リード植立面を除
き第1のグラファイト層4が形成される。陽極体の陽極
リード植立面にはブタジェン樹脂が塗布され、加熱され
ることにより被覆樹脂層5が形成される。更に銀−パラ
ジウム合金粉末を含む第2のグラファイト層6、卑金属
層であるニッケルめっき層7が順次陽極リード植立面以
外の陽極体外周面に形成される。陽極リード2の先端部
には外部陽極端子3が溶接され又、ニッケルめっき層7
には外部陰極端子9がはんだ層8によって接続されて、
コンデンサ素子全体が熱硬化性樹脂からなる外装絶縁樹
脂層10によってモールド外装されて本発明の一実施例
の樹脂モールド型の固体電解コンデンサが構成される。
タル粉末が加圧成型され立され真空焼結された陽極体1
にはタンタル材の陽極リード2が植立され、陽極体1の
外周面には図には示していないが酸化膜層及び二酸化マ
ンガン層が形成され、その外側に陽極リード植立面を除
き第1のグラファイト層4が形成される。陽極体の陽極
リード植立面にはブタジェン樹脂が塗布され、加熱され
ることにより被覆樹脂層5が形成される。更に銀−パラ
ジウム合金粉末を含む第2のグラファイト層6、卑金属
層であるニッケルめっき層7が順次陽極リード植立面以
外の陽極体外周面に形成される。陽極リード2の先端部
には外部陽極端子3が溶接され又、ニッケルめっき層7
には外部陰極端子9がはんだ層8によって接続されて、
コンデンサ素子全体が熱硬化性樹脂からなる外装絶縁樹
脂層10によってモールド外装されて本発明の一実施例
の樹脂モールド型の固体電解コンデンサが構成される。
次に、このような構成の樹脂モールド型タンタル固体電
解コンデンサの製造方法について説明する。
解コンデンサの製造方法について説明する。
加圧成型されたタンタル粉末が高温で真空焼結され、タ
ンタル材の陽極リード2が植立された陽極体1は燐酸水
溶液中で化成電圧100Vにより陽極酸化され全外周面
にタンタル酸化膜が形成され、次に、硝酸マンガン溶液
中に浸漬して含浸させ、その後250〜300℃の雰囲
気中で熱分解され二酸化マンガン層が形成される。この
浸漬および熱分解は均一な二酸化マンガン層を得るため
に複数回行われる。次に、水溶性高分子材の水溶液にグ
ラファイト粉末を懸濁したグラフディト溶液中に二酸化
マンガン層が形成され陽極体1が浸漬され、150〜2
00℃の雰囲気中で乾燥されて第1のグラファイト層4
が形成される。
ンタル材の陽極リード2が植立された陽極体1は燐酸水
溶液中で化成電圧100Vにより陽極酸化され全外周面
にタンタル酸化膜が形成され、次に、硝酸マンガン溶液
中に浸漬して含浸させ、その後250〜300℃の雰囲
気中で熱分解され二酸化マンガン層が形成される。この
浸漬および熱分解は均一な二酸化マンガン層を得るため
に複数回行われる。次に、水溶性高分子材の水溶液にグ
ラファイト粉末を懸濁したグラフディト溶液中に二酸化
マンガン層が形成され陽極体1が浸漬され、150〜2
00℃の雰囲気中で乾燥されて第1のグラファイト層4
が形成される。
次に、ポリブタジェン樹脂をデイスペンサによって陽極
リード植立面に塗布後、150〜200℃の雰囲気中で
乾燥されて被覆樹脂層5が形成される。
リード植立面に塗布後、150〜200℃の雰囲気中で
乾燥されて被覆樹脂層5が形成される。
次に、エポキシ樹脂20〜50%、グラフアイl−粉末
5〜30%、無機フィラー20〜50%銀−パラジウム
合金粉末1〜10%が重量比で混きされ、ブチルセロソ
ルブで希釈した混合液中に被覆樹脂層と接する位置まで
浸漬され、150〜200℃の雰囲気中で熱硬化されて
第2のグラファイト層6が形成される。なお、第2のグ
ラファイト層中の銀−パラジウム合金粉末はめっき触媒
として又、無機フィラーは表面の凹凸をつくりアンカー
効果によりめっき被膜の密着力を高める効果がある。な
お、銀−パラジウム合金は、銀とパラジウムの割合が重
量比で8:2のものを使用した。
5〜30%、無機フィラー20〜50%銀−パラジウム
合金粉末1〜10%が重量比で混きされ、ブチルセロソ
ルブで希釈した混合液中に被覆樹脂層と接する位置まで
浸漬され、150〜200℃の雰囲気中で熱硬化されて
第2のグラファイト層6が形成される。なお、第2のグ
ラファイト層中の銀−パラジウム合金粉末はめっき触媒
として又、無機フィラーは表面の凹凸をつくりアンカー
効果によりめっき被膜の密着力を高める効果がある。な
お、銀−パラジウム合金は、銀とパラジウムの割合が重
量比で8:2のものを使用した。
なお、銀−パラジウム合金の銀とパラジウムの割合は実
験の結果からパラジウムの割合が多くなるに従って、め
っき触媒の効果を増大しその上に形成する卑金属層の密
着力を高めることができ、また銀の割合が多くなると耐
湿性は向上するが過度に多くなると再び耐熱性は低下す
る。
験の結果からパラジウムの割合が多くなるに従って、め
っき触媒の効果を増大しその上に形成する卑金属層の密
着力を高めることができ、また銀の割合が多くなると耐
湿性は向上するが過度に多くなると再び耐熱性は低下す
る。
更に、容積比10%のパラジウム含有塩酸水溶液中に2
〜3分浸漬し銀−パラジウム表面が活性化された後、純
水洗浄して無電解めっきを行う。
〜3分浸漬し銀−パラジウム表面が活性化された後、純
水洗浄して無電解めっきを行う。
第2のグラファイト層6を除く陽極リード2の周辺部は
被覆樹脂層5で覆われているので反応時のガスから陽極
体の二酸化マンガン層や酸化膜は保護される。めっき液
としては例えばジメチルアミノボランを還元剤とする無
電解ニッケルめっき液(室温においてpH−6,7)を
使用し65℃で40分のめっきが行われ、約4〜5 I
t mのニッケルめっき層7が形成される。めっき終了
後は全体が十分水洗され120〜150℃の恒温槽中に
放置され水分を蒸発させる。
被覆樹脂層5で覆われているので反応時のガスから陽極
体の二酸化マンガン層や酸化膜は保護される。めっき液
としては例えばジメチルアミノボランを還元剤とする無
電解ニッケルめっき液(室温においてpH−6,7)を
使用し65℃で40分のめっきが行われ、約4〜5 I
t mのニッケルめっき層7が形成される。めっき終了
後は全体が十分水洗され120〜150℃の恒温槽中に
放置され水分を蒸発させる。
更に、はんだ付可能材料の外部陽極端子3が陽極リード
2に溶接され、又、ニッケルめっきN7上にはんだペー
ストを介して外部陰極端子9を置く。そして赤外線リフ
ローを行うことによってはんだペーストをはんだ層8と
して形成させ、ニッケルめっき層7と外部陰極端子9と
を電気的に接続させる。
2に溶接され、又、ニッケルめっきN7上にはんだペー
ストを介して外部陰極端子9を置く。そして赤外線リフ
ローを行うことによってはんだペーストをはんだ層8と
して形成させ、ニッケルめっき層7と外部陰極端子9と
を電気的に接続させる。
最後に、コンデンサ素子は熱硬化性樹脂からなる外装絶
縁樹脂層10によってモールド外装され、外部陽極端子
3と外部陰極端子9を折り曲げることにより樹脂モール
ド型の固体電解コンデンサが形成される。
縁樹脂層10によってモールド外装され、外部陽極端子
3と外部陰極端子9を折り曲げることにより樹脂モール
ド型の固体電解コンデンサが形成される。
なお、本実施例では陽極リード植立面に形成する被覆樹
脂層の材料としてポリブタジェン樹脂を使用したが、こ
の材料はめっき反応時に発生する水素から酸化膜や二酸
化マンガン層を保護するために使用するものであること
から、エポキシ、アクリル、ポリエステル、ポリ塩化ビ
ニル、ポリプロピレン等の樹脂及びこれらの混合樹脂を
使用しても良い。 また、本実施例では卑金属としてニ
ッケル層を使用したが、銅の無電解めっき層を使用して
もよい。
脂層の材料としてポリブタジェン樹脂を使用したが、こ
の材料はめっき反応時に発生する水素から酸化膜や二酸
化マンガン層を保護するために使用するものであること
から、エポキシ、アクリル、ポリエステル、ポリ塩化ビ
ニル、ポリプロピレン等の樹脂及びこれらの混合樹脂を
使用しても良い。 また、本実施例では卑金属としてニ
ッケル層を使用したが、銅の無電解めっき層を使用して
もよい。
以上説明したように本発明は、陰極層に銀ペーストを使
用せず、また第2のグラファイト層に含まれるパラジウ
ム粉末にかえて銀−パラジウム合金粉末を含ませたこと
により下記の効果がある。
用せず、また第2のグラファイト層に含まれるパラジウ
ム粉末にかえて銀−パラジウム合金粉末を含ませたこと
により下記の効果がある。
(1)高価な銀ペーストを全く使用しないので製品コス
トを大幅に低減することができ、湿気雰囲気中おける銀
のマイグレーションがなく、固体電解コンデンサの品質
が向上する。
トを大幅に低減することができ、湿気雰囲気中おける銀
のマイグレーションがなく、固体電解コンデンサの品質
が向上する。
(2)第2のグラファイト層にパラジウム粉末ではなく
、銀−パラジウム合金粉末を使用しているので製品コス
トを大幅に低減できる。
、銀−パラジウム合金粉末を使用しているので製品コス
トを大幅に低減できる。
っき層、8・・・はんだ層、9・・・外部陰極端子、1
0・・・外装絶縁樹脂層、11・・・陽極体、12・・
・陽極リード、13・・・グラファイト層、14・・・
銀ペースト層。
0・・・外装絶縁樹脂層、11・・・陽極体、12・・
・陽極リード、13・・・グラファイト層、14・・・
銀ペースト層。
Claims (1)
- 陽極リードが植立された弁作用金属からなる陽極体上
に、誘電体酸化膜層と、半導体酸化物層,第1のグラフ
ァイト層,第2のグラファイト層,卑金属層を有する陰
極層とを持つ固体電解コンデンサにおいて、前記第2の
グラファイト層が、グラファイト粉末,銀−パラジウム
合金粉末,無機フィラー及び樹脂を有する混合物から形
成されることを特徴とする固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20921388A JPH0256915A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20921388A JPH0256915A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256915A true JPH0256915A (ja) | 1990-02-26 |
Family
ID=16569224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20921388A Pending JPH0256915A (ja) | 1988-08-22 | 1988-08-22 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0256915A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000022636A1 (de) * | 1998-10-12 | 2000-04-20 | Epcos Ag | Tantal-elektrolytkondensator |
| US6072183A (en) * | 1991-09-18 | 2000-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage device for an exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method which uses said stage device |
| WO2004055843A1 (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Sanyo Electric Co.,Ltd. | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-22 JP JP20921388A patent/JPH0256915A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072183A (en) * | 1991-09-18 | 2000-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage device for an exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method which uses said stage device |
| US6504160B2 (en) | 1991-09-18 | 2003-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage device for an exposure apparatus and semiconductor device manufacturing method which uses said stage device |
| WO2000022636A1 (de) * | 1998-10-12 | 2000-04-20 | Epcos Ag | Tantal-elektrolytkondensator |
| WO2004055843A1 (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-01 | Sanyo Electric Co.,Ltd. | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US7154743B2 (en) | 2002-12-13 | 2006-12-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5036434A (en) | Chip-type solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same | |
| JPS6052571B2 (ja) | 電解質中にグラフアイトを埋蔵した固体バルブメタルコンデンサ | |
| US4794491A (en) | Solid electrolyte capacitor | |
| US5168434A (en) | Fuse-incorporated, chip-type solid electrolytic capacitor | |
| JPH0256915A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2504182B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JP2012502481A (ja) | バルクコンデンサとその製造方法 | |
| US6358390B1 (en) | Method for forming electrode | |
| JPH1092695A (ja) | チップ状固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2748490B2 (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0258210A (ja) | チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| US3935516A (en) | Capacitor with glass metal conductive layer | |
| JPS6145852B2 (ja) | ||
| JPS62291112A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH02166715A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH02184014A (ja) | チップ形固体電解コンデンサ | |
| JPH037137B2 (ja) | ||
| JP2596996B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS61285711A (ja) | 固体電解コンデンサの製法 | |
| JPH06252006A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2534574B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS63119518A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS63207117A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH07120610B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS61224407A (ja) | 電子部品 |